「body-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

An insulating film 9 is provided on the n^- drift region 3, and a gate insulating film 10 is provided on the n^+ emitter region 5, p body region 4, and n^- drift region 3.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域３の上には、絶縁膜９が設けられており、ｎ^+エミッタ領域５、ｐボディ領域４およびｎ^-ドリフト領域３の上にはゲート絶縁膜１０が設けられている。 - 特許庁

On an n^+ substrate as an n^+ drain region 11; an n^- drift region 12, a p^- body region 41, and an n^+ source region 31 are formed by epitaxial growth and ion injection.例文帳に追加

まず，Ｎ^+ ドレイン領域１１となるＮ^+ 基板上にエピタキシャル成長およびイオン注入によりＮ^- ドリフト領域１２，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^+ ソース領域３１を形成する。 - 特許庁

The gate insulating film (7) is formed to cover the body region (5).例文帳に追加

ゲート絶縁膜（７）は、ボディ領域（５）を被覆するように形成されている。 - 特許庁

A second detection part 402 detects a state of a second region of the body of the user.例文帳に追加

第２検知部４０２は、ユーザの体の第２部位の状態を検知する。 - 特許庁

FLOATING BODY GERMANIUM PHOTO TRANSISTOR WITH PHOTO ABSORPTION THRESHOLD BIAS REGION例文帳に追加

光吸収しきい値バイアス領域を有するフローティングボディゲルマニウムフォトトランジスタ - 特許庁

A channel region 2a is formed immediately under the gate electrode body 4.例文帳に追加

ゲート電極本体部４の直下にチャネル領域２ａが形成される。 - 特許庁

A attachment hole 111 which corresponds to an outer peripheral shape of the body region and has a larger diameter than the body region is provided at the first supporting member.例文帳に追加

第１支持部材には本体領域の外周形状に対応し且つ本体領域よりも大径とされた装着孔１１１が設けられる。 - 特許庁

The aggregate of the extracted pixel data corresponds to the region where the human body H stands on a floor, and the human body H can be detected on the basis of this region.例文帳に追加

抽出された画素データの集合が床に立つ人体Ｈの領域に相当し、この領域によって人体を検知することができる。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 104, 124 are formed on a first body region 100, and a second body region 106 is formed on the first impurity diffusion layer 104.例文帳に追加

第１ボディ領域１００上に不純物拡散層１０４，１２４を、第１不純物拡散層１０４上に第２ボディ領域１０６を形成する。 - 特許庁

For example, the moving body is not detected in the specific region and an object to be tracked which is the moving body is waited until it appears at the periphery of the specific region.例文帳に追加

例えば、特定領域の内部では移動物体の検出を行わず、移動物体である追尾対象が特定領域の周囲に現れるまで待つ。 - 特許庁

To minimize an area of a body region to the utmost, and to efficiently protect a gate oxide film in a trench bottom, by a depletion layer extended from the body region.例文帳に追加

ボディー領域の面積を最小限にし、かつ、このボディー領域から延びる空乏層により効率よくトレンチ底のゲート酸化膜を保護する。 - 特許庁

Relating to a silicon carbide trench MOSFET, a semiconductor device has both a region of low p-body width concentration and narrow width, and a region of high p-body concentration and wide width.例文帳に追加

炭化珪素トレンチMOSFETにおいて、pボディ幅濃度が低く幅が狭い領域とpボディ濃度が高く幅が広い領域を併せ持つ半導体装置とする。 - 特許庁

Using this constitution, a prescribed potential can be surely and easily applied to the body region by using a first semiconductor layer 3 as a body contact region.例文帳に追加

上記構成によれば、第１の半導体層３をボディコンタクト領域として確実且つ容易にボディ領域に所定の電位を与えることができる。 - 特許庁

To provide a movable body detector which is capable of detecting a movable body which moves to a wide speed range from a high-speed region to a low-speed region.例文帳に追加

高速領域から低速領域までの広い速度領域に亘って、移動する可動体を検知することが可能な可動体検知装置を提供する。 - 特許庁

A gate trench 20 is first formed to pass through an n^+-source region 31 and a p^--body region 41 and reach an n^--drift region 12 at its bottom.例文帳に追加

まず，Ｎ^+ ソース領域３１およびＰ^- ボディ領域４１を貫通してその底部がＮ^- ドリフト領域１２にまで到達するゲートトレンチ２０を形成する。 - 特許庁

At least one portion of the heavily-doped region 14 abuts against the trench-type gate 5, and at least one portion of the lightly-doped region abuts against the body region 12.例文帳に追加

高濃度領域１４の少なくとも一部がトレンチ型ゲート５と接しており、低濃度領域の少なくとも一部がボディ領域１２に接している。 - 特許庁

The leading end 39a of the lifetime control region 39 is positioned within the formed range of the body region 46 of the IGBT region 40 when planarly viewed.例文帳に追加

ライフタイム制御領域３９の先端３９ａは、平面視したときに、ＩＧＢＴ領域４０のボディ領域４６の形成範囲に位置する。 - 特許庁

The total body MRI of the object is performed evading a subcutaneous fat region as a region signal suppression region indicated by the prepared shape function (steps 5 to 7).例文帳に追加

作成した形状関数で示される領域信号抑制領域として、皮下脂肪領域を避けて被検体を全身ＭＲＩ撮影する（ステップ５〜７）。 - 特許庁

The bottom wall 3 of the box body 2 is partitioned into a central region for holding the optical element 9 and a peripheral region formed outside the central region.例文帳に追加

函体２の底壁３は、光学素子９を保持する中央領域と、中央領域の外側に形成される周辺領域とに区分されている。 - 特許庁

An epitaxial layer 3 has an N-type region 4 formed at its base portion, and a P-type body region 5 is formed to be in contact with the N^--type region 4.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、その基層部にＮ^-型領域４が形成され、Ｐ型のボディ領域５がＮ^-型領域４に接して形成されている。 - 特許庁

A second gate transistor is constituted by permitting the P source region 13, N body region 15, and P column region 2 to face the second gate electrode 16.例文帳に追加

第２ゲート電極１６に対し，Ｐソース領域１３と，Ｎボディ領域１５と，Ｐコラム領域２とが対面して第２ゲートトランジスタを構成している。 - 特許庁

The film thickness of an insulating film 7a in the region under the fuse body part is made thicker than that of the insulating film in the field region other than the region under the fuse.例文帳に追加

ヒューズ本体部下方の領域の絶縁膜７ａの膜厚が、ヒューズ下方の領域以外のフィールド領域における絶縁膜の膜厚よりも厚い。 - 特許庁

A first gate transistor is constituted by permitting the N source region 3, P body region 5, and N column region 1 to face the first gate electrode 6.例文帳に追加

第１ゲート電極６に対し，Ｎソース領域３と，Ｐボディ領域５と，Ｎコラム領域１とが対面して第１ゲートトランジスタを構成している。 - 特許庁

To accurately calculates an actual electric potential distribution, even in a region accompanied by resistance discharge or a region where a body is moved and is a complicatedly formed region.例文帳に追加

抵抗、放電、または物体の移動が伴う領域で、かつ複雑な形状の領域であっても、現実に即した値の電位分布を精度よく算出する。 - 特許庁

The field effect transistor structure includes a source region 24, a first body region 23, a drain region 21, a gate electrode structure 40, and a gate insulating layer.例文帳に追加

電界効果トランジスタ構造は、ソース領域２４、第１のボディ領域２３、ドレイン領域２１、ゲート電極構造４０およびゲート絶縁層とを含む。 - 特許庁

A contactor includes a contactor body with an arm region laterally extended, and a needlepoint region downwardly extended from a chip of the arm region.例文帳に追加

接触子は、左右方向へ伸びるアーム領域を少なくとも備える接触子本体と、アーム領域の先端部から下方へ伸びる針先領域とを含む。 - 特許庁

An N-type heavily-doped source region 211 and a P-type heavily-doped main body region 210 are arranged in the upper part of the well region 207.例文帳に追加

Ｎ型に多量にドープされたソース領域２１１と、Ｐ型に多量にドープされた本体領域２１０は、ウェル領域２０７内上方に配置する。 - 特許庁

The dummy patterns 2 may be arranged inside a dicing region 3 so as to be mounted on a body to be installed or may be arranged in a region containing the dicing region 3.例文帳に追加

ダミーパターン２は、図１のようにダイシング領域３より内側に配置しても良いし、ダイシング領域３を含む領域に配置しても良い。 - 特許庁

The source region and high concentration body region are insulated by a first separation region 23 that is provided to have a depth not reaching the insulating layer.例文帳に追加

これらソース領域及び高濃度ボディ領域は、絶縁層に達しない深さで設けられた第１分離領域２３によって絶縁されている。 - 特許庁

Thus, a wide region and a narrow region are alternately formed in the region partitioned by the trenches 4, where the source diffuser 7 and the body diffuser 8 are formed, and the body diffuser 8 is provided in the wide region.例文帳に追加

これにより、トレンチ部４によって区分される、ソース拡散部７およびボディ拡散部８の形成領域では、幅の広い領域と幅の狭い領域とが交互に形成され、ボディ拡散部８は幅の広い領域にて配置される。 - 特許庁

A body region 32 forming a channel is formed as a low concentration region where an impurity concentration is low by applying a voltage to a gate electrode 30, and also a high concentration region 34 having high impurity concentration of the same conductivity as the body region 32 is formed in a layered manner at a predetermined depth within the body region 32.例文帳に追加

ゲート電極３０に電圧を印加することによりチャネルを形成するボディ領域３２を不純物濃度の低い低濃度領域として形成すると共に、ボディ領域３２内の所定の深さにボディ領域３２と同一の導電型の不純物濃度の高い高濃度領域３４を層状に形成する。 - 特許庁

A potential fixed region 3A composed of a region where no insulation layer is formed below a body part 4 near a first impurities region 6 of an insulation layer 2A in a manner to extend toward a first semiconductor layer 1, and a body fixing part 5 is formed in a boundary region between the body part 4 and the potential fixed region 3A.例文帳に追加

絶縁層２Ａの第１不純物領域６に近いボディ部４の下方には、絶縁層が設けられていない領域からなる電位固定領域３Ａが、第１半導体層１に向かって延びるように設けられており、ボディ部４と電位固定領域３Ａとの境界領域にボディ固定部５が形成されている。 - 特許庁

The mapping assembly comprises a nearly straight-lined base end region (38) attached to the catheter main body, a nearly circular main body region (39) with a prescribed periphery, located nearer to the top than the base end region, and a nearly straight-lined top region (40) located nearer to the top than the main body region.例文帳に追加

マッピング組立体はカテーテル本体部分に取り付けられた概ね直線状の基端側領域（３８）、一定の外周を有していて基端側領域よりも先端側にある概ね円形の本体領域（３９）、および本体領域よりも先端側にある概ね直線状の先端側領域（４０）を備えている。 - 特許庁

In a body region 30 of an insulated gate semiconductor device 20 which is constituted as a trench IGBT and in the body region 30 in a bonded part to an emitter region 32, a high concentration region 34 is formed by using P-type semiconductor whose impurity concentration is higher than that of the body region 30, so as not to be in contact with trench gates 28.例文帳に追加

トレンチＩＧＢＴとして構成された絶縁ゲート型半導体装置２０のボディ領域３０とエミッタ領域３２との接合部分のボディ領域３０内にトレンチゲート２８とは接触しないようボディ領域３０より不純物濃度が高いｐ型半導体により高濃度領域３４を形成する。 - 特許庁

Since the height of the potential barrier present between the small-band-gap region 18 and the p-type body region 14 is low for the majority carriers of the p-type body region 14, the residual majority carriers in the p-type body region 14 can be injected efficiently into the source electrode 26 via the small- band gap region 18.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域１４の多数キャリアに対するｐ型ボディ領域１４と小バンドギャップ領域１８との間のポテンシャルバリアが低いので、ｐ型ボディ領域１４に残存する多数キャリアをｐ型ボディ領域１４内の小バンドギャップ領域１８を介して効率良くソース電極２６へ注入することができる。 - 特許庁

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9.例文帳に追加

半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a main-body transistor region 10 and an ESD protective element region 30, and has a drain region 11 including a semiconductor layer of a first conductivity type, a drift region 12 including a first conductivity semiconductor region formed on the drain region 11, and body regions 14 and 34 including a second conductivity semiconductor region formed at the drift region 12.例文帳に追加

本体トランジスタ領域１０と、ＥＳＤ保護素子領域３０とからなり、第１導電型の半導体層からなるドレイン領域１１と、ドレイン領域１１上に形成された第１導電型半導体領域から成るドリフト領域１２と、ドリフト領域１２に形成された第２導電型半導体領域から成るボディ領域１４，３４とを備える。 - 特許庁

The assist device is fitted to a first body region 10 which is directly connected with a human joint and to a second body region 20 which is directly connected with the joint and is positioned closer to the end forward of the first body region 10.例文帳に追加

アシスト装置は、人体の関節に直接連結された第１身体部位１０と、当該関節に直接連結され、第１身体部位１０より先端側にある第２身体部位２０とに装着されるものである。 - 特許庁

To provide a method for coating a honeycomb body, particularly an unbalanced honeycomb body so that flow passage in the peripheral region of the honeycomb body are hardly clogged.例文帳に追加

ハニカム体、特に不均等ハニカム体の周縁領域の閉塞される流路の危険を少なくする被覆方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁

Thus it is possible to reduce a substrate-floating effect even if the gate electrode is microstructured, because the body-contact region is provided to draw excess carriers generated in the channel region through the body-contact region.例文帳に追加

このように、ボディコンタクト領域を設け、当該領域を介してチャネル領域に生じた過剰キャリアを引き抜くことで、ゲート電極を微細化しても、基板浮遊効果を低減することができる。 - 特許庁

As viewed in the cross-section, a body region 40 is formed in a shallow layer of the semiconductor substrate 2 within a range where at least the source region 20 and the body contact region 30 are arranged.例文帳に追加

ボディ領域４０は、前記の断面視した状態で、少なくともソース領域２０とボディコンタクト領域３０が配置されている範囲における半導体基板２の浅層に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 16 has a body region 13, and a first semiconductor region 14, which is selectively provided on the body region 13 and is electrically connected to an emitter electrode 18.例文帳に追加

半導体層１６は、ボディ領域１３と、ボディ領域１３上に選択的に設けられているともにエミッタ電極１８に電気的に接続する第１半導体領域１４を有している。 - 特許庁

A first region of the base body extends along a first principal surface of the member, a second region of the base body extends along an end surface of the member, and a third region thereof extends along a second principal surface of the member.例文帳に追加

基体の第１の領域は、部材の第１の主面に沿っており、基体の第２の領域は、部材の端面に沿っており、第３の領域は、部材の第２の主面に沿っている。 - 特許庁

Both right and left sections of the cylinder body 20 are provided as a first region Y, and the central part is provided as a second region N.例文帳に追加

筒体２０の左右部は第１領域Ｙとして提供され、中央部は第２領域Ｎとして提供される。 - 特許庁