「concentration profile」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MEASURING IMPURITY CONCENTRATION PROFILE AND METHOD FOR MEASURING THICKNESS OF THIN FILM MATERIAL例文帳に追加

不純物濃度プロファイル測定方法および薄膜試料の膜厚測定方法 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVING CONCENTRATION SECTION PROFILE OF FIBER WEB AND FLOW SENDING BOX SYSTEM例文帳に追加

繊維ウェブの濃度断面プロフィルを改善するための方法および流送箱システム - 特許庁

The carrier concentration profile in a transition region is sharp to dissolve drop.例文帳に追加

遷移領域において、キャリア濃度プロファイルが急峻でかつその落ち込みを解消できる。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION PROFILE, DIFFUSION COEFFICIENT AND VOID RATIO IN CEMENT GROUP HARDENING BODY例文帳に追加

セメント系硬化体における濃度プロファイルと拡散係数ないし空隙率の測定方法 - 特許庁

Projection range, dispersion, and weighting coefficient of the first Pearson function indicating a random element of impurity concentration profile are extracted on the basis of the shape of the maximum concentration 31 of the actual impurity concentration profile.例文帳に追加

不純物濃度プロファイルのランダム成分を表す第１のピアソン関数の投影飛程と分散、及び重み付け係数は、現実の不純物濃度プロファイルの最大濃度部３１の形状に基づいて抽出される。 - 特許庁

The projection range and dispersion of Pearson's first function representing the impurity concentration profile of a semiconductor region 32 are extracted on the basis of the shape of a maximum concentration part 33 of an actual impurity concentration profile.例文帳に追加

半導体領域３２の不純物濃度プロファイルを表す第１のピアソン関数の投影飛程及び分散は現実の不純物濃度プロファイルの最大濃度部３３の形状に基づいて抽出される。 - 特許庁

A concentration calculating section 281 calculates the accurate gas concentration having a corrected pressure dependency by using the profile function value.例文帳に追加

濃度演算部２８１はこのプロファイル関数値を用いることで、圧力依存性が補正された正確なガス濃度を算出する。 - 特許庁

Platinum atoms are then in-diffused into the silicon matrix such that the resulting platinum concentration profile is substantially related to the concentration profile of the crystal lattice vacancies.例文帳に追加

白金原子はその後に、結果的に生じる白金濃度プロファイルが実質的に結晶格子空孔の濃度プロファイルに関連するようにシリコンマトリックスのなかに内方拡散される。 - 特許庁

Before the solid concentration based on the first ICC profile becomes low, the first ICC profile is selected by a selecting means 12, and when it becomes low, the second ICC profile is selected.例文帳に追加

第１のＩＣＣプロファイルに基づくベタ濃度が低くなるまでは、選択手段１２により第１のＩＣＣプロファイルが選択され、低くなったときは第２のＩＣＣプロファイルが選択される。 - 特許庁

The concentration of dopant impurity adhered to the surface of the wafer is calculated from the linear profile.例文帳に追加

この線形プロファイルからウェーハ表面に付着していたドーパント不純物の濃度を演算する。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION PROFILE OF SPECIFIC MATTER AND METHOD FOR MEASURING DIFFUSION FACTOR USING THE SAME例文帳に追加

特定物質の濃度プロファイル測定方法およびこれを用いた拡散係数の測定方法 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate having an adjusted optional concentration profile of carbon other than the fixed concentration profile of carbon by the auto-dope from a jig, and to provide a liquid-phase-epitaxial growth method.例文帳に追加

治具からのオートドープによる固定されたカーボンの濃度プロファイルではなく、調整された任意のカーボン濃度プロファイルを有するエピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a concentration profile showing a correlation between a depth from the surface of wafer and the concentration of dopant impurity is measured through an SIMS (secondary ion mass spectroscope).例文帳に追加

つづいてＳＩＭＳを利用して、ウェーハ表面からの深さとドーパント不純物濃度との相関を示す濃度プロファイルを計測する。 - 特許庁

In order to control oxygen concentration under conditions corresponding to conditions comparatively slowing the gas flow rate, the difference between desired oxygen concentration profile in the single crystal and practical oxygen concentration profile can be made smaller than the conventional construction.例文帳に追加

また、ガス流速を比較的遅くした条件下に対応する条件で酸素濃度を制御するため、単結晶における所望の酸素濃度プロファイルと、実際の酸素濃度プロファイルと、の差異を従来の構成と比べて小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an image sensor wherein impurity concentration profile of a semiconductor portion can be controlled easily.例文帳に追加

半導体部の不純物濃度プロファイルを容易に制御できるイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

The photodiodes 10 are formed by using a diffusion layer, having a profile whose concentration and depth are each different.例文帳に追加

フォトダイオード１０は、それぞれ異なる濃度、深さのプロファイルを有する拡散層を用いて形成される。 - 特許庁

To provide a method for controlling a dopant concentration profile on an emitter-base interface of a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタのエミッタ−ベース界面において、ドーパント濃度プロファイルを制御する方法を提供する。 - 特許庁

The inclination amount in the profile of the impurity concentration in the transition zone is consciously shifted to the high concentration side by positively supplying a gaseous dopant in a concentration sufficient to obtain an impurity concentration higher than an autodoping amount to the transition zone so that the profile of the impurity concentration in the transition zone liable to be affected by the autodoping phenomenon is maintained constant.例文帳に追加

オートドーピング現象の影響を受け易い遷移領域における不純物濃度プロファイルを一定に保つために、オートドーピング量よりも高い不純物濃度が得られる濃度のドーパントガスを遷移領域に敢えて供給し、遷移領域の不純物濃度プロファイルの傾斜量を意識的に高濃度側にシフトさせる。 - 特許庁

That is to say, the profile of the impurity concentration in the transition zone is previously set so that the impurity concentration becomes sufficiently higher than the expected autodoping amount.例文帳に追加

つまり、予想されるオートドーピング量よりも不純物濃度が十分高くなるように、遷移領域の不純物濃度プロファイルを予め設定する。 - 特許庁

Copper toxicity profile is shown in Figure 1 by a three-dimensional plot of the specific growth rates as a function of the two variables, total ammonia concentration and total copper concentration.例文帳に追加

銅毒性特徴を図1に示す。それは全アンモニア濃度と全銅濃度の二変数を関数として比増殖速度を表す3次元のプロットである。 - 英語論文検索例文集

Copper toxicity profile is shown in Figure 6 by a three-dimensional plot of the specific growth rates as a function of the two variables, total ammonia concentration and total copper concentration.例文帳に追加

銅毒性プロフィールを図6に示す。それは全アンモニア濃度と全銅濃度の二変数を関数として成長速度定数を表す3次元のプロットである。 - 英語論文検索例文集

Copper toxicity profile is shown in Figure 1 by a three-dimensional plot of the specific growth rates as a function of the two variables, total ammonia concentration and total copper concentration.例文帳に追加

銅毒性プロフィールを図1に示す。それは全アンモニア濃度と全銅濃度の二変数を関数として成長速度定数を表す3次元のプロットである。 - 英語論文検索例文集

Copper toxicity profile is shown in Figure 3 by a three-dimensional plot of the specific growth rates as a function of the two variables, total ammonia concentration and total copper concentration.例文帳に追加

銅毒性プロフィールを全アンモニア濃度と全銅濃度の二変数を関数として成長速度定数を表す3次元のプロットにより図3に示す。 - 英語論文検索例文集

An impurity concentration profile is measured in the depth direction from the surface of a plurality of first parts, and change of the impurity concentration profile dependent on the area of the first part is determined.例文帳に追加

そして、前記半導体層のうちの複数の前記第１の部分の表面から深さ方向の不純物濃度プロファイルを測定し、前記第１の部分の面積に依存する前記不純物濃度プロファイルの変化を求める。 - 特許庁

The method especially acquires the kurtosis of the concentration profile and the distribution width of prescribed heights at the peak as the shape characteristic of the concentration profile and corrects the blood component concentration by calculating a blood vessel cross-sectional shape index ellipticity of the blood vessel based on the kurtosis and the distribution width.例文帳に追加

特に、濃度プロファイルの形状的特徴として濃度プロファイルの尖度及びピークにおける所定高さの分布幅を求め、これらに基づいて血管の楕円率からなる血管断面形状指標を算出して血液成分濃度を補正する。 - 特許庁

In the impurity concentration profile in the depth direction of the termination region, the concentration peak in the shallowest position is located at the position deeper than 0.35 μm from the surface and the concentration of the surface portion is one-tenth or less of the concentration peak in the shallowest position.例文帳に追加

終端領域の深さ方向の不純物濃度プロファイルにおいて、最も浅い位置の濃度ピークは表面から０．３５μｍより深い位置にあり、且つ、表面部の濃度は最も浅い濃度ピークの１０分の１以下である。 - 特許庁

The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.例文帳に追加

素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁

The concentration profile for an inner part from the surface of silicon is controlled in accordance with the characteristic of the formed element.例文帳に追加

シリコン表面から内部に向けての濃度プロファイルは、形成される素子の特性に応じて制御されている。 - 特許庁

As a concentration profile of nitrogen in the restriction layer 30 is steep, it is possible to restrict an inherit of micro-pipe.例文帳に追加

抑制層３０中の窒素の濃度プロファイルは急峻になっているため、マイクロパイプの引継ぎを抑制できる。 - 特許庁

Skewness and kurtosis are extracted on the basis of the shape of the tail 34 of the actual impurity concentration profile.例文帳に追加

歪度と尖度は現実の不純物濃度プロファイルのテール部３４の形状に基づいて抽出される。 - 特許庁

The degree of strain and the degree of sharpness are extracted on the basis of a shape of the tail part 32 of the actual impurity concentration profile.例文帳に追加

歪度と尖度は現実の不純物濃度プロファイルのテール部３２の形状に基づいて抽出される。 - 特許庁

To control the concentration profile of a base region such that an avalanche breakdown position can be formed accurately.例文帳に追加

アバランシェブレークダウン位置を正確に形成できるように、ベース領域の濃度プロファイルの制御が行えるようにする。 - 特許庁

To provide a method for measuring an impurity concentration profile which allows for accurate control of the impurity concentration and profile of a semiconductor layer, and to provide a wafer for use in the method, and a method of manufacturing a semiconductor device using it.例文帳に追加

半導体層の不純物濃度およびプロファイルを正確に制御することを可能とする不純物濃度プロファイルの測定方法、その方法に用いられるウェーハ、および、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the back gate region, a concentration profile is formed gently in a region for forming an N type diffusion region 25.例文帳に追加

そして、バックゲート領域では、Ｎ型の拡散層２５が形成される領域の濃度プロファイルを緩やかに形成する。 - 特許庁

A desired donor concentration profile is formed by controlling a dopant gas amount in the growth of the n-type SiC epitaxial layer 11.例文帳に追加

所望のドナー濃度プロファイルは、ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１１の成長時に、ドーパントガス量を制御して形成する。 - 特許庁

The layer 12 formed by the epitaxial growth has a highly concentrated and narrow width impurity concentration profile.例文帳に追加

さらに、エピタキシャル成長で形成されるバッファ層１２は、高濃度で幅の狭い不純物濃度プロファイルを有するようになる。 - 特許庁

In this constitution, controllability of concentration profile is satisfactory due to its being a lateral type, and operation is enabled at a low threshold voltage.例文帳に追加

こうした構成では、横型のため濃度プロファイルの制御性がよく、低しきい値電圧で動作させることができる。 - 特許庁

To provide a method of forming a semiconductor device, a concentration evaluation method, and a concentration evaluation apparatus which can measure an effective concentration profile of the measurement surface of a test piece, wherein the measurement surface and the backside have not parallel surfaces.例文帳に追加

測定面と裏面とが平行な面を持たない試料の測定面の実効濃度プロファイルを測定することができる半導体素子の形成方法、濃度評価方法、および濃度評価装置を提供する。 - 特許庁

In an epitaxial substrate in which an epitaxial layer is integrated on a substrate by liquid-phase-epitaxial growth method, the epitaxial substrate is one that has a concentration profile of carbon in the epitaxial layer integrated on the substrate which crosses the concentration profile of carbon having a ±50% carbon concentration from the carbon concentration supplied from the carbon jig for holding a solvent.例文帳に追加

基板上にエピタキシャル層が液相エピタキシャル成長方法により積層されたエピタキシャル基板であって、前記基板上に積層されたエピタキシャル層におけるカーボン濃度プロファイルが、溶媒の保持のためのカーボン製治具から供給され得るカーボンの濃度から±５０％の濃度プロファイルと交差しているものであるエピタキシャル基板。 - 特許庁

A urea concentration time profile distribution can be analyzed in order to determine the urea removal, KT/V, URR, SRI, and normalized protein catabolic rate (nPCR) indices.例文帳に追加

尿素濃度時間の分布を分析して、尿素除去、KT／V、URR、SRIおよび標準化タンパク質異化速度（nPCR）指数を決定できる。 - 特許庁

Thereby, p^+ diffusion layer 4 and an n^+ diffusion layer 3 can be formed shallow, making a steep distribution profile of impurity concentration.例文帳に追加

そのため、Ｐ^+拡散層４及びＮ^+拡散層３を浅く形成でき、不純物濃度の分布を急峻にすることができる。 - 特許庁

To allow as sharp and smooth carrier concentration profile with no drop in a transition region from an N+ silicon water to an N- silicon wafer.例文帳に追加

Ｎ^＋シリコンウェーハからＮ^−シリコンウェーハへの遷移領域のキャリア濃度プロファイルを、落ち込みがなく急峻かつスムーズにする。 - 特許庁

To provide a threshold voltage model in consideration of an impurity concentration profile in a channel direction in a pocket implanted MOSFET.例文帳に追加

ポケット注入ＭＯＳＦＥＴにおけるチャネル方向の不純物濃度プロファイルを考慮したしきい値電圧モデルを提供する。 - 特許庁

The gate impurity region 6 (impurity region 2) has such a concentration profile as not varying the gate capacity (effective impurity concentration of channel and channel resistance) for a conventional FET having an impurity concentration optimized by a constant value.例文帳に追加

また、ゲート不純物領域６（不純物領域２）は、不純物濃度を一定値で最適化した従来のＦＥＴに対し、ゲート容量値（チャネルの実効不純物濃度およびチャネル抵抗）を変化させない濃度プロファイルを有する。 - 特許庁

To provide a profile measurement equipment for accurately measuring a profile of blast furnace burden with a simplified structure and without a mechanical unit being affected by blast furnace heat, high concentration of dust and the like in the blast furnace.例文帳に追加

簡易な構造で、機構部が高炉内の熱や高濃度粉塵等の影響を受けずに、高精度なプロフィル測定を行うことができる高炉内装入物のプロフィル測定装置を提供する。 - 特許庁