「v region」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

An embedding region 19 is embedding the semiconductor mesa 15 on the second area 13b of the first distributed Bragg reflector 13 and comprises a first second conductivity type III-V compound semiconductor.例文帳に追加

埋め込み領域１９は、第１の分布ブラッグリフレクタ１３の第２のエリアと１３ｂ上において半導体メサ１５を埋め込んでおり、また第１の第２導電型III−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

Then, by dry-etching the group III-V compound semiconductor layer 16a by using the etching mask M, a first diffraction grating region G1 is formed having a plurality of periodical recesses 44.例文帳に追加

次に、エッチングマスクＭを用いてIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａをドライエッチングすることによって、複数の周期的な凹部４４を有する第１の回折格子領域Ｇ１を形成する。 - 特許庁

A ratio between a width L1 of a region of the vertical magnetic field component V passing through the zero level three times and a distance L2 from the central axial line of the backing plate 6 to the peripheral part satisfies L1:L2=17:75.例文帳に追加

ゼロレベルを三度通る垂直磁場成分Ｖの領域の幅Ｌ１とバッキングプレート６の中心軸線から周縁部までの距離Ｌ２との比がＬ１：Ｌ２＝１７：７５となるように構成される。 - 特許庁

As an example, the fault-free crystal region is formed over a wide region of a produced silicon ingot by the precise feedback control of the distance L of GAP basing on a measured value by a melt level detector and also the precise control of a crystal pulling velocity V.例文帳に追加

一例として、ＧＡＰの距離Ｌを、メルトレベル検出装置からの実測値に基づいて精密にフィードバック制御すると共に、結晶引上げ速度Ｖについても精密に制御することにより、製造されたシリコンインゴットの広い領域にわたって無欠陥結晶領域が形成される。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device includes on a substrate 10 a group III-V nitride semiconductor layer 30 composed of a low defect region 30A made of a crystal having first average dislocation density and of a high defect region 30B made of a crystal having a higher second average dislocation density than the first one.例文帳に追加

基板１０上に、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域３０Ａと、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる高欠陥領域３０Ｂとを有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０を備える。 - 特許庁

In the route SR, the game balls flow out from a second game ball inlet region on the right side opposite from the direction of rotation of the transfer body, and the game balls are transferred by the transfer body via a second transfer route S3 to a second outlet region where the game balls can be guided toward a second V winning hole 33.例文帳に追加

ルートＳＲでは、移送体の回転方向の逆側の右側において、遊技球の第２流入部位から、遊技球を流出させて第２Ｖ入賞口３３側へ案内可能な第２流出部位まで、の第２移送ルートＳ３を、移送体で移送する。 - 特許庁

A semiconductor structure with an electric field modulation section 444 includes a trench 436 surrounding an active region 434 of a group III-V power device formed in the semiconductor structure, and the electric field modulation section is formed in the trench and extends over a portion of the active region.例文帳に追加

電界変調部４４４を有する半導体構造体は、当該半導体構造体内に形成したIII-Ｖ族電力装置の能動領域４３４を囲む溝４３６を有し、前記電界変調部が溝内に形成されているとともに前記能動領域の一部の上に延在している。 - 特許庁

The present invention is featured by cloning VH and VL region genes constituting antibody molecules from mouse monoclonal antibody-producing cells which neutralize a botulinum neurotoxin, and producing various antibodies such as humanized antibodies and bispecific antibodies based on the genetic information of the V region.例文帳に追加

ボツリヌス神経毒素を中和するマウスモノクローナル抗体産生細胞より抗体分子を構成するＶＨ領域及びＶＬ領域遺伝子をクローニングし、このＶ領域の遺伝情報を元にしてヒト化抗体及び二重特異性抗体などの各種抗体を作製することを特徴とする。 - 特許庁

As an example, a fault-free crystal region is formed over a wide region of a produced silicon ingot by the precise feedback control of the distance L of GAP basing on a measured value by a melt level detector and also the precise control of a crystal pulling velocity V.例文帳に追加

一例として、ＧＡＰの距離Ｌを、メルトレベル検出装置からの実測値に基づいて精密にフィードバック制御すると共に、結晶引上げ速度Ｖについても精密に制御することにより、製造されたシリコンインゴットの広い領域にわたって無欠陥結晶領域が形成される。 - 特許庁

The color selection electrode 7 has a region having holes 12 in which a number of slits 11 are formed and regions having no holes 13 formed on both ends in the H axis (major axis) direction of the region 12, and is pulled in the V axis (minor axis) direction by a frame 8.例文帳に追加

色選別電極７は、スリット状の多数のスリット１１が形成された有孔領域１２と、有孔領域１２のＨ軸（長軸）方向両側に形成された無孔領域１３とを有しており、フレーム８によりＶ軸（短軸）方向に張力を付与されている。 - 特許庁

The elastic range of the hard film is set to be 50% or more, whereby the high friction coefficient in the high speed region and the low friction coefficient in the low speed region are compatibly attained without receiving the influences of the lubricating oil and its deterioration to maintain μ-V characteristic at a positive gradient for a long period.例文帳に追加

硬質皮膜の弾性範囲を５０％以上とすることで、潤滑油種やその劣化の影響を受けずに、高速領域の高摩擦係数と低速領域の低摩擦係数を両立させて、μ−Ｖ特性を長期に亘り正勾配に維持することができる。 - 特許庁

The dispersing region V has multiple guide plates disposed along the rotation direction of the rotating air stream RA in a dispersion part 71, and the second classifying region S2 has a classifying blade 62 rotating in the same direction as the rotation direction of the rotating air stream RA.例文帳に追加

そして、この分散領域Ｖには、分散部７１に、旋回気流ＲＡの旋回方向に沿って配設された複数の案内羽板を有し、第二の分級領域Ｓ２には、旋回気流ＲＡの旋回方向と同一方向に回転する分級翼６２を有している。 - 特許庁

In the field-effect transistor, the thin layer portion 6a of an AlGaN barrier layer 6 is formed on the V defect 13 of a second GaN layer 4 and the non-growth region G1 of a third GaN layer 5 continuous with the V defect 13, and thereby made thinner than a flat portion 6b without performing etching.例文帳に追加

この電界効果型トランジスタは、ＡｌＧａＮ障壁層６の薄層部６ａは、第２のＧａＮ層４のＶ欠陥１３およびＶ欠陥１３に連なる第３のＧａＮ層５の非成長領域Ｇ１上に形成されているので、エッチングを行うことなく平坦部６ｂよりも薄くできる。 - 特許庁

A DFB laser device 100 is provided with an n-type InP substrate 101, V grooves 102 having specific periods, diffraction regions 103 composed of InNAsP and formed so as to be padded in respective V grooves 102, an n-type InP clad layer 104, an active region 105, and a p-type In clad layer 106.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ装置１００は、ｎ型ＩｎＰ基板１０１と、特定周期を有するＶ溝１０２と、各Ｖ溝を埋め込むように形成されたＩｎＮＡｓＰからなる回折領域１０３と、ｎ型ＩｎＰクラッド層１０４と、活性領域１０５と、ｐ型Ｉｎクラッド層１０６とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor structure comprises a crystal mixed region 7 formed by crystal mixing a part of a semiconductor superlattice structure 3 constituted by alternatively laminating two or more types of III-V semiconductor layers containing different Al compositions, and a selectively oxidized region 8 formed by selectively oxidizing a non-crystal mixing region obtained by not crystal mixing the structure 3.例文帳に追加

Ａｌ組成の異なる２種以上のIII−Ｖ族半導体層を交互に積層することによって構成された半導体超格子構造３の一部が混晶化されて混晶化領域７として形成されており、前記半導体超格子構造３の混晶化されていない非混晶化領域が選択酸化されて選択酸化領域８として形成されている。 - 特許庁

The case 20 is provided with a space V in the engaged condition with the holder 10 so that the curved and inflectional wavy part 31 may be formed in the region of the terminal 30 covered with the holder 10.例文帳に追加

ケース２０はホルダー１０と嵌合状態にて内部に空間Ｖを有しており、端子３０のホルダー１０で覆われている領域に、湾曲又は屈曲箇所のある波形状部分３１が形成されている。 - 特許庁

A substrate surface is irradiated with laser beam H while it is shifted almost at constant speed v, so that irradiation region (a) of the laser beam H is almost constant on the substrate surface to be processed.例文帳に追加

このレーザ光Ｈの照射領域ａが、処理を行う基板表面において略均一となるように、基板表面を略等速度ｖで移動させながら、基板表面に対してレーザ光Ｈを照射する。 - 特許庁

Since the annealing of the quantum well structure 25 and thermal cleaning prior to the growth of the second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 are executed in the organometallic vapor growth furnace 11, a process is simplified.例文帳に追加

有機金属気相成長炉１１において、量子井戸構造２５のアニールと、第２導電型ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体領域２９の成長に先立つ熱クリーニングとを行うので、工程を簡素化できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having an active region of a quantum well structure which has a barrier layer made of a group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic so as to be able to reduce a leak current.例文帳に追加

アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体のバリア層を有する量子井戸構造の活性領域を備えリーク電流を低減可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The deflection region 110 is bent into a V-shape at the space 108 side, and the extended direction of the ridgeline 112 of its apex is formed in parallel with the tangential direction (width direction) of the fixed end 105a.例文帳に追加

又、撓み部位１１０は、空隙１０８側にＶ字状に曲げられており、且つその頂点の稜線１１２の延在方向が固定端１０５ａの接線方向（幅方向）と平行であるように形成されている。 - 特許庁

When a ratio of V(i, j) and VO(i, j) is smaller than a specified value (k) (<1), it is determined in a step 806 that the reproduction output of the servo signal decreases and the servo region starts remagnetization (steps 809 to 816).例文帳に追加

ステップ８０６でＶ（ｉ、ｊ）とＶ０（ｉ、ｊ）の比が所定の値ｋ（＜１）よりも小さい場合、サーボ信号の再生出力が低下したと判断し、サーボ領域の再着磁を開始する（ステップ８０９〜８１６）。 - 特許庁

To provide an electrolytic solution for driving an electrolytic capacitor that can guarantee operation in a voltage region of ≥600 V at -40 to 125°C with respect to electric characteristics, heat cycle characteristics, etc., and the electrolytic capacitor.例文帳に追加

−４０〜１２５℃の温度範囲で、電気特性、ヒートサイクル特性などにおいて、６００Ｖ以上の電圧領域で動作保証が可能な電解コンデンサの駆動用電解液および電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a superconducting junction using a high temperature superconductor, which permits evaluation of junction characteristics based on I/V characteristic and the reduction of a substrate region, and a method for manufacturing the superconducting junction.例文帳に追加

本発明は、Ｉ−Ｖ特性に基づく接合特性の評価と基板面積の縮小化が可能な高温超電導体を用いた超電導接合及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The structure enables to widen a gate control voltage to the range of 0.3 to 0.8 V as a result of widened band offset in comparison with a structure constituting the second gate region 7 of Sin.例文帳に追加

このような構成とすれば、第２ゲート領域７をＳｉＣで構成した場合と比べると、バンドオフセットが大きくなる分、すなわち０．３〜０．８Ｖの範囲でゲート制御電圧を大きくすることが可能となる。 - 特許庁

On a client 2 side, a free visual point picture is created by receiving the reference picture V delivered while streaming, the depth map M, and the projection transformation matrix B, and a region concealed by the foreground picture is complemented.例文帳に追加

クライアント２側では、ストリーミング配信された参照画像Ｖと奥行きマップＭと射影変換行列Ｂを受信し、自由視点画像を生成すると共に、前景画像による隠蔽領域を補完する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III-V compound semiconductor photo diode which can control the depth of a p-type diffusion region with high precision and does not generate roughness on a semiconductor light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型拡散領域の深さを高い精度で制御することができかつ半導体受光表面の荒れを生じることのないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体フォトダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

When gray or the like is made the background color for displaying white or black rectangle, the dummy pixel electrode 80 is driven at gradation different from the gradation of the effective display region V by a first gradation control method.例文帳に追加

グレーなどを背景色に白又は黒色の矩形状の表示をする場合には、第１の階調制御方法により、そのダミー画素電極80を、その有効表示領域Ｖの階調と異なる階調で駆動する。 - 特許庁

To provide a positive electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery and a non-aqueous electrolyte secondary battery showing a high potential of 4 V region, superior in high capacity, safety, and cycle characteristics, and also superior in high-temperature characteristics.例文帳に追加

４Ｖ領域の高電位を示し、高容量、安全性、サイクル特性に優れているとともに、高温特性にも優れた非水電解質二次電池用正極及び非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

The number of rotations of target input NINT is defined by making a point of fuel consumption when accelerator opening PA is in the second region, while the number of rotations of target input NINT of a continuously variable transmission is defined so as to increase along with vehicle speed V when accelerator opening PA is in the first region.例文帳に追加

アクセル開度ＰＡが第２の領域にある場合には、燃費を重視して目標入力回転数ＮＩＮＴが定められる一方で、アクセル開度ＰＡが第１の領域にある場合には、車速Ｖと共に増大するように無段変速機の目標入力回転数ＮＩＮＴが定められる。 - 特許庁

This nitride semiconductor device is constituted by laminating a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer on a substrate, and an element separation region is packed with a third nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer with a microcrystal structure grown in a low temperature.例文帳に追加

基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とが積層した窒化物半導体装置であって、素子分離領域を、低温で成長させた微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第３の窒化物半導体層で充填する構造とする。 - 特許庁

To provide a III-V compound semiconductor LED having excellent uniformity of light emitting intensity and high light emitting intensity by sufficiently uniformly diffusing an operating current supplied from a pedestal electrode to an open light emitting region in the LED having a conductive transparent oxide layer as a window layer on a III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

導電性透明酸化物層を窓層としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に設けてなるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤにおいて、台座電極より供給される動作電流を開放発光領域に充分に均一に拡散させ、発光強度の均一性に優れ、且つ高発光強度のＬＥＤを提供する。 - 特許庁

In the method for driving a liquid crystal retarder to electrically change the polarizing state of light by using the birefringence of a substance having optical anisotropy, linear control between the reciprocal of the voltage V applied on the liquid crystal retarder and the phase difference R of the liquid crystal retarder can be performed in the voltage region where the voltage V is higher than the threshold voltage Vth.例文帳に追加

光学異方性を持つ物質の複屈折を利用して光の偏光状態を電気的に変える液晶リターダーの駆動方法において、液晶リターダーへの印加電圧Ｖが閾値電圧Ｖ_thより大きい領域において、前記印加電圧Ｖの逆数と液晶リターダーの位相差Ｒとの線形制御を可能にする。 - 特許庁

As a result, the moisture exuding from the transistors of the H scanner 14 and the V scanner 16 can be prevented from infiltrating the space in the position of a display region 12 formed by the element substrate 10 and an end-sealing substrate 70 with the sealing material 20.例文帳に追加

これによって、シール材２０を介し、素子基板１０と封止基板７０で形成される表示領域１２の位置の空間にＨスキャナ１４、Ｖスキャナ１６のトランジスタからにじみ出た水分が浸入するのを防止できる。 - 特許庁

The lower limit of the distance D1 from the end of the effective display region V to the end of an over layer in the proximity side is specified by a predetermined formula based on the thickness D2 of the over layer and the thickness D3 of a photo spacer.例文帳に追加

有効表示領域Ｖの端部から、それに近接する側のオーバーレイヤーの端部までの距離Ｄ１の下限値を、オーバーレイヤーの厚さＤ２及びフォトスペーサの厚さＤ３に基づく所定の式によって規定する。 - 特許庁

The cut region 13 is composed of a groove side face 131 having a maximum width W1 and a V-shaped groove 132 having a maximum width W2 smaller than the width W1 and located near at the center of the bottom of the groove side faces 131.例文帳に追加

カット領域１３は、最大寸法幅Ｗ１を有する溝側面１３１と、溝側面間底部中央付近に寸法幅Ｗ１より小さい最大寸法幅Ｗ２を有するＶ字溝１３２とで構成される。 - 特許庁

Further, a light guiding member 11 is arranged between the LED 22 and the luminance display window 7, and a plurality of V-shape slits 13 are provided on the region separated from the optical axis of the LED 22 of the rear surface of this light guiding member 11.例文帳に追加

さらに、上記ＬＥＤ２２と上記発光表示窓７との間に導光部材１１を配設し、この導光部材１１の裏面のＬＥＤ２２の光軸から外れる領域に複数のＶ字スリット１３を設ける。 - 特許庁

Samples 1-1 to 1-N are distributed over the entire detection region of a cataphoresis path 2 that is filled with a migration media, and is made to undergo cataphoresis at a specific velocity V by a power supply 3 and electrodes 4 and 5 in contact with the migration media.例文帳に追加

試料１−１〜１−Ｎは泳動媒体で満たされた電気泳動路２の検出領域全体にわたって分布しており，電源３と泳動媒体に接する電極４，５によって所定の速度Ｖで電気泳動される。 - 特許庁

And, after the current detection period of the predetermined number α passed, the abnormality detection part, collectively for the current value of each phase Ix_1,...,Ix_n which are stored in the storage region, carries out an abnormality determination based on a summation of three phases (U,V,W).例文帳に追加

そして、当該所定数αの電流検出周期が経過した後、まとめて、その記憶領域に記憶した各相電流値Ｉx_１，…，Ｉx_nについて、三相（Ｕ，Ｖ，Ｗ）の総和に基づく異常判定をまとめて実行する。 - 特許庁

A second voltage with a first polarity that is a positive voltage within a range of 5 to 9 V that has been set to a larger value than the first voltage in terms of an absolute value is supplied to a drain region 21 by the bias source and a switch block 30b.例文帳に追加

第一電圧は絶対値でおよそ２から３ボルトの範囲であり、第二電圧は絶対値でおよそ５から９ボルトの範囲、反対の極性を有する第三電圧は絶対値でおよそ３から８ボルトの範囲である。 - 特許庁

A molten metal comprising, by mass, 2 to 3.2% C and 0.6 to 3.3% Si, and preferably lying in a hypoeutectic region is admixed with at least either one kind selected from Nb, Mo, V and W by 0.5 to 20 mass% in total.例文帳に追加

２〜３．２質量％のＣ、０．６〜３．３質量％のＳｉを含有し、好ましくは亜共晶域である溶湯に対し、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗの少なくともいずれか１種を合計で０．５〜２０質量％となる割合で添加する。 - 特許庁

To provide a positive electrode for a lithium ion secondary battery, capable of quickly dropping a voltage when a lithium secondary battery utilizing an olivine-type lithium iron phosphate particle as an active material is brought in an over discharge region (2-0.5 V).例文帳に追加

オリビン型鉄リン酸リチウム粒子を活物質として利用した正極を用いたリチウム二次電池が過放電の領域（２〜０．５Ｖ）になった場合、速やかに電圧を降下せしめるリチウムイオン二次電池正極を提供する。 - 特許庁

Next, an element phosphorus 108 selected from group V row B is selectivity introduced into the part of the silicon film 103, high speed heat anneal process is performed, and the catalyst element nickel 104 is moved to the region where the element phosphorus 108 is introduced.例文帳に追加

その後、ケイ素膜１０３の—部に、選択的に５族Ｂから選ばれた元素リン１０８を導入し、高速熱アニール処理を行い、上記リン１０８が導入された領域に、上記触媒元素ニッケル１０４を移動させる。 - 特許庁

The proximity switch 100 which detects a passage of the game ball through a prescribed region of the game machine outputs a prescribed signal with different voltage v and an electric current i corresponding to whether the passage of the game ball is detected or not.例文帳に追加

遊技機における所定領域の遊技球の通過を検出する近接スイッチ１００は、遊技球の通過の検出または非検出に応じて電圧ｖおよび電流ｉの異なる所定の信号を出力する。 - 特許庁

Electrode structures 305, 306 are an ohmic electrode formed on the surface of an n-type or non-doped nitride semiconductor, which contains at least one or more of metals among Ti, Ta, Nb, Cr, V, Sn, In, Zr, and Si in a first region in contact with the surface of the nitride semiconductor, and further contains Mg in a second region formed on the first region.例文帳に追加

本発明の電極構造３０５、３０６は、ｎ型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第１の領域にＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第２の領域にＭｇが含まれていることを特徴とする。 - 特許庁

The casing 6 is provided with a classifying casing part 4 dividing the dispersion region V, a classifying casing part 5 dividing the classifying region S and an openable opening and closing means for mutually opening or closing the classifying casing part 4 and the classifying casing part 5 through a casing opening and closing hinge 20 used for a support shaft from the mutual contact parts (flange 32).例文帳に追加

そして、このケーシング６は、分散領域Ｖを画成する分散部ケーシング４と、分級領域Ｓを画成する分級部ケーシング５と、これら分散部ケーシング４および分級部ケーシング５相互を、互いの当接部分（フランジ３２）から支軸となるケーシング開閉ヒンジ２０を介して開閉可能な開閉手段とを備えて構成されている。 - 特許庁