意味 | 例文 (270件) |
v regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 270件
In an interval region 21P of the carrying direction V of the circuit pattern parts 21A, positioning holes 20b are arranged.例文帳に追加
この回路パターン部21Aの搬送方向Vの間隔領域21Pには、上記位置決め孔20bが配列されている。 - 特許庁
A second conductive group III-V compound semiconductor region is grown after the mask 29 and the cap layer 19 are removed.例文帳に追加
マスク29およびキャップ層19を除去した後に、第2導電型III−V化合物半導体領域を成長する。 - 特許庁
Meanwhile, a channel region of a MOS transistor operating at the 3 V is formed on a deep well and electrically isolated.例文帳に追加
一方、3Vで動作するMOSトランジスタのチャネル領域は、ディープウェルに形成されて電気的に分離されている。 - 特許庁
Then, an active region 18 made of a group III-V compound semiconductor is embedded into the recess 44 by the etching mask M.例文帳に追加
次に、エッチングマスクMを用いてIII−V族化合物半導体からなる活性領域18を凹部44内に埋め込む。 - 特許庁
The region V has the constitution of RAID-3 by the arrays 5A and 5B, for example one HDD is a parity disk.例文帳に追加
領域Vは、アレイ5A及び5BでRAID−3の構成をとり、例えば一つのHDDがパリティディスクである。 - 特許庁
A semiconductor light emitting device 1 includes: a group III nitride substrate 3; an active region 5; and a III-V compound semiconductor layer 7.例文帳に追加
半導体発光素子1は、III族窒化物基板3と、活性領域5と、III−V化合物半導体層7とを備える。 - 特許庁
Next, it writes the data indicating abnormality in a critical region at 5 V output voltage into a nonvolatile memory 12.例文帳に追加
次に、5V出力電圧で危険領域の異常が発生したことを示すデータを不揮発性メモリ12に書き込む。 - 特許庁
A p-type channel well region 3 is formed in the surface layer part of an n-type epitaxial layer 2 on an n+-substrate 1 and a V-shaped groove 4 is formed in the region 3.例文帳に追加
n^+ 型基板1の上のn型エピタキシャル層2の表層部にはチャネルpウエル領域3が形成され、pウエル領域3にはV字型溝4が形成されている。 - 特許庁
Furthermore, an effective region SLA-V having a width w2 is provided in the region SLA inside of the overlapping region OLA, only with respect to prescribed adjacent two sides of the four sides in the outermost periphery of the pattern PTN.例文帳に追加
さらに、上記パターンPTN4辺の外周のうち、所定の隣接する2辺のみに対してオーバーラップ用領域OLAの内側の領域SLA内に幅w2の有用領域SLA−Vが設けられる。 - 特許庁
The liquid crystal device has a first display region Es of low resolution suitable to display of characters etc., and a second display region Ep of high resolution suitable to high-definition display of a scene etc., in an effective display region V.例文帳に追加
液晶装置は、有効表示領域V内に、文字等の表示に適した低解像度の第1表示領域Esと、風景等の高精細な表示に適した高解像度の第2表示領域Epとを有する。 - 特許庁
Then, around the interface between the group III-V nitride semiconductor 3 and the growth substrate 1, light is projected to decompose the region near the interface of the group III-V nitride semiconductor 3, separating the group III-V nitride semiconductor 3 from the growth substrate 1.例文帳に追加
しかる後、3−5族窒化物半導体3と成長基板1との界面付近に光を照射して3−5族窒化物半導体3の上記界面近くの領域を分解し、3−5族窒化物半導体3を成長基板1から分離する。 - 特許庁
A hole region 11 of group V atom that contacts the n-type electrode 12 and where ratio (group III atomic number/group V atomic number) is larger than 1 is provided in a semiconductor device having the GaN-based semiconductor where the electrode 12 is provided on the surface containing nitrogen atoms.例文帳に追加
窒素原子を含む面上にn型電極12を備えたGaN系半導体を有する半導体素子において、n型電極12と接し、(III族原子数)/(V族原子数)が1よりも大きいV族原子の空孔領域11を設ける。 - 特許庁
A threshold deciding unit 14 decides the threshold ε of noise removal processing on the basis of the region information and the smoothed value LPF (V).例文帳に追加
また、閾値決定部14は、領域情報と平滑化値LPF(V)とに基づいて、ノイズ除去処理の閾値εを決定する。 - 特許庁
A threshold determining section 15 determines the threshold ε of noise removal processing on the basis of the region information and the smoothed value LPF (V).例文帳に追加
また、閾値決定部15は、領域情報と平滑化値LPF(V)とに基づいて、ノイズ除去処理の閾値εを決定する。 - 特許庁
A group III-V compound semiconductor region 19 is prepared around the first chunk 21 in the second DBR 17.例文帳に追加
III−V化合物半導体領域19は、第2のDBR17における第1の部分21の周囲に設けられている。 - 特許庁
A diffusion region 25 in which a diffusion pattern of a V-groove shape is arranged is formed at a central part of the lens incident surface 24.例文帳に追加
レンズ入光面24の中央部にはV溝状の拡散パターンを配列した拡散領域25が形成されている。 - 特許庁
The active region 21 is provided between the p-type group III-V compound semiconductor layer 15 and the AlGaInAs layer 17.例文帳に追加
活性領域21は、p型III−V化合物半導体層15とAlGaInAs層17との間に設けられている。 - 特許庁
Moreover, the execution of the performance for the prescribed period of time is carried out regardless of winning the specified region (winning of V zone) or not within the accessary 20.例文帳に追加
また、役物20内の特定領域に入賞(V入賞)してもしなくても、所定期間の演出は実行される。 - 特許庁
A group III-V compound semiconductor layer 27 of the laminate region 21 is formed at an active layer of the semiconductor optical element.例文帳に追加
積層領域21のIII−V化合物半導体層27は、当該半導体光素子の活性層のために形成される。 - 特許庁
A V-groove 15 for guiding the wire 13 surrounds the half of a pulley 11 and this wire locking structure 10 is provided in the remaining semicircle round region.例文帳に追加
ワイヤ13を導くV溝15はプーリ11を半周し、残り半周領域にワイヤ係止構造10を設ける。 - 特許庁
Further, when the rear end of the image formation region reaches the development section 41a, the V2 is turned off and the V3 is turned off y/v later.例文帳に追加
また、画像形成領域の後端が現像部41aに到達したときにV2をオフし、y/v経過後にV3をオフする。 - 特許庁
Therefore, the border region S3 is formed as overlapped with the interline region V and with a part of the reflection regions R on both sides of the region V.例文帳に追加
第1領域S1と第2領域S2とが互いに重なる領域、または、第1領域S1と第2領域S2との間の領域として規定される境界領域S3が、画素列のうち互いに隣接する画素列の間の列間領域の少なくとも一部を含む領域に形成されるように、第1および第2露光工程が実行される。 - 特許庁
In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加
III−V化合物半導体を成長する方法では、第1の原料ガス(Nソース)、第2の原料ガス(Asソース)および第3の原料ガス(Gaソース、Inソース)を用いて、ヒ素およびリン(V族構成元素)を含む第1のIII−V化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素(V族構成元素)を含む第2のIII−V化合物半導体を成長する。 - 特許庁
When the liquid crystals 4 expand at a high temp., the liquid crystals 4 flow from the inside of the display region V into the auxiliary liquid crystal region 17, thereby preventing the occurrence of cell gap unevenness.例文帳に追加
高温時に液晶4が膨張するとき、その液晶4が表示領域V内から補助液晶領域17内へと流れ込み、セルギャップバラツキが生じることを防止する。 - 特許庁
In addition, a speed control region V, in which the robot arm is turned at an angular speed proportional to the tilt angle of the control stick 3, is provided outside a position control region P with respect to the origin O.例文帳に追加
また、原点Oに対し位置制御領域Pの外側に、ロボットアームを操作桿3の傾倒角度に比例した速度で作動させる速度制御領域Vを設定する。 - 特許庁
To provide a method of easily manufacturing a device, provided with an optical waveguide and a V groove on the same substrate, in high manufacturing yield without leaving polymer refuse in a V-groove region.例文帳に追加
光導波路、V溝を同一基板上に備えたデバイスの製造において、V溝領域にポリマー屑が残存せず、製造歩留まりを向上できる安易な製造方法が求められている。 - 特許庁
To provide a technique for preventing formation of a heavily-doped n-type region on an interface between a semiconductor base layer and a semiconductor layer, in a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加
III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なn型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。 - 特許庁
For this reason, in a MOSFET 1, the parasitic resistance of the source region 5 and the drain region 6 can be further reduced than the parasitic resistance of a conventional source region and a conventional drain region that are formed only by injecting an impurity into the group III-V compound semiconductor layer 4 using implantation.例文帳に追加
これにより、MOSFET1では、III−V族化合物半導体層4に対して単に不純物をインプラテーションで注入して形成された従来のソース領域及びドレイン領域の寄生抵抗に比べて、ソース領域5及びドレイン領域6の寄生抵抗を一段と低減させることができる。 - 特許庁
A spacer region 21 is embedding the second distributed Bragg reflector 17 and comprises a second second conductivity type III-V compound semiconductor.例文帳に追加
スペーサ領域21は、第2の分布ブラッグリフレクタ17を埋め込んでおり、また第2の第2導電型III−V化合物半導体からなる。 - 特許庁
The V-grooved substrate 1 in which V grooves 2 for alignment positioning optical fibers are formed and which is used for aligning a multi core optical connector and a multi core optical fiber is manufactured from an amorphous alloy having at least a glass transition region and preferably having the glass transition region of temperature width 30 K or more.例文帳に追加
光ファイバの整列位置決め用のV溝2が形成され、多芯光コネクタ用や多芯光ファイバ整列用に用いられるV溝基板1は、少なくともガラス遷移領域を有し、好ましくは温度幅30K以上のガラス遷移領域を有する非晶質合金から作製される。 - 特許庁
The lower part of each ohmic electrode 14 is formed to pierce the second group III-V nitride semiconductor layer 13 and the third group III-V nitride semiconductor layer 21 and to reach a region on the lower side than a two-dimensional electron-gas layer of the first group III-V nitride semiconductor layer 12.例文帳に追加
第1のオーミック電極14は、下部が第2のIII−V族窒化物半導体層13及び第3のIII−V族窒化物半導体層21を貫通し且つ第1のIII−V族窒化物半導体層12における2次元電子ガス層よりも下側の領域に達するように形成されている。 - 特許庁
An active region 6 is provided on a lateral growth layer 5 grown in a C-axis direction of a semiconductor device of nitride group III-V compound laminated by the nitride group III-V compound on a surface parallel to a C axis.例文帳に追加
C軸に平行な面にナイトライド系III-V族化合物半導体を積層したナイトライド系III-V族化合物半導体装置のC軸方向に成長した横方向成長層5上に能動領域6を設ける。 - 特許庁
when the liquid crystals 4 shrink at a low temp., the liquid crystals 4 in the auxiliary liquid crystal region 17 flow into the display region V, thereby preventing the generation of air bubbles in the liquid crystals 4.例文帳に追加
低温時に液晶4が収縮するとき、補助液晶領域17内の液晶4が表示領域V内へと流れ込み、液晶4の内部に気泡が発生することを防止する。 - 特許庁
A channel region of a MOS transistor operating at the 0.5 V is electrically isolated by a trench and a deep well formed in a shallow well.例文帳に追加
そして、0.5Vで動作するMOSトランジスタのチャネル領域は、シャローウェルに形成されてトレンチとディープウェルとで電気的に分離されている。 - 特許庁
Also a plurality of linear grooves (23) with V shaped cross-sectional profiles are formed in parallel with each other in the central region (22) of the concentric circular ring grooves (21).例文帳に追加
また同心円状の円環溝(21)の中心部領域(22)には、断面V字状の直線溝(23)が平行に複数形成される。 - 特許庁
Next, the processing of the depth determining region l08A of the winding groove 108 involves the execution of grooving by the grinding wheel 240 having a V-shaped cross section.例文帳に追加
次に、巻線溝108のデプス決定領域108Aの加工は、V字形断面を有する砥石240によって溝加工を行う。 - 特許庁
The device has a high resistance layer 6b which is formed by ion implantation of V(vanadium) between a second gate region 6 and a channel layer 4.例文帳に追加
第2ゲート領域6とチャネル層4との間に、V(バナジウム)をイオン注入することによって形成した高抵抗層6bを備える。 - 特許庁
To provide a silicon single crystal which does not belong to any to a vacancy-enriched V-region, an OSF region, and an interstitial silicon- enriched region, or an I-region, when it is manufactured by a Czochralski method, which has excellent electrical characteristics and a gettering capability, and with which the yield of a device can be reliably improved, and to provide an epitaxial wafer.例文帳に追加
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する際、空孔リッチのV領域、OSF領域、そして格子間シリコンリッチのI領域のいずれにも属さず、かつ優れた電気特性とゲッタリング能力を有し、デバイス歩留りを確実に向上させることができるシリコン単結晶及びエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁
Continuous empty regions of ALLOCATION_UNIT (e.g.18 ECC blocks) out of the recording region of an optical disk are reserved as a reserved region, and multiplexed data of a packet (part shown as A annual ring or V annual ring in the figure) unit which can be recorded in the reserved region are recorded in the reserved region.例文帳に追加
光ディスクの記録領域のうちの、ALLOCATION_UNIT分(例えば、18のECCブロック分)の連続した空き領域を、予約領域として予約し、その予約領域に対して、その予約領域に記録することができるパケット(図においてA年輪またはV年輪と記載してある部分)単位の多重化データを記録する。 - 特許庁
A reverse bias voltage Vb which has a voltage value (0.8 to 1.0 V) between the source voltage Vs and the drain voltage Vd and turns on a diode formed by the n-type source region 8s, and a p-type body region 2 is applied to the body region 2.例文帳に追加
このときボディ領域2に対しては、ソース電圧Vsとドレイン電圧Vdの間の電圧値(0.8〜1.0V)を有し、N型のソース領域8sとP型のボディ領域2とにより形成されるダイオードをオンさせるバックバイアス電圧Vbを印加する。 - 特許庁
To manufacture a silicon single crystal wafer with the CZ method under stable condition which is capable of improving in electric performance such as oxidation high withstanding voltage surely without belonging to a hole rich V region, an OSF region, and a between lattice silicon rich I region.例文帳に追加
空孔リッチのV領域、OSF領域、そして格子間シリコンリッチのI域のいずれにも属さず、かつ確実に酸化膜耐圧等の電気特性を向上させることができるCZ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。 - 特許庁
In the prepared inspection region, a density values of the image in a lengthwise direction of the V groove is accumulated, and accumulated values in every lengthwise direction are estimated (S3).例文帳に追加
その作成された検査領域において、V溝の長さ方向の各画素の各濃度値を積算し、その長さ方向ごとの積算値を求める(S3)。 - 特許庁
A GaAs region 37 is grown on a first group III-V compound semiconductor 35 at a substrate temperature in the range of 530-600°C.例文帳に追加
第1のIII−V化合物半導体35上にGaAs領域37を摂氏530度以上600度以下の範囲の基板温度で成長する。 - 特許庁
The angle of the v-shaped groove direct surface reflections away from the viewing region, but the grooves are substantially small that the screen appears flat to an observer.例文帳に追加
V型溝の角度は表面反射を表示領域から離れるよう導くが、溝は実質的に小さいのでスクリーンは観察者に平たく見える。 - 特許庁
On the basis of the region division of the entire ν hierarchies, a first, ..., a ν-th generation course spaces W^(1), ..., W^(ν) and a conjugate space V^(ν) of W^(ν) are formed.例文帳に追加
全ν階層の領域分割をもとに第1,…,ν世代コース空間W^(1),…,W^(ν)と,W^(ν)の共役空間V^(ν)を作る。 - 特許庁
To form a narrow current path in a semiconductor device which uses a group III-V nitride semiconductor without giving damage to an exposed area of each active region.例文帳に追加
III-V族窒化物半導体を用いた半導体装置を、活性領域の露出面にダメージを与えることなく、電流狭窄部を形成できるようにする。 - 特許庁
The measuring light path O reaching a light detection part 4 from a light source via a reflecting mirror 5 is formed on the region A of a cell 2 in a V-shape on a plan view.例文帳に追加
セル2の領域Aには、光源から反射ミラー5を介して受光部4に至る測定光路Oが平面視でV字状に形成されている。 - 特許庁
(v) the Ogasawara Islands region prescribed in paragraph (1) of Article 2 of the Act on Special Measures for the Ogasawara Islands Development (Act No. 79 of 1969); 例文帳に追加
五 小笠原諸島振興開発特別措置法(昭和四十四年法律第七十九号)第二条第一項に規定する小笠原諸島の地域 - 日本法令外国語訳データベースシステム
意味 | 例文 (270件) |
※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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