「concentration profile」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type base layer Tr1B of the multi-collector type npn transistor has a dopant concentration profile which is inclined so that the concentration may be high on the emitter layer Tr1E side while being low on the collector layer Tr1C side.例文帳に追加

マルチコレクタ型ＮＰＮトランジスタのＰ型ベース層Ｔｒ１Ｂは、エミッタ層Ｔｒ１Ｅ側で高く、かつコレクタ層Ｔｒ１Ｃ側で低くなるように傾斜した不純物濃度プロファイルを持つ。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with variation in threshold voltage improved by homogenizing the concentration profile in a depth direction of a transistor.例文帳に追加

トランジスタの深さ方向の濃度プロファイルが均一化され、閾値電圧ばらつきを改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize an ion implantation device in which impurity concentration profile that is implanted into a target can be controlled freely, and an ion implantation method.例文帳に追加

ターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できるイオン注入装置及びイオン注入方法を実現する。 - 特許庁

To grow a silicon epitaxial layer by vapor phase in a steep impurity profile on the main surface of a silicon single crystal substrate doped at high concentration.例文帳に追加

高濃度にドープされたシリコン単結晶基板の主表面上に急峻な不純物プロファイルでシリコンエピタキシャル層を気相成長する。 - 特許庁

A concentration profile of nitrogen has a nitrogen pile-up region 8 on the front surface of the single crystal silicon layer 3 that is brought into contact with the field oxide film 13.例文帳に追加

窒素の濃度プロファイルは、フィールド酸化膜１３に接する単結晶シリコン層３表面に窒素パイル・アップ領域８を有している。 - 特許庁

The silicon oxinitride film has a nitrogen concentration profile in which the nitrogen concentration in a region in contact with the substrate 1 is adjusted to 0-2 atm.% and that in a region which contains nitrogen at the highest concentration is adjusted to 5-20 atm.%.例文帳に追加

シリコン酸窒化膜は、Ｓｉ基板１に接する領域における窒素濃度が０atm ％より大きく２atm ％以下であり、かつ、最大窒素濃度を示す領域における窒素濃度が５atm％以上で２０atm ％以下であるような窒素濃度プロファイルを有している。 - 特許庁

To provide an impurity diffusion method in which an impurity peak concentration is high or a control of a diffusion profile is easy, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

不純物ピーク濃度が高くまたは拡散プロファイルの制御が容易な不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the power semiconductor device 1, the impurity concentration profile in a vertical direction of a p-type base contact layer 15 has a two-stage structure.例文帳に追加

電力用半導体装置１において、ｐ型ベースコンタクト層１５における上下方向の不純物濃度プロファイルの形状を２段構成とする。 - 特許庁

To provide steepness of impurity concentration profile or flatness to a surface of a semiconductor.例文帳に追加

不純物濃度プロファイルの急峻性や表面の平坦性を有する半導体膜の成長方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a silicide layer 5 is formed between the p-type contact layer 4 and an electrode 3 so as to reach a peak position of a concentration profile of the p-type contact layer.例文帳に追加

また、ｐ型コンタクト層４と電極３の間には、ｐ型コンタクト層の濃度プロファイルのピーク位置まで達するシリサイド層５が形成される。 - 特許庁

The peak of a concentration profile on impurities comprising the diffusion layers 13, 13b and 13c exists in the depth of ≥0.04 μm from the surface of the substrate 12.例文帳に追加

拡散層１３，１３ｂ，１３ｃを構成する不純物の濃度プロファイルのピークは、基板１２の表面から０．０４μｍ以上の深さにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate, having semiconductor layers of uniform concentration profile in the depth direction of the substrate using a new constitution, and to provide a manufacturing method of the substrate.例文帳に追加

新規な構成による深さ方向に均一な濃度プロファイルの半導体層を有する半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining an estimated carbon concentration profile corresponding to each processing condition of a heating process, a rolling process and a cooling process.例文帳に追加

加熱処理、圧延処理及び冷却処理の各処理条件に対応した推定炭素濃度プロフィルを求めることができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus capable of forming a source region and a drain region having the steep profile of an impurity concentration.例文帳に追加

急峻な不純物濃度のプロファイルを有するソース領域およびドレイン領域を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon epitaxial wafer, by which the impurity concentration profile in the transition zone of an epitaxial layer can be maintained constant.例文帳に追加

エピタキシャル層の遷移領域における不純物濃度プロファイルを一定に維持することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is reduced in half-channel leakage and size and power driving property by establishing a manufacturing method by which the channel-surface concentration profile of a buried channel MOSFET can be optimized.例文帳に追加

チャネル表面濃度プロファイルを最適化できる製造方法を構築し、半チャネルリークの低減化、高駆動化、小型化した半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a vapor growth method and a vapor growth device that film-form a laminate film where a profile of desired impurity concentration is formed.例文帳に追加

所望の不純物濃度のプロファイルが形成された積層膜を成膜することができる気相成長方法および気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a gate insulating film, having an improved nitrogen concentration profile and good electrical characteristics, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

窒素濃度プロファイルが改善されたゲート絶縁膜を有する電気的特性の良好な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The LDD region 12LD has an impurity concentration profile where impurity concentration becomes lower from the interface to the gate insulating film 14 to that to the support substrate 10 in the thickness direction of the semiconductor thin film 12.例文帳に追加

ＬＤＤ領域１２ＬＤは不純物濃度が半導体薄膜１２の厚さ方向においてゲート絶縁膜１４との界面から支持基板１０との界面に向かって低くなる不純物濃度プロファイルを有する。 - 特許庁

The doping profile of the anode layer has inclined concentration such that doping concentration in a range of 5*10^14 cm^-3 to 1*10^15 cm^-3 reaches between at least 20 μm, and a maximum of 50 μm.例文帳に追加

アノード層のドーピングプロファイルは、５＊１０^１４ｃｍ^−３および１＊１０^１５ｃｍ^−３の範囲内のドーピング濃度が、少なくとも２０μｍと最大５０μｍとの間に達するように、傾斜濃度を有する。 - 特許庁

After a high-hydrogen concentration layer having a concentration peak at a depth of 5 μm from the main surface of a crystalline semiconductor substrate in its depth-wise hydrogen concentration profile is formed in the substrate by implanting negative hydrogen ions into the substrate, the thin semiconductor film is peeled from the substrate at the high-hydrogen concentration layer.例文帳に追加

半導体結晶基板に対し、その主表面から水素負イオンを注入することにより、深さ方向の水素濃度プロファイルにおいて、主表面から深さ５μｍ以上の位置に濃度ピークを有する水素高濃度層を形成した後、該水素高濃度層において半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離する - 特許庁

To provide a semiconductor device such as a diode or a transistor where the breakdown strength is improved, by clarifying the concentration profile of a termination region where a guard ring and an FLR are combined.例文帳に追加

ガードリングとＦＬＲを組合せたターミネーション領域の濃度プロファイルを明らかにし、耐圧を向上させたダイオード、トランジスタのような半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a variable displacement vane pump having pump property whose degradation due to the durability degradation of a cam ring and a change of a cam profile is avoided by suppressing stress concentration.例文帳に追加

応力集中を抑制してムリングの耐久性低下やカムプロファイルの変化によるポンプ特性の低下を回避した可変容量型ベーンポンプを提供する。 - 特許庁

A bottom part of the bowing profile enters into the silicon semiconductor substrate, beyond the high concentration impurity diffusion semiconductor layer and improves the leakage characteristics of the element isolation region.例文帳に追加

ボーイング形状部底部は、高濃度不純物拡散半導体層を越えてシリコン半導体基板内に入り込み素子分離領域のリーク特性が向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a silicon film that is formed by polysilicon, has a steep impurity concentration profile, and has a flat top surface, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ポリシリコンによって形成され、不純物濃度プロファイルが急峻であり、上面が平坦であるシリコン膜を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Utilizing a difference of etching characteristics in patterning due to a germanium concentration profile, a bottom gate length can be made shorter than a top gate length which is limited by photolithography.例文帳に追加

ゲルマニウム濃度プロファイルによるパターニング時のエッチング特性差を用いることにより、フォトリソグラフィにより限定されたトップゲート長よりボトムゲート長を短くできる。 - 特許庁

To improve concentration section profile of a fiber web by controlling a mixing ratio of each section using plural suspensions having different compositions.例文帳に追加

２つの懸濁液がセクション毎に混合され、面積重量断面プロフィルがセクション毎の混合比率のコントロールによって調整される方法を改良することである。 - 特許庁

To accurately predict an impurity concentration profile formed in a semiconductor substrate, by implanting impurities into the substrate through an amorphous film in a low-energy ion implantation method using an analytical model.例文帳に追加

低エネルギーイオン注入により非晶質膜を通じて半導体基板中に形成された不純物濃度プロファイルを解析モデルを用いて高精度に予測する。 - 特許庁

In the profile of the concentration distribution of germanium within bases of the NPN transistor and the PNP transistor, a collector side has a peak and a value reduces toward an emitter side.例文帳に追加

このとき、ＮＰＮトランジスタおよびＰＮＰトランジスタの各ベース中のゲルマニウムの濃度分布をコレクタ側にピークを持ち、エミッタ側に向かって減少するプロファイルとする。 - 特許庁

In this estimation method of the carbon concentration profile of a decarburized layer assigned to a rolled steel formed through the heating process, the rolling process and the cooling process, the carbon concentration profile of the decarburized layer assigned to the rolled steel is obtained based on each processing condition of the heating process, the rolling process and the cooling process.例文帳に追加

加熱処理、圧延処理及び冷却処理を経て成形される圧延鋼材に付与される脱炭層の炭素濃度プロフィルを推定する方法において、前記加熱処理、前記圧延処理及び前記冷却処理における各処理条件に基づいて前記圧延鋼材に付与された脱炭層の炭素濃度プロフィルを求める。 - 特許庁

A measuring curve 55 of a concentration value profile of a straight line 45 crossing a site (suspected area of abnormality) desired for quantitative analysis on a tomographic image 41, and a reference curve 54 of a concentration value profile of a normal site are expanded and contracted/moved to correspond, and then both curves are subtracted, and the result is displayed as a differential curve 56.例文帳に追加

断層画像４１上の定量分析を所望する部位（異常が疑われる部位）を横断する直線４５の濃度値プロファイルである計測曲線５５と、正常な部位の濃度値プロファイルである参照曲線５４とを、伸縮／移動させて対応付けた後、両曲線の減算を行い、その結果を差分曲線５６として表示する。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of semiconductor device in which the impurity concentration is optimized in an extension region between a channel forming region and each source-drain region and the impurity concentration profile can be controlled with high accuracy.例文帳に追加

チャネル形成領域と各ソース／ドレイン領域との間に位置するエクステンション領域における不純物濃度の最適化を図り、且つ、不純物濃度プロファイルの高精度制御を達成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In an impurity concentration profile 10 in a silicon substrate after high concentration ions are injected, a region whose impurity concentration is higher than the specified value 12 is a passive region 14 where silicon crystals are made amorphous and are not diffused, and a region whose impurity concentration is lower than the specified value 12 is a crystal region or a diffusion region 16 where diffusion is occurred.例文帳に追加

高濃度イオン注入後のシリコン基板中の不純物濃度プロファイル１０において、指定濃度１２よりも高い不純物濃度からなる領域では、シリコン結晶がアモルファス化された拡散の行われない不動領域１４とし、指定濃度１２よりも低い濃度からなる領域が結晶領域として拡散の行われる拡散領域１６とする。 - 特許庁

For such as oxygen precipitate concentration profile, the wafer is exposed to rapid heat annealing in a gas mixture atmosphere comprising NH_3 and Ar at about 1200°C or below.例文帳に追加

このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_3及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。 - 特許庁

An insulating gate semiconductor device is made of silicon carbide, and a sacrificial layer 14 having an equal concentration profile of phosphorus is formed at least on the well region 3 and the surface of the source region 4.例文帳に追加

炭化珪素からなる絶縁ゲート半導体装置であって、少なくともウェル領域３、ソース領域４の表面に、等しい燐の濃度プロファイルを持つ犠牲層１４を形成する。 - 特許庁

With such an oxygen precipitate concentration profile, the wafer is provided to a rapid thermal annealing step of about 1200°C or below in a gas mixture atmosphere containing NH_3 and Ar.例文帳に追加

このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_３及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。 - 特許庁

The region 138 of low impurity concentration can be made thinner than a gate depletion layer width formed by a dynamic threshold transistor (DTMOS) that the thickness has a normal impurity profile.例文帳に追加

不純物濃度の薄い領域１３８は、その厚さが通常の不純物プロファイルをもつ動的閾値トランジスタ（ＤＴＭＯＳ）で形成されるゲート空乏層幅より薄くすることができる。 - 特許庁

The profile is then extracted based on the comparison of the density characteristics correlatively indicating the read image data and the test image data and the prescribed concentration characteristics (step S108).例文帳に追加

そして読取画像データを上記テスト画像データと相関的に表した濃度特性と所定濃度特性とを比較することに基づいて、プロファイルを抽出する（ステップＳ１０８）。 - 特許庁

To obtain a sharp p type impurity profile with low resistance by increasing p type impurity concentration of a nitride semiconductor without increasing the doping quantity.例文帳に追加

窒化物半導体のｐ型不純物濃度をドーピング量を増大させることなく高めることにより低抵抗化を図ると共に急峻なｐ型不純物プロファイルを得られるようにする。 - 特許庁

The processing effects such as chemical composition analysis, chemical species concentration, depth profile, measurement and mapping of homogeneous characteristics, purity, and reactivity can be monitored by an optical spectroscopic method.例文帳に追加

例えば、化学的組成分析、化学種濃度、深さ輪郭、均質特性測定及びマッピング、純度、並びに反応性のような処理効果が、光学的分光分析法によって監視され得る。 - 特許庁

To estimate with higher accuracy an arsenic concentration profile formed within a semiconductor substrate through high energy ion implantation using zero tilt angle by utilizing an analysis model (Dual-Pearson function).例文帳に追加

ゼロ度のチルト角を用いた高エネルギーイオン注入により半導体基板中に形成された砒素濃度プロファイルを解析モデル（Ｄｕａｌ−ピアソン関数）を用いて高精度に予測する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epoxy resin cast product capable of keeping a reaction profile at every product constant by detecting the concentration of a basic compound generated during the preparation of a main agent to control the same to predetermined concentration and stabilizing product quality.例文帳に追加

主剤調整中に発生する塩基性化合物濃度を検出し、所定の濃度にコントロールすることで製品ごとの反応プロフィールを一定に保持し、製品品質の安定化を図ったエポキシ樹脂注型品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This decarburized layer evaluation method includes at least two or more processes among an experiment process, in which the decarburized layer is applied by heating the steel material in a heating condition controllable furnace, an actual measurement process for measuring an actual carbon concentration profile of the decarburized material as the steel material having the applied decarburized layer, and an estimation process for estimating an estimated carbon concentration profile or the heating condition of the decarburized steel material.例文帳に追加

加熱条件を制御できる加熱炉で鋼材を加熱することにより脱炭層の付与を行う実験工程、脱炭層が付与された鋼材である脱炭鋼材について実測炭素濃度プロフィルを実測する実測工程、脱炭鋼材の推定炭素濃度プロフィル又は加熱条件を推定する推定工程、の３つの工程のうち少なくとも２以上の工程を含む。 - 特許庁

The method is provided for finely tuning the impedance of the semiconductor components or devices, by modifying a dopant profile of a region with a low dopant concentration (i.e., increasing the dopant concentration) such that dopants from an adjacent region with a higher dopant concentration are diffused by a melting action of the focused heating source (for example, a laser).例文帳に追加

この方法は、集束加熱源（例えば、レーザ）の溶融作用によって、より高ドーパント濃度の隣接領域からドーパントを拡散させることによって、低ドーパント濃度の領域のドーパント・プロファイルを変更する（すなわち、ドーパント濃度を増加させる）ことによって、半導体素子すなわち半導体デバイスのインピーダンスを微調整するために利用されてよい。 - 特許庁

The silicon germanium epitaxial layer includes: a first silicon germanium epitaxial layer having a doping profile where a germanium concentration gradually increases; a second silicon germanium epitaxial layer grown over the first silicon germanium epitaxial layer and doped with P-type impurities with high concentration; and a third silicon germanium epitaxial layer grown over the second silicon germanium epitaxial layer and doped with P-type impurities with low concentration.例文帳に追加

シリコンゲルマニウムエピタキシャル層は、ゲルマニウム濃度が漸進的に増加するドーピングプロファイルを有する第１シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、高濃度のＰ型不純物がドーピングされた第２シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、低濃度のＰ型不純物がドーピングされた第３シリコンゲルマニウムエピタキシャル層とを備える。 - 特許庁