「active region」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor element array includes a plurality of access transistors having an active region 1 as a pair of source and drain regions and a gate electrode 2 formed on the active region 1 as a word line.例文帳に追加

半導体素子アレイは、一対のソース領域及びドレイン領域となる活性領域１と、活性領域１上に形成され且つワードラインとなるゲート電極２とから構成される複数のアクセストランジスタを有している。 - 特許庁

The active-region includes at least one indium-containing quantum well layer, and an indium composition of the indium-containing quantum well layer fluctuates in a growth surface from which the active-region grows.例文帳に追加

前記アクティベーション層は、少なくとも一つのインジウム含有量子井戸層を含んでおり、前記インジウム含有量子井戸層のインジウムの組成は、前記アクティベーション層を成長させる成長面において変動している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device adopting the structure of a CMOS transistor in which the occupying area planely overlapped with wirings for connecting an n^+-type active region to a p^+-type active region and a gate electrode.例文帳に追加

Ｎ＋活性領域とＰ＋活性領域とを接続する配線とゲート電極とを平面的にオーバラップさせ占有面積を減少させた、ＣＭＯＳトランジスタの構造を採用した半導体装置を提供する。 - 特許庁

The gate electrode 15 comprises a first portion, which is arranged on the active region 11a via the gate insulating film 13, consisting of a silicide region on the limited entire region in the thickness direction; and a second portion which is prepared on the element isolation region 12, consisting of silicon region and the silicide region, formed so that it covers the silicon region.例文帳に追加

ゲート電極１５は、活性領域１１ａ上にゲート絶縁膜１３を介して設けられ、厚さ方向における全領域がシリサイド領域からなる第１の部分と、素子分離領域１２の上に設けられ、シリコン領域及び該シリコン領域を覆うように形成されたシリサイド領域からなる第２の部分とを有している。 - 特許庁

To expose respective gate electrode formation films and gate wiring formation films formed on an active region and an element separation region with high accuracy, without being affected by the level difference between the active region and the element separation region, in a method for manufacturing a semiconductor device having a full-silicified gate electrode.例文帳に追加

フルシリサイド化されたゲート電極を有する半導体装置の製造方法において、活性領域と素子分離領域との段差による影響を受けることなく、活性領域上と素子分離領域上とに形成されたそれぞれのゲート電極形成膜及びゲート配線形成膜の露出を精度良う。 - 特許庁

A semiconductor device includes a device isolated structure which is formed on a semiconductor substrate, and defines an active region; a surrounded channel structure which connects a source region and a drain region, and is separated from the semiconductor substrate under the active region by a predetermined distance; and a gate electrode surrounding the surrounded channel structure.例文帳に追加

本発明は半導体素子及びその製造方法に関し、特にゲート電極でサラウンディングチャンネル構造を取り囲むよう素子を設計することにより、電流駆動能力とショートチャンネル效果の改善によってトランジスタの制御能力を向上させ、高速の低電圧半導体素子を形成することができる技術である。 - 特許庁

The light-emitting device comprises: a substrate; and a multilayer structure including an n-type semiconductor layer formed on the substrate in a light-emitting region and a non-light-emitting region, an active layer formed on the n-type semiconductor layer in the light-emitting region and a p-type semiconductor layer formed on the active layer in the light-emitting region.例文帳に追加

発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域及び非発光領域に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上の前記発光領域に形成された活性層と、前記活性層上の前記発光領域に形成されたｐ型半導体層と、を有する多層構造と、を備える。 - 特許庁

The film depositable gas moves from the reaction inactive region 48 toward the reaction active region 44 in this way, the uniformization in the density of the film depositable gas is promoted in the reaction inactive region 48, and a thin film whose film thickness and film quality are homogeneous grows in the reaction active region 44.例文帳に追加

このように、反応不活性領域４８から反応不活性領域４８に向かって成膜性ガスが移動することにより、反応不活性領域４８において成膜性ガス密度の均一化が促進され、反応活性領域４４において、膜厚、膜質が均質な薄膜は成長する。 - 特許庁

This method comprises a step for forming an element separating film which demarcates the active region and the field region by forming a trench in a specified region on a semiconductor substrate, and then burying an insulating film; and a step for etching the semiconductor substrate in the active region into a specified depth, so that the surface becomes a curved surface.例文帳に追加

半導体基板上の所定の領域にトレンチを形成した後、絶縁膜を埋め込むことにより、アクティブ領域とフィールド領域を画定する素子分離膜を形成する段階と、前記アクティブ領域の半導体基板を所定の深さにエッチングするが、表面が曲面となるようにエッチングする段階とを含む。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a first conduction-type semiconductor substrate defined in an active region and an element isolation region; an element isolation film formed in the element isolation region of the semiconductor substrate; a second conduction-type diffusion region formed in the active region of the semiconductor substrate; and a first conduction-type doping region and insulation film formed between the element isolation film and the second conduction-type diffusion region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、アクティブ領域と素子分離領域とで定義された第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の素子分離領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板のアクティブ領域に形成される第２導電型の拡散領域と、前記素子分離膜と第２導電型の拡散領域との間に形成される第１導電型のドーピング領域及び絶縁膜とを含む。 - 特許庁

In the substrate where patterning is performed using this mask, a movable region of the carrier consisting of the protruded section in the active layer expanded to the outside from the channel region (i.e., a leakage region) is contracted.例文帳に追加

このマスクを用いてパターニングされた基板では、チャンネル領域から外に拡がる活性層の上記の突出部分から成るキャリアの移動可能領域（すなわち漏れ領域）が縮小する。 - 特許庁

A transition angle from an active region to the separating region in the high-voltage region is larger than a predetermined angle, and in an embodiment, it is larger than 40 degrees with respect to a vertical line.例文帳に追加

高電圧素子領域における活性領域から分離領域の遷移角度は所定の角度よりも大きく、一部実施形態において、それは垂直線に対して４０度よりも大きい。 - 特許庁

A trench etching region 1 forms a mesh pattern in which a first trench 8 formed in an active region crosses a second trench 9 in a gate region for extending gate polysilicon to a substrate surface.例文帳に追加

トレンチエッチング領域１は、活性領域に形成された第１のトレンチ８と、ゲートポリシリコンを基板表面に引き出すゲート領域に形成された第２のトレンチ９とが交差するメッシュパターンを成す。 - 特許庁

The active layer 4 is formed in a way that a band gap in a DBR region and a phase control region equivalent to regions beneath the diffraction grating layer 8 is greater than a band gap in a gain region.例文帳に追加

活性層４は、回折格子層８の直下となるＤＢＲ領域及び位相制御領域におけるバンドギャップが、利得領域におけるバンドギャップよりも大きくなるように形成する。 - 特許庁

By heat treatment, a multi-step in a crossing shape is formed on the surface of a sapphire substrate, and also, each stabilized region 1, in which the step is eliminated, is formed while each chemically-active region 2 is formed around each stabilized region.例文帳に追加

熱処理によって、サファイヤ基板表面に交差状マルチステップを形成するとともに、ステップが排除された安定化領域１と、その周辺に化学的活性領域２とを形成する。 - 特許庁

The active region functions as the high activity promoter, and the region carrying the main activity can improve the activity of a foreign promoter by using the region as a complex promoter with the foreign promoter.例文帳に追加

活性領域は高活性プロモーターとして機能でき、その主活性を担う領域は異種プロモーターとの複合プロモーターとすることによりこの異種プロモーターの活性を向上させることができる。 - 特許庁

An n-type impurity region 28 is formed on a portion located at least at lower part of the gate insulator film 13a, of a portion that comes into contact with the element isolation region 32 in the active region 1a.例文帳に追加

活性領域１ａにおける素子分離領域３２に接する部分のうち少なくともゲート絶縁膜１３ａの下側に位置する部分に、ｎ型不純物領域２８が形成されている。 - 特許庁

Crystallized crystal particles pass from a region 61 where an MIC source metal of the crystallization source region 60 is deposited by a heat treatment through the filtering channel 63 to crystallize an active layer region.例文帳に追加

熱処理により、結晶化ソース領域６０のＭＩＣソース金属が蒸着された領域６１から結晶化された結晶粒がフィルタリングチャンネル６３を通過し、活性層領域が結晶化される。 - 特許庁

A low-concentration region 25 kept in contact with the active layer 22, an intermediate region 24, a drain region 23d, an intermediate region 24, and a low-concentration region 25 are arranged in the substrate 2 in this sequence in the direction of a line extending from the gate electrode 29 to the drain electrode 28.例文帳に追加

また、基板２内において、ゲート電極２９からドレイン電極２８に向かう方向に、活性層２２に接する低濃度領域２５と、中間領域２４と、ドレイン領域２３ｄと、中間領域２４と、低濃度領域２５とがこの順に配置されている。 - 特許庁

In the active layer 3 between the N-type buffer region 4 and the P-type base region 6, the N-type base region 12 is provided, and a gate electrode 9 is provided through a gate insulating film 14 extending from the surface of the N-type base region 12 onto the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

Ｎ型バッファ領域４とＰ型ベース領域６との間の活性層３には、Ｎ型ベース領域１２が設けられ、Ｎ型ベース領域１２の表面上からＰ型ベース領域６の表面上に延在するゲート絶縁膜１４を介してゲート電極９が設けられる。 - 特許庁

The method of manufacturing the continuous wave semiconductor laser diode of the N (Al, Ga, In) material system comprises a step of continuously growing a primary cladding region 4, a primary light guide region 5, an active region 6, a secondary light guide region 7 and a secondary cladding region 8.例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料系の連続波半導体レーザダイオードを製造する方法は、第１のクラッド領域（４）、第１の光ガイド領域（５）、活性領域（６）、第２の光ガイド領域（７）および第２のクラッド領域（８）を連続して成長させるステップを包含する。 - 特許庁

The element comprises an element isolation film for defining a plurality of parallel active regions, a pair of control gate patterns arranged so as to intersect the active region, and a pair of selective gate patterns arranged so as to intersect the active region and to be between the control gate patterns in parallel thereto.例文帳に追加

この素子は複数個の平行な活性領域を限定する素子分離膜と、活性領域と交差して配置された一対の制御ゲートパターン及び活性領域と交差して制御ゲートパターンの間に平行に配置された一対の選択ゲートパターンとを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a fin-shape active region 12, a first gate insulating film 13t for covering the top surface of the active region, and a second gate insulating film 13s for covering the side of the active layer.例文帳に追加

フィン状の活性領域１２と、活性領域の上面を覆う第１ゲート絶縁膜１３ｔと、活性領域の側面を覆う第２ゲート絶縁膜１３ｓとを備え、第１ゲート絶縁膜１３ｔの膜厚が第２ゲート絶縁膜１３ｓの膜厚よりも厚く構成される。 - 特許庁

Then, a lower piezoelectric layer 40 and an intermediate piezoelectric layer 41 other than a first active section R1 in a region overlapped with the first active region R1 from its plane view are moved from the lower piezoelectric layer 40 (face side separated from the first active section R1), and through-holes 40a and 41a are formed (removal process).例文帳に追加

そして、平面視で第１活性部Ｒ１と重なる領域にある第１活性部Ｒ１以外の、下部圧電層４０及び中間圧電層４１を下部圧電層４０側（第１活性部Ｒ１から離れた面側）から除去し、貫通孔４０ａ、４１ａを形成する（除去工程）。 - 特許庁

That is, an effective channel width W is shorter than a length (a) in the channel width direction of the effective active region 31.例文帳に追加

すなわち、実効チャネル幅Ｗは、実効アクティブ領域３１のチャネル幅方向の長さａより小さい。 - 特許庁

Subsequently, processing is executed to separate the conductive layer along an active region 3 and the floating gate 5 is formed.例文帳に追加

続いて活性領域３に沿った導電層を分離する加工を行って浮遊ゲート電極５を形成する。 - 特許庁

To dissolve adverse influences on a performance of a MISFET by a stress from a trench isolation in an active region.例文帳に追加

活性領域におけるトレンチ分離からのストレスによるＭＩＳＦＥＴの性能への悪影響を解消する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride light-emitting device having at least one p-type layer in an active region.例文帳に追加

活性領域に少なくとも１つのｐ型層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置を提供する。 - 特許庁

A first layer of a first conductivity is formed to a part of surface layer in an active region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型の第１の層が、半導体基板の活性領域の表層部の一部に形成されている。 - 特許庁

Since the gate electrode GW is formed inside the active region 3, occurrence of a channel at the end is suppressed.例文帳に追加

ゲート電極ＧＷは活性領域３内に形成されるので、端部でのチャンネル発生を抑制できる。 - 特許庁

The active region is formed not flatly, but hollow, so that the occupancy area is less than that of the conventional types.例文帳に追加

能動領域が平面ではなく凹に形成されているので、占有面積が従来型より小型となる。 - 特許庁

A current interruption layer is arranged between a second electrode layer and the active region for forming an opening.例文帳に追加

電流遮断層は、開口部を形成するために第２電極層と活性領域との間に配置される。 - 特許庁

To provide a group III nitride light emitting device having at least one p type layer in an active region.例文帳に追加

活性領域に少なくとも１つのｐ型層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置を提供する。 - 特許庁

The core semiconductor region 19 includes a first light guide layer 21, an active layer 23, and a second light guide layer 25.例文帳に追加

コア半導体領域１９は、第１光ガイド層２１、活性層２３及び第２光ガイド層２５を含む。 - 特許庁

A solid electrolyte layer 3 is formed in a region extending over the positive active material layer 1b and the insulating layer 4.例文帳に追加

正極活物質層１ｂと絶縁層４とに跨る領域に、固体電解質層３が形成されている。 - 特許庁

A gate insulating film 5 is formed on an active region, and a polycrystalline Si film 6 is formed on the upper layer of the film 5.例文帳に追加

活性領域上にゲート絶縁膜５を形成し、その上層に多結晶Ｓｉ膜６を製膜する。 - 特許庁

The selective transistor is arranged between the pair of the memory transistors formed in the active region in a semiconductor substrate.例文帳に追加

選択トランジスタは半導体基板内の活性領域に形成された一対のメモリトランジスタの間に配置される。 - 特許庁

In the active polysilicon layer 36, an TFT element region is formed which is doped with conductive impurities.例文帳に追加

活性ポリシリコン層３６には、導電性不純物をドープされたＴＦＴ素子領域が形成されている。 - 特許庁

The phosphor layer is disposed between and in contact with the active region and an exterior medium.例文帳に追加

蛍光体層は、アクティブ領域と外部媒体との間にあってその双方に接触するように配置される。 - 特許庁

Similarly, a drive transistor Qn2 and a word transistor Qn4 are formed on a p-type active region 11b.例文帳に追加

同様に、ｐ型能動領域１１ｂには、駆動トランジスタＱｎ２およびワードトランジスタＱｎ４が形成されている。 - 特許庁

Patterning is performed on the auxiliary floating gate electrode to form a floating gate electrode 130a on the upper part of the active region.例文帳に追加

予備フローティングゲート電極をパターニングして活性領域の上部にフローティングゲート電極130aを形成する。 - 特許庁

The frame 330 is formed on the mounting face of the transparent substrate 310 or the active region of the chip 320.例文帳に追加

透明基板３１０の取付け面上またはチップ３２０の活性領域上にフレーム３３０を形成する。 - 特許庁

Each active region makes up one intrinsic(i) layer, corresponding to the p-i-n junction structure.例文帳に追加

活性領域は、それぞれ、ｐ−ｉ−ｎ接合構造の対応する１つの真性（ｉ）層を構成している。 - 特許庁

The first current filter layer includes a non-oxidizing part aligned almost perpendicular to the active region.例文帳に追加

前記第１の電流遮断層は、前記活性領域とほぼ垂直に位置合わせされた非酸化部分を含む。 - 特許庁

At present, over 210,000 emigrants from Okinawa are active in various fields in the Latin America and Caribbean region. 例文帳に追加

現在、中南米地域全体で21万人以上の沖縄系の移住者があらゆる分野で活躍しております。 - 財務省