「deposition process」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

On one surface of a diaphragm 40, the piezoelectric layer 41 is formed by an aerosol deposition method (piezoelectric layer forming process).例文帳に追加

まず、振動板４０の一表面に、エアロゾルデポジション法により圧電層４１を形成する（圧電層形成工程）。 - 特許庁

PROCESS, MASK AND AUTOMATIC SYSTEM USED FOR SETTING DEPOSITION CONDITION例文帳に追加

成膜条件の設定方法および成膜条件の設定に用いるマスクならびに自動成膜条件設定機構 - 特許庁

A deposition process is made three times.例文帳に追加

基板裏面に第１のＡｕ層、Ａｕ−Ｓｂ層、第２のＡｕ層をそれぞれ蒸着する３度の蒸着工程を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sulfide thin film by a simple, quick, inexpensive, and atoxic thin film deposition process.例文帳に追加

簡易迅速かつ低廉無毒な薄膜堆積プロセスにより硫化物薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a deposition process for obtaining a polyphenylene ether having a broad molecular-weight distribution in an improved yield.例文帳に追加

ポリマー収率の向上とブロードな分子量分布を持つポリフェニレンエーテルを得る析出方法を提供する。 - 特許庁

In certain embodiments, the process temperature is maintained at ≤350°C, during the chemical vapor deposition to fill the feature.例文帳に追加

或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。 - 特許庁

Further, after the deposition of the tungsten liner layer 52/barrier 54, another tungsten layer 56 can be deposited by a CVD process.例文帳に追加

タングステンライナ層５２／バリヤ層５４の後で別のタングステン層５６をＣＶＤプロセスによって堆積させてもよい。 - 特許庁

PROCESS AND DEVICE WHICH PREVENT CARBON MONOXIDE POISONING IN PERIPHERAL EDGE OF SUBSTRATE IN THIN-FILM DEPOSITION SYSTEM例文帳に追加

薄膜堆積システム内における基板の周辺端部での一酸化炭素中毒を抑制する方法及び装置 - 特許庁

In the deposition process, deposition gas from a deposition raw material supply unit 9 is supplied into a reaction chamber 1 from a shower head 6 and an amorphous thin film, comprising a hafnium oxide film (HfO_2 film) is formed on a rotating substrate 4.例文帳に追加

成膜工程では、成膜原料供給ユニット９からの成膜ガスをシャワーヘッド６より反応室１内に供給して、回転する基板４上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ_２膜）を含むアモルファス薄膜を形成する。 - 特許庁

A resist film 7 is formed on a ceramic substrate 2, a conductor thin film 4 is formed on the film 7 of the substrate 2 by a vacuum deposition process, a dielectric thin film 5 made of Sm2O3 or the like material is formed on the film 4 by the vacuum deposition process, and then a conductor thin film is formed on the film 5 by the vacuum deposition process.例文帳に追加

セラミック基板２の上にレジスト膜７を形成した後、その上から基板２上に真空蒸着によって導体薄膜４を形成し、ついで真空蒸着によって導体薄膜４の上にＳｍ_2Ｏ_3等の誘電体薄膜５を形成し、ついで真空蒸着により誘電体薄膜５の上に導体薄膜６を形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of the fuel cell separator has a plating process to apply noble metal plating to the surface of a stainless steel separator base material 5a, and an aerosol-deposition process to form a carbon-contained coating on the surface of the nobel metal plated base material 5a by an aerosol-deposition method.例文帳に追加

ステンレス鋼セパレータ基材５ａの表面に貴金属メッキを施すメッキ工程と、貴金属メッキされた基材５ａの表面に、エアロゾルデポジション法を用いてカーボン含有被膜を形成するエアロゾルデポジション工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a device for fabricating an electrode by a roll-to-roll process and a method for fabricating an electrode, by which the process is made simple and the deposition rate and the deposition uniformity of lithium can be improved since lithium is vapor-deposited in a vacuum atmosphere.例文帳に追加

リチウムを真空雰囲気で蒸着するので工程が簡単になり、蒸着速度と蒸着の均一性を改善することのできる、ロールツーロール工程を用いた電極製造装置及び電極製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon carbide polycrystalline film 13, the silicon fine crystalline particles 12 or germanium fine crystalline particles are alternately deposited on a semiconductor substrate 16 at 850-1400°C by depressed chemical vapor deposition process or chemical deposition process.例文帳に追加

減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法により半導体基板１６上に８５０〜１４００℃でシリコンカ−バイド多結晶膜１３とシリコン微結晶粒子１２又はゲルマニウム微結晶粒子とを交互に堆積する。 - 特許庁

To allow a smooth operation after the deposition by preventing the supply of a deposition material as much as possible except a pattern forming region corresponding to the panel pattern parts needed to be deposited in one deposition process, and further to enhance the recovery of the deposition material which has not been used effectively by eliminating the wasted use of the deposition material.例文帳に追加

一つの蒸着工程で、蒸着が必要なパネルパターン部に応じたパターン形成領域以外にはできる限り蒸着材料の供給を行わないようにして、蒸着後の作業を円滑に行うことを可能にし、また、無駄な蒸着材料の使用を避けて、有効に使用されなかった蒸着材料の回収率を高める。 - 特許庁

In the vapor deposition process, vapor deposition material gas is generated from an evaporation source including a crucible for storing the vapor deposition material, a heating unit for heating the crucible, a nozzle for emitting the vapor deposition material vaporized in the crucible toward an object to be processed, and a reflector 15 arranged around the crucible, and a vapor deposition film is formed on the object to be processed.例文帳に追加

蒸着工程では、蒸着材料を収納する坩堝、坩堝を加熱する加熱部、坩堝内で気体化した前記蒸着材料を前記被処理物に向かって放出するノズル、および坩堝の周囲に配置されるリフレクタ１５を備える蒸発源から、蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。 - 特許庁

A process for forming the one-side electrodes 5 includes: a process for forming electrode films 5a by a deposition method between the plurality of separators 4; and a process for further arranging an electrode material (5a) on the formed electrode films 5a by the deposition method between the plurality of separators 4.例文帳に追加

その一方の電極５を形成する工程は、複数のセパレータ４同士間に蒸着法により電極膜５ａを形成する工程と、複数のセパレート４同士間における蒸着法で形成した電極膜５ａ上にさらに電極材料（５ａ）を配置する工程とを含む。 - 特許庁

In a method of manufacturing the heat conduction material, the material is prepared by a chemical vapor deposition process, a physical vapor deposition process, a melting process, or other material manufacturing methods, and the carbon having the tetrahedron structure may be provided covering the surface of the metal material, or may be mixed into the metal material.例文帳に追加

熱伝導材料の製造方法は、化学気相成長法、物理気相成長法、溶融、またはその他の材料製造方法で完成し、且つ正四面体構造の炭素は金属材料表面を覆ってもよく、金属材料中に混入してもよい。 - 特許庁

Prior to a deposition process in a process chamber (10), a flow of delivery gas comprising CO is established through a vaporization system (50) to transport a precursor vapor to an exhaust system while bypassing the process chamber (10).例文帳に追加

プロセスチャンバ（１０）内での堆積プロセス前、気化系（５０）を介して先駆体を排気系へ輸送する、ＣＯを有する供給ガスの流れが確立される一方でプロセスチャンバ（１０）を通過する。 - 特許庁

PROCESS FOR PREPARING BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM DERIVATIVE, BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM DERIVATIVE PREPARED THROUGH THE PROCESS AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR RUTHENIUM FILM OR RUTHENIUM COMPOUND FILM例文帳に追加

ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム誘導体の製造方法及びその方法により製造されるビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム誘導体並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of stably executing each process and precisely processing a base material to be processed when the base material to be processed by repeating alternately a deposition process and an etching process.例文帳に追加

デポジッション工程とエッチング工程とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングする場合、各工程を安定して実行でき、被加工基材を正確に加工できるプラズマエッチング法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-temperature high-speed deposition method of LiCoO_2 film which is used as a cathode layer of a solid re-chargeable Li battery by the pulse dc physical vapor phase deposition process.例文帳に追加

パルスｄｃ物理気相堆積プロセスにより、固体再充電可能Ｌｉ電池のカソード層として利用しうるＬｉＣｏＯ_２膜の低温高速度堆積方法を提供する。 - 特許庁

In the process, a deposition film is formed with at least one place closed in a part corresponding to a non-deposition part 17 of an opening part 20 forming a high resistance part.例文帳に追加

このとき、高抵抗部を形成する開口部２０の非蒸着部１７に対応する部分のうち、少なくとも１箇所以上を塞いだ状態で蒸着膜を形成する。 - 特許庁

To provide a photo-induced CVD method and a photo-induced CVD apparatus capable of performing the film deposition utilizing a multiphoton absorption process, and having an excellent film quality after the film deposition.例文帳に追加

多光子吸収過程を利用した成膜が可能であり、また成膜後の膜質が良好な光気相化学成長法及び光気相化学成長装置を提供する。 - 特許庁

Then, with the use of the anhydrous citric acid complex solution, a deposition process (steps S4-S7) which carries out deposition treatment using formed anhydrous citric acid complex solution is processed on a surface of the electrode member.例文帳に追加

そして、無水クエン酸錯体溶液を用いて、電極部材の表面に、作製された無水クエン酸錯体溶液を用いて成膜処理する成膜工程（ステップＳ４〜Ｓ７）を行う。 - 特許庁

To provide a thin film deposition apparatus that is easily applied to the mass production process of large-sized display devices and has improved manufacturing yield, and to provide a method of manufacturing an organic light-emitting display device by using the thin film deposition apparatus.例文帳に追加

大型基板の量産工程に容易に適用でき、歩留まりが向上した薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus having excellent economic efficiency and mass productivity when a film is formed by a vapor phase process on the surfaces of capillaries and to provide a film deposition method using the apparatus.例文帳に追加

細管表面に気相法により膜形成を行うにあたり、経済性、量産性に優れた成膜装置およびその装置を用いた成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus for carrying out a plasma chemical vapour deposition (PCVD) process, which apparatus makes it possible to employ high microwave power levels for attaining high deposition rates.例文帳に追加

高蒸着速度を達成するために高いマイクロ波電力レベルを用いることを可能にするプラズマ化学蒸着（ＰＣＶＤ）プロセスを実行するための装置を提供すること。 - 特許庁

To manufacture an optical deposition film filter in the minimum process, wherein the deposition film filter imparts desired transmission characteristics in a cut-off range and near-infrared range while holding flat and high transmission characteristics in a visible range.例文帳に追加

可視域でのフラットで高い透過特性を保持しつつ、カットオフ域と近赤外域での所望の透過特性を与える光学蒸着膜フィルタを最小限の工程で製造する。 - 特許庁

This device is equipped with a laser light source for irradiating a deposition substrate with laser light, and a control device for performing output control of the laser light source, to thereby change the irradiation intensity of the laser light during a deposition process.例文帳に追加

成膜基板にレーザ光を照射するレーザ光源と、レーザ光源の出力制御を行う制御装置とを備え、成膜工程中にレーザ光の照射強度を可変する。 - 特許庁

Alternately, a patterned photoresist may be used to allow for an etching process to selectively etch back the thickness of a spacer which was deposited in a single deposition.例文帳に追加

または、単一の被着物（deposition）中に被着されたスペーサーの厚さをエッチングで選択的に削るためのエッチング処理が可能となるように、パターン成形がなされたフォトレジストを用いてもよい。 - 特許庁

To provide a method for depositing an electroless plating film by which the deposition process of an electroless plating film is simplified, and also, the danger, e.g. of treating virulent poison is not accompanied at the time of the deposition.例文帳に追加

無電解めっき膜の形成プロセスを簡略化しつつ、かつ形成の際に猛毒の取り扱い等の危険を伴わない無電解めっき膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a source gas feeder which can correctly control the amount of the source gas to be fed to a vapor deposition chamber upon thin film formation by a chemical vapor deposition process.例文帳に追加

化学気相蒸着法による薄膜形成の際に、蒸着チャンバーへ供給するソースガスの量を正確に制御することができるソースガス供給装置を提供する。 - 特許庁

To provide an operating method for eliminating deposition in the production/purification process of bisphenol A and achieving the maximum efficiency.例文帳に追加

ビスフェノールＡ製造・精製工程における沈積物を除去し、最大効率を達成する操作方法を提供する。 - 特許庁

According to various embodiments, the methods involve a reduced temperature chemical vapor deposition (CVD) process to fill the features with tungsten.例文帳に追加

種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。 - 特許庁

To obtain a dense and flat nano-sheet deposition film having a film thickness of a certain degree and no defect in a single process.例文帳に追加

或る程度の膜厚を有し、緻密で欠陥のない平坦なナノシート堆積膜を１回の処理で得るようにする。 - 特許庁

To provide an organometallic complex composition having high solubility or dispersibility in a solvent and suitable for a wet film-deposition process.例文帳に追加

溶剤への溶解性や分散性が高く、湿式成膜に適した有機金属錯体組成物を提供すること。 - 特許庁

By this, deterioration due to overheating of the rotor blade 21, and deposition of solids due to cooling of process gas can be prevented.例文帳に追加

このため、ロータ翼２１の過熱による劣化と、プロセスガスの冷却による固体物の析出を防止することができる。 - 特許庁

The films 11, 12 are formed by subjecting heat sealable films, to which aluminum vapor deposition is applied, to a drawing process.例文帳に追加

フィルム１１，１２は、アルミ蒸着が施されたヒートシール可能なフィルムをしぼり成形加工することにより形成される。 - 特許庁

To effectively apply protective coatings on complex shaped Si-based substrates which makes a physical deposition process difficult.例文帳に追加

物理的堆積方法での被覆が困難な複雑形状のＳｉベース基材に保護コーティングを効果的に被覆する。 - 特許庁

In certain embodiments, the process temperature is maintained at a temperature of about 350°C or lower during the chemical vapor deposition to fill the feature.例文帳に追加

或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which an underlying layer is protected against damage dyring a subsequent deposition process.例文帳に追加

後続のデポジション工程で発生する下層の損傷を防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition apparatus which is easily applied to a large-sized substrate mass production process, and improved in the manufacturing yield.例文帳に追加

大型基板量産工程に容易に適用でき、製造収率が向上した薄膜蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a yttria film which can obtain satisfactory film quality by an aerosolization gas deposition process.例文帳に追加

エアロゾル化ガスデポジション法によって良好な膜質を得ることが可能なイットリア膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

A plasma reinforced chemical vapor deposition process is applied to deposit a thin fluorocarbon layer on a surface of the substrate.例文帳に追加

プラズマ増強化学蒸着プロセスを適用することにより、薄いフルオロカーボン層を基板の表面上に堆積させる。 - 特許庁

After deposition of the buffer layer 13 is started, supply of hydrogen (H_2) is started at time t6 in a process S109.例文帳に追加

バッファ層１３の成膜が開始されて後に、工程Ｓ１０９で、時刻ｔ６において水素（H_２）の供給を開始する。 - 特許庁