「v region」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing an electrode foil for an aluminum electrolytic capacitor capable of raising the capacitance of an electrode foil in a breakdown voltage region of ≥170 V and reducing the dielectric loss (tan δ) and the leakage current.例文帳に追加

１７０Ｖ以上の耐電圧領域における電極箔の静電容量を高めることができ、かつ誘電体損失（ｔａｎδ）、漏れ電流を低減させることができるアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable reduction of crystal defect of a conventional strain- relaxation buffer layer and a burden on a growing device in III-V compound semiconductor epitaxial wafer having an operative region where a substrate crystal and a grating constant are different equal to or greater than 0.15%.例文帳に追加

基板結晶と格子定数が０．１５％以上異なる動作領域を持つIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、従来の歪緩和バッファ層の結晶の欠点と、成長装置の負担を低減することを可能とする。 - 特許庁

Then, a tomographic image P'a(tc) corresponding to the tomographic face S'a and the prescribed time tc is displayed in a monitor so that the image of the bloodstream region is displayed in the color corresponding to the direction D of the bloodstream and in the color density corresponding to the velocity V of the bloodstream.例文帳に追加

そして、血流領域の画像が、血流の向きＤに応じた色、および血流の速さＶに応じた色の濃さで示されるよう、断層面Ｓ′ａおよび所定の時刻ｔｃに対応する断層画像Ｐ′ａ（ｔｃ）をモニタに表示する。 - 特許庁

The lead storage battery 1 is discharged at a relatively small current value (A), and a voltage value (V) at a plateau region is measured, which is made correspondent to a preliminarily measured regression line to estimate discharging time (min) at a large current value (A).例文帳に追加

鉛蓄電池1を比較的に小さな電流値（Ａ）で放電し、プラトー領域での電圧値（Ｖ）を測定し、あらかじめ測定してある回帰直線と対応させることによって、大きな電流値（Ａ）での放電時間（ｍｉｎ）を推定する。 - 特許庁

The exhaust gas system comprises an exhaust gas guide element arranged in a V-region, and a housing 10 encircling exhaust gas outlets in both cylinder trains with air tightness and having at least one of exhaust gas outlet opening portions 16a, 16b.例文帳に追加

排気ガスシステムは、Ｖ領域に配置された排気ガス案内要素を備えるとともに、両方のシリンダ列における排気ガス出口を気密に囲み、かつ少なくとも１つの排気ガス出口開口部１６ａ，１６ｂを有するハウジング１０を備える。 - 特許庁

To overcome such a problem that a current value varies for disabling usage if the middle electric field region in the voltage V-current I characteristic diagram of zinc oxide elements is used, when suppressing overcurrent by an energy absorption apparatus where a plurality of zinc oxide elements are con nected in parallel.例文帳に追加

複数の酸化亜鉛素子を並列に接続したエネルギー吸収装置により過電流を抑制する場合、酸化亜鉛素子の電圧Ｖ−電流Ｉ特性図の中電界領域を使用すると、電流値がバラつき使用できない。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a silicon single crystal wafer which comprises judging an N(V) area and an N(I) area in an N region with ease and accuracy and without spending much time, and to provide a method for producing a silicon single crystal using the method.例文帳に追加

少なくとも、Ｎ領域のＮ（Ｖ）領域とＮ（Ｉ）領域を、簡単かつ時間をかけずに正確に判定することができるシリコン単結晶ウエーハの評価方法、およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor structure includes steps of: forming the trench surrounding the active region of the semiconductor structure; forming the equipotential electric field modulation section in the trench and letting the equipotential electric field modulation section extend over a portion of the active region; and electrically coupling the equipotential electric field modulation section to the terminal of the group III-V power device formed in the active region.例文帳に追加

半導体構造体を製造する方法は、半導体構造体の能動領域を囲む溝を形成するステップと、等電位の電界変調部を前記溝内に形成するとともに、この等電位の電界変調部を前記能動領域の一部の上に延在させるステップと、前記能動領域内に形成されたIII-Ｖ族電力装置の端子に前記等電位の電界変調部を電気的に結合させるステップとを具える。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having a small parasitic resistance by suppressing a highly increasing of a resistance caused by an influence of a stress generated in a gate recess region, in the field effect transistor using a group III-V nitride semiconductor having a gate recess structure.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有するIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ゲートリセス領域に生じる応力の影響に起因する高抵抗化を抑制し、寄生抵抗が小さい電界効果トランジスタを実現できるようにする。 - 特許庁

An inverter circuit 25 can change the voltage V and frequency f of a driving electric power given to induction motors such as a lowering motor 9 and a knitting-out motor 13 to change the torque and rotation rate of the induction motors in a region including a restrained state.例文帳に追加

インバータ回路２５は、巻下げモータ９および編み出しモータ１３の誘導モータに与える駆動電力の電圧Ｖおよび周波数ｆを変更して、拘束状態を含む領域で誘導モータのトルクおよび回転速度をそれぞれ変更可能である。 - 特許庁

When drawing a virtual line segment 26 parallel to a line segment drawn from the light emitting part to the corner of the surface light emitting region of the light guide plate 13 from the end of the hollow 22A, the V-shaped groove 22B and the second diffusing pattern 23 are provided so as not to exceed the virtual line segment 26.例文帳に追加

発光部から導光板１３の面発光領域の隅に引いた線分と平行な仮想線分２６を窪み２２Ａの端から引いたとき、Ｖ溝２２Ｂ及び第２の拡散パターン２３は当該仮想線分２６を超えないように設けられる。 - 特許庁

The manufacturing method includes an embedding step to form a buried layer 14 by achieving the growth of semiconductor crystal containing In or Ga as a group III element while supplying oxygen in a step region M1 present on the (100) surface of group III-V compound semiconductor crystal.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 - 特許庁

A closed space covering a region including a scribe line formed on an upper face of the fragile substrate at the center and having a predetermined width is created, and a pressure in the closed space is reduced to break the fragile substrate by curving it slightly into a reverse V shape.例文帳に追加

脆性基板の上面に形成したスクライブラインに対し、そのスクライブラインを中央に含むようにして所定幅の領域を覆う閉空間を作り、その閉空間を減圧することにより、脆性基板を逆Ｖ字状に僅かに湾曲させてブレイクを行う。 - 特許庁

To obtain a non-aqueous electrolyte secondary battery that has a plateau potential in the 4 V region nearly equal to a lithium cobaltate battery and has excellent battery characteristics such as cycle characteristics and high temperature characteristics by providing a positive electrode active substance material having a large discharge capacity.例文帳に追加

コバルト酸リチウムとほぼ同等の４Ｖ領域にプラトーな電位を有し、かつ放電容量が大きい正極活物質材料を提供して、サイクル特性、高温特性などの電池特性に優れた非水電解質二次電池が得られるようにする。 - 特許庁

As shown in Fig. 1 (a) and (b), an optoelectric hybrid module 100 has a V groove 104 for mounting an optical fiber 103 and a positioning groove 105 used for positioning the optical axis of the optical fiber 103 in an optical fiber mount region 101a.例文帳に追加

図１（ａ）および（ｂ）に示すように、光・電子混載モジュール１００は、光ファイバ実装領域１０１ａには、光ファイバ１０３を実装するためのＶ溝１０４と、光ファイバ１０３の光軸の位置合わせに用いる位置合わせ用溝１０５とが形成されている。 - 特許庁

To provide a new material which can stably charge and discharge in an operating voltage region (about 4 V) equivalent to that of existing lithium cobalt oxide-based positive electrode material, by using inexpensive raw materials having little restriction on resources.例文帳に追加

本発明は、資源的な制約が少なくかつ安価な原料を使用して、既存のリチウムコバルト酸化物系正極材料と同等の作動電圧領域(約4V)において安定に充放電させることができる新規な材料を提供することを主な目的とする。 - 特許庁

To provide a mixed positive electrode active material having a plateau potential in 4 V region approximately equal to that of lithium cobaltate and having a large discharge capacity, and enable to obtain a nonaqueous electrolyte secondary battery superior in battery properties, such as the cycle property and a high-temperature property.例文帳に追加

コバルト酸リチウムとほぼ同等の４Ｖ領域にプラトーな電位を有し、かつ放電容量が大きい混合正極活物質材料を提供して、サイクル特性、高温特性などの電池特性に優れた非水電解質二次電池を得られるようにする。 - 特許庁

When the temperature of a substrate 11 is within the temperature region (670°C or lower) in which the intermediate reaction of the In raw material and As raw material increases with the rise in the temperature of the substrate 11, a supply ratio of a group V raw material gas and a group III raw material gas is set to 50 or lower.例文帳に追加

基板１１の温度が、Ｉｎ原料とＡｓ原料との中間反応が基板１１の温度上昇に伴って増加する温度領域（６７０℃以下）にある場合には、Ｖ族原料ガスとＩＩＩ族原料ガスとの供給比を５０以下とする。 - 特許庁

Light 15, 16 emitted from the LEDs 8, 9 is guided to a legal area of a vehicle (outside diagonal rear region V) while preventing damping of luminous energy by reciprocally reflecting the light 15, 16 more than once between the reflecting surface 13 and the half mirror processed surface 14.例文帳に追加

ＬＥＤ８，９から発光された光１５，１６を反射面１３とハーフミラー処理面１４との間で１回以上往復反射させることにより、光量の減衰を防止しながらその光を、車両の法規エリア（外側斜め後方領域Ｖ）に導く。 - 特許庁

In this case, when a combination of a presentation for game frequency executed based on winning in the second operation opening 34 and the branching execution mode is continuously executed a specific number of times, a state where the winning in the V winning region is apt to occur is attained.例文帳に追加

この場合に、第２作動口３４への入賞に基づき実行される遊技回用の演出及び分岐実行モードの組合せが特定回数に亘って連続して実行されると、Ｖ入賞用領域への入賞が発生し易い状態となる。 - 特許庁

A rotor core 12 includes a first permanent magnet 26 buried in a peripheral region, second permanent magnets 28a, 28b buried on both circumferential sides of the first permanent magnet 26 and arranged in a substantially V-shaped configuration opening outward, and a first region 40 of low permeability opposed to the first permanent magnet 26 radially inward of the second permanent magnets 28a, 28b.例文帳に追加

回転子鉄心１２は、外周側内部に埋設された第１永久磁石２６と、第１永久磁石２６の周方向両側に埋設され外周側へ向かって略Ｖ字状に配置される第２永久磁石２８ａ，２８ｂと、第２永久磁石２８ａ，２８ｂ間の内周側位置で第１永久磁石２６に対向する低透磁率の第１領域４０とを備える。 - 特許庁

A target drive force is set by a cruise control system with an accelerator pedal unoperated, and the number of rotations of target input NINT is defined by emphasizing fuel consumption when the set target drive force is in the fourth region, while the number of rotations of target input NINT is defined so as to increase along with vehicle speed V when target drive force is in the third region.例文帳に追加

クルーズコントロールシステムにより、アクセルペダルが操作されずに目標駆動力が設定され、設定された目標駆動力が第４の領域にある場合には、燃費を重視して目標入力回転数ＮＩＮＴが定められる一方で、目標駆動力が第３の領域にある場合には、車速Ｖと共に増大するように目標入力回転数ＮＩＮＴが定められる。 - 特許庁

(1) The dislocation concentrated region 24 has a V-shape by forming an inclined plane composed of facet planes 23 on both sides of a bottom which is a dense dislocation region of a stripe-state, becomes a stripe-state by growing the nitride while the inclined plane of the facet planes 23 is maintained so as to concentrate crystal defects, and further becomes various states.例文帳に追加

（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセット面２３から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面２３の斜面を維持させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させることで、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域２４。 - 特許庁

In this car washing machine, a washing body 85 for washing the door mirror mounted region of the vehicle V among the washing bodies provided on rotary brushes of the side brushes is made of a hair material made of synthetic resin, and the washing body 86 for washing side faces of the vehicle being lower than the region is made of flexible felt like a flat plate and maintains its flat state in its freely rotating condition.例文帳に追加

サイドブラシの回転ブラシに設けられる洗浄体のうち車両Ｖのドアミラーが装着される領域を洗浄する洗浄体８５は、合成樹脂製の毛材によりなり、前記領域よりも下方の車両側面を洗浄する洗浄体８６は可撓性を有する平板状のフエルトからなりその自由回転状態で偏平状態を維持する。 - 特許庁

This manufacturing method of this conical structure by plasma-enhanced chemical vapor deposition includes processes of: arranging a silicon substrate in a plasma generation region; introducing a mixture gas of methane gas and hydrogen gas in the plasma generation region; generating plasma by microwave power lower than 400 W; and applying a bias voltage of -120 to -50 V to the silicon substrate.例文帳に追加

プラズマ発生領域内にシリコン基板を配置する工程と、プラズマ発生領域内にメタンガス及び水素ガスの混合ガスを導入する工程と、４００Ｗ未満のマイクロ波電力によりプラズマを発生させる工程と、シリコン基板に—１２０Ｖを超え—５０Ｖ未満のバイアス電圧を印加する工程と、を含むプラズマ化学気相成長法による円錐状構造物の製造方法。 - 特許庁

This n-channel MOS transistor includes the gate electrode pattern made of a conductive metal nitride formed on a p-type silicon active region through a gate insulating film, n-type source and drain regions formed on one side of the gate electrode pattern and on the other side respectively in the p-type silicon active region, and the conductive metal oxide contains Si and V group elements.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタは、ｐ型シリコン活性領域上にゲート絶縁膜を介して形成された導電性金属窒化物よりなるゲート電極パターンと、前記ｐ型シリコン活性領域中、前記ゲート電極パターンの一方および他方の側にそれぞれ形成されたｎ型のソースおよびドレイン領域と、を含み、前記導電性金属窒化物は、ＳｉおよびＶ族元素を含む。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor laser where two stripe growth masks are formed on a semiconductor substrate and an optical waveguide of III-V compound semiconductor having double heterostructure is grown selectively in a region defined by the growth masks by organo- metallic VPE system, pressure of the V compound semiconductor is set in the range of 13.3-400 Pa.例文帳に追加

半導体基板上に２本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記Ｖ族の圧力を、１３．３Ｐａ乃至４００Ｐａとしたことを特徴とするものである。 - 特許庁

The liquid droplet discharge for discharging the liquid droplets L to a substrate from a liquid droplet discharge head 34 is equipped with a head cooling part 81 for immersing the liquid droplet discharge head 34 in a cooling liquid V provided outside a region where liquid droplets are discharged by the liquid droplet discharge head 34.例文帳に追加

液滴吐出ヘッド３４から基板に対して液滴Ｌを吐出する液滴吐出装置において、液滴吐出ヘッド３４により液滴吐出を行う領域外に液滴吐出ヘッド３４を冷却液Ｖに浸漬するヘッド冷却部８１を備える。 - 特許庁

The inventive organic semiconductor structure comprises an organic semiconductor layer having a high order smectic liquid crystal phase in a temperature range of at least -40 to +90°C, and its organic semiconductor layer has charge mobility of 10^-1 cm^2/V or above in at least normal temperature region.例文帳に追加

本発明の有機半導体構造物は、少なくとも−４０〜＋９０℃の温度範囲で高次のスメクティック液晶相を有する有機半導体層を備え、且つその有機半導体層は少なくとも常温領域で１０^−１ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上の電荷移動度を有する。 - 特許庁

The film thickness of a non-single crystal semiconductor thin film 4 is set to less than 50nm, and laser irradiation is crystallized in one direction growth on a substrate 2 by using a phase shifter 51 forming V-type optical intensity distribution 1 having an optical minimum region of a line shape.例文帳に追加

非単結晶半導体薄膜４の膜厚を５０ｎｍ未満として、基板２上においてレーザ照射を、ライン状の光最小強度領域を有するＶ型の光強度分布１を形成するような位相シフタ５１を用いて、一方向成長に結晶化する。 - 特許庁

The needle body is notch shaped, similar to an arc shaped, V-shaped, U-shaped, W-shaped, M-shaped and home base-shaped which open on both sides of the thickness direction and downward of the needle body, and has a region in which the length in the front and back direction becomes larger, the closer it becomes to the lower side.例文帳に追加

針主体部は、弧状、Ｖ字状、Ｕ字状、Ｗ字状、Ｍ字状、ホームベース状等のように、針主体部の厚さ方向の両側及び下方に開放する切り欠きであって、前後方向への長さ寸法が下方側ほど大きくなる領域を有する。 - 特許庁

To provide a temperature compensation piezoelectric oscillator by avoiding a temperature compensation voltage from being a voltage at a minimum capacitance (Cmin) so as to suppress variations in a load capacitance at a high temperature in order to avoid an unstable region caused around the minimum capacitance in C-V characteristics of a MOS varactor.例文帳に追加

ＭＯＳ型バラクタのＣ−Ｖ特性における容量最小値（Ｃｍｉｎ）付近の不安定領域を回避するために、温度補償電圧が容量最小値のときの電位差にならないようにして、高温時の負荷容量変動を抑制した温度補償型圧電発振器を提供する。 - 特許庁

When a vehicle speed V is determined as exceeding a vehicle speed threshold Vth (S2:No), determination results of the occupant condition at a traveling time at not more than a vehicle speed threshold Vth stored in an occupant condition storing region 11c is held, and transmitted to an airbag ECU43 (S9).例文帳に追加

車速Ｖが車速閾値Ｖｔｈを超えていると判別された場合（Ｓ２：Ｎｏ）、乗員状態記憶領域１１ｃにて記憶された車速閾値Ｖｔｈ以下での走行時における乗員状態の判別結果を保持するとともに、エアバッグＥＣＵ４３へ伝送する（Ｓ９）。 - 特許庁

In a stationary current region set with the current smaller than an overcurrent, the gate drive voltage of the power MOS FET generates the voltage under 1 V between A and B which become the voltage loss of this protective circuit against overvoltage, utilizing an astable multivibrator and a transformer.例文帳に追加

過電流として設定した電流以下での定常電流領域では、パワーＭＯＳ ＦＥＴのゲート駆動電圧は、この過電流保護回路の電圧損失となるＡ，Ｂ間の１Ｖ未満の電圧を非安定マルチバイブレーターとトランスを利用した昇圧回路を利用して発生させる。 - 特許庁

The cover material 28 is deployed so that the fall of the pedestrian may be prevented at the time of the completion of deployment and a substantially triangular region from the front part 5a side of the hood panel 5 on an upper side of the hood panel 5 from the viewpoint of a side surface of a vehicle V to an upper part side of the front pillar part FP may be covered.例文帳に追加

カバー材２８は、展開完了時、歩行者の落下を防止可能に、車両Ｖの側面から見たフードパネル５の上方におけるフードパネル５の前部５ａ側からフロントピラー部ＦＰの上部側までの略三角領域を覆い可能に、展開する。 - 特許庁

In a semiconductor device having in order a shield layer 2, a channel region, a semiconductor layer 3 constituting source and drain regions, a first insulating layer 4, which is a gate insulating layer, and a gate electrode 5 on an insulative substrate 1, the layer 2 has a silicon oxide film doped with a group V element.例文帳に追加

絶縁性基板１上に順次遮蔽層２、チャネル領域、ソース・ドレイン領域を構成する半導体層３、ゲート絶縁層である第１の絶縁層４、ゲート電極５を有する半導体素子において、遮蔽層２がＶ族元素が添加されたシリコン酸化膜を有する。 - 特許庁

Each time when a predetermined time lapses from obtaining the reference values U0 and V0, a comparative image in the same region as the reference image is extracted from the picture to be photographed, U data and V data of the comparative image are detected, and average values thereof, namely, Un and Vn are calculated (step 106).例文帳に追加

基準値Ｕ０、Ｖ０が得られてから所定時間経過毎に、撮影されるべき画面から、基準画像と同じ領域にある比較画像を抽出し、比較画像のＵデータとＶデータを検出するとともに、これらの平均値すなわちＵｎ、Ｖｎを算出する（ステップ１０６）。 - 特許庁

At operation, by applying a voltage of 0 V to a gate of a transistor(TR) MP0 of the switching circuit 20 and applying a bias voltage VB the same as or slightly lower than the power supply voltage Vdd to the channel region can lower the threshold voltage of the TR MP0 and increase the current drive capability thereof.例文帳に追加

動作時に、スイッチング回路２０のトランジスタＭＰ０のゲートに０Ｖの電圧を印加し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたは僅かに低いバイアス電圧Ｖ_B を印加することで、トランジスタＭＰ０のしきい値電圧を低くし、その電流駆動能力を大きくする。 - 特許庁

After an active layer 3, an etching stopping layer 4, and a cap layer 5 are successively grown on a substrate 1 composed of a III-V compound semiconductor, an element region is separately formed by subjecting it to mesa etching (first process), and a mask having an opening for controlling the width of a gate electrode G is formed on the formed mesa.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体からなる基板１上に活性層３、エッチング停止層４、およびキャップ層５を順に成長させた後、メサエッチングを施して素子領域を分離形成し（第１の工程）、上記メサ上にゲート電極Ｇの幅を規定する開口部を有するマスク１１を形成する。 - 特許庁

As a positive electrode active substance, lithium manganate which has dissolution volume of manganese into nonaqueous electrolyte solution of not less than 5% in a lithium manganate standard at a region where electrode potential against metal lithium is not less than 4.8 V, and as a negative electrode active substance, graphite is used which can store and release lithium ion by charging and discharging.例文帳に追加

正極活物質には金属リチウムに対する電極電位が４．８Ｖ以上の領域で、非水電解液中へのマンガンの溶出量がマンガン酸リチウムを基準として５％以上のマンガン酸リチウムが用いられており、負極活物質には充放電によりリチウムイオンを吸蔵、放出可能な黒鉛が用いられている。 - 特許庁

To provide an AlGaInP LED, which is of high brightness and capable of diffusing an operating current over the wide region of a light-emitting part, where the AlGaInP LED is equipped with a light-emitting layer, a III-V compound semiconductor layer, ohmic electrodes which are split and arranged, a light-transmitting window layer, and a wiring pedestal electrode.例文帳に追加

発光層、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおいて、動作電流を発光部の広範な領域に拡散し高輝度のＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤを提供する。 - 特許庁

In regard to pixels in the blood vessel region, blood vessel depth information U* and oxygen saturation information V* corresponding to a first luminance ratio S1*/S3* between the first and third narrowband image data and a second luminance ratio S2*/S3* between second and third narrowband image data are obtained from the correlation obtained beforehand by an experiment.例文帳に追加

血管領域の画素について、第１及び第３狭帯域画像データ間の第１輝度比Ｓ１^＊／Ｓ３^＊と、第２及び第３狭帯域画像データ間の第２輝度比Ｓ２^＊／Ｓ３^＊とに対応する血管深さ情報Ｕ^＊及び酸素飽和度情報Ｖ^＊を、予め実験等で得られた相関関係から求める。 - 特許庁

When the compressor 100 is in a predetermined high rotation region based on the number of revolutions N and it is determined that operation discharge capacity V is in a high actual operation condition in which it is larger than upper limit discharge capacity V_0 at that time, control processing of an input current inputted into the coil 97 is performed.例文帳に追加

回転数Ｎに基づいて圧縮機１００が所定の高回転領域にある場合に、運転吐出容量Ｖがその時の上限吐出容量Ｖ_0よりも大きいの高実働状態にあると判断された場合に、コイル９７に入力する入力電流の制御処理が行われる構成となっている。 - 特許庁

A secondary battery obtained has the negative active material with low, less-noble potential, large charge/discharge capacity in a less-noble potential region of 0-1 V vs. metallic lithium, high voltage, high energy density, excellent high rate charge/discharge characteristics, low deterioration caused by overcharge and overdischarge, and long cycle life.例文帳に追加

負極活物質の電位が低く卑であり、金属リチウムに対して０〜１Ｖの卑な電位領域に於ける充放電容量が大きく、高電圧高エネルギー密度で且つ大電流充放電特性に優れると共に、過充電過放電による劣化が小さく、サイクル寿命の長い二次電池が得られる。 - 特許庁

Then compares the detected value with both a second upper limit threshold lower than the first upper limit threshold and a second lower limit threshold higher than the first lower limit threshold, if the value falls beyond the range of the second upper/lower limit thresholds, also writes the data indicating abnormality in a critical region at 5 V output voltage into a nonvolatile memory 12.例文帳に追加

次に、検出値を第１上限閾値よりも低い第２上限閾値及び第１下限閾値よりも高い第２下限閾値と比較し、第２上限閾値及び第２下限閾値範囲から外れた場合、５Ｖ出力電圧で注意領域の異常が発生したことを示すデータを不揮発性メモリ１２に書き込む。 - 特許庁