Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(220ページ目) - Weblio英語例文検索
[go: Go Back, main page]

1153万例文収録!

「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(220ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > diffusion ofに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

diffusion ofの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 12851



例文

To provide a pattern defect detection device that detects a fluorescent image, a diffusion light image, and a reflection light image of a substrate formed by laminating dry films so as to easily detect various defects occurring in an exposure process.例文帳に追加

ドライフィルムが積層された基板の蛍光イメージと散乱光イメージ、そして反射光イメージをさらに検出して、露光工程で発生する様々な欠陥を容易に検出できるようにしたパターン欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁

The fuel spray 10 received by the reentrant 12 can be directed to the spark plug 1 without diffusion, and the centricity of a fuel spray 21 tumbling up to the spark plug 1 can be increased to improve ignitability.例文帳に追加

これにより、凹部12が受けた燃料噴霧10を拡散させずに点火プラグ1へ向かわしめることができ、かつ、点火プラグ1に向かって巻き上がる燃料噴霧21の集中度を高めて着火性を向上することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and manufacturing method thereof in which diffusion layers obtained from a desired channel width can be formed without depending on a transistor size, in the semiconductor device consolidated with memories or logics of different transistor sizes.例文帳に追加

トランジスタサイズの異なるメモリ、ロジックなどを混載する半導体装置において、トランジスタサイズに依存することなく、所望のチャネル幅が得られる拡散層を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A diffusion protective film 26 comprising nuclear forming Cu film 25 and TaN is sequentially formed on the surface of a stepped film 10 with a wiring pattern 23 and a connecting hole pattern 24 formed therein, when a grooved wiring and a connecting hole plug are formed.例文帳に追加

溝配線および接続孔プラグを形成する際に、配線パターン23および接続孔パターン24が設けられた段差膜10の表面に、核形成Cu膜25およびTaNからなる拡散防止膜26を順次成膜する。 - 特許庁

例文

First and second n-type semiconductor parts 203a and 203b are provided on the surface of the p-type semiconductor layer 202, while a p-type surface diffusion part 206 is provided between the first and second n-type semiconductors 203a and 203b.例文帳に追加

P型半導体層202の表面部分に、第1および第2N型半導体部203a,203bをすると共に、この第1および第2N型半導体部203a,203bの間に、P型表面拡散部206を備える。 - 特許庁


例文

The wound dressing material has a three-dimensional continuous network structure obtained by dissolving a bubble forming material in a solvent and extracting and removing the bubble forming material from a molded body of a diffusion solution including polyurethane resin and the bubble forming material.例文帳に追加

ポリウレタン樹脂と気泡形成材とを含む分散液の成形体から、前記気泡形成材を溶媒に溶解させて抽出除去して得られる3次元連続網状構造を備えた創傷被覆材を提供する。 - 特許庁

Further, under state of making an atmospheric temperature in a temperature-dropping chamber as a first treating temperature, the diffusion-treatment is performed, and the atmospheric temperature in the temperature-dropping chamber is dropped to a second treating temperature at lower than the first treating temperature so as to perform the temperature-dropping treatment.例文帳に追加

また、降温室の雰囲気温度を第一の処理温度にした状態で、拡散処理を行い、降温室の雰囲気温度を第一の処理温度よりも低い第二の処理温度に低下させて、降温処理を行うようにした。 - 特許庁

The illumination apparatus for space production 1 includes the screen 30, on which projection light from the projector 20 is projected, and a diffusion reflection plate 40, where a part of projection light from the projector 20 is made incident and diffused.例文帳に追加

空間演出照明装置1は、プロジェクタ20からの投射光を投影するスクリーン30と、プロジェクタ20からの投射光の一部が入射され、入射された光を拡散する拡散反射板40を有している。 - 特許庁

In the solid-state imaging device in which a plurality of pixel cells are arranged in the line direction or the column direction, each pixel cell includes: a photoelectric conversion part; a transfer transistor; a floating diffusion part; a source follower transistor; a selection transistor; and a rest transistor.例文帳に追加

複数の画素セルを行方向または列方向に並べた固体撮像素子において、各画素セルは、光電変換部と、転送トランジスタと、フローティングディフュージョン部と、ソースフォロアトランジスタと、選択トランジスタと、リセットトランジスタとを備える。 - 特許庁

例文

Two bell-jars 1a and 1b, which are respectively provided with antennas 6a and 6b for generating helicon waves and coils 7a and 7b for generating a magnetic field on their peripheries, are made to communicate with a diffusion chamber 2 housed with a substrate 4 of a deposition object and are parallel-arranged.例文帳に追加

ヘリコン波発生用のアンテナ6a,6b及び磁場発生用のコイル7a,7bを周囲に設けた2個のベルジャ1a,1bが、成膜対象の基板4を収容した拡散チャンバ2に連通させて並列に配設されている。 - 特許庁

例文

When P ions are to be injected, a region other than a region, such as the surface of the N+ diffusion layer where the Co silicide film is hard to be formed is selectively masked by a resist, and P ions are merely injected into the region, where the Co silicide film is hard to be formed.例文帳に追加

Pイオンの注入に際しては、N^+拡散層上のようにCoシリサイド膜を形成しにくい領域以外をレジストにて選択的にマスクし、Coシリサイド膜を形成しにくい領域にのみPイオンを注入する。 - 特許庁

To allow diffusion at a highly precise diffusing temperature, even when an air mix damper for regulating a mixing ratio of heat radiated from an evaporator and a heater core is driven from a cool air side or from a hot air side, while using inexpensive constitution.例文帳に追加

安価な構成を用いつつ、エバポレータ10とヒータコア12から放射する熱の混合比を調節するエアミックスダンパ24を冷風側から駆動しても暖風側から駆動しても、高精度の吹出温度を吹出することを可能とする。 - 特許庁

To provide a soft magnetic powder material provided with a coated layer having high barrier properties to the diffusion of elements to iron powder grains, to provide its production method, to provide a soft magnetic compact using the soft magnetic powder material, and to provide its production method.例文帳に追加

鉄粉粒子への元素拡散に対するバリヤ性が高い被覆層をもつ軟磁性粉末材料およびその製造方法、ならびにその軟磁性粉末材料を用いた軟磁性成形体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacture, a first layer metallic wiring 2, an SiOF film 3, and an F diffusion preventing film 6 are formed on the surface of the base layer 1 including a substrate, an element made on the substrate, and an insulating layer formed to cover the substrate and the element.例文帳に追加

基板と基板上に形成された素子と基板及び素子を覆うように形成された絶縁層とを含む下地層1の表面に、第1層金属配線2と、SiOF膜3と、F拡散防止膜6とを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises second Cu wiring 105 provided on the first barrier insulating film 103 and a second barrier insulating film 106 that is provided on the second Cu wiring 105 and prevents diffusion of Cu from the second Cu wiring 105.例文帳に追加

また、第1のバリア絶縁膜103の上には、第2のCu配線105と、第1のCu配線105の上に設けられ、第2のCu配線105からCuの拡散を防ぐ第2のバリア絶縁膜106と、を備える。 - 特許庁

To provide a silver salt diffusion transfer type aluminum printing plate having excellent reproducibility of thin lines and printing durability, satisfactory overall printing characteristics such as ink accepting property, ink releasing property and blanket piling, and wide development latitude, and to provide its platemaking method.例文帳に追加

細線再現性と耐刷性に優れ、さらに、インキ受理性、インキ脱離性、ブランパイル等の総合的な印刷特性が満足できる現像寛容性の広い銀塩拡散転写型アルミニウム印刷版とその製版方法を提供する。 - 特許庁

Carbon or nitrogen is vapor-phase vapor-deposited on a surface of a base material at high temperature to form a niobium carbide or niobium nitride diffusion layer, and silicon is vapor-phase vapor-deposited thereon to manufacture a nano composite coated layer by the solid phase substitution reaction.例文帳に追加

高温で母材表面に炭素または窒素を気相蒸着してニオビウム炭化物またはニオビウム窒化物拡散層を形成した後、シリコンを気相蒸着して固相置換反応によってナノ複合被覆層を製造する。 - 特許庁

Then, before the formation of a second insulating film 19, a metal diffusion preventive layer 16 which is on the first insulating layer 11 and is unintentionally generated due to partially selective breakage, or remaining metal ions 17 or the like is removed through CMP process.例文帳に追加

その後、第2の絶縁膜19形成前に、第1の絶縁膜11上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜16や、残留金属イオン17等を除去するCMP工程をする。 - 特許庁

A charge transfer path 13, a floating diffusion region 14 constituted of an n-type impurity region, an n-type buried region 16 and a reset drain region 15 are formed in a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

n型半導体基板11上のpウェル12には、電荷転送路13、n型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域14、n型埋め込み領域16及びリセットドレイン領域15が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with the long-life metal wiring by improving the adhesion between the metal wiring and a metal diffusion prevention film in the metal wiring, such as Cu wiring, and by improving the electromigration resistance of the metal wiring.例文帳に追加

Cu配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the diffusion of an aldehyde gas generated from a napped fabric such as a carpet or moquette used inside a house, automobile, train, airplane, or the like as much as possible to keep the indoor air clean.例文帳に追加

本発明は、住宅や自動車の室内、電車、旅客機等の室内に使用されるカーペット、モケット等の立毛布帛から発生するアルデヒドガスの拡散を極力防止して、室内空気をクリーンな状態に維持することを目的としている。 - 特許庁

This lens array sheet 2 is provided with an adhesive layer 7 to which ultraviolet absorbent is added between a lens array layer 3 controlling the angle of view and a diffusion layer 8, and is combined with a Fresnel lens to constitute the transmission type screen.例文帳に追加

視野角を制御するレンズアレイ層3と拡散層8との間に紫外線吸収剤が添加された粘着剤層7が設けられているレンズアレイシート2を構成し、これをフレネルレンズと組み合わせて透過型スクリーンを構成する。 - 特許庁

To provide a superior gas diffusion cathode which has long time stability and lowers cell voltage compared to a conventional electrode so as to enable the industrial production of gases through brine electrolysis in which the cathode is exposed to a harsh electrolysis environment.例文帳に追加

過酷な電解環境に曝される食塩電解用ガスを工業的に操業することを可能にするために、従来の電極に比較して、長期間安定で、セル電圧の小さい優れたガス拡散陰極を提供する。 - 特許庁

Uniform laser illumination is realized by making a uniform laser emission line, and the uniform laser emission line is made by a method of causing a heteromorphic beam after laser beam diffusion to pass a rectangular mask and directly converting it into an emission line by an optical lens.例文帳に追加

均一なレーザー照明は、均一なレーザー輝線を作ることであり、本実施例では、レーザービーム拡散後の異形状ビームを四角形のマスクを通過させ直接光学レンズにて輝線に変換する方法で解決した。 - 特許庁

In a heterojunction bipolar transistor having a collector layer (12), a base layer (13), and an emitter layer (14), an Au diffusion preventing layer (20) of InP or InGaP is formed between an emitter electrode (19) including gold and the base layer (13).例文帳に追加

コレクタ層(12)、ベース層(13)及びエミッタ層(14)を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、金を含むエミッタ電極(19)とベース層(13)との間に、InP又はInGaPのAu拡散防止層(20)を備える。 - 特許庁

After the thermal diffusion, when etching performs a pn junction isolation by using a substrate surface treatment apparatus, the semiconductor substrate 1 is installed in a conveyance roller 6 so that the upper side 7 of the semiconductor substrate 1 may turn to the up-stream conveyance direction.例文帳に追加

熱拡散後、基板表面処理装置を使用して、pn接合分離をエッチングによって行うとき、半導体基板1の上辺7が搬送方向上流側に向くように、半導体基板1を搬送ローラ6に設置する。 - 特許庁

The radio wave absorbing body of high thermal conductivity comprises a composite material where the powder comprising the metal soft- magnetic body in which an insulating film is formed on its surface and a thermally conductive filler are in diffusion phase while the polymer material is in matrix phase.例文帳に追加

高熱伝導性電波吸収体は、絶縁性皮膜が表面に形成された金属軟磁性体からなる粉体と、熱伝導性充填材とを分散相とし、高分子材料をマトリックス相とする複合材料よりなる。 - 特許庁

The diffusion/reflection type screen is manufactured by separately weaving a crepe weave surface cloth and a both-side satin weave lining by using a multifilament thread (for instance, 84 d tex/72 or 36 filaments) of polyethylene terephthalate and then just laminating with an adhesive.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレートのマルチフィラメント糸(例えば84デシテックス/72または36フィラメント)を用いて、梨地織りの表地と、両面朱子織りの裏地を別個に製織し、接着剤で貼り合わせるだけで、拡散反射型スクリーンとする。 - 特許庁

Then, a material gas is introduced into the plasma vapor deposition system leaving the substrate 101 in it, and a fluorine diffusion inhibiting film 10 is grown on the fluorine-doped silicon oxide film 2 by the use of the plasma.例文帳に追加

次いで、プラズマ気相成長装置内に基板101を設置したまま材料ガスをプラズマ気相成長装置内に供給し、プラズマを用いてフッ素ドープシリコン酸化膜2上にフッ素拡散抑制膜10を成長させる。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric material having a low dielectric constant and exhibiting excellent heat resistance, thermal conductivity and mechanical strength in which diffusion of the metal in a wiring material into an insulating film can be controlled, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

誘電率が低く、さらに耐熱性、熱伝導性、機械強度に優れ、熱膨張係数と配線材料の金属の絶縁膜中への拡散を抑制することのできる層間絶縁膜材料および半導体装置の提供。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises the floating gate 5, a source diffusion layer 2 which is capacitive-coupled with the floating gate 5 and controls the potential of the floating gate 5, and the control gate 7 so disposed as to be opposite to the floating gate 5.例文帳に追加

この半導体メモリは、浮遊ゲート5と、浮遊ゲート5と容量結合され、浮遊ゲート5の電位を制御ゲートするためのソース拡散層2と、浮遊ゲート5と対向するように配置された制御ゲート7とを備えている。 - 特許庁

The method also comprises the step of extracting the grain boundary fault from a potential and carrier density obtained from the capacity-voltage measurement, and a current-voltage measurement by using a depletion layer approximation at the boundary, drift diffusion equation and thermo-ionic emission equation.例文帳に追加

容量-電圧測定から得られたポテンシャルとキャリア密度、および、電流-電圧測定から、粒界での空乏層近似とドリフト拡散方程式とサーモアイオニックエミッション方程式を用いて、粒界欠陥を抽出する。 - 特許庁

A Ni component diffused from a fuel electrode on the opposite side of an LDC material to the LSGM material is captured by the scattered MgO grains to inhibit the diffusion in the electrolyte layer toward the air electrode side.例文帳に追加

LDCを挟んでLSGMと反対側に形成されている燃料極から拡散されるNi成分は、この点在しているMgO粒子によって捕捉され、電解質層中を空気極側へ拡散することが抑制される。 - 特許庁

In the semiconductor device, an NMOS transistor Q11 formed in an NMOS transistor forming region A1 is constituted so that a source-drain region 15 is formed by passing through a buried oxide film 4 to a threshold voltage diffusion layer 18 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

NMOS形成領域A1に形成されるNMOSトランジスタQ11において、ソース・ドレイン領域15は埋め込み酸化膜4を貫通して半導体基板1の閾値電圧制御拡散層18に達して形成される。 - 特許庁

A manner in which at least two sheets are selected from diffusion sheets, lens sheets, and polarizing reflection sheets, and a manner in which a plurality of spot gluing sections exist and notches exist between the spot gluing sections are preferable.例文帳に追加

該少なくとも2つのシートが、拡散シート、レンズシート、及び偏光反射シートから選択される態様、該点接着部を複数有し、かつ該点接着部と該点接着部との間に切り込みを有する態様などが好ましい。 - 特許庁

An adhesion strength enhancing layer containing chromium, a copper diffusion-barrier layer containing nickel or molybdenum and the electroconductive layer comprising copper or a copper alloy are formed on one side or both sides of the resin film containing a polyimide resin.例文帳に追加

ポリイミド樹脂を含む樹脂フィルムの片面もしくは両面における表面上に、クロムを含む密着力向上層と、ニッケルまたはモリブデンを含む銅拡散バリア層と、銅または銅合金からなる導電層を形成する。 - 特許庁

To improve the adhesion and durability of the film stacks during subsequent elevated temperature processing in a method for forming modulated tantalum/tantalum nitride diffusion barrier stacks on semiconductor device substrate used in interconnect structure.例文帳に追加

配線構造に使用される半導体デバイスの基板上に、調節されたタンタル/窒化タンタルの拡散障壁の積み重ねを形成する方法において、後の高温の加工中における膜の積み重ねの付着性及び耐久性を改善する。 - 特許庁

A polymer binder containing fine powder of a water repellent organic fluorine compound polymer is mixed with carbon black powder, and the resulting mixture is applied onto a carbon fiber nonwoven fabric and solidified by hot press to produce a porous diffusion layer 2 (preparation process).例文帳に追加

撥水性の有機フッ素化合物ポリマーの微粉末を含む高分子バインダーとカーボンブラック粉末とを混合し、カーボン繊維の不織布に塗布した後、ホットプレス法によって固めて多孔質の拡散層2を得る(準備工程)。 - 特許庁

An insulated gate type semiconductor device having a trench gate forms a dummy trench by nearing to a trench gate, diffuses boron or the like from the bottom part, and forms a P+ diffusion region 112 so as to include the deepest part of the trench gate.例文帳に追加

トレンチゲートを有する絶縁ゲート型半導体装置において、トレンチゲートに近接してダミートレンチを形成し、その底部よりボロン等を拡散し、トレンチゲートの最深部を含むようにP+拡散領域112 を形成した。 - 特許庁

The oxide film 603 exposing over the semiconductor substrate 600 is removed, and a silicide film 607 is formed on the surfaces of the gate electrode 602 and first impurity diffusion layer 605, and then the sidewall 604 is removed.例文帳に追加

半導体基板600の上に露出する酸化膜603を除去した後、ゲート電極602及び第1の不純物拡散層605の表面部にシリサイド膜607を形成し、その後、サイドウォール604を除去する。 - 特許庁

Therefore, the emitter diffusion layer 5 is a shallow junction and the impurity concentration of an emitter becomes high, thereby realizing a high-performance semiconductor device which simultaneously obtains a high current amplification factor without reducing an early voltage or emitter-collector voltage resistance.例文帳に追加

従って、エミッタ拡散層5は浅い接合で、且つエミッタの不純物濃度は高くなるので、アーリー電圧やエミッタ・コレクタ耐圧を低下させることなく、同時に高い電流増幅率を得る高性能な半導体装置を実現できる。 - 特許庁

The fuel cell 100 includes the membrane-electrode assembly 110 formed by arranging the catalyst layer 114, the water repellent layer 116 containing carbon and the water repellent material, and the gas diffusion layer 118 in this order on both sides of the electrolyte membrane 112.例文帳に追加

燃料電池100は、電解質膜112の両面に、触媒層114と、カーボンおよび撥水材を含む撥水層116と、ガス拡散層118とがこの順に配置された膜電極接合体110を備える。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer used for a fuel cell, capable of appropriately exhausting unnecessary moisture in a catalyst layer constituting the fuel cell; to provide a membrane electrode assembly, and to provide the fuel cell equipped with them.例文帳に追加

燃料電池を構成する触媒層において、不要な水分を適切に排出することかできる燃料電池に用いられるガス拡散層および膜電極接合体、並びに、これらを備えてなる燃料電池を提供する。 - 特許庁

The die includes a seal ring structure, located below a substrate and situated around at least one substrate region, and at least one means, connected to the seal ring structure to prevent substantially the diffusion of ion into the substrate region.例文帳に追加

基板の下方にあり、少なくとも1つの基板領域の周りにあるシールリング構造、及び前記シールリング構造に結合され、前記基板領域内へのイオンの拡散を実質的に防ぐ少なくとも1つの手段を含むダイ。 - 特許庁

The A/F sensor 60 on the downstream side outputs a downstream sensor signal according to the oxygen concentration and hydrogen concentration by using oxygen detection ability of zirconia and to changes in the oxygen detection ability corresponding to the hydrogen concentration in a diffusion layer.例文帳に追加

下流側A/Fセンサ60は、ジルコニアの酸素検出能と、拡散層による水素濃度に応じた酸素検出能の変化とを利用して、酸素濃度及び水素濃度に応じた下流側センサ信号を出力する。 - 特許庁

To provide a transparent electrode for a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device in which ohmic contact and current diffusion are good and the bonding strength of a bonding pad is large.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、オーミック接触および電流の拡散が良好であって、かつボンディングパッドの接合強度が大きい透光性の電極を提供することである。 - 特許庁

To obtain a riser pipe which can efficiently prevent the diffusion of polluted soil by discharging groundwater in a polluted soil area from the polluted soil area, when the polluted soil exists in the area with a formed groundwater discharge hole.例文帳に追加

本発明は地下水排出穴が形成された部位に汚染された土壌がある場合に、該汚染された土壌部位の地下水を該部より排水して、汚染された土壌の拡散を効率よく防止することができるライザーパイプを得るにある。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板11に不純物イオンを注入することにより、ソース領域25又はドレイン領域19の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In forming a barrier film having the copper diffusion preventing function on a metal wiring including copper with the electroless plating method, the area where the metal wiring is not formed is etched before formation of the barrier film with the electroless plating method.例文帳に追加

銅を含む金属配線上に、無電解メッキ法により銅拡散防止機能を有するバリア膜を形成するに際し、バリア膜を無電解メッキ法により成膜する前に、金属配線が形成されていない部分をエッチングする。 - 特許庁

例文

A receiver 241 receives transmitted signals, demodulates the signals having a different frequency by using Fourier transform, etc., respectively performs inverse spectrum spread of the signals by using the cyclic expansion diffusion code and obtains the transmission signal by performing parallel-serial conversion.例文帳に追加

受信装置241は、送信された信号を受信し、フーリエ変換などを用いて異なる周波数で復調し、そのそれぞれを巡回拡張拡散符号を用いてスペクトラム逆拡散し、パラレルシリアル変換して伝送信号を得る。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2025 GRAS Group, Inc.RSS