「defect concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, when applying pressurization for reducing the gap of the electrode active material layers, concentration of pressure on a specific part of the current collector is eliminated and defect by fracture can be reduced.例文帳に追加

これによって、電極活物質層の空隙を減少するための加圧を行う際に、集電体の特定箇所に圧力が集中することがくなり、破断不良を減少することができる。 - 特許庁

To provide a thermosensitive transfer image receiving sheet and an image forming method thereof for providing good images by which image defect specially image malfunction due to thermal fusion bonding with an ink sheet does not occur in high concentration.例文帳に追加

高濃度で画像欠陥、特にインクシートとの熱融着に起因する画像故障が起こらない良好な画像を提供するための感熱転写受像シートおよびその画像形成方法提供する。 - 特許庁

To provide a photo diode which has a shallow pinning layer of high integration and a high concentration, reduces a defect on a surface, and is superior in a quantum efficiency effect per unit area, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

高集積、高濃度で浅いピン止め層を有し、表面における欠陥を低減し、単位面積当りの量子効率効果にも優れたフォトダイオード及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To form crystal in defect-free area in good yield by changing pulling velocity V and temperature gradient G of a single crystal grown by the Czochralski process according to dopant concentration and keeping V/G value in crystal interface within a prescribed range in the radial direction of the crystal.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成において、結晶中のドーパント濃度が変化した場合でも、無欠陥領域の結晶を、歩留良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the generation of a micro pattern defect or dust and to prevent the abrupt deterioration of a chemical filter even if the concentration of chemical contaminants contained in air in a clean room is increased.例文帳に追加

クリーンルームの空気中に含まれる化学汚染物質の濃度が高くなっても、微細なパターン欠陥又は異物の発生を防止できるようにすること及び化学フィルタが急激に劣化しないようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI (Silicon On Insulator) wafer, wherein an SOI wafer can be manufactured which can be adjusted to a desired resistivity by controlling the dopant concentration of an SOI layer even if a buried oxide film is thin when a silicon single-crystal wafer having a high-concentration layer containing a dopant to a high concentration is used as a base wafer and whose defect is suppressed.例文帳に追加

ドーパントを高濃度に含有する高濃度層を有するシリコン単結晶ウェーハをベースウェーハとして使用する場合において、たとえ埋め込み酸化膜が薄くても、ＳＯＩ層のドーパント濃度を制御して所望の抵抗率に調整することができ、欠陥が抑制されたＳＯＩウェーハを製造できるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitrogen-doped silicone single crystal from any part of which is obtained a sliced wafer having a reduced variations in the non-defect region on its surface and in the density of the residual defect after annealing regardless of the doped nitrogen concentration on the silicon single crystal and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シリコン単結晶にドープされた窒素濃度に影響されることなく、シリコン単結晶の各部位からスライスされたシリコン単結晶ウエーハにおけるアニール後の残留欠陥密度及び表層の無欠陥領域のばらつきが緩和された窒素ドープしたシリコン単結晶及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the methylpolysiloxane composed of hydrophobic groups of Si-CH_3 bonds is used as the interlayer dielectric, the surface of the interlayer dielectric is damaged in an etching process and the carbon concentration is decreased due to defect of methyl group.例文帳に追加

Ｓｉ−ＣＨ_3結合たる疎水基からなるメチルポリシロキサンを層間絶縁膜に用いた場合、エッチング工程等において前記層間絶縁膜表面がダメージを受け、メチル基の欠陥により炭素濃度が減少する。 - 特許庁

Alternatively, the light-transmitting member is a light-transmitting member made of titanium-containing molten quartz glass and is characterized in that the concentration of oxygen defect structures is 6×10^-3 mol/L or lower in its surface region.例文帳に追加

チタンを含有する溶融石英ガラスよりなる光透過部材であって、当該光透過部材は表面層領域において、酸素欠陥構造の濃度が６×１０^−３ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Since the corner 60b of the recess 58b is rounded, a concentration of stress by the LOCOS film in the silicon substrate 50 is alleviated at the outside of the corner 60b, and the occurrence of a defect in the silicon substrate 50 is prevented.例文帳に追加

凹部５８ｂのコーナー６０ｂを丸めることで、当該コーナー６０ｂの外側のシリコン基板５０におけるＬＯＣＯＳ膜によるストレスの集中が緩和され、シリコン基板５０の欠陥の発生が抑制される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer suppressing a reduction in oxygen concentration in a device active region and greatly reducing the defect density of the device active region without performing again mirror polishing.例文帳に追加

再度、鏡面研磨等を行う必要がなく、デバイス活性領域における酸素濃度の低下を抑制し、かつ、デバイス活性領域の欠陥密度を大きく低減することができるシリコンウェーハの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an optimized method of manufacturing a silicon wafer capable of obtaining a silicon wafer having a low defect density especially in a region near the surface and an oxygen doping concentration of at least 4×10^17/cm^3.例文帳に追加

特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０^17／ｃｍ^3であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.例文帳に追加

この場合、遮熱層３，５内、または遮熱層３と金属結合層２との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層４を少なくとも１層形成する。 - 特許庁

The light-transmitting member is a light transmitting member made of molten quartz glass and is characterized in that the concentration of oxygen defect structures is 5×10^-3 mol/L or lower in its surface region.例文帳に追加

光透過部材は、溶融石英ガラスよりなる光透過部材であって、当該光透過部材は、表面層領域において酸素欠陥構造の濃度が５×１０^−３ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can reduce an influence on a breakdown voltage property by a crystal defect resulting from a high concentration oxygen introduced into a semiconductor substrate in connection with the isolation diffusion of an elevated temperature long time.例文帳に追加

高温長時間の分離拡散に伴って半導体基板に導入される高濃度酸素に起因する結晶欠陥による耐圧特性への影響を低減できる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

The concentration value in the camera coordinates for inspection acquired in the inspection is transformed into a corresponding coordinates for the inspection corresponding to the each pixel position of the flat panel display, based on the correspondence table 41, and an estimated image corresponding to a luminescent brightness of the flat panel display is formed based on the neighboring concentration distribution to inspect the defect.例文帳に追加

検査時に取得した検査用カメラ座標での濃度値を対応表４１に基づいてフラットパネルディスプレイの各画素位置に対応した検査用対応座標に変換し、近傍濃度分布によりフラットパネルディスプレイの発光輝度に対応する推定画像を形成して欠陥検査を行う。 - 特許庁

To provide an exposure device collecting the light emitted from a plurality of light-emitting elements formed on a substrate through hologram to form a row of light concentration points on an exposed surface and forming desired number of rows of light concentration points on the exposed surface even if there is a defect in a portion of a plurality of light-emitting elements.例文帳に追加

基板上に形成された複数の発光素子からの射出光をホログラムにより集光させて被露光面に集光点列を形成する露光装置において、複数の発光素子の一部に欠陥があっても、被露光面において所望の個数の集光点列を得ることができる露光装置を提供する。 - 特許庁

Based on these signals, the oil mist concentration correction part of the controller 10 corrects the concentration of the oil mist for each cylinder 2, an abnormality determination part determines for each oil mist sensor 3 whether mechanical defect is present or not in the source of the oil mist, and a trouble determination part determines for each oil mist sensor 3 whether a trouble is present or not.例文帳に追加

すると、上記信号に基づいてコントローラ１０のオイルミスト濃度補正部が、各シリンダ２毎に、オイルミスト濃度を補正し、異常判定部が、各オイルミストセンサ３毎に、オイルミストの発生源の機械の異常の有無を判定し、故障判定部が、各オイルミストセンサ３毎に、故障の有無を判定する。 - 特許庁

To solve the problem that when an SOI substrate is used and a trench element isolation structure is applied, an oxide film at a trench corner part becomes thin during oxidation of a trench sidewall to generate a crystal defect reaching a semiconductor layer in an element region owing to stress concentration.例文帳に追加

SOI基板を用いてトレンチ素子分離構造を適用した場合、トレンチ側壁の酸化時にトレンチコーナー部の酸化膜が薄膜化し、応力集中により素子領域の半導体層に達する結晶欠陥が発生する。 - 特許庁

To provide a method of producing a porous support/zeolite membrane composite which can satisfy both of practically sufficient processing amount and separation performance in separation and concentration by means of an inorganic material separation membrane and has a dense zeolite membrane without a defect.例文帳に追加

無機材料分離膜による分離、濃縮において、実用上十分な処理量と分離性能を両立する、欠陥のない緻密なゼオライト膜を有する多孔質支持体−ゼオライト膜複合体の製造方法などを提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy wing assembling method for improving an increase in rivet-fastening assembling manhours, a stress concentration, smoothness degradation on the surface of a wing, and a reduction of mechanical strength resulting from a defect caused by welding joint.例文帳に追加

リベット締結による組立工数の増大、応力集中、翼表面平滑さの低下や、溶接接合による欠陥発生に起因した機械的強度の低下を改善できるアルミニウム合金製主翼の組立方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optimized manufacturing method of a silicon wafer which can obtain the silicon wafer in which oxygen doping concentration having low defect density is at least 4 × 10^17/cm^3 in especially near front surface region.例文帳に追加

特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０^１７／ｃｍ^３ であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces stress concentration on a corner of a trench groove, can restrain generation of defect in the corner, and has an element isolation structure showing satisfactory element isolation characteristics; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

トレンチ溝のコーナー部へのストレス集中を低減させ、該コーナー部における欠陥の発生を抑制することができ、十分な素子分離特性を示す素子分離構造を有する半導体装置と製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface covering material for a staircase, which is equipped with durability and safety by relaxing deformation and falling, caused by stress concentration at ascent/descent, serving as a defect in a step material itself for the staircase, and which can simplify the execution of work.例文帳に追加

階段用ステップ材自身の欠点である昇降時の応力集中による変形および脱落を緩和して耐久性と安全性を備え、且つ施工を簡略化できる階段用表面被覆材を提供すること。 - 特許庁

As a result, a deformation and a failure of the ceramic member 11 started from outer periphery of blazing layer 21 can be prevented, because there are no notched part, no stress concentration, or no filling defect of blazing filler on the outer periphery surface of bonding surface.例文帳に追加

この結果、接合面の外周縁に切欠溝が存在せず、応力集中もロー材層の充填不良箇所もないから、ロー材層２１の外周縁が起点となってその変形やセラミック部材１１の破損も防止できる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which the occurrence of crystal defect due to synergistic action of concentration of stress in the vicinity of the STI end of a semiconductor substrate and the occurrence of microdefects caused by ion implantation is suppressed.例文帳に追加

半導体基板のＳＴＩ端部近辺での応力集中とイオン注入起因の微少な欠陥の発生との相乗作用による結晶欠陥の発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a silicon nitride film with little defect in the film and having little leak current wherein the concentration and the distribution of other atoms such as oxygen in the film and the film thickness are controlled.例文帳に追加

膜中の酸素等、他の原子の濃度及び分布、更には膜厚まで制御されて、膜中の欠陥が少ないシリコン窒化膜を有し、ひいてはリーク電流の少ない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To bury trenches formed in a semiconductor layer in manufacturing a semiconductor element having a repetitive p-n junction structure with epitaxial layers having no void nor crystal defect, but having uniform impurity concentration profiles in the depthwise direction.例文帳に追加

繰り返しｐｎ接合構造を有する半導体素子を製造する際に、半導体層に形成したトレンチを、空隙や結晶欠陥がなく、深さ方向に均一な不純物濃度プロファイルを有するエピタキシャル層で埋めること。 - 特許庁

To provide a silicon wafer imparting gettering ability of an epitaxial wafer and without producing crystal defect on an epitaxial growth layer of a surface by providing a place near a device active area as a gettering site due to the crystal defect and high concentration injection atom layers by ion implantation immediately under the epitaxial layer.例文帳に追加

デバイス活性領域に近い場所において、つまり、エピタキシャル層直下のイオン注入による結晶欠陥と高濃度注入原子層により、ゲッタリングサイトとして設けることで、エピタキシャルウエハのゲッタリング能力を付与するとともに表面のエピタキシャル成長層に結晶欠陥を発生させないシリコンウエハの提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method for pulling a silicon single crystal which improves nonuniformity of BMD (Bulk Micro Defect) density per parts, while the concentration of oxygen from the top side to the bottom side is uniformly maintained in the pulling process of a single crystal.例文帳に追加

単結晶の引き上げ過程において、トップ側からボトム側までの酸素濃度を均一に保ったまま、部位によるＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）密度の不均一を改善するシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a diamond semiconductor device with a concentration of an electric field at a channel part and a gate insulating layer reduced, having a uniform insulating layer, preventing a dielectric breakdown, and reducing a defect in the vicinity of an interface between the channel part and the insulating layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

チャネル部及びゲート絶縁層における電界集中が緩和され、絶縁層が均一で、絶縁破壊を防ぎ、チャネル部及び絶縁層の界面近傍の欠陥を低減したダイヤモンド半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable a developing device equipped with a toner density detecting sensor, to smoothly supply toner into a development tank by preventing toner concentration from being misdetected owing to sticking of a developer on a sensor surface of the toner concentration detecting sensor, temporary absence of a developer in a periphery of the sensor surface, etc., and then form an image of high density and high picture quality free of an image defect such as fogging.例文帳に追加

トナー濃度検知センサを備える現像装置において、トナー濃度検知センサのセンサ面への現像剤の付着、センサ面周辺における一時的な現像剤の不存在などに起因するトナー濃度の誤検知を防止し、現像槽内へのトナー補給を円滑に実行でき、かぶりなどの画像不良がなく、高濃度かつ高画質の画像を形成する。 - 特許庁

To provide a production process for chlorine dioxide aqueous solution that eliminates the defect that troublesome concentration adjustment of the hypochlorite solution with an expensive measuring device in order to suppress the chlorine content low, the manufacturing equipment therefor, an easier method for producing chlorine dioxide including a small amount of chlorine, the maintenance-free manufacturing equipment for chlorine dioxide.例文帳に追加

塩素含有量を低く抑えるために高価な測定装置を用いて次亜塩素酸塩溶液の煩わしい濃度調整濃度をしなければならない欠点を除いた二酸化塩素水の製造方法およびその製造装置を提供する. - 特許庁

A thermal treatment with rapid heating up and down is performed at ≥1,000°C for ≤10 seconds on a wafer obtained by cutting a silicon ingot having a straight drum portion free of a Grown-in defect and having an interstitial oxygen concentration [Oi] of ≥1.4×10^18 atoms/cm^3.例文帳に追加

Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない直胴部を持ち、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ 以上のシリコンインゴットから切り出したウェーハに１０００℃以上で１０秒以下の急速昇降温熱処理を施す。 - 特許庁

In a semiconductor substrate where an SiGe layer 2 is formed on an Si substrate 1, a crystal defect region 6 or a structure region 6a for facilitating generation or concentration of dislocation is formed on the interface of the Si substrate 1 and the SiGe layer 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ＳｉＧｅ層２が積層された半導体基板において、Ｓｉ基板１とＳｉＧｅ層２との界面に、転位を発生あるいは集中し易くするための結晶欠陥領域６あるいは構造領域６ａが形成されている。 - 特許庁

To efficiently remove a particle adhered at the time of an oxygen ion implantation, and to decrease a deep defect penetrating an SOI layer observed after dipping an SIMOX structure in a hydrofluoric acid solution of 50 wt% concentration at 23°C for 30 minutes.例文帳に追加

酸素イオン注入時に付着したパーティクルを効率良く除去し、ＳＩＭＯＸ構造において、温度２３℃での濃度が５０重量％であるフッ酸水溶液に３０分間浸漬した後に観察されるＳＯＩ層を貫通する深い欠陥を低減する。 - 特許庁

To provide a multi-dose type eye drop for corneal epithelial defect treatment containing hyaluronic acid at a high concentration of ≥0.3 w/v%, which has low cytotoxicity, is effectively prevented from decomposing thereby having high preservation efficacy and which has low irritation and satisfactory sense of use.例文帳に追加

細胞毒性が低く、かつ、効果的に腐敗が防止されて保存効力が高く、さらに低刺激で使用感が良好な、ヒアルロン酸を０．３ｗ／ｖ％以上の高濃度含有するマルチドーズ型角膜上皮障害治療用点眼剤を提供する。 - 特許庁

To provide a method for profitably producing a continuously cast slab with which the concentration of a solute element on the surface layer part of the cast slab can suitably be adjusted without causing the development of defect in the cast slab and the lowering of productivity caused by the lowering of molten steel temperature in the inner part of a mold.例文帳に追加

鋳型内部の溶鋼温度の低下に起因した鋳片欠陥の発生や生産性の低下を招くことなく、鋳片表層部における溶質元素の濃度を適切に調整することができる連続鋳造鋳片の有利な製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a sheet for inkjet recording which can make up for insufficiency of concentration of a printed part which is a defect when printing with a full color is performed, and insufficiency of absorbing properties of the printed part, and has no problem on strength of the sheet itself for inkjet recording and retention properties of inkjet printing.例文帳に追加

フルカラーで印字された場合の欠点であった印字部分の濃さの不足、印字部分の吸収性の不足を補い、なおかつ、インクジェット記録用シート自体の強度、インクジェット印字の保存性についても問題のないインクジェット記録用シートを提供する。 - 特許庁

In such a constitution, the outer diffusion of boron from the substrate region of MOSFET to the STI structured buried-in oxide films 34 is suppressed, thereby making feasible of obviating the kink defect due to the decline in the threshold value by the decrease in the boron concentration in the MOSFET substrate region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの基板領域からＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４中へのボロンの外方拡散が抑制され、ＭＯＳＦＥＴの基板領域のボロン濃度の低下によるしきい値電圧の低下に起因するキンク特性を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a coated sheet having a coated layer containing hollow particles uniformly and not having a coating defect, and further to provide a high-resolution recording sheet that does not cause a print failure but exhibits such qualities that a print concentration are stable when the coated sheet is used as a recording sheet.例文帳に追加

中空粒子を均一に含有し塗工欠陥のない塗工層を有する塗工シートを提供し、更に塗工シートを記録シートとして用いた場合、印画不良の無い、印画濃度等の品質が安定した高画質の記録シートを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of decreasing a characteristic defect occurring on the basis of an nonuniformity of an impurity (dopant) concentration in an impurity included region of the semiconductor layer; and to provide the semiconductor element, a semiconductor device, and a display unit.例文帳に追加

半導体層の不純物含有領域における不純物（ドーパント）濃度の不均一性に起因して発生する特性不良を低減することができる半導体素子の製造方法、半導体素子、半導体装置及び表示装置を提供する。 - 特許庁

Even when a surge voltage is applied, since a pn junction is formed by the n-type semiconductor layer region 130 and the p type impurity diffusion region 170, the concentration of the surge voltage on a defect is prevented and the destruction of the dielectric separation membrane 120 is prevented.例文帳に追加

サージ電圧が印加されたとしても、ｎ−型半導体層領域１３０とｐ型不純物拡散領域１７０とによりｐｎ接合が形成されているため、サージ電圧が欠陥に集中することを防ぎ、誘電体分離膜１２０の破壊を防止することができる。 - 特許庁

To provide a dip coating device that can perform concentration control over solvent vapor through easy operation when manufacture conditions are changed and then can form a superior coating having superior uniformity and small trailing and not causing a coating defect such as brushing.例文帳に追加

容易な操作により、製造条件の変更に対する溶媒蒸気の濃度制御を行うことが可能であって、これにより、均一性に優れ、タレが少なく、ブラッシングなどの塗膜欠陥を起こすことのない、優れた塗膜を形成することができる浸漬塗布装置を提供する。 - 特許庁

The stainless steel sheet having improved corrosion resistance in the weld heat affected zone is characterized in that the thickness of an oxide film is ≥15 nm, the concentration of Al in the oxide film is ≥50 atomic% in the atomic ratio of Al, Si, Mn, Cr and Fe, and further the defect rate of the oxide film is ≤3.0%.例文帳に追加

酸化皮膜の厚みが１５ｎｍ以上、酸化皮膜中のＡｌの濃度がＡｌ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｆｅの原子比率において５０原子％以上であるとともに、酸化皮膜の欠陥率が３．０％以下であることを特徴とする、溶接部熱影響部の耐食性が改善されたステンレス鋼板。 - 特許庁