「body-region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor device 10 is equipped with a drain region 32, a body region 38, a body contact region 37, and a source region 36.例文帳に追加

半導体装置１０は、ドレイン領域３２と、ボディ領域３８と、ボディコンタクト領域３７と、ソース領域３６を備えている。 - 特許庁

A body region 15 is formed in the drain region 121, and an N-type source region 16 is formed in the body region 15.例文帳に追加

ドレイン領域１２１内にボディ領域１５が形成され、ボディ領域１５内にＮ型ソース領域１６が形成される。 - 特許庁

Then a source region 15 is formed in the body region 14.例文帳に追加

その後、ボディ領域１４内にソース領域１５を形成する。 - 特許庁

A body region keeps in contact with the adjacent well region 11.例文帳に追加

ボディー領域は隣接するウェル領域１１に接している。 - 特許庁

In a region 411, a body region is formed in a drain region 121 defined by an element isolation region, and an N-type source region is formed in the body region.例文帳に追加

領域４１１においては、素子分離領域により規定されるドレイン領域１２１にボディ領域が形成され、ボディ領域にＮ型のソース領域が形成される。 - 特許庁

A body region 11 and a drift region 12 are formed in an active region 9.例文帳に追加

アクティブ領域９には、ボディ領域１１とドリフト領域１２とを形成する。 - 特許庁

The first body region is connected to a second body region 13b provided outside of the active region, and the second body region is brought into contact with a first electrode layer (source electrode).例文帳に追加

第１ボディ領域は、動作領域外に設けられた第２ボディ領域に接続し、第２ボディ領域が第１電極層（ソース電極）とコンタクトする。 - 特許庁

The IGBT100 includes an emitter region 8, a body region 12 and a drift region 19.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００は、エミッタ領域８と、ボディ領域１２と、ドリフト領域１９を備える。 - 特許庁

The drift region 19 is separated from the emitter region 8 by the body region 12.例文帳に追加

ドリフト領域１９は、ボディ領域１２によってエミッタ領域８から分離されている。 - 特許庁

The body region 25 of the non-channel region 10B includes no emitter region 26.例文帳に追加

非チャネル区域１０Ｂのボディ領域２５には、エミッタ領域２６が設けられていない。 - 特許庁

The first kind partial region 62 has a first body region 32, an emitter region 36, and a first body contact region 38.例文帳に追加

第１種類の部分領域６２は、第１ボディ領域３２と、エミッタ領域３６と、第１ボディコンタクト領域３８を有している。 - 特許庁

a form of punishment that inflicts pain on a particular region of the body 例文帳に追加

体のある部分を傷つける刑罰 - EDR日英対訳辞書

The channel region and high concentration body region are connected in a region under the source region and first separation region.例文帳に追加

そして、チャネル領域と高濃度ボディ領域とは、ソース領域及び第１分離領域の下側領域において接続されている。 - 特許庁

A body region 5, a drain region 4, a source region 9 and a body contact region 10 are formed on an epitaxial layer 3 having a gate trench 6.例文帳に追加

ゲートトレンチ６を有するエピタキシャル層３に、ボディ領域５、ドレイン領域４、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０を形成する。 - 特許庁

A source region 13 is formed at a surface layer section of the body region 11.例文帳に追加

ボディ領域１１の表層部には、ソース領域１３を形成する。 - 特許庁

An interval d1 between the p^- body region 41 and the p^- floating body region 42 is selected narrower than an interval d2 between the p^- body region 41 and the p^- floating embedded region 51.例文帳に追加

Ｐ^- ボディ領域４１とＰ^- フローティングボディ領域４２との間隔ｄ１は，Ｐ^- ボディ領域４１とＰ^- フローティング埋込み領域５１との間隔ｄ２よりも狭い。 - 特許庁

A semiconductor region 31 of this lateral IGBT 100 includes a drift region 22, a body region 6, 16, an emitter region 12, a body contact region 8, a collector region 26, a buffer region 28 and a diffusion region 14.例文帳に追加

横型のＩＧＢＴ１００の半導体領域３１は、ドリフト領域２２とボディ領域６、１６とエミッタ領域１２とボディコンタクト領域８とコレクタ領域２６とバッファ領域２８と拡散領域１４で構成されている。 - 特許庁

A p^+ low resistance region 41 is provided at the interface among the p body region 4, the n^+ emitter region 5 and p^+ contact region 6, within the p body region 4.例文帳に追加

ｐボディ領域４内の、ｐボディ領域４領域と、ｎ^+エミッタ領域５およびｐ^+コンタクト領域６との界面には、ｐ^+低抵抗領域４１が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an n^+ source region 31, an n^+ drain region 11, a p^- body region 41, a p^- floating body region 42, and an n^- drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１，Ｐ^- フローティングボディ領域４２およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

The body 110 opens a prescribed region.例文帳に追加

本体１１０は、所定領域が開放される。 - 特許庁

The right inguinal region cooling/warming body mounting body 14 and the left inguinal region cooling/warming body mounting body 16 have the same structure.例文帳に追加

前記右鼠蹊部保冷保温体装着体１４と前記左鼠蹊部保冷保温体装着体１６は同一構造である。 - 特許庁

The peripheral region 20b is a region disposed in the frame body 11.例文帳に追加

周縁領域２０ｂは、枠体１１内に配されている領域である。 - 特許庁

The second kind partial region 64 has a second body region 35, a second body contact region 34, and a second kind side accumulating region 54.例文帳に追加

第２種類の部分領域６４は、第２ボディ領域３５と、第２ボディコンタクト領域３４と、第２種類側蓄積領域５４を有している。 - 特許庁

The anti-latch-up region (4) has higher maximum doping concentration than the body region (2).例文帳に追加

反ラッチアップ領域（４）は、最大ドープ濃度がボディ領域（２）より高い。 - 特許庁

A body trigger bias is provided to the TFT body through a dopant in the body contact region and a different impurity in the source region and the drain region.例文帳に追加

ボディコンタクト領域中のド—パンとソース領域中およびドレイン領域の異なった不純物とを通じて、ボディトリガバイアスがＴＦＴ本体に提供される。 - 特許庁

The second p^- body region 18 is located between the p^- body region 13 and a field oxide film 114, and dissociated from the p^- body region 13 across the n^- middle region 14b.例文帳に追加

Ｐ^- 第２ボディ領域１８は，Ｐ^- ボディ領域１３とフィールド酸化膜１１４との間に位置し，Ｐ^- ボディ領域１３からＮ^- 中間領域１４ｂを挟んで分離している。 - 特許庁

PANTS FOR SUPPORTING HUMAN BODY LUMBOSACRAL REGION, AND HUMAN TRUNK EQUIPMENT例文帳に追加

人体腰仙部支持用パンツ及び体幹装具 - 特許庁

A body contact region is formed for separating, a gate electrode, a source region and a drain region in the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴ内にゲート電極と、ソース領域と、ドレイン領域とを区別するボディコンタクト領域ができる。 - 特許庁

In the first region 2, the emitter region 22 and body region 24 are in contact with the emitter electrode 12.例文帳に追加

第１領域２では、エミッタ領域２２及びボディ領域２４がエミッタ電極１２と接している。 - 特許庁

A body region of the first conducting type is in the substrate between the first region and the second region.例文帳に追加

基板の第１領域と第２領域との間には、第１導電型の本体領域が存在する。 - 特許庁

The module body 20 has a power generation region 20a, a peripheral region 20b, and an intermediate region 20c.例文帳に追加

モジュール本体２０は、発電領域２０ａと、周縁領域２０ｂと、中間領域２０ｃとを有する。 - 特許庁

The n+-type drift region 18b includes a first region 18b1 that is located at the side of a p+-type body region 16a and a second region 18b2 that is located at the side of a p+-type body region 16b.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域１８ｂは、ｐ^+型ボディ領域１６ａ側に位置する第１領域１８ｂ１と、ｐ^+型ボディ領域１６ｂ側に位置する第２領域１８ｂ２と、を含む。 - 特許庁

Furthermore, an N^+ source region 7 is formed in the P body region 8.例文帳に追加

さらに，Ｐボディ領域８中には，Ｎ^+ ソース領域７が形成されている。 - 特許庁

The body contact region 21 and the body region are electrically connected via an SOI layer (well region) below the partial trench separation insulating film 8.例文帳に追加

ボディコンタクト領域２１とボディ領域とは、部分トレンチ分離絶縁膜８下のＳＯＩ層（ウエル領域）を介して電気的に繋がる。 - 特許庁

SYSTEM FOR MEASURING HUMAN BODY REGION POSITION AND BIOLOGICAL INFORMATION例文帳に追加

人体部位位置及び生体情報の計測システム - 特許庁

The horizontal semiconductor device 10 having a trench gate 40 includes: a first body contact region 21; a source region 23; a second body contact region 24; and a drain region 26.例文帳に追加

トレンチゲート４０を有する横型半導体装置１０は、第１ボディコンタクト領域２１とソース領域２３と第２ボディコンタクト領域２４とドレイン領域２６を備えている。 - 特許庁

The source region 36 is formed at a position out of the inside of a horizontal plane wherein the drain region 32, the body region 38 and the body contact region 37 are arrayed in the horizontal direction.例文帳に追加

ソース領域３６が、ドレイン領域３２とボディ領域３８とボディコンタクト領域３７が横方向に並んでいる水平面内から外れた位置に形成されている。 - 特許庁

Then, a body region 5, a drain region 4, a source region 9 and a body contact region 10 are formed, and an interlayer dielectric 11 is stacked on the epitaxial layer 3.例文帳に追加

そして、ボディ領域５、ドレイン領域４、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０の形成後、エピタキシャル層３上に層間絶縁膜１１を積層する。 - 特許庁

Further, in the p^- body region 13, an n^+ source region 11 is formed.例文帳に追加

さらに，Ｐ^- ボディ領域１３中には，Ｎ^+ ソース領域１１が形成されている。 - 特許庁

Thus, the current between the body region and the source region is suppressed low.例文帳に追加

よって、ボディ領域とソース領域との間の電流を低く抑えることができる。 - 特許庁

In an insulated-gate semiconductor device, in an active region, only a source region is exposed between gate electrodes 7 and a first body region 13a is provided below the source region.例文帳に追加

動作領域において、ゲート電極間にはソース領域のみが露出し、ソース領域下方に第１ボディ領域を設ける。 - 特許庁

the distribution of nerve fibers to an organ or body region 例文帳に追加

器官または人体の部位への神経繊維の配布 - 日本語WordNet

A p body region 4 and an n buffer region 7 are provided separately on the surface layer of an n^- drift region 3.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域３の表面層にｐボディ領域４と、ｎバッファ領域７とが離れて設けられている。 - 特許庁

The module body 20 includes a power generation region 20a, a peripheral edge region 20b, and an intermediate region 20c.例文帳に追加

モジュール本体２０は、発電領域２０ａと、周縁領域２０ｂと、中間領域２０ｃとを有する。 - 特許庁

A source region 113B is formed on the upper side of the body region 112 extending to a second region 12.例文帳に追加

第２領域１２に延在するボディー領域１１２の上側にソース領域１１３Ｂが形成されている。 - 特許庁