「deposition process」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic material deposition apparatus and a deposition method where, for preventing the sagging of the central part in a substrate by gravity in a deposition process for the substrate, tensile force is applied to one side of the substrate in a state where both the sides thereof are fixed, thus the sagging phenomenon of the substrate can be prevented.例文帳に追加

基板の蒸着過程で自重により基板の中心部が下方に垂れることを防止するために、基板両側を固定した状態で一側に引張力を与えることで、基板の垂れ現象を防止できる有機物蒸着装置および蒸着方法を提供する。 - 特許庁

While moving a vapor-deposition source 20 relatively to a substrate 1 in the X direction in a process of forming the organic light-emitting element having the organic compound layer by a vapor-deposition method, an organic compound evaporated from the vapor-deposition source 20 is made to be coated on and adhered to the substrate 1 via a shadow mask 10.例文帳に追加

有機化合物層を有する有機発光素子を蒸着法により形成する工程で、蒸着源２０を基板１と相対的にＸ方向に移動させつつ、蒸着源２０からの蒸発する有機化合物をシャドウマスク１０を介して基板１に被着させる。 - 特許庁

A method for manufacturing the integrated circuit device including a ferroelectric structure having the passivation layer includes a process for providing a deposition chamber, a process for providing the ferroelectric structure including the ferroelectric material positioned between an upper electrode and a lower electrode to the deposition chamber, a process for providing aluminum and titanium to the deposition chamber, and a process for forming titanium doped aluminum oxide passivation layer on the upper electrode.例文帳に追加

また、本発明によるパッシベーション層を有する強誘電体構造を含む集積回路デバイスを製造する方法は、堆積チャンバを提供する工程と、上部電極と下部電極との間に位置する強誘電体材料を含む強誘電体構造を堆積チャンバに提供する工程と、堆積チャンバにアルミニウムとチタンとを提供する工程と、アルミニウムおよびチタンをスパッタリングして、上部電極上にチタンドープトアルミニウム酸化物パッシベーション層を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

In the case the cleaning process in the process chamber 2 is executed after the end of a deposition process, gaseous C4F6 is supplied to a fluorine forming section 19 and the gaseous C4F6 is irradiated with microwaves by a microwave irradiation device 18 in the state of continuing the reduced pressure evacuation of the inside of the process chamber 2 by a pump 9.例文帳に追加

成膜プロセスの終了後、プロセスチャンバー２内のクリーニングプロセスを実行する場合、ポンプ９によるプロセスチャンバー２内の減圧排気を継続した状態で、Ｃ_4Ｆ_6ガスをフッ素生成部１９に供給すると共に、マイクロ波照射装置１８によりマイクロ波をＣ_4Ｆ_6ガスに照射する。 - 特許庁

A processing chamber (100) for performing atomic layer deposition (ALD), a substrate holder (120) provided within the process chamber, and a gas injection system (140) configured to supply a first process gas and a second process gas to the process chamber (100) are included in the subject apparatus.例文帳に追加

処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。 - 特許庁

The method for manufacturing the glass particulate deposit by a VAD (vapor-phase axial deposition) process or OVD (outside vapor deposition) process comprises maintaining the humidity within the apparatus for manufacturing the glass particulate deposit at ≤5 g/kg or the oxygen concentration therein at ≤20%.例文帳に追加

ＶＡＤ法若しくはＯＶＤ法によってガラス微粒子堆積体を製造する方法において、ガラス微粒子堆積体製造装置内の湿度を５ｇ／ｋｇ以下又は酸素濃度を２０％以下に保持することを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor forming method of this invention comprises a step to form a primary conductive metal compound film on a substrate by an organometallic chemical vapor deposition process, and a step to form a secondary conductive metal compound film on the primary conductive metal compound film by a physical vapor deposition process.例文帳に追加

前記方法は、基板上に有機金属化学蒸着工程によって第１導電性金属化合物膜を形成し、前記第１導電性金属化合物膜上に物理気相蒸着工程によって第２導電性金属化合物膜を形成することを含む。 - 特許庁

To enhance the quality of a magnetic recording medium by devising a carrier holding a substrate included in a vacuum film-depositing device, thereby making the temperature of the substrate close to the temperature suitable for each film deposition process in a film-deposition process of the magnetic recording medium.例文帳に追加

真空成膜装置に含まれる基体を保持するキャリアを工夫することで、磁気記録媒体の成膜工程において基体の温度をそれぞれの成膜工程に適した温度に近づけることが可能となるため、磁気記録媒体の品質の向上を図ることができる。 - 特許庁

To provide a flow rate control device, a thin film deposition device, and a flow rate control method, which can exactly control gas flow at a set flow rate even in environment of large pressure difference, especially, remarkably improve process accuracy in a process of thin film deposition.例文帳に追加

圧力差が大きい環境であっても設定した流量となるようにガスの流れを的確に制御することができ、とりわけ、薄膜堆積のプロセスにおいてプロセス精度を飛躍的に向上できる流量制御装置、薄膜堆積装置および流量制御方法を提供すること。 - 特許庁

A deposition apparatus (1) includes a process chamber (3) for the setup and maintenance of a gas atmosphere and having an inlet (4) and an outlet (5) for a process gas as well as an anode (6, 61) and a cylindrical deposition cathode (2, 21, 22) formed as a target and including the target material (200, 201, 202).例文帳に追加

蒸着装置１は、ガス雰囲気を設定及び維持するプロセス・チャンバ３を含み、プロセス・ガス用の入口４及び出口５、並びにアノード６、６１、及びターゲットとして形成されターゲット材料２００、２０１、２０２を含む円筒形の蒸着カソード２、２１、２２を有する。 - 特許庁

The invention relates especially to a final optical-fibre preform comprising a primary preform 3 obtained by a VAD (vapor-phase axial deposition) process or an OVD (outside vapor deposition) process, a silica sleeve tube 4 surrounding the primary preform 3, and a built-up layer 5 made of silica particles surrounding the silica sleeve tube 4.例文帳に追加

本発明は、ＶＡＤ堆積法またはＯＶＤ堆積法によって得られる一次プリフォーム３と、一次プリフォーム３を取り囲むシリカスリーブチューブ４と、シリカスリーブチューブ４を取り囲むシリカ粒子でできたビルトアップ層５とを含む、光ファイバ最終プリフォームに特に関する。 - 特許庁

To achieve extending the life of a filament, stabilizing an electron emitting capacity, further improving quality and reliability of an oxide film formed by a vapor deposition process with the use of such a filament, saving time and labor for the vapor deposition process, and reducing the cost.例文帳に追加

フィラメントの長寿命化および電子放出性能の安定化を達成し、延いてはそのようなフィラメントを用いて行われる蒸着プロセスによって成膜される酸化物膜の品質や信頼性の向上およびその蒸着プロセスに要する手間や時間の簡易化や低コスト化を達成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a deposition film, which improves productivity and the uniformity/reproducibility of the characteristics of the deposited film while maintaining adequate film characteristics, in the process of forming the deposition film with the use of a high-frequency power.例文帳に追加

高周波電力を用いた堆積膜形成において、良好な膜特性を維持しながら、生産性の向上、堆積膜特性の均一性・再現性向上が可能な堆積膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, a deposition process S2 for depositing the silicon thin film, including a crystal structure on the substrate, is performed by a plasma CVD method using higher-order silane-based gas expressed by Si_nH_2n+2 (n=2, 3...) and hydrogen gas for deposition gas.例文帳に追加

Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスと水素ガスとを成膜ガスに用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する成膜工程Ｓ２を行う。 - 特許庁

To provide a vacuum film deposition system which surely shields the ones required for shielding in accordance with a film deposition process among respective members provided inside a vacuum chamber, and whose compactness is not damaged as well.例文帳に追加

真空チャンバ内に設けられた各部材のうち成膜プロセスに応じて遮蔽する必要があるものを確実に遮蔽するとともに、装置のコンパクトさを損なうこともない真空成膜装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a device for the manufacture of planar catalyst and a method for manufacturing the catalyst such that the use amount of a deposition preventing sheet can be decreased while deposition of the catalyst paste on a rotating roll is prevented in the process of applying the paste under pressure.例文帳に追加

圧着塗布する際の回転ロールへの触媒ペーストの付着を防止しつつ付着防止シートの使用量を低減させることができる板状触媒の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a collector for use in a nonaqueous electrolyte battery, capable of preventing warping of the collector due to a film deposition process and doing away with a work such as cutting of a circumferential part of the collector after film deposition.例文帳に追加

非水電解質電池に用いられる集電体で、成膜過程に起因する集電体の反りを防止でき、成膜後に集電体の外周縁部の切断等の作業が不要である集電体を提供する。 - 特許庁

Based on film thickness distribution data measured in the process of the film deposition, the driving of the second film thickness distribution correction plate and the film deposition are repeated, thus the satisfactory film thickness distribution can be obtained, and the production of a multilayer optical filter is efficiently performed.例文帳に追加

製膜中に測定した膜厚分布デ−タを基に第二の膜厚分布補正板を駆動、製膜を繰り返すことで良好な膜厚分布を得え、効率的に多層膜光学フィルターの製造を行う。 - 特許庁

Thus, by conducting the oxygen deposition nucleus formation process, such a silicon wafer 38 can be obtained that has the DZ layer 35 covering the surface and contains in an inner part the BMD layer 37 containing the oxygen deposition nuclei in high concentration.例文帳に追加

以上のような酸素析出核形成工程を経て、表面はＤＺ層３５に覆われ、内部に高密度に酸素析出核を含むＢＭＤ層３７を有する本発明のシリコンウェーハ３８を得ることができる。 - 特許庁

It further comprises, when a thicker insulating film is required, a process of forming a second insulating film (20) on the first insulating film (18) with a chemical vapor phase deposition method having a high film deposition speed.例文帳に追加

さらに、より厚い絶縁膜を形成する必要がある場合には、上記第１の絶縁膜（１８）上に、成膜速度の大きい化学的気相堆積法によって第２の絶縁膜（２０）を形成する工程を有する。 - 特許庁

Next, while conveying the film-shaped base material a from the second winding roller 2_2 to the first winding roller 2_1, a deposition process is performed by forming an electrode film on the plasma-treated surface of the film substrate a by a deposition unit 5.例文帳に追加

次に、第２巻出巻取ローラ２_２から第１巻出巻取ローラ２_１にフィルム状基材ａを搬送しつつ、成膜ユニット５によりフィルム基材ａのプラズマ処理面に電極膜を形成する成膜工程を行う。 - 特許庁

To provide a fluorine compound thin film production method by which a fluorine compound thin film free from light absorption and having satisfactory adhesion is deposited on a substrate at high speed and also at a stable film deposition rate by a vacuum deposition process.例文帳に追加

光吸収のなく密着性の良好なフッ素化合物薄膜を基材上に真空蒸着法により高速で、且つ安定した成膜速度で形成するフッ素化合物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma deposition process and a plasma deposition apparatus with a simple constitution, which is capable of forming a film at a high speed without the need to use hazardous material gas.例文帳に追加

構成が簡単なプラズマ成膜方法及び装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To perform a deposition by plating on a terminal of a wiring line whose terminal is not provided on an output terminal part in the case of connecting a plating lead line with the output terminal part of a flexible printed board, followed by a plating deposition process.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板の出力端子部にメッキリード配線を接続してメッキ蒸着処理を行う場合において、出力端子部に端子が設けられていない配線の端子に対してもメッキ蒸着を施す。 - 特許庁

To provide a measuring method for predicting deposition of foreign substance, especially the deposition degree of the scale, pitch of adhesive foreign substance, exerting a large influence on machine operability or product quality, in a manufacturing process of pulp and paper.例文帳に追加

パルプ及び紙の製造工程において、マシン操業性、あるいは製品品質に大きな影響を及ぼす異物の沈積、特にスケール、ピッチ、粘着異物の沈積度合を予測する測定方法を提供する。 - 特許庁

The system has a deposition process that forms a film containing hafnium or a film containing zirconium on a substrate supported by a susceptor in the reaction chamber and a cleaning process that removes the film attached in the reaction chamber in the deposition process by activating gas containing chlorine atoms outside the reaction chamber by plasma and supplying the gas to the reaction chamber.例文帳に追加

反応室内でサセプタに保持した基板の上にハフニウムを含む膜またはジルコニウムを含む膜を形成する成膜工程と、反応室外部で塩素原子を含むガスをプラズマで活性化して反応室内に供給することにより前記成膜工程において反応室内に付着した膜を除去するクリーニング工程と、を有する。 - 特許庁

In a producing method of a magnetic head by forming an element part having prescribed characteristics through a deposition process of depositing on the surface of the substrate 10 and an etching process of patterning the film formed by the deposition process, the circumference of a region, where each element part on the substrate 10 is formed, is surrounded by an electrically conductive film and worked.例文帳に追加

基板１０の表面に成膜する成膜工程と、成膜工程によって形成された膜をパターンニングするエッチング工程を経て所要の特性を有する素子部を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記基板１０上の各々の素子部が形成される領域の周囲を導体膜で包囲して加工する。 - 特許庁

A re-wiring 8 through which a signal of ≥800MHz is transmitted is formed by a process where a metal sputter layer or a metal vapor-deposition layer 23 is formed on a passivation film 5 on a completed wafer 21 prepared through a predetermined process and a process where a metal plating layer 29 is laminated on the metal sputter layer or the metal vapor-deposition layer 23.例文帳に追加

８００ＭＨｚ以上の信号を伝送する再配線８の形成を、所定のプロセスを経て作製された完成ウエハ２１のパッシベーション膜５上に金属スパッタ層又は金属蒸着層２３を形成する工程と、当該金属スパッタ層又は金属蒸着層２３上に金属めっき層２９を積層する工程とを含んで行う。 - 特許庁

To provide a conductive element which can be manufactured by a simple manufacturing process without using a vacuum deposition technique and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

真空成膜技術を用いずに、簡単な製造工程で作製することができる導電性素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition system which can deposit a thin film under low-temperature process environment, the thin film having enhanced packing density and high quality.例文帳に追加

低温プロセス環境下での薄膜形成で、膜の充填密度を高め、品質の高い膜形成が可能な膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To prevent such problem as occurrence of particles or degradation in process regeneration, etc., by suppressing deposition of products on the surface of a substrate stage, etc.例文帳に追加

基板ステージの表面等への生成物の堆積を抑制することで、パーティクルの発生や処理の再現性低下等の問題を未然に防ぐ。 - 特許庁

The deposition process is carried out under existence of a magnetic field vertical to the substrate 200, so as the nano wires 216 to be aligned by the magnetic field.例文帳に追加

堆積プロセスは、ナノワイヤ２１６が磁界によって整列されるように、基板２００に対して垂直な磁界の存在下で実行される。 - 特許庁

To provide a film deposition method for Cu film by which the surface properties can be improved when a Cu film is deposited by a CVD process.例文帳に追加

ＣＶＤによりＣｕ膜を成膜するにあたり、表面性状を良好にすることができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

The system has an electromagnetic wave detecting means 5 for detecting electromagnetic waves generated from the surface of the object W to be treated in the process of film deposition treatment.例文帳に追加

成膜処理中の被処理物Ｗの表面から発せられる電磁波を検出するための電磁波検出手段５を有する。 - 特許庁

To observe a reaction process (a carbon deposition) of a sample (a zinc ferrite desulfurization agent) on site by an X-ray diffraction while the large quantity of a reaction gas flows.例文帳に追加

多量の反応ガスを流しながらＸ線回折で試料（亜鉛フェライト脱硫剤）の反応過程（炭素析出）をその場で観察する。 - 特許庁

When depositing carbon by ion beam deposition, it is often not possible for space reasons or practical for cost reasons to utilize two or more ion sources as the number of process chambers is limited.例文帳に追加

イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。 - 特許庁

Accordingly, the polysilicon film is combined with the poly SiGe film, thus a random variation in each film deposition process can be reduced.例文帳に追加

そこで、ポリシリコン膜とポリＳｉＧｅ膜を組み合わせることにより、それぞれの膜堆積工程でのランダムなバラツキを低減することができる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON-RICH NANOCRYSTAL STRUCTURE USING ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法 - 特許庁

In a coating B(b) process, a metal coat 12 of Au is formed on the resin thin film 11 with sputtering or deposition.例文帳に追加

次に、コーティングＢ（ｂ）工程において、樹脂薄膜１１上に、スパッタリングまたは蒸着によりＡｕなどの金属被膜１２を形成する。 - 特許庁

An electrode deposition process, for example, is performed with the formed plate structure, depending on purpose, to manufacture a wanted electronics device and optical device.例文帳に追加

形成された板状構造に目的に応じて電極堆積といった工程を行い、所望の電子デバイスおよび光デバイスを製作する。 - 特許庁

When the source material (14, 24) is eroded during the process of physical vapor deposition, the target (10, 20) can be repaired by applying coating again.例文帳に追加

物理的蒸着工程の間ソース材料（１４、２４）が侵食すると再度コーティングを付与することによってターゲット（１０、２０）を改修する。 - 特許庁

To solve problems of short circuit and faulty breakdown voltage in a laminated pattern of dielectric and conductor thin films formed by a deposition process.例文帳に追加

蒸着法によって形成される誘電体薄膜と導体薄膜の積層パターンにおける短絡や耐圧不良の問題を解消する。 - 特許庁

To provide a substrate cassette which is applicable to chemical vapor deposition process and has an electrode array therein adaptive to attachment of a plurality of substrates.例文帳に追加

化学気相蒸着工程に適用でき、内部の電極配列が複数の基板の装着に対応できる基板固定ケースを提供する。 - 特許庁

And then, in the deposition process, the amorphous solid electrolyte containing Li, P, S and O is made deposited in a stratified shape on the above substrate.例文帳に追加

そして、析出工程では、Ｌｉ、Ｐ、Ｓ及びＯを含有する非晶質の固体電解質を前記基板の上に層状に析出させる。 - 特許庁

To provide a process for forming silicon carbo-nitride films on a substrate through chemical vapor deposition of a silicon carbo-nitride film forming precursor.例文帳に追加

炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁