「vapor concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Synthetic monocrystalline diamond compositions have one or more monocrystalline diamond layers formed by chemical vapor deposition, wherein the layers include one or more layers having an increased concentration of one or more impurities (such as boron and/or isotopes of carbon), as compared to other layers or comparable layers without such impurities.例文帳に追加

化学気相成長によって形成される１つ又は複数の単結晶ダイヤモンド層を有する、合成単結晶ダイヤモンド組成物であって、該層が、不純物のない他の層又は同様の層と比べて、（ホウ素及び／又は炭素同位体などの）１つ又は複数の不純物の濃度が増加した１つ又は複数の層を含む。 - 特許庁

To provide a vacuum switchgear capable of preventing deterioration of insulation due to smear by metal vapor on the inner face of an insulating tube of a vacuum valve and capable of securing sufficient insulation resistance by attenuating electric field concentration at the tip of an electric field buffering shield on the metal end plate side.例文帳に追加

真空バルブの絶縁筒の内面における金属蒸気の汚損による絶縁の低下を防止することができるとともに、金属端板側の電界緩和シールドの先端での電界集中を緩和し、その絶縁耐力を十分に確保することができる真空スイッチギヤを提供することにある。 - 特許庁

After the second III-V compound semiconductor layer 21 is formed, the first III-V compound semiconductor layer 19 is heat treated while supplying heat treatment gas Gas to the organometallic vapor growth furnace 25 but not supplying organomettalic gas thus reducing hydrogen concentration in the first III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

この後に、第２のIII−Ｖ化合物半導体層２１を形成した後に、有機金属気相成長炉２５に熱処理ガスＧａｓを供給すると共に有機金属ガスを供給することなく、第１のIII−Ｖ化合物半導体層１９を熱処理して第１のIII−Ｖ化合物半導体層中の水素濃度を低減する。 - 特許庁

The method for producing an olefin polymer uses a vapor-phase polymerization reactor and includes polymerizing an olefin in the presence of an olefin polymerization catalyst and carbon monoxide in the reactor, wherein the concentration of carbon monoxide present in the reactor is 0.5-6 mol ppm.例文帳に追加

気相重合反応器を用いて、該反応器内で、オレフィン重合用触媒および一酸化炭素の存在下に、オレフィンを重合させて、オレフィン重合体を製造する方法であって、該反応器内に存在する一酸化炭素の濃度が０．５〜６ｍｏｌｐｐｍである条件で、オレフィンを重合させて、オレフィン重合体を製造する方法。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 provided with element isolation grooves is coated with a hydrogenation polysilazane solution containing a dibutyl ether with a butanol concentration of 30 ppm or less and a hydrogenation polysilazane dissolved in the dibutyl ether, so as to form a hydrogenation polysilazane film 15, which is oxidized in an atmosphere containing vapor to make a silicon dioxide film 11.例文帳に追加

素子分離溝が設けられた前記半導体基板１０上に、ブタノール濃度が３０ｐｐｍ以下のジブチルエーテルと、ジブチルエーテルに溶解された過水素化ポリシラザンとを含有する過水素化ポリシラザン溶液を塗布して、過水素化ポリシラザン膜１５を形成し、水蒸気を含む雰囲気中で酸化して二酸化シリコン膜１１とする。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。 - 特許庁

When heat is generated from the secondary coil 28, a working medium sealed in a container 71 evaporates around a coil 74 of a heating section, the vapor flows to a low-temperature cooling section (flat section 77) for heat radiation concentration, and working fluid remaining around the flat section 77 is smoothly conveyed to the coil section 74 by capillary tube force.例文帳に追加

二次巻線28から熱が発生すると、コンテナ71内に封入された作動媒体が加熱部である巻線部74の周辺で蒸発し、その蒸気が低温の冷却部（扁平部77）に流動して放熱凝縮すると共に、扁平部77の周辺に溜まる作動流体は毛細管力により巻線部74へと円滑に運ばれる。 - 特許庁

Thereupon, the vapor of the solvent component constituting the organic EL liquid is ejected onto the organic EL liquid immediately after it is ejected from the plurality of ejection nozzles 171 to increase its concentration in the atmosphere surrounding the ejected organic EL liquid, whereby the uniformity of the drying rate of the organic EL liquid is improved.例文帳に追加

このとき、複数の吐出口１７１から吐出された直後の有機ＥＬ液に向けてガスが噴出されることにより、複数の吐出口１７１から吐出された有機ＥＬ液の周囲の雰囲気において有機ＥＬ液の溶媒成分の濃度が高くされ、有機ＥＬ液の乾燥速度の均一性が向上される。 - 特許庁

The manufacturing method of the titanium oxide fine particle is performed by reacting with each other in the ratio of titanium tetrachloride gas of 11, oxygen of 1-301 and hydrogen of 0.1-101 on the assumption of being in the normal state in the vapor phase reaction of titanium tetrachloride and controlling to be ≤20 vol.% in the concentration of titanium tetrachloride gas in a reaction part.例文帳に追加

本発明に係る酸化チタン微粒子の製造方法は、四塩化チタンの気相反応において、標準状態であると仮定したとき、四塩化チタンガス１l に対し、酸素１〜３０l 及び水素０．１〜１０l の割合で反応させ、且つ、反応部における四塩化チタンガス濃度が２０容量％以下である。 - 特許庁

A vapor concentration correcting coefficient FGPG at fuel injection time TAU is calculated on the basis of changes in an air/fuel ratio if gas in the air chamber 46 is purged toward an intake passage 50 of an internal combustion engine, with keeping an engine speed NE and intake air amount Ga of the internal combustion engine 20 at a constant value.例文帳に追加

内燃機関２０の機関回転数ＮＥおよび吸入空気量Ｇａを共に一定値に維持した状態で、空気室４６内のガスを内燃機関の吸気通路５０に向けてパージした場合の空燃比の変化に基づいて、燃料噴射時間ＴＡＵにおけるベーパ濃度補正係数ＦＧＰＧを算出する。 - 特許庁

Plural fuel injection valves 12, 13 are arranged in cylinder sidewalls 2b, 2c to be opposed, and fellow atomized fuels 15 injected from the injection nozzles 12, 13 and entrained air 16 are collided to form a vapor generating part 17 comprising the stratified air-fuel mixture in an inside of which a concentration is higher than that in an outside.例文帳に追加

シリンダ側壁２ｂ，２ｃに複数の燃料噴射弁１２，１３を対向するように配置し、該各燃料噴射弁１２，１３から噴射された噴霧燃料１５及び巻き込み空気１６同士を衝突させることにより、内部が外部より高濃度の成層混合気からなる蒸気発生部１７を形成する。 - 特許庁

To provide a space-saving apparatus for removing a photoresist in which ozonized water of a high concentration is rapidly and precisely produced, a photoresist unnecessitated in a photolithography step in the production of a semiconductor, a liquid crystal or the like can be removed with good production efficiency and an aerator and a vapor-liquid separation tower are unnecessary.例文帳に追加

半導体や液晶等の製造におけるフォトリソグラフィー工程で、不要になったフォトレジストを除去する際、迅速に精度良く高濃度のオゾン水を生成させて、生産効率良くフォトレジストを除去出来、且つ、ばっ気設備や気液分離塔は必要がない、小型設備で可能なフォトレジスト除去装置を提供するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure comprises the steps of adding both an n-type impurity and a p-type impurity in the case of vapor phase growing the boron phosphide semiconductor layer, and adding the p-type impurity so as to generate holes exceeding an electron concentration in the layer due to adding of the n-type impurity, thereby obtaining the p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層の気相成長の際に、ｎ形不純物とｐ形不純物の双方を添加し、かつｎ形不純物の添加に依る層内の電子濃度を上回る正孔を生成する様にｐ形不純物を添加して、ｐ形のリン化硼素系半導体層を得る。 - 特許庁

Further, a second extension substrate 11 that is an extension substrate for impedance change type moisture sensors is detachably connected to the universal substrate 7 in addition to the main configuration, and an impedance change type moisture sensor 19 for measuring vapor concentration that is a sub measurement target is connected to the second extension substrate 11.例文帳に追加

更に、そのメインの構成に加え、汎用基板７にインピーダンス変化式湿度センサ用拡張基板である第２拡張基板１１が着脱可能に接続され、その第２拡張基板１１に、副測定対象である水蒸気濃度を測定するためのインピーダンス変化式湿度センサ１９が接続された構成を有する。 - 特許庁

Otherwise, a nanowire having periodically arranged nanodisks or nanodots made of a mixture crystal of Si and Ge is produced by preparing a superlattice nanowire made of an Si crystal and a mixture crystal of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase growth method and controlling the size in a nanometer (nm) scale by using an oxidation concentration method.例文帳に追加

また、気相- 液相- 固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the fine particulate titanium oxide by hydrolyzing a titanium compound, the composition ratio of anatase type to rutile type in the titanium oxide is controlled by adjusting the concentration of the titanium compound and performing a reaction under a condition of ≥150°C reaction temperature and a reaction pressure equal to or above the saturated vapor pressure at the temperature.例文帳に追加

チタン化合物を加水分解することにより微粒子酸化チタンを製造する方法において、チタン化合物の濃度を調整し、反応温度を１５０℃以上、反応圧力をその温度における飽和蒸気圧以上の条件下において反応を行うことにより、酸化チタンのアナターゼ型とルチル型の組成比を制御する。 - 特許庁

Immediately before being fed to a substrate to which a resist film is adhering, ozonic fluid is mixed with high temperature vapor so that liquid temperature of the ozonic fluid is raised and stripping/removing rate of the resist film is increased significantly without lowering ozone concentration which causes lowering of resist removing rate thus enhancing resist film removing power.例文帳に追加

レジスト膜が付着している基板にオゾン性流体を供給する直前に、オゾン性流体と高温蒸気とを混合することによって、レジスト除去速度を低下させるようなオゾン濃度の低下を招くことなく、オゾン性流体の液温を上昇させ、レジスト膜の剥離除去速度を著しく高め、レジスト膜除去能力の向上を達成する。 - 特許庁

For example, when a methanol solution of the copolymer and a methanol solution of the catalyst are respectively introduced from a tower top part 2 and a tower top part 3 (further a tower middle part 4 if needed) of a tower system saponification reactor 10 and a methanol vapor is blown from a tower bottom part 5, water of the above concentration is supplied to the methanol solution of the catalyst.例文帳に追加

例えば、塔式ケン化反応器１０の塔上部２および塔上部３（必要に応じてさらに塔中部４）から、それぞれ、上記共重合体のメタノール溶液および上記触媒のメタノール溶液を導入し、塔下部５からメタノール蒸気を吹き込む際に、上記触媒のメタノール溶液に上記濃度の水を供給する。 - 特許庁

This adhesive for an inorganic vapor-deposited film consists of a blended material and/or reacted material of 100 pts.wt. polyurethane resin using 15-95 wt.% long chain polyesterpolyol exhibiting ≥30°C glass transition temperature in a urethane component and containing 30-300 equivalent/ton branching point concentration with 0.05-5 pt.wt. silane coupling agent as a main component.例文帳に追加

本発明はガラス転移温度が３０℃以上の長鎖ポリエステルポリオールをウレタン成分の１５〜９５重量％とし、分岐点濃度を３０〜３００当量/トン含有するポリウレタン樹脂１００重量部に対しシランカップリング剤０.０５〜５重量部との配合物および/または反応物を主成分とする無機蒸着フィルム用接着剤に関するものである。 - 特許庁

The refrigerant vapor produced here moves from a small opening 18 to the refrigerant recovery tank 10, but since an opening area is small, the amount of the movement is restricted and hence pressure in the intermediate concentration absorption solution separation cylinder 12 becomes higher, whereby supply of a solution to the regenerator from the absorption solution pump is reduced and the amount of discharge from the regenerator is increased.例文帳に追加

この時発生した冷媒蒸気は、小開口１８から冷媒回収タンク１０へ移動するが、開口面積が小さいため移動量の制限を受け、中濃度吸収液分離筒１２内の圧力は高くなり、吸収液ポンプからの再生器への液の供給が少なくなるとともに、再生器からの排出量が増加する。 - 特許庁

In a method of operating the gas turbine that utilizes vanadium-containing fuels at the combustion stage of the turbine thereby producing a combustion product having vanadium gaseous species, the volatility of the vanadium gaseous species in the combustion product atmosphere generated in a combustor of the turbine is increased by increasing concentration of water vapor in the combustion product.例文帳に追加

燃焼段においてバナジウム含有燃料を利用し、それによりバナジウム気体種を有する燃焼生成物が生成されるガスタービンの運転方法において、燃焼生成物中における水蒸気の濃度を高めることにより、タービンの燃焼器内において発生する燃焼生成物雰囲気中におけるバナジウム気体種の揮発性を高める。 - 特許庁

This device for raising plants has a permeable membrane module comprising while passing raw water through one side of a permeable membrane which lets only vapor but no liquid pass through, supplying one pressurized gas selected from CO_2, O_2, and N_2 from the other side of the permeable and dissolving the gas in the raw water to a given concentration.例文帳に追加

気体のみ通過させ液体は通過させない透過膜の一方側に原水を通水しつつ、前記透過膜の他方側から加圧状態でＣＯ_2、Ｏ_2、Ｎ_2から選ばれる何れか一のガスを供給して、前記ガスを前記原水に対して所定濃度まで溶解させるようにした透過膜モジュールを備えた植物育成用の装置を構成する。 - 特許庁

The fuel cell system has one or a plurality of cell stacks and a condenser to return vapor exhausted from the cell stack to water, and a means releasing moisture other than the water which is returned by the condenser and dilutes a high concentration fuel supplied to the cell stack, into the atmosphere in the device is provided.例文帳に追加

本発明の燃料電池システムは、１つ又は複数のセルスタックと、セルスタックから排出された水蒸気を水に戻す凝集器とを有し、凝集器によって戻された水であって、セルスタックに供給される高濃度燃料を希薄するための水以外の水分を装置内の大気に開放する水分大気開放手段を設けた。 - 特許庁

The coefficient of variation of the activator concentration in a phosphor layer surface of this radiological image conversion panel having the phosphor layer formed by a vapor-deposition method and comprising a parent component and an activator component is preferably below 40 %, more preferably below 30%, furthermore preferably below 20%, and most preferably below 10%.例文帳に追加

気相堆積法により形成された、母体成分と付活剤成分とからなる蛍光体層を有する放射線像変換パネルの蛍光体層面内の付活剤濃度の変動係数は４０％以下とすることが好ましく、より好ましくは３０％以下、さらに好ましくは２０％以下、特に好ましくは１０％以下とした。 - 特許庁

The method for forming the layered coating film having the metallic appearance includes processes of forming a coating film of a metallic coating material having 3 to 14% pigment mass concentration (PWC) of the glossy pigment produced by pulverizing a vapor deposition metal film into metal chips directly on the object or after a base coating film is formed, and then forming a clear overcoat layer on the metallic coating film.例文帳に追加

被塗物の上に直接又は下塗り塗膜層を形成した後に、蒸着金属膜を粉砕して金属片とした光輝性顔料の顔料質量濃度（ＰＷＣ）が３〜１４％である金属調塗料の塗膜層を形成し、形成した金属調塗膜層の上に、クリヤ上塗り塗膜層を形成する。 - 特許庁

For example, the methanol solutions of the copolymer and the catalyst are respectively introduced from tower upper sections 2 and 3 (if necessary, and a tower middle section 4) of a tower type reactor for saponification 10 and the water having the above concentration is supplied to the methanol solution of the catalyst in the blowing of a methanol vapor from a tower lower section 5.例文帳に追加

例えば、塔式ケン化反応器１０の塔上部２および塔上部３（必要に応じてさらに塔中部４）から、それぞれ、上記共重合体のメタノール溶液および上記触媒のメタノール溶液を導入し、塔下部５からメタノール蒸気を吹き込む際に、上記触媒のメタノール溶液に上記濃度の水を供給する。 - 特許庁

In this method of solution polymerization in a in the inert organic solvent, a hydrogen gas is previously passed through the inert organic solvent in a blender, a hydrogen concentration is adjusted by a vapor-liquid equilibrium and the hydrogen-containing inert organic solution is added to a polymerizer to adjust the molecular weight of the polymer.例文帳に追加

不活性有機溶媒中での溶液重合において、あらかじめ混合槽で該不活性有機溶媒中に水素ガスを通過させ気液平衡により水素濃度を調整させ、得られた水素含有不活性有機溶液を重合槽に添加させて重合体の分子量を調節することを特徴とする重合体の製造方法。 - 特許庁

A silica porous body obtained by depositing silica microparticles by the vapor phase axial deposition (VAD) method is impregnated with a solution containing a dopant consisting of at least one kind selected from metals and metal oxides, freeze-dried under vacuum, and then vitrified by heating and fusing to obtain a doped silica glass in which the dopant is contained with a uniform concentration distribution.例文帳に追加

ＶＡＤ法によりシリカ微粒子を堆積させて得たシリカ多孔質体に、金属および金属酸化物から選ばれた少なくとも１種からなるドーパントを含有する溶液を含浸させ、真空凍結乾燥後、加熱溶融してガラス化させることにより、シリカガラス中にドーパントが均一な濃度分布で含まれたドープシリカガラスを得る。 - 特許庁

The sterilization gas concentration sensor 2 is constituted such that it may not respond to a water vapor but only responds to a sterilization gas by removing a moisture content in an ion conductor 12 by forming a sensor portion by coating a cathode 10 and an anode 11 disposed apart from each other with the ion conductor 12 and applying a heat treatment to the sensor portion.例文帳に追加

離間して配置した陽極１０及び陰極１１をイオン導電体１２によって被覆することによりセンサ部を形成するとともに、そのセンサ部に熱処理を施すことによりイオン導電体１２中の水分を排除することによって、計測対象雰囲気中に共存する水蒸気に対しては応答せず、滅菌ガスにのみ応答する滅菌ガス濃度センサ２を製造する。 - 特許庁

A cover which covers above the peripheral part of the coating liquid film is provided to form a space where solvent vapor locally stays in the peripheral part of the coating liquid film; the evaporation rate in the coating liquid film peripheral part is adjusted by controlling a size of the space during drying; and the film thickness ununiformity of the peripheral part is controlled by evening up the concentration distribution in the coating liquid film.例文帳に追加

塗布液膜の周縁部の上方を覆うようなカバーを設けて、塗布液膜の周縁部において局所的に溶媒蒸気が滞留する空間を作り、この空間の大きさを乾燥中に制御させることによって、塗布液膜周縁部での蒸発速度を調節し、塗布液膜内の濃度分布を均一にすることで周縁部の膜厚不均一を抑制する。 - 特許庁

To provide a method capable of continuing reaction over a long period while keeping high yield without depending on a site where hot spot occurs and even if a raw material gas concentration or a space velocity is high when producing acrylic acid by a catalytic vapor phase oxidation reaction using a fixed bed multi-tube type reactor in which a molybdenum-vanadium-based catalyst is packed.例文帳に追加

モリブデン−バナジウム系の触媒を充填した固定床多管式反応器を用いた接触気相酸化反応によってアクリル酸を製造する場合に、ホットスポット部がどこに発生するかによらず、また、原料ガス濃度や空間速度が高い場合であっても、高い収率を維持しながら長期にわたって反応を継続することができる方法を提供する。 - 特許庁

This method for dispersing the water-based ink jet ink, comprising preliminarily mixing an organic solvent having a surface tension, a viscosity and a vapor pressure in specific value ranges, respectively, with an organic pigment, a polymer dispersant, and water, finely dispersing the mixture with a medium type dispersing machine, and then adjusting to a prescribed organic pigment concentration to obtain the ink, is characterized by satisfying specific requirements.例文帳に追加

特定範囲内の値の表面張力、粘度、及び蒸気圧を有する有機溶剤を、有機顔料、高分子分散剤、水とともに予備混合し、メディア型分散機にて微細分散してから、所定の有機顔料濃度に調整してインク化する水系インクジェット用インクの分散方法において、特定要件を満たすことを特徴とする水系インクジェット用インクの分散方法。 - 特許庁

The manufacturing method includes an electrode forming step for forming an electrode 13 on the surface of a semiconductor layer 11; an insulation film forming step of forming insulation films 12, 14 containing nitrogen on the electrode 13; and a heat treatment step of carrying out heat treatment in an atmosphere including water vapor, oxygen, or hydrogen to form nitrogen concentration distributions in the insulation films 12, 14.例文帳に追加

半導体層１１の上方に電極１３を形成する電極形成工程と、当該電極１３上に窒素含有の絶縁膜１２、１４を形成する絶縁膜形成工程と、水蒸気、酸素、又は水素を含む雰囲気で熱処理を施して、前記絶縁膜１２、１４中に窒素濃度分布を形成する熱処理工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method of manufacturing 6-methylnicotinic acid by oxidizing 5-ethyl-2-methylpyridine by nitric acid in the presence of sulfuric acid in a reactor vessel is characterized in that water in the system is distilled away by starting rectification at a point when the concentration of the nitric acid in the vapor phase of the reactor vessel lowers to 30-68 wt.% after reaching over 70 wt.%.例文帳に追加

反応容器内で５−エチル−２−メチルピリジンを硫酸の存在下で硝酸で酸化させて６−メチルニコチン酸を製造する際に、反応容器内の気相中の硝酸濃度が７０重量％以上に到達した後、３０〜６８重量％に低下した時点で精留を開始して系内の水を留去することを特徴とする６−メチルニコチン酸の製造方法。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

The space distribution of a fuel droplet group is measured on the basis of the image due to the excimer fluorescence of pyrene and the vapor concentration distribution of the fuel is measured on the basis of image due to the monomer fluorescence of pyrene (S5).例文帳に追加

燃料噴霧領域に、所要波長のレーザシートを照射し（Ｓ３）、このレーザシート照射領域の像を、ピレンのモノマ蛍光とエキシマ蛍光に個別に対応した２台のＣＣＤカメラにより同時にそれぞれ撮影し（Ｓ４）、ピレンのエキシマ蛍光による画像を基に、燃料の液滴群の空間分布を計測すると共に、ピレンのモノマ蛍光による画像を基に、燃料蒸気の濃度分布を計測するようにする（Ｓ５）。 - 特許庁

This method for producing the acrylonitrile and/or the acrylic acid by a vapor-phase catalytic oxidation reaction of the propane in the presence of a complex metal oxide catalyst consisting essentially of molybdenum, vanadium, and at least one kind of element of tellurium and antimony is characterized in that the concentration of sulfur in a raw material gas introduced into a reaction vessel is regulated so as to be ≤200 ppm.例文帳に追加

モリブデン、バナジウム、およびテルルまたはアンチモンのうちの少なくとも一種の元素を必須成分とする複合金属酸化物触媒の存在下、プロパンの気相接触酸化反応によりアクリロニトリルおよび／またはアクリル酸を製造する方法において、反応器に導入される原料ガス中のイオウの濃度を２００ｐｐｍ以下とすることを特徴とするアクリロニトリルおよび／またはアクリル酸の製造方法。 - 特許庁

In the hydrogen production method, using a solid oxide electrolyte, a reducing gas is fed to the anode side, high temperature water vapor is fed to the cathode side, oxygen ions are reacted with the reducing gas at the anode side to produce a concentration gradient of the oxygen ions, and electrolytic voltage is reduced, the reducing gas is fed to the anode side after treatment by a sulfur removal apparatus.例文帳に追加

本発明は、固体酸化物電解質を用いて、還元性ガスを陽極側に、高温水蒸気を陰極側に供給し、陽極側で酸素イオンを該還元性ガスと反応させて酸素イオンの濃度勾配を生じさせ、電解電圧を低減させる水素製造方法において、還元性ガスを、硫黄除去装置で処理した後に陽極側に供給することを特徴とする水素製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a vaporizer and a device for feeding a gaseous CVD raw material into a chemical vapor deposition(CVD) apparatus used for manufacturing semiconductor and the like, which efficiently vaporize and feed the material at a desired concentration and flow rate, without causing precipitation and deposition of the solid CVD raw material at a raw material supply port, even when a solid CVD raw material is used.例文帳に追加

半導体の製造等に用いられる化学気相成長（ＣＶＤ）装置にガス状のＣＶＤ原料を供給するための気化器、気化供給装置において、固体ＣＶＤ原料を用いた場合においても、原料供給口で固体ＣＶＤ原料が析出して付着することなく、所望の濃度及び流量で効率よく気化供給が可能な気化器、気化供給装置を提供する。 - 特許庁

The tritium monitor comprises using a highly pure nitrogen gas as a carrier gas, being discharged in the carrier gas by selectively separating steam in a sample gas 100 with a steam separator 6, interrupting the carrier gas from radon, tron, its daughter nuclide or the other gaseous radioactive substance since the carrier gas containing the discharged water vapor is introduced into a measuring ionization chamber 16 to find tritium concentration from the ionized amount.例文帳に追加

純度の高い窒素ガスをキャリヤガスとして使用し、サンプルガス１００中の水蒸気を水蒸気分離器６で選択的に分離してキャリヤガス中に放出し、放出された水蒸気を含むキャリヤガスを測定用電離箱１６に導入してその電離量からトリチウム濃度を求めるようにしたので、キャリヤガスをラドン、トロンおよびその娘核種やその他のガス状放射性物質から遮断することができ、高感度でトリチウム濃度を測定することができる。 - 特許庁

When the glass article where fluorine is homogeneously added to a porous glass body, which is produced by a vapor phase method, via a fluorine adding step and a sintering step is manufactured, the fluorine adding step is performed in an atmosphere having higher concentration of a fluorine compound gas than that necessary for achieving a desired refractive index and then the sintering step is performed in the same atmosphere.例文帳に追加

気相法にて作製した多孔質ガラス体に、フッ素添加工程と焼結工程とを経てフッ素が均一に添加されたガラス物品を製造する方法において、所望の屈折率を達成するのに必要なフッ素化合物ガス濃度よりも高いフッ素化合物ガスを含む雰囲気下でフッ素添加工程を行い、その後所望の屈折率を達成するのに必要なフッ素化合物ガス濃度雰囲気下で焼結工程を行うことを特徴とするガラス物品の製造方法。 - 特許庁

Article 280 (1) The employer shall, when using electric apparatuses (meaning those other than wiring and movable electric cable among machines or instruments in which the electricity conducts such as a motor, transformer, cable connector, switch, distribution board or switch board and other equipment, the same shall apply hereinafter) at the place where it is liable that the concentration of the vapor of flammable substance or flammable gas becomes to explosion limit even if the measures set forth in Article 261 are taken, not use unless they are of explosion proof performance corresponding to the types of the said vapors or gases. 例文帳に追加

第二百八十条　事業者は、第二百六十一条の場所のうち、同条の措置を講じても、なお、引火性の物の蒸気又は可燃性ガスが爆発の危険のある濃度に達するおそれのある箇所において電気機械器具（電動機、変圧器、コード接続器、開閉器、分電盤、配電盤等電気を通ずる機械、器具その他の設備のうち配線及び移動電線以外のものをいう。以下同じ。）を使用するときは、当該蒸気又はガスに対しその種類に応じた防爆性能を有する防爆構造電気機械器具でなければ、使用してはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム