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「concentration on」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索
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該当件数 : 5672



例文

The calcium measurement method prepares the luminescence-labeled cell for emitting a luminescence depending on the calcium ion concentration; repeatedly captures luminescent images of the prepared cell, while a predetermined stimulation is applied from the outside to the cell at predetermined timing; and temporally measures the luminescent intensity of the luminescence emitted from the cell, based on a plurality of the captured luminescent images.例文帳に追加

本発明は、カルシウムイオン濃度に依存して発光するよう発光標識された細胞を作製し、作製した細胞の発光画像を、当該細胞に当該細胞外から所定の刺激を所定のタイミングで与えつつ繰り返し撮像し、撮像した複数の発光画像に基づいて、細胞から発せられる発光の発光強度を経時的に測定する。 - 特許庁

Since an equivalent circuit model 10 provided with the serial circuit of plural sub device elements 13 depending on electron concentration and an electron velocity is set, simulation is based on the equivalent circuit model 10 including the internal physical characteristics of a concrete semiconductor device, and an accurate simulation result for which conventional errors are suppressed is attained.例文帳に追加

電子濃度および電子速度に依存した複数のサブデバイス要素13の直列回路を有した等価回路モデル10を設定するようにしたので、具体的な半導体デバイスの内部物理特性を含んだ等価回路モデル10に基づいたシミュレーションとすることが可能となり、従来のような誤差が抑えられた正確なシミュレーション結果となる。 - 特許庁

As for the galvanized steel tube, in the region from the boundary between a Zn-Fe based coating on the surface of the steel tube and ferrite at least to a thickness of 1 μm on the Zn-Fe based coating side, the concentration of Fe is 15 to 50 mass% and/or a Γphase is allowed to exist.例文帳に追加

鋼管表面のZn−Fe系被覆と地鉄との界面からZn−Fe系被覆側の少なくとも厚さ1μmの領域において、界面からZn−Fe系被覆側の少なくとも厚さ1μmの領域において、Fe濃度が質量%で15〜50%及び/又はΓ相が存在することを特徴とする亜鉛系めっき鋼管。 - 特許庁

The tip of the external electrode 3 has different shapes on the side 3a facing a work W and on the side 3b facing the rotating spray head 2: the side 3a facing the work W has such a shape as to facilitate concentration of the electric field, while the side 3b facing the rotating spray head 2 has such a shape as to soften the electric field.例文帳に追加

外部電極3の先端は、ワークWと対面する側3aと、回転霧化頭2と対面する側3bとでは異なった形状を有し、ワークWと対面する側3aは電界集中し易い形状に形作られ、他方、回転霧化頭2と対面する側3bは電界を緩和し易い形状に形作られている。 - 特許庁

例文

A dehydration process for preferentially passing the water present in a CO_2 rich absorbing solution on the primary side 1b of a membrane unit 1 and condensing/separating the water of the CO_2 rich absorbing solution on the secondary side 1c of the membrane unit 1 to lower the concentration of water is performed between a CO_2 absorbing process and a CO_2 leaning process.例文帳に追加

CO_2吸収工程とCO_2リーン化工程との間に、膜ユニット1の1次側1bにてCO_2リッチ吸収液中に存在する水を優先的に通過させ、膜ユニット1の2次側1cにて上記CO_2リッチ吸収液の水を凝縮・分離して、水の濃度を低下させる脱水工程を行うようにしたことを特徴とする。 - 特許庁


例文

To provide an oxygen isotope-labeling reagent which facilitates the progression of a reaction on the synthesis of an oxygen isotope-labeled compound, can give many kinds of oxygen isotope-labeled compounds, and is a supply source for the oxygen isotope for giving the oxygen isotope-labeled compounds without causing the lowering in the concentration degree of the oxygen isotope on the synthetic reaction.例文帳に追加

酸素同位体標識化合物を合成する際に反応が進行しやすく、多種類の酸素同位体標識化合物が得られ、しかも合成反応時に酸素同位体の濃縮度の低下の恐れがない酸素同位体標識化合物を得るための酸素同位体の供給源となる酸素同位体標識用試薬を得る。 - 特許庁

The hydrogen gas sensor includes: a board-like piezoelectric body 11; a thin film-shaped gas sensitive part 32 arranged on a part of the surface of the piezoelectric body 11, and composed of a palladium-platinum alloy; and a comb tooth-shaped electrode 22 functioning as a detection part for detecting a change of a physical property of the gas sensitive part 32 depending on a hydrogen concentration of gas in contact with the gas sensitive part 32.例文帳に追加

板状の圧電体11、圧電体11の表面の一部に配置されたパラジウム—プラチナ合金からなる薄膜状のガス感応部32、及びガス感応部32に接するガスの水素濃度に依存するガス感応部32の物性の変化を検出する検出部として機能する櫛歯状の電極22を備える水素ガスセンサを提供する。 - 特許庁

To provide a method of recovering cobalt where the loss of cobalt on leaching is suppressed, and also, the balance between the recovery rate of cobalt and the reduction of the concentration of impurities on pH regulation is excellent, in a method of economically recovering cobalt from cobalt-containing powder comprising at least one kind selected from aluminum and iron as impurities with a general-purpose chemical.例文帳に追加

不純物としてアルミニウムと鉄のうち少なくとも一種を含有するコバルト含有粉末から汎用薬品などを使用して経済的にコバルトを回収する方法において、浸出時のコバルトの損失を抑制し、且つpH調整時のコバルトの回収率と不純物の濃度の低減とのバランスに優れた、コバルトの回収方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the containers and utensils made from the stainless steel for food, which forms a stainless steel sheet by welding, is characterized in annealing in a reductive atmosphere, dipping or contacting a surface of the containers and utensils on which food is contacted, into or with a solution including dissolved ozone, to enhance Cr concentration in a passive film on the surface of the stainless steel including a welded part.例文帳に追加

ステンレス鋼板を溶接加工して成形する食品用ステンレス製容器・器具類の製造方法において、還元雰囲気中で焼鈍した後に、食品が接触する前記容器・器具類の表面を、オゾンが溶存した溶液に浸漬又は接触させて溶接部を含むステンレス表面に不動態皮膜中のCrを濃化形成する。 - 特許庁

例文

To provide a radial plunger pump capable of forming a stable oil film on the abutting part while causing no concentration of pressing force by dispersing the pressing force applied on the abutting part of a plunger and an outer ring and, and also capable of preventing the abutting part from being worn by suppressing sliding of the outer ring over the plunger due to the rotation of the outer ring with a drive part.例文帳に追加

プランジャと外リングとの当接部に加わる押圧力を分散させて押圧力の集中をなくすと共に、当接部に安定して油膜を形成させることができ、また、外リングの連れ回りによる外リングとプランジャとの摺動を抑えることにより、当接部の摩耗を防止することができるようにしたラジアルプランジャポンプの提供。 - 特許庁

例文

To provide a developing device and an image forming device for supplying only non-magnetic toner among two-component developer including a non-magnetic toner and magnetic carriers to a toner carrier and developing an electrostatic latent image on an image carrier by using the non-magnetic toner on the toner carrier, in which the toner concentration is controlled by a simple small-sized device and an image of high image quality is obtained.例文帳に追加

非磁性トナーと磁性キャリアとを含む二成分現像剤より非磁性トナーのみをトナー担持体に供給し、トナー担持体上の非磁性トナーを用いて像担持体上の静電潜像を現像する現像装置および画像形成装置であって、トナー濃度制御を簡易で小型な装置で行い、さらに高画質な画像を得る。 - 特許庁

In addition, the exhaust emission control device is provided with: an adsorption amount calculation unit 7c for calculating an adsorption amount of ammonia adsorbed on the selective reduction catalyst 5; a condition detection unit 7d for detecting an idle operation condition of the engine 20; and the exhaust gas sensor 9 provided on a downstream side rather than the selective reduction catalyst 5 and detecting nitrogen oxide concentration.例文帳に追加

また、選択還元触媒5に吸着されているアンモニアの吸着量を演算する吸着量演算手段7cと、エンジン20のアイドル運転状態を検出する状態検出手段7dと、選択還元触媒5よりも下流側に設けられ窒素酸化物濃度を検出する排気センサ9と、を備える。 - 特許庁

When an operating section 21 receives a selected gradation adjusted image from among the plurality of gradation adjusted images on the matrix display, a photographed image gradation adjusting section 24e adjusts gradation of a photographed image displayed on the monitor section 22 by using the contrast and the concentration of the selected and received gradation adjusted image.例文帳に追加

そして、操作部21によって、マトリックス表示された複数の階調調整画像の中から階調調整画像の選択が受け付けられると、撮影画像階調調整部24eが、選択が受け付けられた階調調整画像のコントラストおよび濃度を用いて、モニタ部22に表示されている撮影画像の階調を調整する。 - 特許庁

To form an FET having good characteristics by raising the concentration of nitride in the vicinity of the surface of a gate insulating film on the side reverse to the interface of the gate insulating film and a silicon substrate, while suppressing diffusion of nitrogen to the vicinity of the interface, in a process for fabricating a semiconductor device by forming a gate insulating film containing nitrogen on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するFETを形成する。 - 特許庁

The first and second detection coils are wound in the tip concentration winding state on each tip part of two bar-shaped yokes having a sectional shape having a long axis and a short axis, for example, an approximately rectangular sectional shape, and the two yokes on which each detection coil is wound respectively are provided laterally in parallel in the long axis direction.例文帳に追加

断面形状が長軸と短軸とを有する、例えば断面略長方形状の棒状の2本のヨークの各先端部に第1および第2の検出コイルを先端集中巻き状態に巻装し、これらの各検出コイルをそれぞれ巻装した前記2本のヨークを上記長軸の方向に横並びに平行に設ける。 - 特許庁

An engine ECU 10 controls an opening degree of the EGR valve 162 on the basis of concentration of oxygen in the gas flowing into a combustion chamber of the engine 100, and controls the opening degree of the EGR valve 162 on the basis of the quantity of air sucked to the engine 100 while the phase fixing mechanisms 26a and 27a fix the valve timing at a specific angle.例文帳に追加

エンジンECU10は、エンジン100の燃焼室へ流入するガス中の酸素濃度に基づいてEGRバルブ162の開度を制御し、かつ、位相固定機構26aおよび27aがバルブタイミングを特定角に固定する間は、エンジン100の吸入空気量に基づいてEGRバルブ162の開度を制御する。 - 特許庁

This drunken driving preventing device 10 is provided with an alcohol detection device 12 provided with an alcohol sensor 18 blown with a breath of a driver sitting on a driver's seat to detect alcohol concentration in the breath and output the detection result Sal and a control part 11 for controlling a vehicle 1 based on the detection result Sal inputted from the alcohol detection device 12.例文帳に追加

飲酒運転防止装置10は、運転席に着座した運転者の呼気が吹き込まれ、呼気中のアルコール濃度を検知してその検知結果Salを出力するアルコールセンサ18を備えるアルコール検知器12と、アルコール検知器12から入力される検知結果Salに基づいて車両1を制御する制御部11とを備える。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition for color filter exhibiting excellently developability even when the composition contains a high concentration of a pigment, generating no residue and no stain on a substrate in an unexposed part and on a light shielding layer in development, also being excellent in surface flatness and smoothness and further offering pixels with excellent adhesion property to the substrate and the light shielding layer.例文帳に追加

顔料を高濃度で含む場合でも良好な現像性を示し、現像時に未露光部の基板上および遮光層上に残渣および地汚れを生じることがなく、また表面平滑性が優れ、かつ基板および遮光層への密着性にも優れた画素を与えるカラーフィルタ用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

To allow voltage at a power reception end to be adjusted for each of power reception facilities where Ferranti phenomenon or voltage rise due to concentration of a leading current occurs on a 6 kV bus line, and to enable countermeasure against occurrence of voltage rise to be performed at low cost in comparison with the case of permanently installing shunt reactors on 6 kV distribution line poles and electric stations.例文帳に追加

フェランチ現象や、進み電流の集中による6kV母線の電圧上昇が発生している受電設備毎に個別に受電端電圧を調整できるようにすると共に、6kV配電線等の柱上や、各電気所等へ分路リアクトルを常設する場合に比べて電圧上昇発生対策を安価に実施できるようにする。 - 特許庁

A first catalyst (oxidizing catalyst) 2 for partially oxidizing hydrocarbon into carbon monoxide and hydrogen and a second catalyst 3 using a NOx occluding agent in which regeneration mode is performed on the basis of the gas mixing concentration are successively arranged on the exhaust passage of an engine along the downstream side.例文帳に追加

窒素酸化物除去装置は、窒素酸化物吸蔵手段3と、吸蔵手段が飽和したときに窒素酸化物を再生する手段と、窒素酸化物吸蔵手段3の上流側に配置された炭化水素処理手段2と、炭化水素処理手段2の上流側に配置された炭化水素注入手段4と、排気ガス混合濃度測定手段7とを有する。 - 特許庁

To secure visual environment required for securing user's safety and convenience by determining the number of the units of ventilators operated based on detailed information on the motor vehicles traveling through a tunnel, thereby remarkably enhancing the accuracy of ventilation control inside tunnel while suppressing power consumption to a relatively low level and maintaining the concentration of contamination in the tunnel to an allowable range.例文帳に追加

トンネル内を走行する車両に関する詳細な情報に基づいて、各換気機の運転台数を決め、これによって消費電力を低く抑えながら、トンネル内の換気制御精度を飛躍的に高くして、トンネル内の汚染濃度を許容範囲に維持させ、利用者の安全性、快適性を確保するのに必要な視環境を確保させる。 - 特許庁

The degasification processing is performed by performing heat treatment on the semiconductor wafer 21 under a predetermined condition and a time condition, under an atmosphere where a nitrogen concentration is increased, for example, and in a state of facing the top face side (device surface side) of the semiconductor wafer 21, on which wiring 15, an external connection electrode 16 and the like are formed, downward (reversed).例文帳に追加

脱ガス処理は、例えば、窒素濃度を高くした雰囲気下で、かつ、配線15や外部接続用電極16などが形成された半導体ウエハ21の上面側(デバイス面側)を下方に向けた状態(裏返した状態)で、半導体ウエハ21を所定の温度条件及び時間条件で加熱処理することにより行われる。 - 特許庁

In the nano crystal soft magnetic alloy which contains Cu element and in which crystal particles having an average particle size of 50 nm or less is partially present, a Cu segregation part where Cu element is segregated on a position deeper than 2 nm or more from the surface of the alloy and the maximum value of Cu concentration on the Cu segregation part is 6 atom.% or less.例文帳に追加

Cu元素を含み平均粒径が50nm以下の結晶粒が少なくとも一部に存在するナノ結晶軟磁性合金において、前記合金の表面から2nmよりも深い位置にCu元素が偏析するCu偏析部が存在し、前記Cu偏析部のCu濃度の最大値が6原子%以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a hydrogen manufacturing apparatus which performs a reforming reaction on condition that a reforming gas having a high concentration of hydrogen can be obtained, and at the same time which can perform a separation and purification of hydrogen with a hydrogen separation membrane on a preferred condition for the hydrogen separation membrane in the same reaction vessel, and which can manufacture hydrogen compactly and at a high yield as the result.例文帳に追加

水素濃度の高い改質ガスが得られる条件で改質反応を行うとともに、同一の反応器内で水素分離膜にとって好適な条件で水素分離膜による水素の分離精製を行うことが可能で、結果としてコンパクトでかつ高い収率で水素を製造することが可能な水素製造装置を提供する。 - 特許庁

A second MOSFET comprises a second n-type gate electrode 15A formed on a second gate insulating film 14 of a relatively thick film while a first lightly-doped layer 19 and second lightly-doped layer 22, which are different in impurity concentration from each other, are provided on the channel region side of a second heavily-doped layer 25.例文帳に追加

第2のMOSFETは、相対的に大きい膜厚を持つ第2のゲート絶縁膜14の上に形成された第2のn型ゲート電極15Aを有すると共に、第2の高濃度不純物層25のチャネル領域側に、不純物濃度が異なる第1の低濃度不純物層19及び第2の低濃度不純物層22を有している。 - 特許庁

The thin-film-forming apparatus for forming the thin film on the substrate by applying high-frequency voltage on facing electrodes to generate discharge plasma, thereby exciting a gas containing a thin-film-forming gas, and exposing the substrate to it, has a means for controlling oxygen concentration at least in a region which allows presence of the excited gas.例文帳に追加

高周波電圧を対向する電極間に印加することにより放電プラズマを発生させ、薄膜形成ガスを含有するガスを励起して基材を晒すことにより当該基材上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、少なくとも前記励起ガスの存在領域での酸素濃度の制御手段を有する薄膜形成装置。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor of which pressure resistance can be increased easily by lowering a collector concentration in a section just under a base region having a large effect on the pressure resistance of the bipolar transistor, and a semiconductor device in which such a bipolar transistor for the high pressure resistance and the bipolar transistor for a high frequency are loaded on the same substrate.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの耐圧性に大きな影響をもつベース領域直下となる部分のコレクタ濃度を低下させることで、高耐圧化を容易に図ることができるバイポーラトランジスタ、及びかかる高耐圧用のバイポーラトランジスタと高周波用のバイポーラトランジスタとを同一基板上に搭載した半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing the reducing gas comprises an on-site hydrogen producing apparatus in which hydrogen gas is produced from a hydrocarbon as a raw material, an on-site nitrogen producing apparatus in which nitrogen gas is produced, a concentration regulating apparatus for the hydrogen gas and the nitrogen gas generated in the producing apparatuses and a deoxigenation apparatus and a moisture removing apparatus for a regulated mixed gas.例文帳に追加

炭化水素を原料として水素ガスを製造するオンサイト型の水素製造装置と窒素ガスを製造するオンサイト型の窒素製造装置と、前記製造装置で得られた水素ガスと窒素ガスの濃度調製装置と、濃度調製した混合ガスの脱酸素装置と水分除去装置とを設けた還元ガス製造装置。 - 特許庁

This semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 11, a pair of low concentration diffusion regions 17s and 17d formed in the surface of the semiconductor substrate 11, a gate insulating film 13 formed on the surface of the semiconductor substrate 11, and a gate electrode 15 formed on the surface of the semiconductor substrate 11 via the gate insulating film 13.例文帳に追加

半導体装置1は、半導体基板11と、半導体基板11表面に形成された一対の低濃度拡散領域17sおよび17dと、半導体基板11表面に形成されたゲート絶縁膜13と、半導体基板11表面にゲート絶縁膜13を介して形成されたゲート電極15とを有する。 - 特許庁

In this developing device in which the state of taking in the toner into the developer 5 is changed by changing a contact state between the developer 5 on a developing sleeve 6 and the toner 4 positioned in a toner supply path 13 by the change of the toner concentration of the developer 5 on the sleeve 6, a rotatable magnet member 15 is arranged inside a toner supply base 12.例文帳に追加

現像スリーブ6上にある現像剤5のトナー濃度の変化により、現像スリーブ6上の現像剤5とトナー補給路13に位置するトナー4との接触状態を変化させて、現像剤5中へのトナー取り込み状態を変化させる現像装置において、トナー補給台12内部に回転可能な磁石部材15が設けられる。 - 特許庁

The method for forming the layered coating film having the metallic appearance includes processes of forming a coating film of a metallic coating material having 3 to 14% pigment mass concentration (PWC) of the glossy pigment produced by pulverizing a vapor deposition metal film into metal chips directly on the object or after a base coating film is formed, and then forming a clear overcoat layer on the metallic coating film.例文帳に追加

被塗物の上に直接又は下塗り塗膜層を形成した後に、蒸着金属膜を粉砕して金属片とした光輝性顔料の顔料質量濃度(PWC)が3〜14%である金属調塗料の塗膜層を形成し、形成した金属調塗膜層の上に、クリヤ上塗り塗膜層を形成する。 - 特許庁

Whether the sub-canister 25 is broken through or not is determined (step S2041), purge is continuously performed in purge gradual change control routine, when breakthrough of the sub-canister 25 is determined, based on a fuel state FGPG detected in a concentration detection routine based on A/F measurement until the sub-canister 25 is restored in an adsorvable state (step S2042).例文帳に追加

サブキャニスタ25が破過したかどうかを判定し(ステップS2041)、サブキャニスタ25が破過した場合には、パージ徐変制御ルーチンにて、A/F計測に基づく濃度検出ルーチンにて検出した燃料状態FGPGに基づいて、サブキャニスタ25が吸着可能な状態に回復するまでパージを継続して行う(ステップS2042)。 - 特許庁

To provide a terminal capable of preventing concentration of rewrite on a specified area on a NAND type flash memory, distributing rewrite frequency to the entire NAND type flash memory, reducing rewrite frequency of a block to the utmost when the rewrite is generated and enhancing processing speed regarding data rewrite of a product.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリ上の特定の領域に書換えが集中するのを防ぎ、NAND型フラッシュメモリ全体に書換え頻度を分散させることができ、また書換えが発生した際には、ブロックの書換え回数を極力減少させ、製品のデータ書換えに関する処理速度を向上できる端末装置を提供すること。 - 特許庁

As for the cleaning blade 1 made of urethane rubber in the electrophotographic device for cleaning/removing toner remaining on the photoreceptor drum periphery by edge part 2 held in contact with the photoreceptor drum, the device is provided with the cleaning blade that concentration of isocyanurate group on the edge part 3 surface is higher than that of the isocyanurate group at the edge part 3 inside.例文帳に追加

本発明は、感光ドラムに当接するエッジ部により該感光ドラム外周面に残留するトナーを清掃除去するウレタンゴム製の電子写真装置のクリーニングブレードにおいて、該エッジ部表面におけるイソシアヌレート基の濃度が該エッジ部内部のイソシアヌレート基の濃度よりも高いことを特徴とするクリーニングブレードを提供する。 - 特許庁

Firstly, multiple PN joints are formed on a semiconductor substrate below a winding belt-like conductive film that makes up an inductance element, and an extension of a depletion layer can be expanded by applying reverse bias voltage to the PN joints even if the concentration of impurities on the substrate surface is high, thus depleting the layer completely.例文帳に追加

第1は、インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、複数のPN接合を形成し、そのPN接合に逆バイアス電圧を印加することで、基板表面の不純物濃度が高くても、その空乏層の延びを大きくすることができ、完全に空乏化させることが可能になる。 - 特許庁

Therefore, while abnormal discharges by a concentration of an electric field caused by locally attaching the moisture on the perimeter face of the hollow cylinder cathode 2 is prevented, a corona discharge is stably produced over a wide area from a rod anode 3 toward annular protrusions 2B of open edges of a plurality of the concaves provided on all over the perimeter face of the hollow cylinder cathode 2.例文帳に追加

このため、筒状陰極2の内周面に水分が局所的に付着することに起因する電界の集中による異常放電が防止されると共に、棒状陽極3から筒状陰極2の内周面の全面に設けられている複数の凹部の開口縁部の円環状の突起2Bに向けて広範囲に安定してコロナ放電される。 - 特許庁

In the high voltage connection part 13-11 of an ion beam processing observation pattern producing device 1 as the high voltage appliance, a filling material for preventing dew concentration and humidity absorption is filled in the gap 13-113 between a connection bushing 13-111 on the transmitting side and a flange 13-112 on the receiving side, so that the increase of leak currents is inhibited and the dielectric strength is increased.例文帳に追加

高電圧機器としてイオンビーム加工観察パターン生成装置1の高電圧接続部13−11では、送電側の接続ブッシング13−111と受電側フランジ13−112間の間隙部13−113に結露吸湿防止用の充填材を充填することにより、リーク電流の増大を抑制して絶縁耐力を高める。 - 特許庁

This photochemical oxidant concentration measuring apparatus comprises a casing allowing outside air to pass therein, a discharge element installed in the casing, a dust collecting part positioned on the downstream side of the discharge element, an ozone sensor formed of a semiconductor positioned on the downstream side of the dust collecting part, an ozone sensor drive circuit, and an air blow means feeding the outside air into the casing.例文帳に追加

内部を外気が通気する筐体、前記筐体内に設置された放電素子、前記放電素子の下流側に位置する集塵部、前記集塵部の下流側に位置する半導体からなるオゾンセンサ、前記オゾンセンサの駆動回路、ならびに前記筐体内に外気を送り込む送風手段からなる光化学オキシダント濃度測定装置。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical waveguide substrate wherein the silicon substrate 15 is heated while being exposed under an atmosphere of a gas for oxidizing silicon on the surface of the silicon substrate 15 and whereby the quartz film becoming the optical waveguide is formed on the surface, an oxygen concentration of the silicon substrate 15 is set at 24 ppma at most.例文帳に追加

光導波路基板の製造方法は、シリコン基板15の表面のシリコンを酸化するガスの雰囲気下にシリコン基板15を曝しつつ加熱して、光導波路となる石英膜を表面に形成させることによる光導波路基板の製造方法であって、シリコン基板15の酸素濃度が、最大でも24ppmaであることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor and a method for measuring the thickness of the film of the semiconductor with which the concentration of an impurity in a semiconductor layer can be accurately controlled by introducing the impurity into the semiconductor layer on appropriate conditions corresponding to the thickness of an insulating film formed on the surface of the semiconductor layer without increasing the number of steps.例文帳に追加

工程数を増加させることなく、半導体層の表面上に形成される絶縁膜の膜厚に応じた適切な条件で、半導体層へ不純物を導入して、半導体層の不純物濃度を正確に制御することができる半導体の製造方法および半導体の膜厚測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a growing apparatus and method, by which a larger-diameter silicon single crystal ingot larger than 200 mm as well as a middle or small diameter silicon single crystal ingot having a uniform oxygen concentration in a longitudinal direction can be produced based on a Czochralski method and the flower phenomenon generated on the growth of a single crystal can be completely controlled; and to provide wafers produced from the ingot.例文帳に追加

チョコラルスキCZ法において、中、小口径だけでなく、200mm以上の大口径のシリコン単結晶インゴットの長手方向に酸素濃度が均一で、また単結晶の成長時に発生するフラワ現象を完全に制御することができる成長装置、成長方法及びそのインゴットから製造されたウエハを提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 10 includes a first oxynitride film 11 having a first principal surface 111 and a second principal surface 112 opposed to the first principal surface 111, a second oxynitride film 12 having a nitride concentration of not less than10^21 atoms/cm^3 on the first principal surface 111, and a third oxynitride film 13 arranged on the second oxynitride film 12.例文帳に追加

ゲート絶縁膜10は、第1主面111及びその第1主面111に対向する第2主面112を有する第1の酸窒化膜11と、第1主面111上の、窒素濃度が1×10^21原子/cm^3以上の第2の酸窒化膜12と、第2の酸窒化膜12上に配置された第3の酸窒化膜13とを含む。 - 特許庁

In order to stably remove metal impurities on a wafer with good reproducibility, hydrogen ion concentration (pH) which determines metals dissolved in a cleaning chemical liquid and oxidation/reduction potential(ORP) which determines oxidation of metal are independently controlled, so that the metal impurities on the water which is to be cleaned are dissolved before changing to a hard-to-dissolve metal oxide.例文帳に追加

ウエハー上の金属不純物を安定に再現性良く除去するために、洗浄用薬液における金属の溶解を決める水素イオン濃度(pH)と金属の酸化を決める酸化還元電位(ORP)を独立に制御し、ウエハー上の洗浄対象となっている金属不純物を難溶性の金属酸化物に変化させないうちに溶解させる。 - 特許庁

A first memory gate electrode MG1 consisting of a polycrystalline silicon film is formed on the gap-section side between a selective gate electrode CG and a memory gate electrode MG, and a second memory gate electrode MG2 consisting of the polycrystalline silicon film having an impurity concentration higher than that of the polycrystalline silicon film configuring the first memory gate electrode MG1 is formed on the source-region Srm side.例文帳に追加

選択ゲート電極CGとメモリゲート電極MGとの間のギャップ部側に多結晶シリコン膜からなる第1メモリゲート電極MG1を設け、ソース領域Srm側に第1メモリゲート電極MG1を構成する多結晶シリコン膜よりも不純物濃度の高い多結晶シリコン膜からなる第2メモリゲート電極MG2を設ける。 - 特許庁

The method for producing the paper or the paperboard including a step for coating a sizing liquid 2 at least on one surface of the wet paper 1 under papermaking process of the paper or the paperboard includes: coating the sizing liquid 2 in 10-25 wt.% concentration on the wet paper 1 having the water content in a range of 10-25 wt.%, and subjecting the resultant wet paper 1 to post drying treatment.例文帳に追加

紙又は板紙の抄紙工程中で湿紙1の少なくとも一方の表面にサイズ液2を塗布する工程を含む紙又は板紙の製造方法において、湿紙1の水分量が10〜25重量%の領域で湿紙1に濃度が10〜25重量%のサイズ液2を塗布し、その後湿紙1を後乾燥処理する。 - 特許庁

In the method for forming the high chroma coated film laminate, a base coat coated film layer of L-value 20 or more is formed on the object to be coated and, thereafter, the coated film layer of coating material which contains a collector dye by 0.01wt.% or more expressed in terms of dye weight concentration is formed on the base coat coated film layer.例文帳に追加

高彩度を示す積層塗膜を形成する方法であって、被塗物の上にL値20以上のベースコート塗膜層を形成したのち、該ベースコート塗膜層の上に、集光型染料を染料質量濃度0.01質量%以上含有する塗料の塗膜層を形成することを特徴とする積層塗膜形成方法。 - 特許庁

The investigation by the three Ministries found that, concerning the generation of HCB in the synthesis process of TCPA and HCB contained in Solvent Red 135 in this case, it is difficult to achieve the reduction of HCB concentration to the BAT level only through efforts on the part of individual manufacturers and importers based on the duty of care. 例文帳に追加

3省による調査の結果、本事案のうち、TCPA合成過程におけるHCBの副生及びソルベントレッド135におけるHCB含有については、注意義務に基づく個々の製造・輸入者の努力に依るだけでは、BATレベルまでのHCB含有量低減を実現することが困難であることが判明した。 - 経済産業省

In particular, regarding TCPA with a HCB concentration far lower than the proposed BAT level already under consideration by some companies, it should be noted that the feasibility of the stable supply of these products will be assessed going forward and that, depending on the results of this assessment, it can be assumed that the BAT level may be established on the basis of these products in the future. 例文帳に追加

特に、既に一部の社において検討が進められている、今回のBATレベルを大きく下回る低HCB含有TCPAについては、今後その安定供給の可能性等について評価を行い、その結果によっては、将来的にこれを基本としたBATレベルの設定も想定し得ることに留意する必要がある。 - 経済産業省

The apparatus for evaluating and training higher-order brain dysfunction includes a case on which a plurality of push buttons having lighting function are arranged, enables a subject to carry out evaluation and training of higher-order brain dysfunction while maintaining concentration of the subject by pushing a push button turned on in random order when the push button is turned on and until the push button is turned off.例文帳に追加

ケース上に点灯機能を有する押釦が複数配置された高次脳機能障害評価訓練装置であって、被験者が、前記配置された押釦の中から順序無作為に点灯する押釦を、点灯してから消灯するまでの間に押すことにより、高い集中力を持続させながら高次脳機能障害の評価訓練を行うことができる高次脳機能障害評価訓練装置。 - 特許庁

例文

The method applies an external electric field which generate mean induced current density of approximately 0.001 mA/m^2 to 600 mA/m^2 on cell or tissue to modulate at least one G-protein-conjugated receptor contained in the cell and change the ionic concentration in the cell.例文帳に追加

細胞に含まれる少なくともひとつのG−タンパク共役受容体を調節して、細胞のイオン濃度を変化させるために、細胞又は組織上に約0.001mA/m^2から約600mA/m^2の平均誘導電流密度を生成する外部電界を印加する。 - 特許庁




  
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