「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(186ページ目) - Weblio英語例文検索

He ions are directed onto the entire surface of a chip, and a life time killer is introduced from a shallower position d2 than the position d1 of a pn junction surface 31 formed of the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion area 23, to a deeper position d3, thus forming a low life time area 32 on the entire surface of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

To prevent giving influence on the control of firing angle of a system and a DC transmission system, in system conditions where shaft torsional resonance phenomena do not occur, and precisely suppress the diffusion of the vibration of shaft torsional resonance phenomena, in the system conditions where the shaft torsional resonance phenomena occur.例文帳に追加

軸ねじれ共振現象が発生しない系統条件では、系統および直流送電システムの点弧角制御に影響を与えないようにし、軸ねじれ共振現象が発生する系統条件では、軸ねじれ共振現象の振動発散を的確に抑制すること。 - 特許庁

To provide a liquefied hydrogen storage and supply facility allowing efficient filling of liquefied hydrogen into an inner tank by reducing an atmospheric diffusion amount of hydrogen gas for keeping pressure in the inner tank constant without depending on the position of a liquid level of liquefied hydrogen in the inner tank.例文帳に追加

本発明は、内槽内の液化水素の液面の位置に依存することなく、内槽内の圧力を一定に保つための水素ガスの大気放散量を低減させて、内槽内に効率よく液化水素を充填可能な液化水素貯蔵供給設備を提供することを課題とする。 - 特許庁

In order to form the impurity diffusion regions, trenches embedded with a conductive film 10 are formed in parts of the base region, and then an impurity having the same conductivity type as that of the base region are ion-implanted into the side walls and bottoms of the trenches in a lower concentration than that of the base region and then are diffused.例文帳に追加

ベース領域の一部に導電膜１０が埋め込まれたトレンチを形成し、その側壁及び底部にベース領域と同じ導電型の不純物をベース領域の不純物濃度より低濃度にイオン注入し、拡散して前記不純物拡散領域が形成される。 - 特許庁

This deals with a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting element of a gallium nitride series that is composed of a contact metal layer contacting a p-type semiconductor layer, and an electric current diffusion layer provided with a bonding pad and a part of the contact metal layer whose electric conductivity is equal to or larger than that of the contact metal layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。 - 特許庁

In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁

The apparatus includes a light source 4 for irradiating the surface of a steel plate with light at a wavelength of 10.6 μm or longer and a detecting system for detecting minute defects in accordance with a light-dark pattern obtained by focusing and diffusion of light reflected by minute irregular flaws with irregularities on the surface of the steel plate.例文帳に追加

鋼板表面に波長が１０．６μm以上の光を照射する光源４と、前記鋼板表面の微小凹凸疵で反射された光の集束及び発散によって得られる明暗パターンに基づいて微小欠陥を検出する検出系とを有する。 - 特許庁

As to the target material and backing plate material, a structural control heat treating process for the target material and a solid phase diffusion joining process are simultaneously performed at a joining temperature of 400 to 500°C under the joining load pressure of ≤50 MPa for a joining time of ≤2 hr in a vacuum atmosphere of ≤0.1 Pa.例文帳に追加

該ターゲット材とバッキングプレート材とを、０．１Ｐａ以下の真空雰囲気中、４００℃〜５００℃の接合温度、５０ＭＰａ以下の接合時負荷圧力及び２時間以内の接合時間で、ターゲット材の組織制御熱処理工程と固相拡散接合工程とを同時に行うこと。 - 特許庁

To provide a method of producing a transparent electroconductive film, by which crystallization of an a-Si layer being a ground layer is prevented, and the diffusion of an impurity doped is suppressed, and to provide the transparent electroconductive film exhibiting a low resistivity at a substrate temperature of about 150°C and high transmissivity when its thickness is ≤100 nm.例文帳に追加

下地層としてのａ−Ｓｉ層を結晶化させることなく、かつドーピングした不純物の拡散を生じない透明導電膜の製造方法、および約１５０℃の基板温度で低抵抗であり、かつ膜厚１００ｎｍ以下で高透過率を示す透明導電膜を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of trenches 105, a plurality of gate electrodes 102, a plurality of diffusion layers 107, an interlayer insulating film 103, an electrode layer 110, a plurality of concave parts 108, 109 formed on the electrode layer 110, a solder layer 111, and a conductive plate 113.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、複数のトレンチ１０５、複数のゲート電極１０２、複数の拡散層１０７、層間絶縁膜１０３、電極層１１０、電極層１１０に形成された複数の凹部１０８，１０９、半田層１１１、並びに導電板１１３を備える。 - 特許庁

The liquid crystal display panel 2 and a backlight part constructed by using a light diffusion plate 3, a light reflection material 4 and an LED 6 to make light irradiate the side face is disposed on the side of one surface of a multilayer substrate 5 and a plurality of chip resistors 8 are disposed on the side of the other surface the multilayer substrate 5.例文帳に追加

多層基板５の一方の面の側に、液晶表示パネル２、および光拡散板３、光反射材４、側面照光ＬＥＤ６を用いて構成されるバックライト部を設け、多層基板５の他方の面の側には、複数のチップ抵抗８を配置する。 - 特許庁

Also, an incident light to be incident toward the top of the specific texture structure is reflected from a mirror surface 19A of a quadrangular reflection mirror 19 toward a diffusion layer 12 as a light receiving surface, and thus, as an increase in reflection rate of an incident light is suppressed, more amount of incident light increases.例文帳に追加

また、特定のテクスチャ構造の頂部に向けて入射される入射光は、四角錐状の反射鏡１９の鏡面１９Ａから受光面である拡散層１２に向けて反射されるため、入射光の反射率の増加が抑制され、その分、入射光量が増大する。 - 特許庁

A resulting spin valve sensor exhibits improvement of temperature stability principally attained through increase of GMR coefficient due to induced mirror face scattering of conduction electrons and protection of a fundamental detection layer against intefacial mixture or oxygen diffusion during annealing process.例文帳に追加

その結果生じたスピンバルブ・センサは、導通電子の誘起された鏡面散乱によると思われるＧＭＲ係数の増加、及びアニーリング・プロセス時の界面混合及び酸素拡散からの基礎的な検出層の保護によることを主にして得られる温度安定度の改良を示す。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

To provide a thermally expansive inorganic material which contributes to suppressing the expansion of damages such as the spread of fire or the diffusion of smoke to the minimum even when the fire breaks out and has shape holding property even when being exposed to a high temperature for a long period of time.例文帳に追加

万が一火災が発生した場合であっても、延焼や煙の拡散等の被害の拡大を最小限に抑えることに貢献することができる材料であって、長時間高温にさらされた場合でも、その形状保持性に優れる熱膨張性無機質材料を提供する。 - 特許庁

To provide a vulcanized-tire cooling device capable of accelerating uniform cooling and shortening a cooling time by uniformly spreading the air blown on a vulcanized tire over the outer peripheral surface of the vulcanized tire and capable of blocking the diffusion of oily smoke produced from the vulcanized tire.例文帳に追加

加硫後タイヤに対して吹き付けた風が加硫後タイヤの外周面に満遍なく行き渡るようにさせることで均一な冷却を促すと共に冷却時間を短縮させることができ、又、加硫後タイヤから発生した油煙の放散を遮ることができる加硫後タイヤ冷却技術の提供。 - 特許庁

A second buffer layer 15 made of a metallic material, of which the mutual diffusion with respect to the material of the piezoelectric precursor layer hardly occurs rather than the metallic material forming the actuator plate 22, is formed on the first buffer layer 14 to form a surface layer 13 on the top face of the actuator plate 22.例文帳に追加

第１緩衝層１４上に、圧電シートとなる圧電前駆体層の材料との相互拡散がアクチュエータプレート２２を構成する金属材料よりも生じにくい金属材料からなる第２緩衝層１５を形成し、アクチュエータプレート２２の上面に表層１３を形成する。 - 特許庁

The membrane separation activated sludge apparatus includes a permeation type membrane separation apparatus device, an air-diffusion apparatus of supplying oxygen to an activated sludge and washing a membrane of the membrane separation activated sludge apparatus, and a water flow forming apparatus of forming water flow toward a face of the membrane in an activated sludge treatment tank.例文帳に追加

上記課題は、活性汚泥処理槽内に、浸透型膜分離装置と、活性汚泥への酸素供給と前記膜分離装置の膜の洗浄を兼ねた散気装置と、前記膜の面に向けた水流を形成する水流形成装置を備えた膜分離活性汚泥装置によって解決される。 - 特許庁

In the antipollution film provided with a long float having a plurality of floating elements stored in a cylindrical float cover along the upper part of a skirt used for preventing diffusion of pollutants in water, a high-luminance reflector is mounted on the float part, e.g. on an upper reinforcing belt, or the overall surface of the float part.例文帳に追加

汚濁物の水中での拡散を防止するためのスカートの上部に沿って、筒状のフロートカバー内に複数の浮力体を収容した長尺のフロートを設けた汚濁防止膜において、前記フロート部、たとえば上部補強ベルトあるいはフロート部全面に高輝度反射材を取り付ける。 - 特許庁

To provide a fuel cell system of stably supplying water and suppressing deterioration of performance and durability by arranging respective equipments for every operational temperature and function and minimizing diffusion of heat and fluid, and by inhibiting air biting of a water supply device as much as possible.例文帳に追加

各機器を作動温度毎及び機能毎に配置して熱や流体の拡散を最小化するとともに、水供給装置のエア噛みを可及的に阻止することで、水を安定的に供給し、性能及び耐久性の低下を抑制させる燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

Here, the doping of C is important to give a surface channel CMOS device provided with the mid gap metal gate while an excellent short channel effect is maintained by holding the shallow B profile through the additional degree of freedom to relaxing the diffusion of B (even in the case of the subsequent activation heat cycle).例文帳に追加

ここで、Ｃ共ドーピングは、（後続のアクティベーション熱サイクルの際にも）Ｂの拡散を弱める追加の自由度を与えて浅いＢプロファイルを保持し、これは、良好な短チャネル効果を保持しながらミッドギャップ金属ゲートを備える表面チャネルＣＭＯＳデバイスを与えるために重要である。 - 特許庁

In this case, the Schottky barrier diode comprising the junction of a diffusion layer used in the formation of the circuit element to a metal wiring layer is used in the latch-up-operation preventing circuit of the parasitic thyristor so that with a smaller area, higher protective effect for the circuit than that of the conventional cases can be obtained.例文帳に追加

そして、回路素子の形成に用いられる拡散層と金属配線層の接合からなるショットキーバリアダイオードを寄生サイリスタラッチアップ動作防止用回路に用い、従来のものよりもより小面積で、より高い保護効果を得ることができるようにしてている。 - 特許庁

When the hinge ball 13 and the driving shaft 7 are made of iron alloy, the inner circumference surface of the hole 13a of the hinge ball 13 is subjected to chemical conversion coating electroless plating method process, or low-temperature sulfide permeation treatment, so that an oxidation film, plating 37, or an iron sulfide diffusion layer is formed on the inner circumference of the hole 13.例文帳に追加

ヒンジボール１３及び駆動軸７を鉄系合金で形成した場合に、ヒンジボール１３の孔１３ａの内周面表面に、化成処理、無電解メッキ法又は低温浸硫処理を施すことにより、酸化皮膜、メッキ３７又は硫化鉄の拡散層を形成する。 - 特許庁

A light-sensitive resin is applied to a transparent resin substrate 4 capable of transmitting visible light, diffusion light, and parallel light are applied from the side of the surface for applying the light-sensitive resin and the side of the resin substrate 4, respectively, for sensitizing the light-sensitive resin, thus creating a hologram 6 on one surface of the resin substrate 4.例文帳に追加

可視光を透過する透明な樹脂基板４に感光樹脂を塗布し、感光樹脂塗布面側から拡散光を、樹脂基板４側から平行光を照射して感光樹脂を感光させることにより、樹脂基板４の一方の面にホログラム６を作製する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a liquid impurity material source 2 composed of mixed material of aluminum, boron and organic solvent is spread on the surface of an N-type semiconductor substrate 1 and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, the organic solvent is vaporized, and a layer containing aluminum and boron is formed.例文帳に追加

アルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ形半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

The adhesion between the current collector and the active material layer is improved without forming the diffusion layer between the current collector and the active material layer, thereby obtaining the electrode compatible with suppression of deformation of an electrode plate and exfoliation of the active material due to charge and discharge reactions of a battery.例文帳に追加

これによって、集電体と活物質層間に拡散層を形成することなく、集電体と活物質層間の密着性が向上し、電池の充放電反応による極板の変形及び活物質の剥離の抑制を両立した電極を得ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a diffusion transfer process planographic printing plate with an aluminum substrate as the base having both good printing resistance and stain suppressing performance, capable of preventing the whitening of the non-image area and capable of also suppressing the occurrence of undissolved matter, that is, sludge in a developing solution and in a solution used for removing the emulsion layer.例文帳に追加

耐刷性能と汚れ抑止性能の両性能が共に良好で、かつ非画像部の白色化の防止、現像液や乳剤層除去液中の不溶解物すなわちヘドロの発生も抑制できるアルミニウム基板を支持体とした拡散転写法平版印刷版を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical polyester film which can be manufactured using a relatively small amount of a binder providing little load to the environment, has excellent light concentration and light diffusion, and can give high brightness with little unevenness of brightness when used for a base material of a prism sheet of a liquid crystal display device.例文帳に追加

環境への負荷が少ない比較的少量のバインダーを用いて製造することができ、かつ優れた集光性と光拡散性を備え、液晶表示装置にプリズムシートの基材として用いたときに、高い輝度を得ることができ、輝度の斑の少ない、光学用ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a structure for an organism-enclosed bioreactor to suppress diffusion of enclosed organisms from a reaction system of the bioreactor to outside of the system while facilitating inward and outward transfer of materials of the bioreactor by controlling the size of the inner space of a porous structure, and to provide the organism-enclosed bioreactor and a method for producing the bioreactor.例文帳に追加

多孔質構造体における内部空間の大きさを制御してバイオリアクターの内外の物質移動を容易としながらも封入した生物体がバイオリアクターの反応系からその外部へ拡散することを低減した生物体封入バイオリアクター用構造物及び生物体封入バイオリアクター、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

A diffusion state estimating device generates the gas flow field data of each of the divided areas 50 formed by dividing the specific region A3 into a plurality of areas, combines the gas flow field data of each of the plurality of generated divided areas 50, sets the specific region A3 of wider range, and generates the gas flow field data corresponding to the specific region A3.例文帳に追加

拡散状況予測装置は、特定領域Ａ３を複数の領域に分割した分割領域５０毎に気流場データを生成し、生成された複数の分割領域５０毎の気流場データを結合し、より広い領域の特定領域Ａ３を設定し、該特定領域Ａ３に対応する気流場データを生成する。 - 特許庁

While an entropy variation in each of the charging states is calculated based on the open circuit voltage at the plurality of temperatures measured in each of the charging states, a chemical diffusion coefficient in each of the charging states is calculated based on the balanced potential of the secondary battery measured in each of the charging states and the potential change of the secondary battery.例文帳に追加

各充電状態におけるエントロピー変化量を、各充電状態において測定した複数の温度における開回路電圧に基づいて算出すると共に、各充電状態における化学拡散係数を、各充電状態において測定した二次電池の平衡電位と、二次電池の電位変化とに基づいて算出する。 - 特許庁

The hydrogen-permeable membrane selectively permeates hydrogen, includes a metal layer, wherein the theoretical hydrogen permeability defined by the diffusion coefficient of hydrogen and the product of the degree of solid solution is equal to the pure Pd or higher, and forms the hydrogen-permeable membrane having the thickness of a surface oxidized layer of at least one side of two surfaces of the hydrogen-permeable membrane is 100 nm or less.例文帳に追加

水素を選択的に透過させる水素透過膜であって、水素の拡散係数と固溶度の積で定義される理論水素透過度が純Pdと同等以上の金属層を含み、前記水素透過膜の２つの面のうち少なくとも一方の表面酸化物層厚が１００nm以下である水素透過膜を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar battery includes: a step of applying the alcoholic solution of phosphorous acid to a p-type semiconductor substrate by the inkjet method so that the dots of the alcoholic solution of the phosphorous acid partially overlap; and a step of forming the n-type diffusion layer of a different phosphor concentration on the p-type semiconductor substrate by thermally diffusing phosphor.例文帳に追加

リン酸のアルコール溶液のドットが一部重なり合うようにリン酸のアルコール溶液をインクジェット法によりｐ型半導体基板に塗布する工程と、リンを熱拡散させることによりｐ型半導体基板上にリン濃度の異なるｎ型拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

To minimize deterioration of characteristics of an element by preventing an increase of resistance of a bit line and a storing electrode by lowering a deposition temperature of a buffer oxide film formed before deposition process of a nitride film for a gate spacer and by preventing out-diffusion of impurities implanted to a source/drain region.例文帳に追加

ゲートスペーサ用窒化膜の蒸着工程の前に形成する緩衝酸化膜の蒸着温度を低め、ソース／ドレイン領域に注入された不純物のアウト・ディヒュージョンを防ぐことにより、ビットラインと貯蔵電極のコンタクト抵抗の増加を防いで素子の特性の劣化を最小化させ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

A frequency diffusion information generation circuit 90 is provided; sine waves are generated from phase error information and frequency diffusion information outputted from a digital LPF 8 by a second DTO 91 and a second DAC 92, and multiplied by an analog PLL 93; and thereby the clock generator capable of outputting clocks subjected to frequency diffusion from a clock output terminal 94, and consciously diffusing frequencies to suppress interference generated form high frequencies used by a system.例文帳に追加

周波数拡散情報発生回路９０を設け、第二のＤＴＯ９１と第二のＤＡＣ９２にてデジタルＬＰＦ８から出力される位相誤差情報と周波数拡散情報から正弦波を発生し、アナログＰＬＬ９３で逓倍することにより、クロック出力端子９４から周波数拡散されたクロックを出力することができ、システムが用いる高い周波数からでる妨害を抑制するために意識的に周波数を拡散できるクロック発生装置を得ることができる。 - 特許庁

To provide a barrier film for preventing infiltration/diffusion of one or both constituting atoms to/in the other at an extreme space-saving and a low cost as compared with those of the barrier film provided at present in a boundary contacted with an Si and a metal.例文帳に追加

Ｓｉと金属が接する界面において，一方若しくは双方の構成原子の他方への侵入・拡散を防ぐバリア膜を，現在提供されているバリア膜に比べ，極めて省スペース且つ低コストで提供する。 - 特許庁

A diffuse transmission means 70 for diffuse transmission of the light of the light source 90 and a diffuse-preventing transmission means 80 for transmitting the light while preventing the diffusion thereof are provided between the designed lens body 61 and the light source 90.例文帳に追加

意匠レンズ体６１と光源９０との間には、同光源９０の光を拡散透過させる拡散透過手段７０と、光の拡散を防止しながら透過させる拡散防止透過手段８０とがそれぞれ設けられる。 - 特許庁

The bulk density is greater, a placement thickness is relatively smaller and the rate of short or small coals is higher to improve the diffusion efficiency of noises, while a specific surface area is larger to improve moisture control performance.例文帳に追加

この発明は、嵩密度を大きくして敷設厚みを相対的に薄くし、短いもしくは小さな炭の占める割合を高くして音の拡散効率を高めつつ、比表面積を大きくして調湿性能も向上させる。 - 特許庁

When a person does not exist within a photographing region, diffusion light is emitted from one or two lights (or no irradiation light is emitted from either of the lights 41A or 41B) according to the brightness of the photographing region.例文帳に追加

撮影領域内に人物が存在していない場合には、撮影領域の明るさに応じて１つ又は２つのライトに拡散光を出射させる（或いは、ライト４１Ａ及び４１Ｂの何れにも照射光を出射させない）。 - 特許庁

A second select transistor 23 is connected between the other end of the first select transistor and a bit line 15, and comprises a stack of a first conductive film 62, inter-electrode insulating film 63, second conductive film 64, and source/drain diffusion layers 65.例文帳に追加

第２選択トランジスタ２３は、第１選択トランジスタの他端とビット線１５との間に接続され、積層された第１導電膜６２と電極間絶縁膜６３と第２導電膜６４と、ソース／ドレイン拡散層６５と、を有する。 - 特許庁

The direct type backlight module comprises a plurality of light emitting units, and the flux of light from these light emitting units irradiates on a diffusion plate after being reflected by a reflecting plate, or directly, and is used as a flat surface backlight light source.例文帳に追加

本発明の直下式バックライトモジュールは、複数の発光ユニットを含み、当該発光ユニットからの光束は、反射板により反射された後に、或いは直接に、拡散板に照射し、平面式バックライト光源として用いられる。 - 特許庁

Related to an embedded second layer wiring L2, comprising a conductive barrier film 17a that has barrier properties for diffusion of copper and the main conductor film 18a containing copper as the main component, the upper corners of the main conductor film 18a are made round.例文帳に追加

銅の拡散に対してバリア性を有する導電性バリア膜１７ａおよび銅を主成分とする主導体膜１８ａを有する埋込第２層配線Ｌ２において、主導体膜１８ａの上部角に丸みを形成した。 - 特許庁

Resistances between specific electrode materials (between 22 and 20, 20 and 21, and 21 and 23) are detected and based on these detection results, contact resistance, sheet resistance of diffusion layers 16-18 and error of width dimension thereof are calculated.例文帳に追加

所定の電極材間（２２と２０との間、２０と２１との間及び２１と２３との間）の抵抗値を検出し、これら検出結果に基づいて、コンタクト抵抗、拡散層１６〜１８のシート抵抗及び幅寸法の誤差を算出する。 - 特許庁

Mutual diffusion of impurities between the high resistance buried layer 13 and the clad layer 15 is prevented, efficiency of current injection to an active layer is improved by preventing current leak path in the high resistance buried layer, and light emission efficiency is improved.例文帳に追加

高抵抗埋め込み層１３とクラッド層１５との間の不純物の相互拡散を防止し、高抵抗埋め込み層での電流リークパスを防止して活性層への電流注入の効率を改善し、発光効率を改善する。 - 特許庁