「defect concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a silicon wafer that can prevent a wafer surface layer from being lowered in oxygen concentration due to the outward diffusion of oxygen, and also can prevent dislocation in an STI region to reduce or eliminate polishing damage and a local unevenness defect on a wafer surface caused by polishing.例文帳に追加

酸素の外方拡散によるウェーハ表層の酸素濃度の低下を防ぎ、ＳＴＩ領域での転位発生を防止でき、研磨ダメージや研磨起因のウェーハ表面の局所的な凹凸欠陥を低減もしくは消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The light-transmitting member is a light-transmitting member made of molten quartz glass containing titanium and is characterized in that the concentration of oxygen defect structures showing absorption at a wavelength in 163 nm is ≤6×10^-3 mol/L in 100 μm surface region from a light incident surface.例文帳に追加

この光透過部材は、チタンを含有する溶融石英ガラスよりなる光透過部材であって、当該光透過部材は、光入射面から１００μｍの表面層領域において、波長１６３ｎｍに吸収を示す酸素欠陥構造の濃度が６×１０^-3ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method, a high crystalline region with little defect is locally formed on a low crystalline silicon layer with much defects, and a probe is brought into contact with an inside of the high crystalline region to measure sheet resistance, then an ion implant dose is adjusted from the ion concentration thus obtained.例文帳に追加

本発明は、欠陥が多い低結晶性シリコン層に、欠陥の少ない高結晶性領域を局所的に形成し、その高結晶性領域内に探針を接触させてシート抵抗を測定し、得られたイオン濃度からイオン注入量を調整する製造方法を持つことを解決手段とする。 - 特許庁

To prevent stress concentration from occurring at the portion where corner parts are formed at right angle to each of the bottom tip end part of a columnar base material and the toe part on the groove side face of a beam base material and where a defect such as an undercut is caused therein, in a weld toe part bead that is formed using the conventional end tab.例文帳に追加

従来型のエンドタブを用いて形成される溶接止端部ビードにおいて、柱母材底面先端部および梁母材開先側面止端部の双方に直角な隅角部が各々形成され、それらの部分にアンダカット等の欠陥が生じた場合に、その部分に応力集中が生じることを防止する。 - 特許庁

In a SiC pin diode 20, an n-type minority carrier elimination layer 31, which is formed between an n-type SiC substrate 21 and an n-type buffer layer 22, has a higher concentration of carbon hole defects than the n-type buffer layer 22, and a carbon hole defect of the minority carrier elimination layer 31 serves as a trap for holes from p-type anode layers 24 and 25.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０では、ｎ型ＳｉＣ基板２１とｎ型バッファ層２２との間に形成したｎ型少数キャリア消滅層３１は、ｎ型バッファ層２２よりも炭素空孔欠陥の濃度が高く、少数キャリア消滅層３１の炭素空孔欠陥はｐ型のアノード層２４,２５からの正孔のトラップとして働く。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device, the quantity of thallium to be added to a plating solution 21 is detected by monitoring the applied voltage to the plating solution 21 during the process of forming gold bump electrode by a gold electroplating technology using a non-cyanide based plating solution to restrain the plating defect such as abnormal deposition of gold due to the decrease of the concentration of thallium to be added.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液２１への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液２１へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 - 特許庁

To provide a black ink for ink jet recording that has high dispersion stability in the ink of carbon block pigment used in the black ink for ink jetting, resistant to aggregation of carbon black even in the long-term stagnation, causes no clogging of the printing head on the ink injection and the print quality of the letters indicated with the black ink can attain the stabilized printing concentration without defect.例文帳に追加

インクジェット用ブラックインクに使用するカーボンブラック顔料のインク中での分散安定性が高く、長期の液停滞でもカーボンブラックの凝集が発生しにくく、インクとして出射する際にヘッドの目詰まりが起こりにくく、かつ、ブラックインクで表示する文字等の印字品質が画欠のない安定した印字濃度を達成できるインクジェット用ブラックインクを供給することである。 - 特許庁

By imparting the adhesion property to the stimulus sensitive adhesive after the step to contain the particles and the positioning step, or just before the positioning step, the uneven concentration and the display defect caused by the adhesive are eliminated because there is no defective adhesion, no attaching of the adhesive to the particles, no swelled out of the adhesive into a cell due to sagging and bloting of the adhesive in positioning.例文帳に追加

粒子の収容工程、位置合わせ工程後、または位置合わせ工程の直前に感刺激接着剤に粘着性を持たせることにより、接着不良、接着剤の粒子への付着、位置合わせ時に接着剤がダレたりにじんだりすることでセル内に接着剤がはみ出すこともないので、接着剤に起因する濃度むらや表示欠陥を無くすことができる。 - 特許庁

To provide an electrostatic latent image developing toner, a developer and an image forming method capable of satisfying the said demand even in an image forming method by applying a toner recycle system by continuously maintaining a stable charged amount and fluidity over a long period even in any environment, and obtaining the electrostatic latent image developing toner causing no image defect such as fog, cleaning failure and concentration reduction.例文帳に追加

いかなる環境でも長期に渡り安定した帯電量・流動性を維持し続け、カブリ、クリーニング不良、濃度低下等の画像欠陥を生じない静電潜像現像用トナーを得ること、トナーリサイクルシステムを適用した画像形成方法においても、上記要求を満たすことが出来る静電潜像現像用トナーと現像剤及び画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

Each silicon crystal is heated at a first temperature in order to bring an in-crystal defective reaction into its quasi thermal equilibrium state, and an infrared absorption spectrum of each silicon crystal is measured while keeping an in-crystal defect concentration in the quasi thermal equilibrium state, and a first absorption peak value resulting from NN pairs and a second absorption peak value resulting from NNO complexes are acquired.例文帳に追加

シリコン結晶の各々を、第１の温度まで加熱して、結晶内欠陥反応を準熱平衡状態まで至らしめ、シリコン結晶の各々について、準熱平衡状態における結晶内欠陥濃度を維持した状態で赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペアに起因する第１の吸収ピーク強度及びＮＮＯ複合体に起因する第２の吸収ピーク強度を求める。 - 特許庁

A method of inspecting the defect of a filter includes the steps of : generating a gas flow containing a liquid particle group; eliminating the particles relatively large in diameter among the liquid particle group; supplying the gas flow containing the liquid particle group whose large particles are eliminated to one end surface of the filter; and detecting a concentration distribution of the liquid particles in the gas discharged from the other end surface of the filter.例文帳に追加

フィルタの欠陥の検査方法は、液体粒子群を含むガス流を発生させる工程と、液体粒子群中の相対的に粒径が大きな粒子を除去する工程と、大きな粒子が除去された液体粒子群を含むガス流をフィルタの一端面に供給する工程と、フィルタの他端面から排出されるガス中の液体粒子の濃度分布を検出する工程と、を備える。 - 特許庁