意味 | 例文 (999件) |
body-regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3155件
A unit resistance value R1 possessed by the first region 3A1 of the fuse main body 3A is set larger than a unit resistance value R2 possessed by a second region 3A2 other than the first region 3A1 of the fuse main body 3A.例文帳に追加
フューズ本体部3Aの第1の領域3A1が有する単位抵抗値R1が、フューズ本体部3Aの第1の領域以外の第2の領域3A2が有する単位抵抗値R2より大きく設定されている。 - 特許庁
Also, it is not necessary to form a large maintenance region in the apparatus body, so that the size enlargement of the apparatus body can be reduced.例文帳に追加
また、大きなメンテナンス領域を装置本体内に設ける必要が無いため、装置本体の大型化も抑えることができる。 - 特許庁
A body mark creating part 33 creates a body mark related to the examination region by processing images of the created combination volume data set.例文帳に追加
ボディマーク生成部33は、生成された結合ボリュームデータセットを画像処理して検査部位に関するボディマークを生成する。 - 特許庁
The carrying tool 3 is mounted with the gyroscopes 2, 2 positioned on the human body with reference to a specific region of the human body.例文帳に追加
装着具3は、人体の特定の部位を基準にしてジャイロスコープ2,2,…を人体に対して位置決めした状態で取り付ける。 - 特許庁
Since the insulating region 22 reduces a connecting area between base/emitter of a parasitic NPN transistor constituted of the source region 23, the body region 21 and a drift region 25, the amount of electron, poured from the source region 23 after the parasitic NPN transistor turns ON, is reduced.例文帳に追加
絶縁領域22は、ソース領域23とボディ領域21とドリフト領域25で構成される寄生のnpnトランジスタのベース・エミッタ間の接合面積を小さくするので、寄生のnpnトランジスタがオンした後にソース領域23から注入される電子量を低減する。 - 特許庁
A power MOS transistor has a structure with a channel region 4 formed in the surface layer part of an n-type well layer 3 in a semiconductor substrate, a source region 5 is formed in the surface layer part of the region 4, and moreover, a p^+ body region 6 which is deeper than the region 4 is formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板におけるnウェル層3の表層部にチャネル領域4が形成されるとともにチャネル領域4の表層部にソース領域5が形成され、さらに、チャネル領域4よりも深いp^+ボディ領域6が形成されている。 - 特許庁
The free magnetization layer 10 is composed of a ferromagnetic body having vertical magnetic anisotropy, and has a first fixed magnetization region 11a, a second fixed magnetization region 11b, and a free magnetization region 12 adjacent to the first fixed magnetization region and second fixed magnetization region.例文帳に追加
磁化自由層10は、垂直磁気異方性を有する強磁性体により構成され、第1磁化固定領域11aと、第2磁化固定領域11bと、第1磁化固定領域と第2磁化固定領域とに隣接した磁化自由領域12とを備える。 - 特許庁
The substrate SB for electroforming comprises: a fine pattern region FA having a fine pattern for transferring to an electroformed body; a flat region MA surrounding the fine pattern region FA; and an anchor pattern region AA arranged at the outer side than the flat region MA.例文帳に追加
電鋳用基板SBは、電鋳体に転写するための微細パターンを有する微細パターン領域FAと、微細パターン領域FAを取り囲む平坦領域MAと、平坦領域MAよりも外側に配置されたアンカーパターン領域AAとを備えている。 - 特許庁
Further, the conductive film has a main body portion (53s) provided in the non-opening region and an extension portion (61) extended from the main body portion to the region (107a) where the conductive material is formed.例文帳に追加
更に、導電膜は、非開口領域内に設けられた本体部(53s)と該本体部から導通材が形成された領域(107a)内まで延設された延設部(61)とを有する。 - 特許庁
A connection part 12 is formed under the second impurity diffusion layer in the element forming film, and electrically connects a body region of the first element with a body region of the second element.例文帳に追加
接続部12は、素子形成膜における第2の不純物拡散層の下方に形成され、第1の素子のボディ領域と第2の素子のボディ領域とを電気的に接続する。 - 特許庁
A driver transistor Q1's body region and a first access transistor Q5's body region are electrically connected with each other via the SOI layer 13 lying below the element separating insulation film 14.例文帳に追加
ドライバトランジスタQ1のボディー領域と第1アクセストランジスタQ5のボディー領域とは、素子分離絶縁膜14下方のSOI層13を介して互いに電気的に接続している。 - 特許庁
A p-type body 5 is formed on one side of a drift region 11 contained in an n-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type source diffusion region 7S is formed on the body 5.例文帳に追加
N型半導体基板1が含むドリフト領域11の一方の側方にはP型ボディ部5を形成し、ボディ部5上にはN^+型ソース拡散領域7Sを形成する。 - 特許庁
Between mutually adjacent body regions 12 (in an inter-body region 16), a P-type implantation region 21 is formed by implanting a P-type impurity into the epitaxial layer 8.例文帳に追加
そして、互いに隣り合うボディ領域12の間(ボディ間領域16には、エピタキシャル層8にP型不純物をインプランテーションすることにより、P^−型のインプラ領域21が形成されている。 - 特許庁
A fuel discharging port 31 is formed on the front face of the container body 2, and an internal space of the body 2 is partitioned by a follower 5 into a front region and a rear region.例文帳に追加
容器本体2の前面には燃料排出口31が設けられ、容器本体2の内部空間は追従体5によって前側の領域と後ろ側の領域に区切られている。 - 特許庁
Then, water-repellent treatment is applied to a hydrogen introduction region 43ai on the anode side metal porous body 43a, and an air introduction region 43ci on the cathode side metal porous body 43c.例文帳に追加
そして、アノード側金属多孔体43aにおける水素導入領域43ai、および、カソード側金属多孔体43cにおける空気導入領域43ciに、撥水処理を施す。 - 特許庁
After an N type epitaxial layer 6 is formed, a recess 33 for body region is formed in a part on the surface of the epitaxial layer 6 becoming the body region 9 of a VDMOSFET 3.例文帳に追加
N型のエピタキシャル層6が形成された後、そのエピタキシャル層6の表面におけるVDMOSFET3のボディ領域9となる部分に、ボディ領域用凹部33が形成される。 - 特許庁
Recessed parts for releasing the adhesive member is formed in the bonding region of the fixing parts of the optical scanning body to the base or in the bonding region of the base to the fixing part of the optical scanning body.例文帳に追加
光走査体の固定部における台座への接着領域、又は台座における光走査体の固定部への接着領域に、接着部材を逃がす凹部が形成された。 - 特許庁
The gate G_MT of the memory transistor MT is formed with a MONOS structure on the second body region 106 so as to straddle the second body region 106 and the first impurity diffusion layer 104.例文帳に追加
第2ボディ領域106と第1不純物拡散層104に跨るように第2ボディ領域106上にメモリトランジスタMTのゲート部G_MTをMONOS構造で形成する。 - 特許庁
The tubular body includes a laminated body of outer layer 121 and an inner layer 122, and includes a region exhibiting higher conductivity than other regions (the inner layer 122 region and the outer layer 121 region other than a conductivity point uneven distribution region 124A) in the thickness direction in the inner layer 122.例文帳に追加
外層121及び内層122の積層体からなる管状体であって、内層122には、厚み方向において、他の領域(導電点偏在領域124A以外の内層122領域、及び外層121領域)よりも導電性が高い領域を有する、管状体である。 - 特許庁
For realizing a bipolar transistor with large channel width without outer wiring by fixing body potential, the transistor constituted of drain/source region-first gate 401-body contact region and the merged part of first conduction-type second region 123-second gate 402-source/drain region is realized.例文帳に追加
またボディ電位固定の外部配線無しに、チャネル幅の大きい両極性のトランジスタを実現する為に、ドレイン・ソース領域−第1ゲート401−ボディコンタクト領域と第1導電型の第2領域123の併設部分−第2ゲート402−ソース・ドレイン領域 からなるトランジスタの構成とする。 - 特許庁
The semiconductor body (40) further includes an IGBT-cell (110) with a body region (2) forming a first pn-junction (9) with the base region (1), and a diode-cell (120) with an anode region (2a) forming a second pn-junction (9a) with the base region (1).例文帳に追加
半導体ボディ(40)はさらに、ベース領域(1)との間で第1のpn接合(9)を形成しているボディ領域(2)を有するIGBTセル(110)と、ベース領域(1)との間で第2のpn接合(9a)を形成しているアノード領域(2a)を有するダイオードセル(120)と、を含む。 - 特許庁
Accordingly, the elastic region 2 is thinner and is smaller in the spring constant than the rigid region 3 adjacent to a slider supporting body 4 but the rigid region 3 is maintains the rigidity and has the high resonance frequency.例文帳に追加
したがって、弾性領域2は、スライダ支持体4に隣接する剛性領域3よりも薄く、ばね定数が小さいが、剛性領域3は剛性を維持し共振周波数が高い。 - 特許庁
Consequently, a breakdown is made at an upper corner part 2b of the n^+-type region 2a and a body break can be made between the p-type base region 3 and n^+-type region 2a.例文帳に追加
これにより、n^+型領域2aのうち上方側のコーナー部2bにおいてブレークダウンさせられ、p型ベース領域3とn^+型領域2aとの間でのボディーブレークが可能となる。 - 特許庁
The filter main body 20 has a relatively coarse first region 21, a relatively fine third region 23 and a second region 22 intermediate in coarseness therebetween.例文帳に追加
フィルタ本体20は、比較的目が粗い第1領域21、比較的目が細かい第3領域23及び目の粗さがこれらの中間である第2領域22との3領域を有している。 - 特許庁
A mounting part 2 of the substrate 1 for a suspension includes a head placed region 5 where a magnetic head 62 is placed and a mounting part body region 6 surrounding the head placed region 5.例文帳に追加
本発明によるサスペンション用基板1の実装部2は、磁気ヘッド62が載置されるヘッド載置領域5と、このヘッド載置領域5を囲む実装部本体領域6とを有している。 - 特許庁
The gate length of a gate electrode 37 in the ESD protective element region 10 is less than twice as large as the channel region length of the main-body transistor region 10.例文帳に追加
そして、ESD保護素子領域10におけるゲート電極37のゲート長が、本体トランジスタ領域10におけるチャネル領域長の2倍以下である半導体装置を構成する。 - 特許庁
The aluminum porous body has a large pore diameter region of large pore diameter and a small pore diameter region of smaller pore diameter than that of the large pore diameter region in the thickness direction from one surface toward the other surface.例文帳に追加
また、アルミニウム多孔体が、一方の面から他方の面に向かって厚さ方向に、気孔径の大きい大孔径領域とこれより気孔径の小さい小孔径領域とを有する。 - 特許庁
A body region 25 of the channel region 10A includes an emitter region 26 which is in contact with a side surface of a trench gate 30 and electrically connected to an emitter electrode 28.例文帳に追加
チャネル区域10Aのボディ領域25には、トレンチゲート30の側面に接するとともにエミッタ電極28に電気的に接続しているエミッタ領域26が設けられている。 - 特許庁
In this semiconductor device 1, a base layer part of an epitaxial layer 3 forms an N^- type region 4, and a P-type body region 5 in contact with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加
半導体装置1では、エピタキシャル層3の基層部がN−型領域4をなし、エピタキシャル層3には、N^-型領域4に接するP型のボディ領域5が形成されている。 - 特許庁
A body contact region 12 is formed selectively at such a part as the p+-type well region 5 projects, in plan view, to the n++-type drain region 4.例文帳に追加
ボディコンタクト領域12を、p^+形ウェル領域5が平面形状においてn^++形ドレイン領域4側へ凸となる形で湾曲した部分にのみ選択的に形成してある。 - 特許庁
This semiconductor device is provided, on an embedded oxide film 1, with: a semiconductor layer 2 and a gate electrode 5; a source region 8 and a drain region 7; and a body region 9.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置は、埋め込み酸化膜1上に、半導体層2とゲート電極5と、ソース領域8及びドレイン領域7と、ボディ領域9とを備えている。 - 特許庁
In the semiconductor device 1, a base layer portion of an epitaxial layer 3 is formed as an N^- type region 4, and a body region 5 of a P-type contacted with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加
半導体装置1では、エピタキシャル層3の基層部がN−型領域4をなし、エピタキシャル層3には、N^−型領域4に接するP型のボディ領域5が形成されている。 - 特許庁
By heating the second region 122 to change the refractive index of the main body in the region, the frequency band for passing the main waveguide 15 in the second region 122 is varied.例文帳に追加
第2領域122を加熱して該領域内の本体の屈折率を変化させることにより、第2領域122の幹導波路15を通過することのできる周波数帯域が変化する。 - 特許庁
The gate electrode 15 is insulated in the region of the body zone 20 from the side wall by a trench-oxide region thicker than a thin gate-oxide region and the gate oxide.例文帳に追加
ゲート電極15は、ボディゾーン20の領域内において、薄いゲート酸化物区域およびゲート酸化物より厚いトレンチ酸化物区域によって上記側壁から絶縁される。 - 特許庁
To provide a trenched DMOS transistor having a deep diffusion region which minimizes a region required to provide the deep body diffusion region having a sufficient depth.例文帳に追加
十分な深さを有する深いボディ拡散領域を設けるために必要とされる領域を最小化する、深い拡散領域を有するトレンチ形DMOSトランジスタを提供する。 - 特許庁
The transistor includes a gate semiconductor region 253 formed on an inner face of the groove 360, an N-type embedded channel region 262 formed in an epitaxial region 221 becoming an outer side of the P-type gate semiconductor region 253, and a channel region 382 formed of a P-type body semiconductor region 254 formed on an outer side of the embedded channel region 262.例文帳に追加
更に、溝360の内面に形成されるゲート半導体領域253と、該P型ゲート半導体領域253の外側となるエピタキシャル領域221に形成されるN型の埋込チャネル領域262と、この埋込チャネル領域262の外側に形成されるP型のボディ半導体領域254からなるチャネル領域382を備える。 - 特許庁
The ID card 1 includes a card body 2, a memory 6 built in the body 2, having a protected region and a rewritable open region that store ID authentication information, and a display means 3 provided in the body 2 for displaying information stored in the open region.例文帳に追加
カード本体2と、本体2に内蔵され、ID認証情報を記憶する保護領域および書き換え可能な開放領域を有するメモリ6と、本体2に設けられ、開放領域に記憶された情報を表示する表示手段3とからIDカード1を構成する。 - 特許庁
An IGBT 100 includes a body region 4 formed on the surface layer of a drift layer 16 in an active region, a guard ring 10 formed on the surface layer of the drift layer 16 in the peripheral region to encircle the body region 4, and a collector layer 20 on a backside of the drift layer 16 ranging over the active region and the peripheral region.例文帳に追加
IGBT100は、活性領域におけるドリフト層16の表層に形成されているボディ領域4と、周辺領域におけるドリフト層16の表層に形成されており、ボディ領域4を囲んでいるガードリング10と、ドリフト層16の裏面側に形成されており、活性領域と周辺領域に拡がっているコレクタ層20を備えている。 - 特許庁
This door opening and closing apparatus for the vehicle includes the displacement body movably displaced by a power from a motor in a moving region including a closing region in which a latch is brought into a pulled-in state, a releasing region in which the latch is brought into an open state, and a neutral region positioned between the closing region and the releasing region.例文帳に追加
ラッチを引込状態にさせるクローズ領域と、ラッチを開放状態にするリリース領域と、クローズ領域と前記リリース領域との間に位置する中立領域とを含む移動領域の間でモータからの動力によって移動変位する変位体を備える車両用ドア開閉操作装置。 - 特許庁
In particular, because the light quantity of the region regarding the moving body S1 is made to be larger than that of the region regarding the stationary body S2 on the screen, the moving body S1 is more brightly shown than the background on the screen of the liquid crystal panel and, therefore, the moving body S1 can be prominent.例文帳に追加
特に、画面における静止体S2に係る領域よりも動体S1に係る領域の光量を大きくするため、液晶パネルの画面上において背景よりも動体S1が明るく示されることになり、動体S1を目立たせることができる。 - 特許庁
The first region (17) is downward inclined from an intermediate portion (198) to the rear portion of the reel body (5) in the longitudinal direction of the reel body (5), and the second region (18) is downward inclined from the intermediate portion (19) of the reel body (5) to the front portion of the reel body (5).例文帳に追加
第1の領域(17)は、リール本体(5)の前後方向に沿う中間部(198)からリール本体(5)の後方に進むに従い下向きに傾斜し、第2の領域(18)は、リール本体(5)の中間部(19)からリール本体(5)の前方に進むに従い下向きに傾斜している。 - 特許庁
If the movable body 3 is arranged at the side part of the game region 1a, the balls can be guided inside from the side part of the game region.例文帳に追加
可動体3が遊技領域1aの側部に配置されれば、遊技領域1aの側部から内側に球を誘導することができる。 - 特許庁
The compression ring assembly comprises a penetrating member, which is present in a target region for extracting the interstitial fluid after penetrating the target region in the body of the user.例文帳に追加
圧縮リングアセンブリは身体の標的部位を貫通後、標的部位中に存在して間質液を抽出する貫通部材を含む。 - 特許庁
To properly adjust the external pressure applied to a region in the body cavity by the leading end of the insertion part of an electron endoscope corresponding to a patient or region.例文帳に追加
体腔内において電子内視鏡の挿入部の先端が部位に与える外圧を、患者や部位に応じて適切に調整する。 - 特許庁
The interconnection means 140 carries out the switching operation of the checking body 131 to the checking state when the speed-changing lever 93 is in an advancing region or a backing region.例文帳に追加
連係手段140は、変速レバー93が前進域や後進域にあると、牽制体131が牽制状態に切り換え操作する。 - 特許庁
The change of a potential barrier of the potential barrier region 12 under application of electric field controls magnetization of the region 11 containing magnetic body.例文帳に追加
電界印加によるポテンシャル障壁領域12のポテンシャル障壁の変調によって、磁性体を含む領域11の磁化を制御する。 - 特許庁
An elastically deformable region 65 is formed at a part of the outer case 9 of an ink cartridge and an engaging body 66 is provided in that region.例文帳に追加
インクカートリッジの外郭ケース9の一部に弾性変形しやすい領域65を形成して、この領域に被係合体66を設ける。 - 特許庁
In the laminated body 12, a thickness D3 of a region A3 in the z-axis direction is smaller than a thickness D2 of a region A2 in the z-axis direction.例文帳に追加
積層体12において、領域A3のz軸方向の厚みD3は、領域A2のz軸方向の厚みD2より小さい。 - 特許庁
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