「v region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This port is divided to a part (region A), to where the voltage of 3 V is applied to the gate electrode, and a part (region B) where the voltage of 3 V or 5 V is applied to the gate electrode.例文帳に追加

ポート１３を、ゲート電極に３Ｖの電圧が印加される部分（領域Ａ）と、ゲート電極に３Ｖまたは５Ｖの電圧が印加される部分（領域Ｂ）と、に分けている。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor region 13 of the first conductivity type contains an InP substrate 21 of the first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型III−V化合物半導体領域１３は第１導電型のＩｎＰ基板２１を含む。 - 特許庁

A normally-off type transistor includes a first region of a III-V semiconductor material, a second region of the III-V semiconductor material on the first region, a third region of the III-V semiconductor material on the second region, and a gate electrode adjacent to at least one side wall of the third region.例文帳に追加

ノーマリーオフ型トランジスタは、ＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第１の領域、第１の領域上のＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第２の領域、第２の領域上のＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第３の領域、および第３の領域の少なくとも１つの側壁に隣接するゲート電極を含む。 - 特許庁

The effective region SLA-V is formed with at least an alignment mark.例文帳に追加

有用領域ＳＬＡ−Ｖには少なくともアライメントマークが形成される。 - 特許庁

The outer side of the display region V is provided with an auxiliary liquid crystal region 17 where the inflow of the liquid crystals 4 in the display region V is possible and portions 19 not contg. the liquid crystals are formed.例文帳に追加

表示領域Ｖの外側に、表示領域Ｖ内の液晶４が流入できると共に液晶未入部分１９が形成される補助液晶領域１７を設ける。 - 特許庁

A hysteresis region H for maintaining a preceding control manner is provided between the position control region P and the speed control region V.例文帳に追加

位置制御領域Ｐと速度制御領域Ｖとの間には、従前の制御形態を維持するヒステリシス領域Ｈを設ける。 - 特許庁

In this antibody, CDRs of V region of the human antibody is substituted with CDRs of the mouse monoclonal antibody to the human IL-6R.例文帳に追加

この抗体においては、ヒト抗体のV領域のCDRがヒトIL-6Rに対するマウスモノクローナル抗体のCDRにより置き換えられている。 - 特許庁

A region judging unit 13 judges whether a region that a target pixel belongs is an edge region, a texture region, or a flat region and outputs region information resting on the basis of the smoothed value LPF (V).例文帳に追加

領域判定部１３は、平滑化値LPF（Ｖ）に基づいて、注目画素が属する領域が、エッジ領域、テクスチャ領域、またはフラット領域のうちのいずれであるかを判定して領域情報を出力する。 - 特許庁

The first conductive semiconductor region 13 consists of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

第１導電型半導体領域１３はIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

To suppress the diffusion of a p-type impurity (typically magnesium) contained in a semiconductor region of a III-V compound semiconductor into another adjacent semiconductor region.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の半導体領域に含まれるｐ型の不純物（典型的にはマグネシウム）が隣接する他の半導体領域に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

A pixel unit region deciding section 13 decides whether a region to which a target pixel belongs is an edge region, a texture region, or a flat region and outputs pixel unit region information on the basis of the smoothed value LPF (V).例文帳に追加

画素単位領域判定部１３は、平滑化値LPF（Ｖ）に基づいて、注目画素が属する領域が、エッジ領域、テクスチャ領域、またはフラット領域のうちのいずれであるかを判定して画素単位領域情報を出力する。 - 特許庁

The well region 5 consists of a III-V compound semiconductor comprising nitrogen, indium and gallium.例文帳に追加

井戸領域５は、窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

In addition, a III-V compound semiconductor region 31 is located between a second region 21c of the second conductivity type semiconductor region 21 and the first conductive type semiconductor region 19, and moreover, a tunnel semiconductor region 23 is embedded therein.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体領域３１は、第２導電型半導体領域２１の第２のエリア２１ｃと第１導電型半導体領域１９との間に位置し、またトンネル半導体領域２３を埋め込む。 - 特許庁

A blue color laser diode comprising III-V group nitride in the short periodic table includes an amplification region 116 and a modulation region 118.例文帳に追加

短周期表ＩＩＩ−Ｖ族窒化物青色レーザダイオードは、増幅領域１１６と、変調領域１１８とを有する。 - 特許庁

Thus, a difference in the quantity of group III and group V raw materials to be supplied between the edge part of the device forming region D and the central part is suppressed and the central part of the device region D is not recessed.例文帳に追加

これにより、素子形成領域Ｄのエッジ部分と中央部とでIII族及びV族の原料の供給量の差が抑制され、素子領域Ｄ中央部が凹部となることがない - 特許庁

A V groove and the vicinity of the same are photographed for inspecting the V groove of the printed board (S1), and a predetermined inspection region is prepared including a part of the V groove (S2).例文帳に追加

プリント基板のＶ溝の検査のためにＶ溝およびその近傍を撮影し（Ｓ１）、その撮影した画像に対して、Ｖ溝の一部を含む所定の検査領域を作成する（Ｓ２）。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte secondary battery, plateaus are respectively present, by lithium reference potential, in a region of 2.6 to 3 V, a region of 2.2 to 2.6 V, a region of 2.1 to 2.5, and a region not higher than 2V in discharging and charging.例文帳に追加

この非水電解質に二次電池においては、放電時および充電時に、リチウム基準電位で２．６Ｖ以上３Ｖ以下の領域、２．２Ｖ以上２．６Ｖ以下の領域、２．１Ｖ以上２．５Ｖ以下の領域および２Ｖ以下の領域にそれぞれプラトーが存在する。 - 特許庁

A specific region is provided in a V-attacker opened only during a jackpot game.例文帳に追加

大当たり遊技中にのみ開放されるＶアタッカーの内部には、特定領域が設けられている。 - 特許庁

The number of slits, the heights of the surfaces in which V-grooves are formed, or the angles of V-grooves in the first region 13a and second region 13b are differently formed, and the grooves of the second region 13b are provided with four inclined surfaces.例文帳に追加

例えば、第１領域１３ａと第２領域１３ｂのスリット本数又はＶ溝を形成する面の高さ又はＶ溝角度を異なるようにしたり、第２領域１３ｂの溝を４つの斜面を有する形状とする。 - 特許庁

Furthermore, a voltage of, for example, 60 V is applied on the pattern of the transparent electrode of the region 4C to make the region 4C into a shading state.例文帳に追加

また、領域４Ｃの透明電極のパターンに例えば６０Ｖの電圧を印加して領域４Ｃを遮光状態にする。 - 特許庁

The base material 10 has a region 10a and regions 10b and 10c opposed to the region 10a across the V grooves 12 and 14.例文帳に追加

ベース材１０は、領域１０ａと、Ｖ溝１２，１４を挟んで領域１０ａと対向する領域１０ｂ，１０ｃとを有する。 - 特許庁

A nickel layer 17 is formed on a group III-V compound semiconductor layer 4, and by heating them using RTA treatment, a source region 5 and a drain region 6 composed of a nickel group III-V alloy (Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y alloy) are formed.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層４上にニッケル層17を形成し、RTA処理により加熱することで、ニッケルIII−Ｖ族合金（Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y合金）からなるソース領域５及びドレイン領域６が形成される。 - 特許庁

A second gate stack 109'' of the second MOSFET is formed on the III-V layer in the second region.例文帳に追加

第２ＭＯＳＦＥＴの第２ゲートスタック１０９’は第２領域のＩＩＩ−Ｖ層の上に形成される。 - 特許庁

The display region V has a plurality of regions Va, Vb, Vc having different light scattering characteristics.例文帳に追加

表示領域Ｖは異なる光散乱特性を有する複数の領域Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃを有する。 - 特許庁

The active region 5 is provided on the group III nitride substrate 3, and is made of a III-V compound semiconductor.例文帳に追加

活性領域５は、III族窒化物基板３上に設けられており、III−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

A threshold voltage in a V-T curve representing relationships between a voltage applied to the liquid crystal layer of the first region (SPa) and the transmission differs from a threshold voltage in a V-T curve of the second region (SPb).例文帳に追加

第１領域（ＳＰａ）の液晶層に印加される電圧と透過率との関係を示すＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧は第２領域（ＳＰｂ）のＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧と異なる。 - 特許庁

When the gate voltage is 0 V or lower, the overall on-resistance is controlled by the enhancement region 211, while when the gate voltage exceeds 0 V, the total on-resistance is controlled by the region 211.例文帳に追加

ゲート電圧が０Ｖ以下の場合は，デプレッション領域によって全体のオン抵抗が制御され，ゲート電圧が０Ｖを上まわる場合は，エンハンスメント領域によって全体のオン抵抗が制御されることになる。 - 特許庁

The voltage applied to the liquid crystals 4 sealed into the inside region of the sealing material 14 is controlled, by which the display is executed within a display region V.例文帳に追加

シール材１４の内部領域に封入された液晶４に印加する電圧を制御することによって表示領域Ｖ内に表示を行う。 - 特許庁

A separator S having a sulfonation region V subjected to sulfonation, and a non-sulfonation region X not subjected to sulfonation is used.例文帳に追加

その際に，セパレータとして，スルホン化処理を施されたスルホン化領域Ｖと，スルホン化処理を施されていない未スルホン化領域Ｘとを有するセパレータＳを用いる。 - 特許庁

In the arrays 5A and 5B, each of HDD constituting arrays is divided into a region V and a region A recording video data and voice data respectively.例文帳に追加

アレイ５Ａ及び５Ｂは、アレイを構成するＨＤＤの各々が映像データ、音声データを夫々記録する領域Ｖと領域Ａとに分割される。 - 特許庁

The robot arm approaches a target position at a high speed using the speed control region V, and then the position of the robot arm is finely adjusted using the position control region P.例文帳に追加

ロボットアームは、速度制御領域Ｖを用いて高速で目標位置に接近し、その後、位置制御領域Ｐを用いてその位置が微調整される。 - 特許庁

The pneumatic classifier 1 is provided with a dispersion region V having a dispersion part 30 for dispersing crushed materials pneumatically carried from the upstream side, and the casing 6 incorporating a classifying region S having a classifying blade 8, 9 installed successively to the dispersion region V and for centrifugally classifying the crushed materials pneumatically carried from the dispersion region V.例文帳に追加

この気流式分級機１は、上流側から気流搬送される粉砕物を分散するための分散部３０を有する分散領域Ｖと、その分散領域Ｖに連続して設けられて分散領域Ｖから気流搬送される粉砕物を遠心分級するための分級翼８、９を有する分級領域Ｓとを内部に有するケーシング６を備えている。 - 特許庁

The incidence angle θ is a light-absorbing (plasmon) dip angle, at which the reflectivity of the light incident surface of the gold layer 2 to the visible laser light V becomes a minimum in the entire reflection region.例文帳に追加

入射角θは、全反射領域において可視レーザ光Vの金層２の光入射面での反射率Rが最小となる光吸収（プラズモン）ディップ角である。 - 特許庁

To provide a hydrogen storage alloy by which the plateau region can be flattened without depending on the content of V or adding other elements and to provide a producing method therefor.例文帳に追加

Vの含有量に関わらず、また、他の元素を添加することなくプラトー領域を平坦にすることができる水素吸蔵合金及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor optical element 11 is provided with a first conductive III-V compound semiconductor layer 13, a second conductive III-V compound semiconductor layer 15 and an active region 17.例文帳に追加

半導体光素子１１は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と、第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５と、活性領域１７とを備える。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor layer 21 is provided between the junction region 17 and the dielectric DBR 19.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層２１は接合領域１７と誘電体ＤＢＲ１９との間に設けられる。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer 7 is provided between the active region 5 and the group III nitride substrate 3.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層７は、活性領域５とIII族窒化物基板３との間に設けられている。 - 特許庁

A total reflection plane 3 consisting of V-shape gratings is formed by molding in the region except for the diffractive optical element 2.例文帳に追加

回折光学素子２以外の領域に、Ｖ溝格子からなる全反射面３を成形により構成する。 - 特許庁

To provide an immunoglobulin (Ig) light chain transgene formation containing DNA sequence coding human variable (V) region, joining (J) region and constant region of human immunoglobulin (Ig) protein.例文帳に追加

ヒト免疫グロブリン（Ｉｇ）タンパク質のヒト可変（Ｖ）領域、連結（Ｊ）領域、および定常領域をコードするＤＮＡ配列を含む、免疫グロブリン（Ｉｇ）軽鎖トランスジェン構成物を提供すること。 - 特許庁

In the dispersing region V, powder supplied together with the rotating air stream RA from the pneumatic pulverizer 2 is dispersed, and in the second classifying region S2, the powder pneumatically carried from the dispersing region V is secondarily classified by centrifugal classification into fine powder and coarse powder.例文帳に追加

そして、分散領域Ｖでは、気流式粉砕機２から旋回気流ＲＡと共に供給される粉末を分散し、第二の分級領域Ｓ２では、分散領域Ｖから気流搬送される粉末を微粉末と粗粉末とに遠心分級による第二の分級をするようになっている。 - 特許庁

This electro-optic device is the electro-optic device for displaying images within a display region V by arranging electro-optic materials, for example, liquid crystals, between a pair of substrates 4a and 4b having electrodes 8a and 8b in the display region V and electrode wiring 15a, 15b and 17 within a non-display region X.例文帳に追加

表示領域Ｖ内に電極８ａ，８ｂを備え非表示領域Ｘ内に電極配線１５ａ，１５ｂ，１７を備えた一対の基板４ａ，４ｂの間に電気光学物質、例えば液晶を配置して表示領域Ｖ内に像を表示する電気光学装置である。 - 特許庁

At this time, the fifth step is performed while such a flux ratio (V/III ratio) of a group V raw material to a group III raw material that a propagation direction in the interface between the reversed region and the non-reversed region is substantially the normal direction of the substrate is held.例文帳に追加

この際、第５のステップは、Ｖ族原料とIII族原料のフラックス比（Ｖ／III比）を反転領域と非反転領域との間の界面の伝搬方向が実質的に基板の法線方向となるフラックス比を保持して行われる。 - 特許庁

To provide, in a semiconductor device in which a group III-V compound semiconductor is utilized, particularly a semiconductor device where phenomena can effectively be controlled in which the p-type impurity included in a semiconductor region disperses into the adjacent other semiconductor region.例文帳に追加

III−V族化合物半導体を利用する半導体装置に関し、特に、半導体領域に含まれるｐ型不純物が、隣接する他の半導体領域に拡散する現象を効果的に抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The exposure process is carried out in such a manner that the border region S3 where the first region S1 and the second region S2 are overlapped with each other is formed in the region (interline region V) including a part of the region between adjacent pixel lines.例文帳に追加

凹凸状の表面を有する絶縁層１２を形成する工程は、感光性樹脂膜の第１領域Ｓ１を第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、第２領域Ｓ２を第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、露光された感光性樹脂膜を現像する工程とを包含する。 - 特許庁