「vapor concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

When the fuel consumable quantity is less than the predetermined value (108) and the HC concentration is the predetermined value or more (116), the fuel vapor of the canister is purged under engine negative pressure by reducing engine output by increasing output of a hybrid motor (118).例文帳に追加

また、燃料消費可能量が所定値未満（１０８）かつＨＣ濃度が所定値以上の場合（１１６）には、ハイブリッド用モータの出力を上げてエンジン出力を下げることにより（１１８）、エンジン負圧でキャニスタの燃料ベーパをパージする。 - 特許庁

To provide a system for stably obtaining a (meth)acrylic acid solution of high and constant (meth)acrylic acid concentration coming out of a noncondensable gas separation apparatus regardless of the temperature fluctuation of the gas discharged from a vapor phase catalytic oxidation reactor employed in a (meth)acrylic acid production process that employs a vapor phase catalytic oxidation reaction, and a method for producing (meth)acrylic acid that utilizes the system.例文帳に追加

本発明は、接触気相酸化反応による（メタ）アクリル酸の製造工程において、接触気相酸化反応器から排出されるガスの温度変動に拘わらず、非凝縮性ガス分離装置から得られる（メタ）アクリル酸溶液を高濃度で且つ一定濃度で安定的に得るためのシステムと、当該システムを利用する（メタ）アクリル酸の製造方法を提供することを目的にする。 - 特許庁

This method for vapor-phase polymerization of olefin consisting essentially of ethylene in which a metallocene-based catalyst-containing solid component is supplied to a fluidized bed reactor 2 in the presence of hydrogen and a 3-8C saturated hydrocarbon in the reactor 2 comprises regulating a hydrogen concentration and a 3-8C saturated hydrocarbon concentration based on an ethylene concentration in the reactor 2 to control the melt index(MI) of an olefin polymer.例文帳に追加

反応器内に水素および炭素数３〜８の飽和炭化水素存在下、メタロセン系触媒含有固体成分を流動床反応器に供給するエチレンを主成分とするオレフィンの気相重合方法において、反応器内に供給するエチレン濃度に対して水素濃度および炭素数３〜８の飽和炭化水素濃度とを調整することにより、オレフィン重合体のメルトインデックス（ＭＩ）を調節することを特徴とするオレフィンの気相重合方法。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor implants phosphorus ions on a polysilicon thin film at high concentration when manufacturing the NMOS polysilicon thin film transistor, next, activates them by furnace annealing treatment, then, implants the phosphorus ions on the polysilicon thin film at low concentration, and then obtains an inventive product having Vg-Id characteristics shown in a full line by activating them by heat treatment in a high pressure water vapor atmosphere.例文帳に追加

ＮＭＯＳポリシリコン薄膜トランジスタの製造に際し、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行ない、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで高圧水蒸気雰囲気中での熱処理による活性化を行なったところ、実線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する本発明品が得られた。 - 特許庁

The aqueous solution is obtained by the following processes: (i) a potassium sorbate aqueous solution is deaerated to adjust the dissolved oxygen concentration thereof to ≤3.0 mg/l, or (ii) sorbic acid is reacted with potassium hydroxide in the presence of water; wherein the reaction is performed in the low oxygen concentration of the vapor phase and the raw materials.例文帳に追加

このようなソルビン酸カリウム水溶液は、（ｉ）ソルビン酸カリウム水溶液に対し脱気操作を行って溶存酸素濃度を３．０ｍｇ／ｌ以下に調整したり、（ii）ソルビン酸と水酸化カリウムとを水の存在下で反応させてソルビン酸カリウム水溶液を製造するに際し、気相部及び反応に供する原料中の酸素濃度を減じた系で反応を行うことにより得ることができる。 - 特許庁

To provide a method of packing a solid organometallic compound in a packing container for solid organometallic compound that can stably supply the compound to a vapor-phase epitaxial growth system, such as the MOCVD system etc., at a fixed concentration for a long period.例文帳に追加

固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にＭＯＣＶＤ装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能とする固体有機金属化合物用充填容器への固体有機金属化合物の充填方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition device capable of making uniform a gas concentration distribution on a substrate surface to be film-deposited in a growth chamber when introducing a raw material gas from peripheral parts, and capable of improving the thickness of a deposited film and a composition ratio.例文帳に追加

原料ガスを周辺部から導入した場合に、成長室の被成膜基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a following canister region on an exhaust side, an adsorbent has to show a flat or flatten isothermal line of the adsorbent on a volume basis, and moreover, it has to show a relatively low capacity to vapor of high concentration in comparison with that on the fuel source side.例文帳に追加

排気側の後続のキャニスター領域において、吸着剤は、容積ベースで平坦又は平坦化された吸着剤等温線を示すとともに、燃料源側吸着剤と比べて高濃度蒸気に対して比較的低い能力を示す必要がある。 - 特許庁

In the conditions of the chemical vapor phase synthesis, the base material 1 is arranged at the inside of a gaseous mixture of hydrogen and methane in which the concentration of methane is 5 to 50 vol.%, and pressure is, e.g. 6.7 kPa, and the base material 1 is heated to a temperature of 870 to 1,000°C.例文帳に追加

この化学気相合成の条件は、メタンの濃度が５乃至５０体積％であり圧力が例えば６．７ｋＰａの水素及びメタンの混合ガス中に基材１を配置し、基材１を８７０乃至１０００℃の温度に加熱するものである。 - 特許庁

In the plated steel sheet for manufacturing a pipe including corrosion resistance against fuel vapor, a surface of the steel sheet includes a plated layer containing Zn, Co, and Mo, and a composition ratio of Co to Zn in the plated layer should be 0.2 to 4.0 at% (atom concentration).例文帳に追加

鋼板の表面にZn、Co及びMoを含有するめっき層を有しており、前記めっき層中におけるZnに対するCoの組成割合が、0.2〜4.0at％（原子濃度）とすることを特徴とする、燃料蒸気に対する耐食性を有するパイプ製造用めっき鋼板。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and manufacturing apparatus which suppress the concentration of carbon monoxide in a gaseous phase generated by the vapor-liquid equilibrium of the obtained liquefied carbon dioxide to a lower level even when gaseous carbon dioxide containing the gaseous hydrogen and gaseous carbon monoxide as impurities is used as a gaseous raw material.例文帳に追加

原料ガスとして、水素ガスや一酸化炭素ガスを不純物として含有する二酸化炭素ガスを用いた場合でも、得られる液化二酸化炭素の気液平衡によって生じる気相中の一酸化炭素濃度を低く抑制することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride-based semiconductor substrate includes a process for growing the fourth GaN layer 27 containing Cl in a concentration of ≤3×10^15/cm^-3 on a sapphire substrate 21 by a hydride VPE (vapor phase epitaxy) method and a process for removing the sapphire substrate 21 from the fourth GaN layer 27.例文帳に追加

サファイア基板２１上にハイドライドＶＰＥ法によりＣｌの濃度が３×１０^15ｃｍ^-3以下である第４ＧａＮ層２７を成長させる工程と、第４ＧａＮ層２７からサファイア基板２１を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an α,β-unsaturated carboxylic acid, enabling oxygen concentration in its production to be set at high levels without using any much inert gas and enabling safe operation through eliminating hazards including an explosion in the vapor phase in the reactor and a fire.例文帳に追加

大量の不活性ガスを使用することなく、製造時の酸素濃度を高く設定でき、反応器の気相部における爆発、火災といった危険性を排除し安全に運転できるα，β−不飽和カルボン酸の製造方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, even when the alcohol concentration Coh has changed to differ the degree of the vapor generating in a fuel supply system, the shortage of the fuel injection amount is prevented and the generation of the operation sound associated with the fuel boosting is prevented as much as possible.例文帳に追加

このことでアルコール濃度Ｃｏｈの変化が生じて燃料供給系に発生するベーパの程度が異なった場合にも、燃料噴射量の不足を抑制し、かつ燃料昇圧に伴う作動音の発生を極力抑制できるようになる。 - 特許庁

To provide a method by which a solid organometallic compound can be packed in a packing container for solid organometallic compound that can stably supply the compound to a vapor phase epitaxial growth system, such as the MOCVD system etc., at a fixed concentration for a long period.例文帳に追加

固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にＭＯＣＶＤ装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能とする固体有機金属化合物用充填容器への固体有機金属化合物の充填方法を提供する。 - 特許庁

When a silicon film is deposited through a vacuum chemical vapor deposition method, a substrate is cooled down to 500°C or below as an environment enveloping the substrate is kept in a mixed gas atmosphere of hydrogen having a concentration equal to or below a lower explosion limit and an inert gas after a silicon film is deposited.例文帳に追加

シリコン膜を減圧化学気相堆積法にて堆積する際、該シリコン膜堆積後、該基板を包容する環境を水素濃度が爆発下限界以下である水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下に維持したまま該基板温度を５００℃以下迄下げる。 - 特許庁

The 3-5C hydrocarbons are efficiently removed as a vapor phase fraction by introducing a low-boiling point gas such as nitrogen to the propylene oxide having the regulated water concentration and containing the 3-5C hydrocarbon as the impurities.例文帳に追加

水分濃度を調整した不純物として炭素数３〜５の炭化水素を含むプロピレンオキサイドに窒素のような軽沸ガスを導入することによって、プロピレンオキサイド中の炭素数３〜５の炭化水素を気相留分として効率良く除去することができる。 - 特許庁

Alternatively, while oxygen concentration in an atmosphere is increased in a pressure-reduced state, ionized metal elements are vapor-deposited on the surface of the magnetic powder to form an insulating film containing the metal elements on the surface of the magnetic powder, thus obtaining insulating coating magnetic powder.例文帳に追加

あるいは、まず、減圧下で、雰囲気中の酸素濃度を増加させながら、イオン化された金属元素を磁性粉末の表面に蒸着させて、当該金属元素を含有する絶縁皮膜を磁性粉末の表面に形成して絶縁被覆磁性粉末を得る。 - 特許庁

An oxide film of about 1.39 nm in film thickness is formed on a surface of silicon by bringing silicon to be processed into contact with vapor generated from a heated solution of nitric acid of 70 wt.% in concentration and/or the heated nitric acid solution for about 10 min.例文帳に追加

被処理用シリコンを濃度７０ｗｔ％の硝酸の加熱溶液から発生させた蒸気中で数秒、および／またはその加熱硝酸溶液で１０分程度接触させて、前記シリコンの表面に膜厚約１．３９ｎｍの酸化膜を形成した。 - 特許庁

By mixing the hydrogen separated by the hydrogen separation membrane 10 with the fuel exhaust gas, and introducing the same into the shift reactor 12, the fuel gas in which the concentration of CO is made low by the shift reaction using water vapor comprised in the fuel exhaust gas is introduced into the fuel cell 15.例文帳に追加

水素分離膜１０で分離された水素に燃料排ガスを混入し、シフト反応器１２に導入することで、燃料排ガス中に含まれる水蒸気を用いたシフト反応により低ＣＯ濃度となった燃料ガスを燃料電池１５に導入する。 - 特許庁

This method comprises adding phosphoric acid to a copper etching waste liquid containing copper chloride and hydrochloric acid as the main components, heating it to evaporate hydrochloric acid, and recovering hydrochloric acid by condensing the evaporated vapor, whereby hydrochloric acid having a concentration of 15% or higher can be recovered.例文帳に追加

塩化銅と塩酸を主成分とする銅エッチング廃液に燐酸を加えて加熱することにより、塩酸を蒸発し、その蒸発蒸気を凝縮して塩酸を回収するものであり、濃度１５％以上の塩酸を回収することができる。 - 特許庁

To provide a method for refining a metallic ultrafine powder, which can provide the water slurry of the metallic ultrafine powder superior in dispersibility, by efficiently removing an unreacted halide in the metallic ultrafine powder obtained through vapor-phase-reducing the vapor of a metal halide into ultimate low concentration in a short portion of time, and thereby preventing metallic ultrafine powders from agglomerating when the metallic ultrafine powder is dispersed in water.例文帳に追加

金属ハロゲン化物の蒸気を気相還元して得た金属超微粉中の未反応ハロゲン化物を極限濃度まで短時間に効率よく除去すると共に、前記金属超微粉を水中に分散した場合においても金属超微粉粒子の凝集発生を防止して分散性に優れた金属超微粉水スラリーを得ることが可能な金属超微粉の精製方法を提供する。 - 特許庁

When the group III-V compound semiconductor such as a GaN semiconductor is grown by using the organometallic chemical vapor growth device, the impurity concentration of a carrier gas for supplying a reaction tube 11 with a raw material gas is set to 10 ppb or less before the reaction tube 11.例文帳に追加

有機金属化学気相成長装置を用いてＧａＮ系半導体などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長を行う場合に、反応管１１に原料ガスを供給するためのキャリアガスの不純物濃度を反応管１１の手前で１０ｐｐｂ以下にする。 - 特許庁

The quartz glass has Cu concentration of ≤0.01 ppm at the depth of 5 mm from the exposed surface when exposed to Cu oxide vapor at 1,050°C for four hours under the atmosphere, contains ≤0.2 ppm in total of Li and Na and <0.1 ppm each of Li, Na, K, Mg, Ca and Cu.例文帳に追加

１０５０℃、大気圧下で４時間、酸化銅蒸気に曝露させた時に、曝露表面から５ｍｍの深さにおけるＣｕの濃度が０．０１ｐｐｍ以下であり、ＬｉとＮａの含有量を総量で０．２ｐｐｍ以下、Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｃｕの含有量を各々０．１ｐｐｍ未満の石英ガラス。 - 特許庁

When performing purge control of an engine, an engine is operated by a self-sustained operation at an idle rotation speed Nidl to perform the traveling by torque from a motor within a range of input/output limits Win, Wout of a battery until a vapor concentration Cv is estimated (S150, S160, S190 to S230).例文帳に追加

エンジンのパージ制御を実行する際に、ベーパ濃度Ｃｖが推定されるまでは、エンジンをアイドル回転数Ｎｉｄｌで自立運転してバッテリの入出力制限Ｗｉｎ，Ｗｏｕｔの範囲内でモータからのトルクにより走行する（Ｓ１５０，Ｓ１６０，Ｓ１９０〜Ｓ２３０）。 - 特許庁

A distance X from an exhaust gas inlet passage branch region 19 to the hydrogen concentration detection means 14 is set so that the diffusion of water vapor in the exhaust gas to the detection chamber 15 can be delayed until the detection chamber 15 is warmed up by the heater 17 in starting the fuel cell.例文帳に追加

そして、排気ガス導入通路分岐部位１９から水素濃度検出手段１４までの距離Ｘを、燃料電池起動時に、ヒータ１７により検出室１５が暖機されるまで、排気ガス中の水蒸気が検出室１５に拡散するのを遅延させるように設定する。 - 特許庁

To provide a dip coating device that can perform concentration control over solvent vapor through easy operation when manufacture conditions are changed and then can form a superior coating having superior uniformity and small trailing and not causing a coating defect such as brushing.例文帳に追加

容易な操作により、製造条件の変更に対する溶媒蒸気の濃度制御を行うことが可能であって、これにより、均一性に優れ、タレが少なく、ブラッシングなどの塗膜欠陥を起こすことのない、優れた塗膜を形成することができる浸漬塗布装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique in which the concentration of a reaction accelerator used for a reaction is controlled, and which can thereby raise the selectivity to ethylene oxide in a method in which under the presence of a silver catalyst, the contact vapor phase oxidation of ethylene by oxygen-containing gas is carried out to produce ethylene oxide.例文帳に追加

本発明は、エチレンを銀触媒の存在下、酸素含有ガスにより接触気相酸化してエチレンオキシドを製造する方法において、反応に用いる反応促進剤の濃度を制御することにより、エチレンオキシドへの選択性を向上させることができる技術に関するものである。 - 特許庁

The method for storing the (meth)acrylic acid or the ester thereof involves regulating the concentration of a floating particulate material in a vapor phase part of the storage tank so as to be ≤0.01 mg/m^3 when storing the (meth)acrylic acid or the ester thereof in the storage tank for receiving/delivering the (meth)acrylic acid or the ester thereof.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸またはそのエステルを受入れ／払出しする貯蔵タンクで貯蔵するに際し、貯蔵タンクの気相部中の浮遊粒子状物質の濃度を０．０１ｍｇ／ｍ^３以下に制御することを特徴とする（メタ）アクリル酸またはそのエステルの貯蔵方法。 - 特許庁

To provide a fuel processing method and device for a fuel cell, capable of reforming the fuel gas containing a high concentration of CO gas without using excessive water vapor while precipitation of carbon is suppressed, precluding the passage from clogging, and keeping high the power generating efficiency.例文帳に追加

高濃度のＣＯガスを含む燃料ガスを、過剰な水蒸気を用いることなく、かつ炭素析出を抑えて改質することができ、これにより流路閉塞を防止し、かつ発電効率を高く維持することができる燃料電池用燃料処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

The adhesive for an inorganic vapor deposited film comprises as the main ingredient a polyester or polyether resin having a branching point concentration of 30-300 equivalent/ton and a glass transition temperature of at least 30°C but lower than 50°C, and 0.05-5 pts.wt., based on 100 pts.wt. of the resin, of a silane coupling agent.例文帳に追加

分岐点濃度が３０〜３００当量/トンであり、かつ、ガラス転移温度が３０℃以上、５０℃未満であるポリエステル叉はポリウレタン樹脂を主成分とし、該樹脂１００重量部に対し、シランカップリング剤０.０５〜５重量部を含有することを特徴とする無機蒸着フィルム用接着剤。 - 特許庁

A substrate processing device has a transfer roller 6 of the substrate 3 substantially in the horizontal direction, an air knife nozzle 3 for flowing mixed gas containing water soluble organic solvent at the concentration range of 0.05% to 90% under the substrate vapor pressure on the surface of the substrate 3 after washing transferred substantially in the horizontal direction.例文帳に追加

基板３を略水平方向に搬送用ローラ６と、略水平方向に搬送される洗浄後の基板３表面に、水溶性有機溶剤を飽和蒸気圧の０．０５％〜９０％の濃度範囲で含む混合気体を狭い空間から吹き付けるエアナイフノズル３を有する。 - 特許庁

In this humidified gas component measuring device for measuring the hydrogen concentration in the humidified gas, a gas inlet part constituted of at least a vapor/liquid separation part, a dew point recorder and a pressure gage is provided on a preceding stage of a gas component measuring part for measuring the gaseous component of a gas to be measured.例文帳に追加

加湿ガス中の水素濃度を測定する加湿ガス成分測定装置であって、測定対象ガスのガス成分を測定するガス成分測定部の前段に、少なくとも気液分離部と露点計と圧力計で構成されたガス導入部が設けられたことを特徴とするもの。 - 特許庁

Thereby, since the vapor of the organic solvent concentrated by the organic solvent concentration apparatus 6 can be returned to a generation source in the gas state without liquefying it, the cooling apparatus is not required and the simple organic solvent recovery apparatus 6 capable of being made to miniaturization and a low cost can be provided.例文帳に追加

これにより、有機溶剤濃縮装置６により濃縮された有機溶剤蒸気を液化することなく気体のままで発生源に還すことができるので、冷却装置を不要にして、シンプルで小型化、低コスト化できる有機溶剤回収装置６を提供することができる。 - 特許庁

A buffer layer 102, a high carrier concentration n+ type layer 103 and a multiple quantum well structure light emitting layer 104 are formed on a sapphire substrate 101, P type layers 105, 106 and a first thin film metal layer 111 of metal vapor deposition are formed thereon, and a negative electrode 140 is formed on the layer 103.例文帳に追加

フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの合金より形成する。 - 特許庁

When a fuel consumable quantity of an engine is a predetermined value or more, the HC concentration of a canister is a predetermined value or more and a battery load is a predetermined value or less (108 to 112), a purge pump is turned on (120), and fuel vapor adsorbed to the canister is forcibly purged to an intake passage of the engine.例文帳に追加

エンジンの燃料消費可能量が所定値以上、キャニスタのＨＣ濃度が所定値以上、かつバッテリ負荷が所定値以下の場合（１０８〜１１２）にパージポンプをオンして（１２０）、キャニスタに吸着した燃料ベーパをエンジンの吸気通路へ強制的にパージする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate manufactured with an organic metal chemical vapor deposition method with which carbon is doped in the higher concentration, and non-activation of holes by hydrogen is reduced particularly in the semiconductor layer to which carbon is doped.例文帳に追加

有機金属気相成長法で作製する化合物半導体基板に関し、特にカーボンをドープする半導体層において、高濃度にカーボンをドープすることができ、尚且つ水素によるホールの不活性化を低減させることができる化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

This vapor phase polymerization method of an olefin by feeding a metallocene-based catalyst-containing solid component to a fluidized bed reactor 2 is characterized by ≤20 ppb carbon monoxide concentration in the component fed to the reactor 2 and/or the component in the reactor 2.例文帳に追加

メタロセン系触媒含有固体成分を流動床反応器に供給するオレフィンの気相重合方法において、反応器内に供給する成分および／または反応器中の成分の一酸化炭素濃度が２０ｐｐｂ以下であることを特徴とするオレフィンの気相重合方法。 - 特許庁

In a so-called flux method where GaN crystals are grown by supplying nitrogen (N) from the vapor phase to a molten liquid of gallium (Ga) alloyed with another metal, the GaN crystal with a low impurity concentration is stably produced by using gold (Au) as the flux.例文帳に追加

ガリウム（Ｇａ）と他の金属を合金化した融液に、気相から窒素（Ｎ）を供給することによってＧａＮ結晶を成長させる、所謂フラックス法において、フラックスとして金（Ａｕ）を用いることにより、不純物濃度が低いＧａＮ結晶を安定して作製する。 - 特許庁

The concentration of the chemical vapor sterilant, especially, hydrogen peroxide, can be calculated at a point within a lumen based upon physical characteristics of the lumen and process parameters of a sterilization process employing the sterilant.例文帳に追加

一定の化学蒸気滅菌剤、特に、過酸化水素の濃度が一定の内孔部における各種の物理的特性およびおよび上記滅菌剤を使用している一定の滅菌処理における各種の処理パラメーターに基づいて当該内孔部内の一定の位置において計算できる。 - 特許庁

To provide a film deposition system, in which it is not necessary to control the concentration of gaseous oxygen in a chamber at depositing a thin film containing a high melting point material by a resistance heating type vapor deposition method and a carbon heater furnace used for the film deposition system.例文帳に追加

高融点材料を含有する薄膜を抵抗加熱蒸着法によって成膜するに際し、チャンバ内の酸素ガス濃度を厳密に制御する必要のない成膜可能な成膜装置及びそのような成膜装置に使用可能なカーボンヒータ炉を提供すること。 - 特許庁

To provide a producing method of hydrogen for a fuel cell, in which by using a highly active, heat resistant catalyst and letting water vapor and air react with methanol, a reformed gas mainly composed of hydrogen is generated efficiently by self heat supply reaction, and the concentration of carbon monoxide in a reformed gas is decreased.例文帳に追加

高活性の耐熱性触媒を用い、メタノールに水蒸気と空気を反応させ、自己熱供給型反応により、水素を主体とする改質ガスを効率よく発生させ、改質ガス中の一酸化炭素濃度を低下させる燃料電池用水素の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the α,β-unsaturated carboxylic acid comprises oxidizing the corresponding α,β-unsaturated aldehyde by molecular oxygen in a liquid phase in the presence of a noble metal catalyst, wherein the pressure of the vapor phase in the reactor is controlled so that the concentrations of combustibles present in the vapor phase are less than an explosion lower limit level at the oxygen concentration in the production.例文帳に追加

貴金属触媒存在下、液相中で分子状酸素によりα，β−不飽和アルデヒドを酸化することでα，β−不飽和カルボン酸を製造する方法であって、酸化を行う反応器の気相部に存在する可燃性物質の濃度が製造時の酸素濃度における爆発下限界濃度未満になるように、該反応器内の気相部の圧力を制御することを特徴とするα，β−不飽和カルボン酸の製造方法。 - 特許庁

This method for producing absolute alcohol is to concentrate a dilute aqueous alcohol solution by a pervaporation separation method using an alcohol-selective separation membrane, continuously bring high concentration alcohol vapor to be absolute in a dehydration column filled with a dehydration agent and arranged after the pervaporation separation process and finally produce the highly pure alcohol.例文帳に追加

アルコール選択性分離膜を用いた浸透気化分離法により希薄なアルコール水溶液を濃縮し、さらに浸透気化分離工程の後に配置した脱水剤を充填した脱水塔において高濃度アルコール蒸気を連続的に無水化し、最終的に高純度なアルコールを生産する方法である。 - 特許庁

This method for producing the titanium oxide fine particle comprises reacting one mol of titanium tetrachloride gas with 1-30 mol of oxygen and 0.005-0.5 mol of one or more organic compounds and regulating the titanium tetrachloride gas concentration in a reactonal part to 1-20 mol% in a vapor-phase reaction of the titanium tetrachloride.例文帳に追加

本発明に係る酸化チタン微粒子の製造方法は、四塩化チタンの気相反応において、四塩化チタンガス１モルに対し、酸素を１〜３０モル及び有機化合物の１種又は２種以上を０．００５〜０．５モルの割合で反応させ、且つ、反応部における四塩化チタンガス濃度を１〜２０モル％とするものである。 - 特許庁