「concentration profile」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To make such a profile as the concentration of charged particles is distributed unevenly in a predetermined region on the surface of a substrate processed when that region is irradiated with charged particles.例文帳に追加

処理基板の表面の所定領域に荷電粒子を照射する際に、その所定領域に照射された荷電粒子の濃度が前記所定領域内で不均一に分布するプロファイルを作りだすこと。 - 特許庁

Projection range and dispersion of the second Pearson function indicating a channeling element of impurity concentration profile can be calculated by reducing the projection range and dispersion of the first Pearson function with a specified rate.例文帳に追加

不純物濃度プロファイルのチャネリング成分を表す第２のピアソン関数の投影飛程と分散は、第１のピアソン関数の投影飛程及び分散を特定の割合で小さくすることで算出される。 - 特許庁

The polysilicon germanium gate having the negative slope is formed by forming a polysilicon germanium layer having a profile in which a germanium concentration monotonously decreases from a gate bottom toward a gate top and patterning the layer.例文帳に追加

ゲートボトムからゲートトップ側へと単調減少するゲルマニウム濃度プロファイルを有したポリシリコンゲルマニウム層を形成してパターニングすることにより、負の傾斜面を有するポリシリコンゲルマニウムゲートを形成する。 - 特許庁

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction.例文帳に追加

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。 - 特許庁

To provide a print information acquiring method, a profile generating method, a profile generating apparatus, and a program capable of correctly recognizing print information indicated by color value of a color patch and properly acquiring the print information even if the color patch is colorimetrically measured under concentration variation due to dry-down.例文帳に追加

ドライダウンに起因する濃度変動下にカラーパッチを測色する場合であっても、該カラーパッチの色値が表す印刷情報を正しく識別可能であり、該印刷情報を適切に取得することができる印刷情報取得方法、プロファイル生成方法、プロファイル生成装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

Since the N-type layer 13 becomes an N type concentration gradient layer 13a having a concentration profile which decreases in the depth direction from the bonding surface with the Schottky layer 14 by afterward activating of Si ions, the bonding part of a Schottky electrode 14a consisting of the Schottky metal layer 14 and the N type concentration gradient layer 13a becomes the super stage junction structure.例文帳に追加

従って、その後のＳｉイオンの活性化により、Ｎ^- 型ＧａＡｓ層１３は、ショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かってＳｉ濃度が減少する濃度プロファイルをもつＮ型濃度勾配層１３ａとなるため、ショットキー金属層１４からなるショットキー電極１４ａとＮ型濃度勾配層１３ａとの接合部は超階段接合構造になる。 - 特許庁

To substantially control a dark current, blooming and color mixture when a PWL (p-type well region) structure is employed that deepens the PWL concentration profile, to improve the quantum efficiency of photoelectric conversion in a photo diode.例文帳に追加

ＰＷＬ（Ｐ型のウエル領域）の濃度プロファイルを深くしフォトダイオードでの光電変換の量子効率を向上させるＰＷＬ構造を有した場合、暗電流、ブルーミング及び混色などを大幅に抑制する。 - 特許庁

Consequently, internal diffusion of an impurity from the first film having been film-formed to the silicon wafer 101 is deterred to obtain the laminate film where the profile of the desired impurity concentration is formed.例文帳に追加

これにより、すでに成膜が完了している第１の膜からシリコンウェハ１０１に対する不純物の内部拡散を抑止することができ、所望の不純物濃度のプロファイルが形成された積層膜を得ることができる。 - 特許庁

By this, since ion dissociation or neutralization can be formed by making the ion beam IB collide with the gas, the concentration profile of the impurities implantated into the semiconductor substrate 30 can be controlled freely.例文帳に追加

これにより、ガスにイオンビームＩＢを衝突させて、イオンの乖離や中性化を生じさせることができるので、半導体基板３０にイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できることができる。 - 特許庁

Compared with a case that the supply amounts of the materials of both the dopant and the group III element are fixed, a profile in the depth direction of the dopant concentration can be uniformed in the crystal.例文帳に追加

この方法により、ドーパント原料供給量とIII族元素原料供給量を何れも一定とした場合に比較して、結晶中でのドーパント濃度の深さ方向プロファイルを均一化することが可能となる。 - 特許庁

Then, this device creates an optional cross sectional image of the object organ, and calculates the concentration information (profile) continuing radially using an arbitrary center in the object organ area or the area in the cross sectional image as a criterion.例文帳に追加

次に、対象臓器の任意の断面像を作成し、断面像における対象臓器領域内の任意の回転中心、又は領域を基準として径方向に連続する濃度情報(プロファイル)を算出する。 - 特許庁

Impurity concentration in the channel region 30 of an MOS transistor is set higher at the end of a surface depletion layer 26 than on the surface of a semiconductor substrate 20 by providing an impurity concentration profile of linear or higher order function or Gaussian distribution.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのチャネル領域３０における不純物濃度を、深さ方向に対して１次以上の関数や、ガウス分布状などの形状を有する不純物濃度プロファイルを持たせて、半導体基板２０表面における不純物濃度よりも、表面空乏層２６端における不純物濃度を高くすることを特徴としている。 - 特許庁

The heat-treated wafer is cooled from the temperature of the heat treatment at a rate which allows some, but not all, of the crystal lattice vacancies to diffuse to the front surface to produce a wafer having a vacancy concentration profile in which the peak density is at or near the central plane with the concentration generally decreasing in the direction of the front surface of the wafer.例文帳に追加

熱処理されたウエハは、その熱処理温度から、結晶格子の空孔のいくらか（すべてではない）を前表面にまで拡散させて、ピーク密度が中央面またはその付近にあり、濃度が一般にはウエハの前表面の方向で低下する空孔の濃度プロファイルを有するウエハが得られる速度で冷却される。 - 特許庁

When an Si single crystal ingot is manufactured by CZ method, the concentration distribution of atomic vacancies, which are on a cross section of the Si single crystal ingot previously grown, is detected by direct observation of atomic vacancies, the obtained concentration distribution is fed back for the subsequent pulling process, and the speed profile of the subsequent pulling is adjusted.例文帳に追加

ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。 - 特許庁

By using the threshold voltage model where the profile of the channel direction is linearly approximated using the length by which an implanted pocket has soaked into a channel direction and a maximum impurity concentration in the implanted pocket as physical parameters, and by solving the model analytically using a new threshold condition in consideration of a nonuniform profile, the threshold voltage can be found precisely.例文帳に追加

チャネル方向の注入ポケットの染み出し長と注入ポケットの最高不純物濃度とを物理パラメータとして、チャネル方向のプロファイルを線形近似したしきい値電圧モデルを用い、不均一なプロファイルを考慮した新たなしきい値条件を用いて、モデルを解析的に解くことにより、しきい値電圧を適確に求めることができる。 - 特許庁

To obtain a preferable profile of resist pattern and to prevent residue present on a substrate even when a developer comprising a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution having a weight concentration lower than 2.38 wt.% is used for development.例文帳に追加

２．３８ｗｔ％よりも重量濃度が小さいテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液よりなる現像液を用いて現像を行なうにも拘わらず、レジストパターンの形状が良好になると共に基板上に残渣が存在しないようにする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition such as a colored ink for a color filter capable of forming very thin lines even with a high pigment concentration, having high adhesion, giving a good pattern profile, and contributing to higher definition, a higher yield and a shorter takt time.例文帳に追加

高顔料濃度であっても極細線形成でき、高密着性、パターン形状が良好で、高精細化、歩留まり向上、低タクト化に貢献できる感光性樹脂組成物、例えばカラーフィルター用の着色インクの提供。 - 特許庁

To provide a fuel battery which can prevent a gas shortage due to imbalance of a water distribution because of a separated positioning of a supply port and an outlet or a varied status of reaction gas concentration, or a pressure loss variation in a comb-tooth profile passage.例文帳に追加

供給口と排出口が離れて存在することによる水分布のアンバランス、反応ガス濃度の不均一状態、またはくし歯形流路での圧力損失バラツキによるガス欠を防止する燃料電池を提供する。 - 特許庁

Even when any deflection is generated at the position of an emitter joint, collector currents can be made almost fixed by the profile of the intrinsic carrier concentration, and the difference in of the bias voltage due to the displacement of the emitter joint face can be apparently prevented from affecting the outside.例文帳に追加

エミッタ接合面の位置に偏差が生じても、真性キャリア濃度のプロファイルにより、コレクタ電流がほぼ一定となり、見かけ上、エミッタ接合面の偏差によるバイアス電圧の変動の影響を外部に与えない。 - 特許庁

The method for evaluating a microbial degradation capacity in an organic substance-polluted soil comprises: determining the peak value X_Q, m of quinone species total concentration corresponding to an organic substance-degrading microorganism in polluted soil on the basis of the measurement of a quinone profile and then determining the microbial degradation capacity Z_m in a polluted site from the peak value.例文帳に追加

キノンプロファイルの測定に基づき、汚染土壌の有機物分解性微生物に対応するキノン種合計濃度のピーク値Ｘ_Q,mを求め、ここから汚染サイトでの微生物分解容量Ｚ_mを求める。 - 特許庁

The first gate insulating film 31 and the second gate insulating film 41 consist of oxynitride silicon, and the nitrogen-concentration profile of the first gate insulating film 31 and that of the second gate insulating film 41 mutually differ.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜３１及び第２のゲート絶縁膜４１は酸窒化シリコンからなり、第１のゲート絶縁膜３１の窒素濃度プロファイルと、第２のゲート絶縁膜４１の窒素濃度プロファイルとは互いに異なっている。 - 特許庁

To provide a device simulation apparatus which will not make the impurity concentration distribution and the shape calculation result of a process simulation reflected on a device simulation structure definition, and which efficiently set a profile with few number of process simulation times.例文帳に追加

プロセス・シミュレーションの不純物濃度分布及び形状計算結果を、デバイス・シミュレーション構造定義に反映させ、少ないプロセス・シミュレーション回数で効率良くプロファイル設定を行うデバイス・シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can easily contain a nonvolatile memory element for promoting the reductions of the channel leakage and size of the device and the improvement of the drivability of the device, by developing a manufacturing method by which the channel surface concentration profile of a buried channel MOSFET can be optimized.例文帳に追加

チャネル表面濃度プロファイルを最適化できる製造方法を構築し、半導体装置のチャネルリークの低減化、高駆動化、小型化、を促進させる不揮発性メモリー素子の内蔵を容易する半導体装置の提供。 - 特許庁

Further, the P^---type impurity layer 12 is so formed as to be joined with an N^--type impurity layer 2 and has a concentration profile such that the density of P-type impurities (the amount of included impurities) becomes larger with the distance from the junction part.例文帳に追加

また、Ｐ^−−型不純物層１２は、Ｎ^−型不純物層２と接合するように、かつ接合部から離れるほどＰ型不純物の濃度（含まれる不純物の量）が大きくなる濃度プロファイルとなるように、形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a halo region having an appropriate concentration profile on a transistor in which a cap film on a gate electrode is thick and a space ratio aspect between adjacent transistors is large.例文帳に追加

ゲート電極上のキャップ膜が厚く、隣接するトランジスタ間の空間のアスペクト比が大きいトランジスタに、適切な濃度プロファイルを有するハロー領域を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to realize this nitrogen concentration profile, the surface region of the oxide film or oxinitride film is subjected to plasma nitriding after the film is formed or the surface region of the Si substrate 1 is oxidized after a nitride film or the oxinitride film is formed.例文帳に追加

このような窒素濃度プロファイルを実現するためには、酸化膜又は酸窒化膜を形成してからその表面領域をプラズマ窒化処理するか、窒化膜又は酸窒化膜を形成してからＳｉ基板の表面領域を酸化する。 - 特許庁

To realize a modulation-doped multiple quantum well structure having a sharp Zn profile of a few nm by satisfying two requirements, an increase in Zn concentration, and a reduction in the diffusion of Zn by the use of an organic metal vapor growth method using Zn.例文帳に追加

Ｚｎを用いた有機金属気相成長法を用いて、Ｚｎ濃度の増大とＺｎ拡散の低減を両立し、数ｎｍの急峻なＺｎプロファイルを有する変調ド−プ多重量子井戸構造を実現する。 - 特許庁

An impurity concentration profile, at which an inclination 22a where the impurity concentration approximately rectilinearly falls with an increase in the distance from the surface 1a of the semiconductor substrate 1 (with a decrease in depth D) crosses a curve 21a of a transition region at the boundary between the semiconductor substrate 1 and the semiconductor thin film 2, is obtained.例文帳に追加

この結果半導体基板１と半導体薄膜２との界面における遷移領域のカーブ２１ａに対して、半導体基板１の表面１ａからの距離が大きくなるにつれて（深さＤが小さくなるにつれて）略直線状に不純物濃度が低下していく傾斜２２ａが交差する不純物濃度プロファイルが得られる。 - 特許庁

The segment is then cooled from the temperature of the heat-treatment at a rate which allows some, but not all, of the crystal lattice vacancies to diffuse to the front surface to manufacture a segment having a vacancy concentration profile in which the peak density is at or near the central plane, and the concentration generally decreases in the direction of the front surface of the segment.例文帳に追加

セグメントはその後、中央平面にあるいは中央平面の近くにピーク密度があり、濃度がセグメントの前表面の方向にほぼ減少していく空孔濃度プロファイルを有するセグメントを製造するために、前表面に拡散する結晶格子空孔のすべてではないが、いくつかを許容する速度で熱処理の温度から冷却される。 - 特許庁

To simplify a design of a semiconductor device module by uniforming a temperature distribution profile in a circuit board of the module, and by eliminating the unbalance in the collector current in transistors, and also to prevent the generation of defects of the transistors caused by the concentration of a current.例文帳に追加

半導体装置モジュールの回路基板における温度分布を均一できるとともに、トランジスタのコレクタ電流のアンバランスを解消して、モジュールの設計を単純化でき、また電流集中に起因するトランジスタの不具合の発生を防止する。 - 特許庁

The performance of the heat treatment for a short time less than or equal to 1 ms suppresses a variation in the concentration profile of the p-type impurity of the p-type extended region 7 and the p-type diffusion region 11 that are previously formed.例文帳に追加

また、Ｓｉ：Ｃ層１６を形成する際の熱処理を１ｍ秒以下の短時間で行うことにより、すでに形成されているｐ型拡張領域７およびｐ型拡散領域１１のｐ型不純物の濃度プロファイルの変化を抑える。 - 特許庁

Thereby, even when the autodoping amount is changed, the amount of change remains within the allowable change range of the profile of the inclined impurity concentration, and the characteristics of a semiconductor device using this silicon epitaxial wafer become almost free from the influence of the autodoping phenomenon.例文帳に追加

これにより、オートドーピング量が変化しても、その量は傾斜した不純物濃度プロファイルの許容変化範囲に納まるようになり、このシリコンエピタキシャルウェーハを用いた半導体装置の特性が、オートドーピング現象の影響をほとんど受けなくなる。 - 特許庁

To realize an ideal impurity concentration profile by a method using a laser irradiation at the time of the treatment of a doping of an Si wafer with Si chips and activation and to provide a technique to form electrodes on the rear of the Si chip.例文帳に追加

Ｓｉチップが形成されたＳｉウエハへの不純物のドーピングと活性化の処理の際に、レーザ照射による方法で理想的な不純物濃度プロファイルを実現し、Ｓｉチップの裏面に電極を形成する技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which maintains high strength by allowing the control of an oxygen concentration profile with a margin in a distance from a surface when being laminated, and can suppress the generation of an oxygen donor during a device manufacturing process.例文帳に追加

シリコンウェーハの貼り合わせを行う際に、表面からの距離にマージンを持たせて酸素濃度のプロファイルを制御でき、高いシリコンウェーハの強度を維持し、かつ、デバイス製造工程中の酸素ドナーの発生を抑制できるシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device which is excellent in performance is constituted by building the buried channel MOSFET optimized in channel surface concentration profile by a manufacturing method using a new gate oxide film forming method and, at the same time, mounting a nonvolatile memory on the circuit device.例文帳に追加

チャネル表面濃度プロファイルを最適化した埋め込みチャネル型ＭＯＳＦＥＴを新しいゲート酸化膜形成方法を用いた製造方法で構築し、同時に不揮発性メモリーを搭載し、パフォーマンスに優れた半導体集積回路装置を構成するものである。 - 特許庁

A P type semiconductor region for forming an N type insulated gate field effect transistor employs high energy ion implantation in order to attain such a concentration profile as having peaks in the vicinity of source and drain thereof and the final heat treatment is carried out in hydrogen atmosphere of about 430°C.例文帳に追加

特にＮ型絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタを形成するＰ型半導体領域はそのソース、ドレイン近傍にピークを持つ濃度プロファイルとなるよう高エネルギーイオン注入を用い、最終熱処理工程は４３０℃程度の水素雰囲気で行うものとする。 - 特許庁

The controlled release formulation comprises a solubility-enhanced carvedilol free base or carvedilol salt, solvate or anhydrous form thereof, wherein the controlled release formulation following oral dosage exhibits a substantially biphasic plasma profile with a first plasma concentration peak level within 1-4 hours of ingestion and a second plasma concentration peak level within 5-10 hours after ingestion.例文帳に追加

溶解度を増強したカルベジロール遊離塩基またはカルベジロール塩、その溶媒和物または無水形態を含む制御放出性処方であって；経口投与後に、摂取の１〜４時間内に第１の血漿濃度ピークレベルを、摂取後の５〜１０時間内に第２の血漿濃度ピークレベルを有する実質的に二相性血漿特性を示す制御放出性処方。 - 特許庁

Namely, in the stage before finish of a reaction, a brightness or a concentration of the target material acquired finally can be estimated on reference to rising acceleration of the signal value, its changing rate, or a profile or an ideal amplification curve acquired beforehand.例文帳に追加

すなわち、反応が完了する前の段階で、信号値の上昇加速度、変化率、あるいは事前に得ておいたプロファイルあるいは理想増幅曲線を参照して、最終的に得られる輝度や標的物質の濃度を推定することが可能であることを見いだした。 - 特許庁

By traveling the monitoring device 10 with loading on a belt conveyer in a reflow furnace at the same state as a state of normal reflow soldering, a profile for not only a reflow temp. but a wind flow rate, wind speed, wind temp. and oxygen concentration is monitored.例文帳に追加

そして、このモニタリング装置１０を、通常のリフローソルダリングを行う状態と同一状態のリフロー炉８０内を、ベルトコンベア８１に搭載して移動させることにより、リフロー温度のみならず、風量、風速、風温、及び酸素濃度についての、プロファイルをモニタリングすることが可能になる。 - 特許庁

To provide a method for easily calculating an ink concentration difference to make a color tone of a commercial printed matter equal to that obtained when generating a printer profile thereby simplifying color tone control without the need for receiving a target spectral reflectance and measurement of an OK sheet.例文帳に追加

目標分光反射率の入力やＯＫシートの計測をすることなく、商業印刷物の色調を印刷機プロファイル作成時と同等にするインキ濃度差を簡単、容易に算出し、それによって色調制御を簡単に行えるようにする方法の提供。 - 特許庁

The MOSFET is a non-punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at an end (channel formation region 3b or terminal region 5), a part having a longer trailing pattern of an p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than a center part (body region 3a).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはノンノンパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）に中央部（ボディ領域３ａ）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

The projection range of Pearson's second function representing the impurity concentration profile of an amorphous film region 31 is calculated by decreasing the projection range of Pearson's first function at a specific rate, and the dispersion of Pearson's second function is calculated by decreasing the dispersion of Pearson's first function at a specific rate.例文帳に追加

非晶質膜領域３１の不純物濃度プロファイルを表す第２のピアソン関数の投影飛程は第１のピアソン関数の投影飛程を特定割合で小さくすることで算出され、分散は第１のピアソン関数の分散を特定割合で小さくすることで算出される。 - 特許庁

At this time, the doping gas on a secondary side of a pressure reducer to a gas cylinder via the pulse valve 20 is supplied directly in a pulse manner on a surface of the substrate 3, so that the impurity concentration profile in a region transiting from the substrate 3 to the dope layer becomes steep to flatten the surface of the dope layer.例文帳に追加

そのとき、パルスバルブ２０を介してガスボンベの減圧器の二次側のドーピングガスを基板３の表面上にパルス状に直接供給することで、基板３からドープ層に遷移する領域における不純物濃度プロファイルが急峻になり、ドープ層の表面が平坦化される。 - 特許庁

The MOSFET is a punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at a center part (contact region 3c), a part having a longer trailing pattern of a p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than an end (channel formation region 3b or terminal region 5).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、中央部（コンタクト領域３ｃ）に端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

To increase the saturation amount of electric charges and reduce noise at the same time, by maximizing the area of a photoelectric conversion portion (photodiode) and the area of an amplification transistor and forming the photoelectric conversion portion in a P-N junction having a steep concentration profile.例文帳に追加

本発明は、光電変換部（フォトダイオード）の面積と増幅トランジスタの面積を最大化し、かつ光電変換部が急峻な濃度プロファイルを有するＰ／Ｎ接合に形成されていることで、飽和電荷量の増大とノイズの低減を両立させることを可能にする。 - 特許庁