「body-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Hereby, the current between the body region and the source region can be low suppressed.例文帳に追加

よって、ボディ領域とソース領域との間の電流を低く抑えることができる。 - 特許庁

At a surface layer section of the body region 10, an N^+-type source region 12 is formed.例文帳に追加

ボディ領域１０の表層部には、Ｎ^＋型のソース領域１２が形成されている。 - 特許庁

The gate electrode 18 is opposed to the body region 8 with the channel region 14 interposed therebetween.例文帳に追加

ゲート電極１８は、チャネル領域１４を介してボディ領域８に対向している。 - 特許庁

The peripheral edge region 20b is a region disposed inside the recess 11a of the frame body 11.例文帳に追加

周縁領域２０ｂは、枠体１１の凹部１１ａ内に配されている領域である。 - 特許庁

At a surface layer of the body region 6, an N-type source region 13 is formed.例文帳に追加

ボディ領域６の表層部には、Ｎ型のソース領域１３が形成されている。 - 特許庁

A p-type body region 50a is electrically connected to an n-type source region 120.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域５０ａと、ｎ型ソース領域１２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

A p-type body region 50a and an n-type source region 120 are connected electrically.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域５０ａと、ｎ型ソース領域１２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

An impurity concentration of the anode region 10 is higher than that of the body region 12.例文帳に追加

アノード領域１０の不純物濃度は、ボディ領域１２の不純物濃度よりも濃い。 - 特許庁

The p-type body region 50a is electrically connected to a p-type base region 220.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域５０ａと、ｐ型ベース領域２２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

In an epitaxial layer 3, an N^--type region 4 and a body region 5 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、Ｎ^−型領域４およびボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

The trench 7 penetrates the body region 6 and its bottom reaches the drift region 5.例文帳に追加

トレンチ７は、ボディ領域６を貫通し、その底部がドリフト領域５に達している。 - 特許庁

At that time, the source diffusion region 3 is not formed at the corners of the body diffusion region 2.例文帳に追加

その際、ボディー拡散領域２の角部にはソース拡散領域３を形成しない。 - 特許庁

Therefore, a current which flows between the body region and the source region can be lessened.例文帳に追加

よって、ボディ領域とソース領域との間の電流を低く抑えることができる。 - 特許庁

In the top layer of the body region 13, a P type source region 14 is formed.例文帳に追加

ボディ領域１３の表層部には、Ｐ型のソース領域１４が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device 101, a first transistor TR1A of an SOI structure has a source region, a drain region, a body region positioned between the source region and the drain region, and a gate electrode positioned above the body region.例文帳に追加

半導体装置１０１は、ＳＯＩ構造の第１のトランジスタＴＲ１Ａは、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域およびドレイン領域間に位置するボディ領域と、ボディ領域の上方に位置するゲート電極とを有する。 - 特許庁

The plurality of transistor cells each have a source region 15, a body region 14 disposed between the source region 15 and the drift region 12, and a gate electrode 16 disposed so as to be insulated from the source region 15 and the body region 14.例文帳に追加

トランジスタセルは、それぞれ、ソース区域１５と、ソース区域１５と上記ドリフト区域１２との間に配置されるボディ区域１４と、ソース区域１５およびボディ区域１４から絶縁して配置されるゲート電極１６とを有する。 - 特許庁

An IGBT region 20 has a p^+-type collector region 30a, an n^--type drift region 34a, a p-type body region 36a, and an n^+-type emitter region 46.例文帳に追加

ＩＧＢＴ領域２０は、ｐ^＋型のコレクタ領域３０ａと、ｎ^−型のドリフト領域３４ａと、ｐ型のボディ領域３６ａと、ｎ^＋型のエミッタ領域４６を有する。 - 特許庁

Along the gate insulation film 42, the drift region 26, the first additional semiconductor region 36, the drift region 26, the body region 32, and the emitter region 34 are arranged sequentially.例文帳に追加

ゲート絶縁膜４２に沿って、ドリフト領域２６、第１付加半導体領域３６、ドリフト領域２６、ボディ領域３２、エミッタ領域３４が順に並んでいる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an N^+-type source region 31, a contact P^+-type region 32, an N^+-type drain region 11, a P^--type body region 41 and an N^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，コンタクトＰ^+ 領域３２，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an n^+-type source region 31, an n^+-type drain region 11, a p^--type body region 41 and an n^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

A trench offset region 2 is formed in an N-type drift region 5 of a P-type body region 4 side viewed from an N-type drain region 14.例文帳に追加

Ｎ型ドレイン領域１４から見てＰ型ボディ領域４側のＮ型ドリフト領域５内にトレンチオフセット領域２が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 300 is provided with an n^+ source region 31, an n^+ drain region 11, a p^- body region 41 and an n^- drift region 12.例文帳に追加

半導体装置３００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

A body region 15 is formed inside the drain region 121, an N-type source region 16 is formed inside the body region 15, and a gate electrode 20 is disposed on a channel region between the drain region 121 and the source region 16, thereby forming the LDMOS.例文帳に追加

ドレイン領域１２１内にボディ領域１５が形成され、ボディ領域１５内にＮ型ソース領域１６が形成され、ドレイン領域１２１とソース領域１６間のチャネル領域上にゲート電極２０が配置され、ＬＤＭＯＳが形成される。 - 特許庁

The IGBT has an n-type emitter region, a p-type body region, an n-type drift region, a p-type collector region, and a gate electrode opposed to the body region, within a range wherein the emitter region and drift region are isolated, with an insulating film interposed.例文帳に追加

ＩＧＢＴは、ｎ型のエミッタ領域と、ｐ型のボディ領域と、ｎ型のドリフト領域と、ｐ型のコレクタ領域と、エミッタ領域とドリフト領域を分離している範囲のボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極を有している。 - 特許庁

A body bias generating circuit 13 supplies a body potentially Vbody-n to the body region of a PMOS transistor MP.例文帳に追加

ボディバイアス生成回路１３は、ＰＭＯＳトランジスタＭＰのボディ領域へ、ボディ電位Vbody_nを供給する。 - 特許庁

When the region constituting the human body is hidden, the likelihood of the human body is decided, based on the likelihood for the human body when the candidate for the region is selected.例文帳に追加

人体を構成する部位が隠れている場合の人体らしさは、部位の候補が選ばれるときの人体らしさに基づいて決められる。 - 特許庁

The diffusion region 14 extends to a depth reaching the back face of an element region 31 from the front face of the element region 31 in body regions 6a, 16a between the emitter region 12 and the drift region 22, and divides the body region 6, 16 into a first region 6 in contact with the emitter region 12 and a second region 16 in contact with the drift region 22.例文帳に追加

拡散領域１４は、エミッタ領域１２とドリフト領域２２の間のボディ領域６ａ、１６ａ内において素子領域３１の表面から素子領域３１の裏面に達する深さまで伸びており、ボディ領域６、１６をエミッタ領域１２に接する第１領域６とドリフト領域２２に接する第２領域１６に分離している。 - 特許庁

The SOI active region is electrically connected to the external body contact through a semiconductor region under the partially isolated region and is capable of eliminating the floating body effects.例文帳に追加

ＳＯＩ活性領域は部分分離領域下の半導体領域を通して、外部のボディコンタクトと電気的に接続され、フローティングボディ効果を除去できる。 - 特許庁

A P-type second impurity region 15 is formed by the body region 6 of the semiconductor layer 2 apart from the body region 6.例文帳に追加

また、半導体層２におけるボディ領域６の側方には、Ｐ型の第２不純物領域１５がボディ領域６から分離して形成されている。 - 特許庁

A depletion layer formed between the N+-type layer 4 and the body region 9 extends to the body region 9.例文帳に追加

また、Ｎ^+型層４とＰボディ領域９との間に形成される空乏層は、Ｐボディ領域９側に延びている。 - 特許庁

A trench 5 is formed in a P type body region 4.例文帳に追加

Ｐ型のボディ領域４には、トレンチ５が形成されている。 - 特許庁

A stress relief region is formed in the bent beam body.例文帳に追加

曲げ梁本体内に応力緩和領域が形成される。 - 特許庁

A device including a body region is defined with an etching process.例文帳に追加

ボディ領域を含むデバイスを、エッチング・プロセスによって定める。 - 特許庁

the region of the body of a vertebrate between the thorax and the pelvis 例文帳に追加

胸部と骨盤の間の脊椎動物の身体の部分 - 日本語WordNet

of a self-governing body, the action of declaring its region a nuclear-free zone 例文帳に追加

自治体がその地域の非核地帯化を宣言すること - EDR日英対訳辞書

STRUCTURE FOR CREATING CAVITY IN BODY INTERIOR REGION例文帳に追加

内部身体領域で空洞を作製するための構造体 - 特許庁

On the surface layer of p body region 4, an n^+ emitter region 5 and a p^+ contact region 6 are provided adjacently.例文帳に追加

ｐボディ領域４の表面層には、ｎ^+エミッタ領域５とｐ^+コンタクト領域６とが接するように設けられている。 - 特許庁

The power transistor device further includes a first region, a drift region that adjoins a top surface of the buffer layer, and a body region.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスはさらに、第１の領域と、バッファ層の上面に隣接するドリフト領域と、ボディ領域とを含む。 - 特許庁

In addition, in the semiconductor device 100, an n^- middle region 14b and a p^- second body region 18 are arranged between the p^- body region 13 and the n^- drift region 14a.例文帳に追加

また，半導体装置１００では，Ｐ^- ボディ領域１３とＮ^- ドリフト領域１４ａとの間に，Ｎ^- 中間領域１４ｂおよびＰ^- 第２ボディ領域１８が配置されている。 - 特許庁

The first body contact region 21, the source region 23, the second body contact region 24, and the drain region 26 are arranged in this order along one direction of a surface layer part of a semiconductor layer 20.例文帳に追加

第１ボディコンタクト領域２１、ソース領域２３、第２ボディコンタクト領域２４、及びドレイン領域２６は、半導体層２０の表層部を一方向に沿ってこの順で並んでいる。 - 特許庁

A small-band gap region 18, made of a band gap material smaller than a p-type body region 14, is formed in the p-type body region 14 so that the small-band gap region 18 is contacted with a source electrode 26.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域１４にｐ型ボディ領域１４よりバンドギャップが小さい材料からなる小バンドギャップ領域１８をソース電極２６に接するように形成する。 - 特許庁

An IGBT 100 has an n-type floating region 15 that is provided in a p-type body region 14 and parts the body region 14 in a direction for connecting a base region 13 and an emitter region 16.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００は、ｐ型のボディ領域１４内に設けられており、ベース領域１３とエミッタ領域１６を結ぶ方向においてボディ領域１４を分断しているｎ型のフローティング領域１５を備えている。 - 特許庁

The body region 13 has a first body region 12, having a first depth D12 and a second body region 10 having a second depth D10 deeper than the first depth D12.例文帳に追加

ボディ領域１３は、第１深さＤ１２を有する第１ボディ領域１２と、第１深さＤ１２よりも深い第２深さＤ１０を有する第２ボディ領域１０を有している。 - 特許庁

In a trench-gated power MOSFET, a body region 107 is formed within a mesa between adjacent trenches, the body region 107 having doping concentration established such that the body region 107 is not fully depleted at drain voltage.例文帳に追加

トレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴに、隣接するトレンチ間のメサ内部に、ドレイン電圧で完全に空乏領域化しないようなドープ濃度のボディ領域１０７を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a body region 22 of an N^- type, a drain region 23a and a source region 23b of a P^+ type, and a body contact region 24 of an N^+ type disposed on the side of the source region 23b in the view from the body region 22 are formed inside the silicon layer 13 of the SOI substrate 10.例文帳に追加

半導体装置１においては、ＳＯＩ基板１０のシリコン層１３内に、Ｎ^−型のボディ領域２２、Ｐ^＋型のドレイン領域２３ａ及びソース領域２３ｂ、ボディ領域２２から見てソース領域２３ｂ側に配置されたＮ^＋型のボディコンタクト領域２４が形成されている。 - 特許庁