「v-p」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

P is also suitable for group V element.例文帳に追加

Ｖ族元素にはＰもよい。 - 特許庁

The maximum voltage V(P) of the short pulse P (based on voltage V0) is higher than the maximum voltage V(TP) of the tailing pulse TP (based on voltage V0).例文帳に追加

短パルスＰの最大電圧V(P)（電圧V0を基準とする）は、テーリングパルスＴＰの最大電圧V(TP)（電圧V0を基準とする）より高くなっている。 - 特許庁

The point P' is placed on a lightness plane V equal to that of the point P.例文帳に追加

点Ｐ’は、点Ｐと等しい明度平面Ｖ上にある。 - 特許庁

A conveying speed of transfer paper P is represented by V.例文帳に追加

転写紙Ｐの搬送速度をＶとする。 - 特許庁

In step (2), a slide face temperature T is estimated from Vc, a slide face pressure P, a slide linear velocity V, a low resin flow temperature Tm and an ambient temperature Tr by Equation (i): T=(V/Vc)×(Tm-23)+Tr.例文帳に追加

(２)Vc、摺動面圧P、滑り線速度V、低樹脂流動温度Tm、雰囲気温度Trから、摺動面温度Tを式（ｉ）：T＝(V/Vc)×(Tm-23)+Trにより推算する。 - 特許庁

The tailing pulse TP has a wave form which tails after the short pulse P, and in which voltage V gradually drops over a longer time than the applying time Δt(P) of the short pulse P.例文帳に追加

テーリングパルスＴＰは、短パルスＰの尾を引くような、短パルスＰの印加時間Δt(P)よりも長時間に渡って電圧Vが漸次低下する波形を有している。 - 特許庁

As the V group atom substituting for N, P (phosphorus), As (arsenide), Sb (animony), and Bi (bismuth) are used.例文帳に追加

Nに置換するＶ族原子としては、P（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）を用いることができる。 - 特許庁

The number of teeth is set to 2n×P (n; the number n of phases of an external power source, P; the number P of magnetic poles of the V-shaped permanent magnets).例文帳に追加

ティース数は、２×外部電源の相数ｎ×Ｖ字永久磁石の磁極数Ｐに設定される。 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

The oscillation (rocking) condition in the horizontal (H) direction and the oscillation (rocking) condition in the vertical (V) direction of the micro mirror 1 are revised according to P temp.例文帳に追加

P tempによって、微小ミラー１の水平（H）方向の振動（揺動）条件、垂直（V）方向の振動（揺動）条件が変更される。 - 特許庁

Assuming that output voltages of the Hall elements 1-n are V_1-V_n, and that output voltages of the Hall elements 1'-n' are V'_1-V'_n, the position P' of the magnet 9 for the Hall element is determined from equation: P'=F(V_1-V'_1, V_2-V'_2, etc, V_n-V'_n).例文帳に追加

ホール素子用磁石９の位置Ｐ’は、ホール素子１〜ｎの出力電圧Ｖ_１〜Ｖ_ｎ、ホール素子１’〜ｎ’の出力電圧をＶ’_１〜Ｖ’_ｎとすると、Ｐ’＝Ｆ（Ｖ_１−Ｖ’_１，Ｖ_２−Ｖ’_２，・・・，Ｖ_ｎ−Ｖ’_ｎ）より求まる。 - 特許庁

Then, even if the outside diameter of the pole P is different, the peripheral face of the pole P abuts on the V-shaped groove 4a, and the V-shaped groove 4a and the catching part 5a can catch the pole P.例文帳に追加

これにより、ポールＰの外径が異なっても、Ｖ字溝４ａにポールＰの外周面が当り、Ｖ字溝４ａと挟持部５ａとでポールＰを挟持できる。 - 特許庁

The mass ratio (P)/(P+V) is distributed from a base material film 11 side to a thermal adhesion layer 15 surface side to decrease within a range of P/(P+V)=90-50 mass %.例文帳に追加

質量割合（Ｐ）／（Ｐ＋Ｖ）は基材フィルム１１側から熱接着層１５表面側へ向かって、Ｐ／（Ｐ＋Ｖ）＝９０〜５０質量％の範囲内で減少するように傾斜して分布する。 - 特許庁

To provide a p-type oxide semiconductor of group II to V useful as a light emitting element or a light receiving element material or a photocatalyst and to provide a method for manufacturing the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

発光素子や受光素子材料、あるいは光触媒として有用なIIないしV族の p型酸化物半導体と、そのような p型酸化物半導体の得られる製造方法とを提供する。 - 特許庁

The material of the electrode 20 is an ohmic metal to a p-type group III-V compound semiconductors.例文帳に追加

裏面電極２０の材料は、ｐ型のIII−V族化合物半導体に対するオーミック金属である。 - 特許庁

In a coordinate system (U, V) on the screen P2, the P is used for the origin and a V-axis is projection of the v-axis on the image forming plane P1.例文帳に追加

また、スクリーンＰ２上の座標系（Ｕ，Ｖ）は、Ｐを原点とし、Ｖ軸は作像面Ｐ１上のｖ軸を投影した方向にとる。 - 特許庁

Each of the first and second electrode layers 11 and 13 includes IV or III-V semiconductor groups doped with a p-type carrier or an n-type carrier.例文帳に追加

第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 - 特許庁

The windmill parameter is constituted only of three functions of an output set value P(V), a revolution speed set value N(V), and a pitch angle set value θ(V) which are described by the wind velocity (V).例文帳に追加

風車パラメータは、風速（Ｖ）により記述される出力設定値Ｐ（Ｖ）と回転数設定値Ｎ（Ｖ）とピッチ角設定値θ（Ｖ）の３変数のみから形成される。 - 特許庁

The point P' is a point at which a color difference Δ E from the point P is minimized on the equi-lightness plane V.例文帳に追加

そして、等明度平面Ｖ上において、点Ｐとの色差ΔＥが最小となる点である。 - 特許庁

To prevent missing of P when growth on a group III-V compound semiconductor layer containing P is carried out again.例文帳に追加

Ｐを含むIII‐Ｖ族化合物半導体層上に再成長を行う際のＰ抜けを防止する。 - 特許庁

The formula (1): Quantity F of impairment of production = quantity j(v) of production caused by breakage of plate × probability p(v) of breakage + quantity k(v) of impairment of production caused by deceleration.例文帳に追加

生産阻害量Ｆ＝板破断による生産阻害量ｊ（ｖ）×破断確率ｐ（ｖ）＋減速による生産阻害量ｋ（ｖ） ・・・（１） - 特許庁

Concretely, the development potential in the development of a P sensor pattern is changed from 300 V of timer to 380 V.例文帳に追加

具体的にはＰセンサパターンを現像する時の現像ポテンシャルを計時の３００Ｖから３８０Ｖに変更する。 - 特許庁

And then, a caustification rection is carried out under a given addition rate of the green solution and temperature while stirring the stirrer with the stirring power of 0.1 kw/m^3 or more of P/V value during the reaction.例文帳に追加

つづいて反応中のP/V値が0.1 kw/m^3以上となる攪拌力で攪拌しながら所定の緑液添加速度、温度で苛性化反応を行う。 - 特許庁

A beat point detection section 52 detects the beat point P from the musical sound signal V.例文帳に追加

拍点検出部５２は、楽音信号Ｖから拍点Ｐを検出する。 - 特許庁

In the area V, the number of the bands on the area other than the Y-axis is defined as P.例文帳に追加

エリアＶでＹ軸上を除く範囲に位置するバンド数をＰとする。 - 特許庁

Moreover, the first group III-V compound semiconductor layer and the second group III-V compound semiconductor layer may contain at least one or more among (In, Ga, Al) and (As, P, N), respectively.例文帳に追加

また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 - 特許庁

A pulse voltage a frequency of which is approximately 1 MHz, a high level of approximately 1 V, and a low level of -5 V to -7 V are applied to a P type Well 123.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１２３には，周波数が約１ＭＨｚであって，高レベル側が約１Ｖ，低レベル側が−５〜−７Ｖのパルス電圧が印加される。 - 特許庁

In a second embodiment, the P-transition layer is an arbitrary Group III-V semiconductor.例文帳に追加

第２実施形態では、Ｐ型遷移層は、任意のIII-Ｖ族半導体である。 - 特許庁

The fiber 3a contacts closely with the V-groove 1a upto the P-point, and is separated gradually from the V-groove 1a in a rear side thereof while drawing a curved line.例文帳に追加

裸ファイバは、Ｐ点までＶ溝に密着し、その後方では、徐々にＶ溝から曲線を描いて離れる。 - 特許庁

The volume difference (VD_-P) between a drum type tank 98 and a pipe type tank 88 coincides nearly with the volume VB of a brush roller 81 (V≈VB).例文帳に追加

ドラム型タンク９８とパイプ型タンク８８の容積差（Ｖ_D-P）はブラシローラ８１の体積Ｖ_Bとほぼ一致する（Ｖ≒Ｖ_B）。 - 特許庁

The p-type clad layer 54 and the buried layer 56 are made of group III-V compound semiconductor containing p-type first dopant.例文帳に追加

ｐ型クラッド層５４及び埋め込み層５６はｐ型の第１ドーパントを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁

A generated power P pulsates in accordance with the pulsation of the operating voltage V, and shows the maximum power P0 at an operating voltage V2 and the minimum power P1 at an operating voltage V3.例文帳に追加

また、発電電力Pは、動作電圧Vの脈動に応じて脈動し、動作電圧V2のときに最大電力P0を示し、動作電圧V3のときに最小電力P1を示す。 - 特許庁

The walking pitch number calculating means 301 determines the pitch number from P=V/I when the pitch number is defined as P (step/minute), the walking speed as V (m/minute) and the stride as I (m/step).例文帳に追加

歩行ピッチ数算出手段３０１は、ピッチ数をＰ（歩／分）、歩行速度をＶ（ｍ／分）、歩幅をＩ（ｍ／歩）としたとき、Ｐ＝Ｖ／Ｉの式からピッチ数を求める。 - 特許庁

FORMATION PROCESS OF AS-GROWN-P-TYPE ACTIVE GROUP III-V NITRIDE COMPOUND例文帳に追加

ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物の形成工程 - 特許庁

Resistivity p (Ω.cm) of a voltage base layer of a longitudinal semiconductor with a dielectric strength V_br (V) lies in the range such that -5.34+0.0316 V_bf<ρ<-1.86+0.0509 V_br.例文帳に追加

耐圧Ｖ_br（V ）の縦型半導体装置の電圧支持層の抵抗率ρ（Ω・cm）を、 -5.34 ＋0.0316Ｖ_br＜ρ＜-1.86 ＋0.0509Ｖ_br で定まる範囲とする。 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

In a speech recognition device, a strength measurement section 34 sequentially measures an observation strength P of a voice signal V.例文帳に追加

強度測定部３４は、音声信号Ｖの観測強度Ｐを順次に測定する。 - 特許庁

The substrate P having a V-shaped notch in the end part is mounted on a printing stage part 20.例文帳に追加

端部にＶ字型のノッチを持つ基板Ｐが印刷ステージ部２０に載置されている。 - 特許庁

An operating signal generation section 32 sets inverter operating signals g*# (*=u,v,w; #=n,p) accordingly.例文帳に追加

操作信号生成部３２では、これに基づきインバータの操作信号ｇ＊＃（＊＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｎ，ｐ）を設定する。 - 特許庁

An unheated zone Y is provided between a final heat panel P and a pressure roller V of an ejection port.例文帳に追加

最終のヒートパネルＰと排出口の加圧ローラＶの間に非加熱ゾーンＹを設ける。 - 特許庁

A printer P is disposed to the stroke upstream of a system V which manufactures the information communication object.例文帳に追加

情報通信体を製造するシステムＶの行程上流にプリンタＰを配置する。 - 特許庁

The output voltage V depends on a resistivity p and a weight W of the scrap materials 10.例文帳に追加

出力電圧Ｖは、スクラップ材１０の抵抗率ρと重量Ｗに依存する。 - 特許庁

The modes subject to vibration control are three degrees of freedom, i.e., rolling p, pitching q and heaving v.例文帳に追加

振動の抑制対象となるモードは、ロールｐ、ピッチｑ、ヒーブｖの３自由度である。 - 特許庁

To improve compression efficiency by suppressing leakage to an intake chamber V from a compression chamber P.例文帳に追加

圧縮室Ｐから吸気室Ｖへのリークを抑制して圧縮効率を向上させる。 - 特許庁

Note: The -p option of the ipcs(1) command will list any processes using each of these SystemV facilities. 例文帳に追加

Note:ipcs(1) コマンドを実行するとこれらの System V機能を使っているプロセスのリストを表示します。 - FreeBSD