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「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(222ページ目) - Weblio英語例文検索
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diffusion ofの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 12851



例文

The diffusion sheet includes uneven distribution of fine irregularities on the surface, wherein the sheet includes a flat part where the maximum height (Ry) of the fine irregularities is ≤2 μm and a rough part where the maximum height (Ry) of the irregularities is larger than 2 μm, and the flat part is present to enclose the rough part.例文帳に追加

表面に微細凹凸が不均一に設けられた拡散シートであって、前記微細凹凸の最大高さ(Ry)が2μm以下である平坦部と、前記微細凹凸の最大高さ(Ry)が2μmより大きい粗面部と、を有しており、前記平坦部は前記粗面部を取り囲むように存在している拡散シートを提供する。 - 特許庁

Thus, the polarizing diffusion film having a total light transmittance to visible light of 50-90%, a transmission haze to visible light of 15-90%, and a transition polarization degree to visible light of 20-90%, and the shrinkage ratio is ≤0.5% when the film is heat treated at 80°C for 24 h, is provided.例文帳に追加

それにより、可視光線に対する全光線透過率が50〜90%であり、可視光線に対する透過ヘイズが15〜90%であり、可視光線に対する透過偏光度が20〜90%であり、かつ24時間、80℃で処理した際の収縮率が0.5%以下である、偏光性拡散フィルムが提供される。 - 特許庁

Then, using sampling data sets with different code periods when the received signal is time-divided by an assumed period of CA code as diffusion sign of the GPS satellite signal, a periodic deviation coefficient representing a periodic deviation between a true period of CA code and the assumed period is calculated for each code period.例文帳に追加

そして、GPS衛星信号の拡散符号であるCAコードの想定周期で受信信号を時分割した場合のコード周期を異にするサンプリングデータ組を用いて、各コード周期それぞれについて、CAコードの真の周期と想定周期との周期ずれを表す周期ずれ係数が算出される。 - 特許庁

A main scanning error calculation circuit 9 calculates corrected data D9 by calculating accumulated error data D9a on the basis of an error diffusion coefficient corresponding to the color components of the pixel data D8 and error data D10e from the quantization circuit 10 to add the accumulated error data D9a to the pixel data D8 on the basis of the switch control signal S7.例文帳に追加

主走査誤差算出回路9は、切換制御信号S7に基づいて、画素データD8の色成分に対応する誤差拡散係数及び量子化回路10からの誤差データD10eに基づいて累積誤差データD9aを算出して画素データD8に加算することにより補正後データD9を算出する。 - 特許庁

例文

To provide a resin composition suitable for production of biochips, with which a resin composition layer excellent in diffusion controllability of an acid generated by exposure can be formed and various kinds of polymers can be stably and accurately formed with high density on a substrate even when exposure amount is low, and to provide a method for producing biochips by using the composition.例文帳に追加

露光により発生した酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成でき、露光量が少ない場合であっても基板上に多種類の高分子を高密度、かつ安定して正確に形成できるバイオチップの製造に適した樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

On the surface of a terminal connection part 10, a plating film (an Ni layer 21, a Pd layer 22 and an Au layer 23) with a multilayer structure including a metal (Ni) layer preventing diffusion of a metal (Cu) included in the terminal connection part 10 to the outermost surface layer is formed, and a silicon-containing layer 24 is formed on the surface of the plating film.例文帳に追加

端子接続部10の表面に、端子接続部10に含まれる金属(Cu)が最表層へ拡散するのを防止する金属(Ni)層を含む多層構造のめっき膜(Ni層21、Pd層22、Au層23)が形成され、このめっき膜の表面に、珪素を含む層24が形成されている。 - 特許庁

To provide an asymmetric thermoelectric module and a manufacturing method of the same, that can prevent diffusion of a semiconductor element and prevent deterioration due to aging by forming auxiliary layers for both sides of a semiconductor element to improve the thermoelectric performance and eliminate the defect caused by contact crack.例文帳に追加

半導体素子の両側に融点の異なった補助層を形成して熱電性能を向上させ、接点クラックによる不良を改善し、時間経過による劣化を防止するうえ、半導体素子の拡散を防止することができるようにする、非対称熱電モジュールおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for bump bonding, capable of effectively controlling the progress of metal diffusion between formed bumps and electrode pads and surely preventing failures in the gold wire tear-off process after bump formation, by enabling local heating of very small spots on the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの微小部位に対し局所的に加熱できるようにして、形成済みのバンプと電極パッド間での金属拡散の進行を効果的に抑制でき、バンプ形成後の金線の引きちぎり工程において失敗の発生を確実に防止することのできるバンプボンディング方法および装置を提供する。 - 特許庁

In this hydrogen gas sensor having a sensor element formed by bonding of the metal oxide semiconductor and the hydrogen absorbing metal such as a Pd-based metal, at least a part of the hydrogen absorbing metal surface is coated with a film having a function permeating hydrogen gas and suppressing diffusion of oxygen gas, such as a silica film.例文帳に追加

金属酸化物半導体とPd系金属等の水素吸蔵性金属との接合により形成されるセンサ素子を有する水素ガスセンサにおいて、前記水素吸蔵性金属表面が、その少なくとも一部において、シリカ膜等の、水素ガスを透過し、かつ、酸素ガスの拡散を抑制する機能を有する膜でコートされている。 - 特許庁

例文

The diffraction grating 2 is arranged on the diffusion optical path of laser beams, among optical paths for guiding laser beams emitted from a semiconductor laser 1 to an objective lens 6, and an effective diffraction pattern 15 is formed only on the center part of the diffraction grating 2 which has a diameter smaller than the effective beam diameter of a laser beam.例文帳に追加

半導体レーザー1から出射されるレーザービームを対物レンズ6に導く光路のうち、レーザービームの拡散光路上に回折格子2を配置すると共に、この回折格子2にレーザービームのビーム有効径に対して小径の中央部分に限定して有効回折パターン15を形成している。 - 特許庁

例文

The entire side panel of opposite conductivity type resistance diffusion layer 107a provided on the surface of one conductivity type single crystal silicon layer 104 of an SOI substrate 101 are making direct contact with a dielectrically isolating region wherein an embedding insulating film 115 is filled up in a trench 113a reaching an embedding insulating layer 103.例文帳に追加

SOI基板101の一導電型の単結晶シリコン層104の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層107aの側面の全面は、埋め込み絶縁層103に達する溝113aに埋め込み絶縁膜115が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。 - 特許庁

The sensor body 1 includes two kinds of wiring patterns such as diffusion layer wiring patterns 15 and metal wiring patterns 17 electrically connected to piezo-resistance R1x-R4x, R1y-R4y and R1z-R4z of resistors, and at least parts thereof formed in the respective flexural parts 13 are formed of the wiring patterns 15.例文帳に追加

また、センサ本体1では、抵抗体たるピエゾ抵抗R1x〜R4x,R1y〜R4y,R1z〜R4zに電気的に接続された配線として拡散層配線15と金属配線17との2種類があり、少なくとも各撓み部13に形成される部分が拡散層配線15により構成されている。 - 特許庁

Regarding the installation position of an air flow direction control device 10 installed on a ceiling surface 36 of a clean room 12 based on a diffusion vertical width H of an air flow supplied from an air conditioner 2, a position where a gap H1 from a ceiling surface 36 being H/3 or more and H/2 or less is provided is specified.例文帳に追加

本発明によれば、クリーンルーム12の天井面36に設置される気流方向制御装置10の設置位置に関し、空気調和機24から吹き出された気流の拡散上下幅Hに対して、H/3以上でH/2以下の天井面36からの隙間H1をあけた位置と規定する。 - 特許庁

A dispersion solution in which conductive particles are dispersed in a dispersion medium is applied to a porous base material, and then the dispersion medium of the dispersion solution applied on the porous base material is evaporated in a temperature at which the vapor pressure of the dispersion medium is 30% or more of ambient pressure to form reactant material diffusion layers 2b, 3b for the fuel cell.例文帳に追加

分散媒に導電性粒子を分散させた分散液を多孔質基材に塗布した後、分散媒の蒸気圧が雰囲気圧力の30%以上である温度で多孔質基材に塗布された分散液の分散媒を蒸発させて燃料電池用反応物質拡散層2b、3bを製造する。 - 特許庁

To solve a problem that a light transmissive type liquid crystal panel constituting a thin display device has a backlight unit in which numerous light emitting tubes are arranged in parallel, and which is equipped with a light diffusion plate/optical sheet, as a light source of surface approximation characteristics, but brightness ununiformity that the peripheral part of a screen becomes darker compared with the center part of the screen.例文帳に追加

薄型表示装置を構成する光透過型液晶パネルは、背面に多数の発光管を平行に配置するとともに光拡散板/光学シートを具備したバックライトユニットを面近似特性の光源としているが、画面の周辺部が画面の中心部に比し暗くなる輝度不均一性の課題を有する。 - 特許庁

After a sidewall 27 is formed, only a sidewall of a gate electrode sidewall in an LDMOS source region opened corresponding a resist pattern 28 is removed, and high-density diffusion layers of source and drain regions of the LDMOS and the scaled MOS are formed at the same time to simplify the steps, thereby reducing the cost.例文帳に追加

サイドウォール27形成後、レジストパターン28により開口されたLDMOSソース領域にあるゲート電極側壁のサイドォールのみを除去し、LDMOS及び微細MOSのソース及びドレイン領域の高濃度拡散層を同時形成することにより、工程簡略化を図り、コスト低減を実現する。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric formed by using an insulating material, which has a low dielectric constant and is superior in heat resistance, thermal conductivity, and mechanical strength, and has a low thermal expansion coefficient, and is capable of restraining the diffusion of metal constituting a wiring material into an insulating film, and provide a semiconductor device composed of this.例文帳に追加

低誘電率であって、耐熱性、熱伝導性及び機械強度に優れ、熱膨張係数が低くて配線材料である金属の絶縁膜中への拡散を抑制できる絶縁材料によって形成された層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

A pixel unit 1 is structured with a non-volatile memory transistor MT formed in a p-type well 12 of a silicon substrate 10 to include a floating gate 14 and a control gate 16 and selection gate transistors ST1, ST2 formed in both sides of each memory transistor MT through common use of such memory transistor MT and diffusion layer 17.例文帳に追加

画素ユニット1は、シリコン基板10のp型ウェル12に形成された、浮遊ゲート14と制御ゲート16を持つ不揮発性メモリトランジスタMTと、このメモリトランジスタMTと拡散層17を共有して各メモリトランジスタMTの両側に形成された選択ゲートトランジスタST1,ST2とから構成される。 - 特許庁

Hence, when the upper surface side of the liquid crystal display panel 13 is illuminated by leading the light from the light source 16 to the surface direction by the light leading film 18, the site corresponding to the surrounding part of the display area 15 in the liquid crystal panel 13 is brightly illuminated by the light diffusion part 20 of the light leading film 18.例文帳に追加

従って、光源16からの光を導光フィルム18で面方向に導いて液晶表示パネル13の上面側を照明する際、導光フィルム18の光拡散部20によって液晶表示パネル13における表示領域15の周辺部に対応する箇所を明るく照明することができる。 - 特許庁

Thus, the light within the range of a prescribed diffusion in divergent lights emitted from the LED chip groups 64R, 64G, 64B is collected by each condenser lens, and the light guide main body and more light are led up near the face of a photographic film 22, and a large amount of light is gathered in a lens unit 76.例文帳に追加

これにより、LEDチップ群64R、64G、64Bから出射される発散光の内の、所定の拡散度の範囲の光が各集光レンズ及び導光部材本体によって集光されて、より多くの光が写真フィルム22面近くまで導かれ、レンズユニット76にも多くの光が取り入れられる。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加

P型の半導体基板1上にN型のエピタキシャル成長層2が設けられ、FET形成部を電気的に独立させるため、FET形成部周囲のエピタキシャル成長層2にP^+型の分離拡散層4が設けられ、そのエピタキシャル成長層2の表面側にP^++型のゲート拡散層5が設けられている。 - 特許庁

To provide a composition having a sufficient process margin and proper storage stability, that is superior in adhesion to a substrate, heat resistance and solvent resistance and property of controlling an irregular shape, and capable of easily forming a film for use as a light diffusion reflecting film of a reflecting or semi-transmissive liquid crystal display element.例文帳に追加

十分なプロセスマージンと良好な保存安定性を有し、基板との密着性、耐熱性、耐溶剤性、凹凸形状のコントロール性に優れた、反射型または半透過型の液晶表示素子の光拡散反射膜に用いるための膜を容易に形成することのできる組成物を提供すること。 - 特許庁

The horizontal transfer region 4 is tapered (both ends are tapered) so as to improve the charge detection sensitivity of a floating diffusion layer 3 which converts signal charge to voltage signals, and an overflow barrier 5 and the overflow drain 6 are provided adjacent to the final storage electrode 8a of the horizontal transfer region 4 along the shape of the horizontal transfer region 4.例文帳に追加

信号電荷を電圧信号に変換する浮遊拡散層3の電荷検出感度を上げるためにテーパ形状(両端先細り形状)となっている水平転送領域4の形状に沿って、オーバーフローバリア5とオーバーフロードレイン6が水平転送領域4の最終蓄積電極8a隣にまで設けられている。 - 特許庁

In the LDD layer 5a, formed from the surface of the semiconductor substrate 1 down to a predetermined depth D1, a p-type diffusion layer 10 is so formed as to be surrounded by the LDD layer 5a, excluding the surface of the LDD layer 5a, while being extended from the surface of the LDD layer 5a to a depth D3.例文帳に追加

半導体基板1の表面から所定の深さD1にわたり形成されたLDD層5aには、LDD層5aの表面を除いてLDD層5aに取り囲まれるとともに、LDD層5aの表面から深さD3にわたりp型拡散層10が形成されている。 - 特許庁

A p-type base region 12 is provided with a base electrode connection part 24 made of an n^+-type region, and moreover a Zener voltage controlled diffusion region 25 made of a p^+-type region is provided in the circumference of the base electrode connection part 24 in such a manner as to form p-n junction and cause Zener breakdown at the desired voltage.例文帳に追加

p形のベース領域12にn^+形領域からなるベース電極接続部24が設けられ、さらにベース電極接続部24の周囲に、pn接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、p^+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域25が設けられている。 - 特許庁

Then, a propagation route until the ultrasonic beam is reflected by the flaw 12X is assumed, and the final curved-surface shape is calculated by correcting the shape of the vibrator so that the phases totally agree on the whole surface of the vibrator from the amplitude change following diffusion, and the difference of the amplitude change/phase change at the refraction time.例文帳に追加

次に、超音波ビームがキズ12Xで反射するまでの伝搬経路を考え、拡散に伴う振幅の変化、屈折時の振幅変化・位相変化の差から、トータルとして振動子全面で位相が一致するように、振動子の形状を補正して最終的な曲面形状を算出する。 - 特許庁

To surely prevent the diffusion of a material easily diffusible into an interlayer insulating film and is represented by a Cu-containing material into the interlayer insulating film and the peeling of the material, and at the same time, to reduce the interlayer capacity of wiring and to enable the wiring to maintain high oxidation resistance when the wiring is formed by using the material.例文帳に追加

Cuを含有する材料に代表されるような層間絶縁膜に対する易拡散性の材料を用いて配線を構成した場合に、前記易拡散性の材料の層間絶縁膜への拡散や材料の剥離を確実に防止するとともに、層間容量を低減させ、しかも高い耐酸化性を保持する。 - 特許庁

Or, an insulating thin film which transmits light of ≤2,000 nm in wavelength by95% and contains elements given the same or different conductivity with the semiconductor substrate is provided on the photodetection surface side of the semiconductor substrate and the elements are diffused to form a diffusion layer on the top surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

あるいは、半導体基板の受光面側に波長2000nm以下の光を95%以上透過させ、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む絶縁性薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。 - 特許庁

In this case, the use of the louver 20 with its plane of incidence for sunlight L which is flat and with the microprisms formed on its exit surface with the prism grooves oriented generally in the east-to-west direction results in the daylighting device 10 which is superior in direct sunlight blocking characteristic, diffusion property, and the range of directional control.例文帳に追加

この場合、ルーバー20の太陽光Lの入射面を平坦面とし、かつ、出射面にはプリズム溝が概ね東西方向となるように微小プリズムを形成したルーバー20を用いるようにすると、直射日光のカット特性、拡散性、方向制御範囲に優れた採光装置10とすることができる。 - 特許庁

A board mark 5 is coaxially and vertically illuminated with a prism pipe 2 of a hollow pipe where the perimeter of one end is formed as a reflective surface 2a, while that of the other end formed as a diffusion surface 2b and light flux from a lighting source 3a incident on the reflective surface is allowed to exit as diffused light from the other end part.例文帳に追加

一端部の周囲が反射面2a、他端部の周囲が拡散面2bとして形成され、反射面に入射した照明光源3aからの光束を他端部から拡散光として射出させる中空なパイプ状のプリズムパイプ2を用いて、基板マーク5が同軸落射照明される。 - 特許庁

In this mechanical charge battery, the activated carbon fiber-like structure 3 originally having a large surface area is brought into a condition very rich in conductivity by carbon black (particle diameter of several μm, for example) and carbon nano fiber (diameter of 150 nm and length of 10-20 μm, for example) adhering to it by the high temperature diffusion treatment.例文帳に追加

このメカニカルチャージバッテリーは、高温拡散処理により付着したカーボンブラック(例えば粒径数μm)やカーボンナノファイバー(例えば直径150nmで長さ10〜20μm)によって、もともと表面積が大きい活性炭素繊維状構造体が非常に導電性に富む状態となっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which minimizes TED (Transient Enhanced Diffusion) phenomenon of impurities which is generated in heat treatment process and other successive heat treatment processes for relaxing damage due to ion implantation and prevents lowering of upper film quality caused by outgassing.例文帳に追加

イオン注入による損傷を緩和させるための熱処理工程やその他後続の熱処理工程の際に発生する不純物のTED(Transient Enhanced Diffusion)現象を最大限抑え、アウトガス(ガス抜け)による上部膜質の低下を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell having a dielectric reflector with high reflectivity, having both characteristics of small layer thickness and of the diffusion lobe of an inversely-diffused radioactive beam by the absorber as widely as possible compared with conventional techniques, and therefore having a superior light-trapping characteristic and high efficiency.例文帳に追加

高い反射性を有する誘電性反射体を有するソーラーセルであって、従来技術と比較して、小さい層厚を有することと、吸収体に逆散乱される放射線の散乱ローブをできる限り広く有することの両方を有し、従って良好な光トラッピング特性と高い効率とを有するソーラーセルを提供する。 - 特許庁

To provide a projection screen, along with a whiteboard device using the same, having diffusion reflectivity suitable for projection to achieve a clear projected image, and capable of successful erasing of marker inks therefrom to achieve, as a result, an excellent practical use for writing with and erasing of marker.例文帳に追加

映写に適した光の拡散反射性を有し、鮮明な映写画像を得ることができるとともに、マーカーインクの消去を良好に行うことができ、その結果、マーカーの書き込み、消去に際しても実用的に優れた映写用スクリーン及びこれを用いたホワイトボード装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a fuel spray device of a gas turbine engine capable of improving ignition performance and flame stability, in particular, combustion stability in low load in a combustor applying a combined combustion system in which two combustion systems of diffusion combustion system and lean combustion system are combined.例文帳に追加

拡散燃焼方式および希薄燃焼方式の2系統の燃焼方式を組み合わせた複合燃焼方式が適用された燃焼器における着火性、保炎性および特に低負荷時における燃焼安定性を向上させることができるガスタービンエンジンの燃料噴霧装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for allowing the size of the semiconductor device to be smaller than the conventional size concerning the semiconductor device having an impurity diffusion region which is formed by obliquely implanting ions from the lower part of a gate electrode to a region on a substrate without the formation of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の下部からゲート電極の形成されていない基板上の領域に斜め方向のイオン注入を行って形成される不純物拡散領域を有する半導体装置において、半導体装置のサイズを従来に比して縮小化することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method of a semiconductor substrate for stably manufacturing the semiconductor substrate in which the in-plane variation of the distribution of a dopant diffused in the semiconductor substrate is suppressed, when the thermal processing is performed to diffuse a diffusate in the semiconductor substrate using a horizontal diffusion furnace.例文帳に追加

横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The monochromator for charged particles includes a plurality of Vienna filters arranged serially in tandem in a particle diffusion direction, and some of the Vienna filters are arranged rotated at a rotation angle of 90 degrees around an optical axis to the other filters.例文帳に追加

荷電粒子用モノクロメータにおいて、粒子の拡散方向に相前後して直列に配置された複数のウィーンフィルタを有しており、このウィーンフィルタの一部は、別のウィーンフィルタに対して光軸の周りに90°の回動角で回動して配置されていることを特徴とする荷電粒子用モノクロメータを構成する。 - 特許庁

The catalyst layer is constructed of a multi-layered catalyst layer and it is constructed so that the carbon particles contained in the catalyst layer on the electrolyte layer side may have relatively high water repellency of themselves and the carbon particles contained in the gas diffusion layer side may have relatively low water repellency of themselves.例文帳に追加

前記触媒層は、多層の触媒層で構成されており、前記電解質層側の触媒層に含まれるカーボン粒子ほど自身の撥水性が相対的に高く、前記ガス拡散層側の触媒層に含まれるカーボン粒子ほど自身の撥水性が相対的に低くなるように構成されている。 - 特許庁

When hydrogen is supplied to the fuel gas passage, the distance between an anode side gas diffusion layer 413a and the separator 42 is increased by supply pressure of hydrogen and elastic force of the seal member 415 and the conductive elastic member 416, and passage cross-section area of the fuel gas passage 417 is increased.例文帳に追加

燃料ガス流路417に水素が供給されたときには、水素の供給圧力、および、シール部材415、導電性弾性部材416の弾性力によって、アノード側ガス拡散層413aとセパレータ42との間の距離が増大し、燃料ガス流路417の流路断面積が増大する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device with excellent display quality preventing a liquid crystal and a polymer dispersed body from being deteriorated by diffusion of impurities thereinto from an electrode and, at the same time, maintaining an aligned state of liquid crystal molecules in a liquid crystal layer in the case of no voltage application and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

電極からの不純物の拡散による液晶やポリマー分散体の劣化を防止することができるとともに、電圧無印加時における液晶層内の液晶分子の配向状態を維持することができる、表示品質に優れた液晶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A chromaticity difference in lights emitted onto the liquid crystal panel 110 is restrained by coloring a diffusion sheet 124 formed on an upper face 122b of a light guide panel 122, to make a transmittance of light other than an absorption spectrum of the light guide panel 122 get low along with getting away from an end face 122a.例文帳に追加

導光板122の吸収スペクトル外の光の透過率が端面122aから遠ざかるに従って低下するように、導光板122の上面122bに形成された拡散シート124を着色することによって、液晶パネル110に照射される光における色度差を抑制する。 - 特許庁

In the high dielectric capacitor having the metallic storage electrode 18, the metallic plate electrode 20, and a high dielectric film 19 formed between the electrodes 18 and 20, the diffusion preventing films 16 and 21 are respectively formed on the side section of the storage electrode 18 and the upper part of the plate electrode 20 for preventing the penetration of gas ions.例文帳に追加

金属からなるストレージ電極18及びプレート電極20、前記電極間に形成された高誘電体膜19を有するキャパシタにおいて、ストレージ電極の側部及びプレート電極の上部にガスイオンの侵透を防止するための拡散防止膜16,21をそれぞれ形成した高誘電体キャパシタ。 - 特許庁

The high refractive index part 10 used for performing the propagation of light after being connected to the optical fiber is formed by performing a first ion exchange process (b), and then performing infiltration and diffusion of ions in a second ion exchange process (c) comprising dipping the glass plate 1 into a molten salt 60 free from ions capable of increasing the refractive index and, heating.例文帳に追加

光ファイバを接続して光の伝播を行う高屈折率部10は、第1のイオン交換工程(b)を行った後に、屈折率の上昇に寄与するイオンを含有しない溶融塩60の中にガラス基板1を浸して加熱する第2のイオン交換工程(c)により侵攻,拡散させて形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing an Ru target material, in an Ru target material produced by mono-axis pressure sintering, which can eliminate the contamination of a sintered compact caused by the intrusion of fine suspended particles stuck to carbon members composing a powder packing space and the diffusion of carbon, and further can reduce oxygen.例文帳に追加

単軸加圧焼結によって製造されたRuターゲット材において、粉末充填空間を構成する炭素製部材に付着している微細な浮遊粒子の混入や、炭素の拡散による焼結体の汚染を解消でき、さらに酸素を低減できるRuターゲット材製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent the composition deviation of a capacitance insulating film by suppressing the thermal diffusion of a metal element for composing the capacity insulating film into a lower electrode, when film-forming the capacity insulating film made of a ferroelectric or a high dielectric by using a method where temperature in film formation in an MOCVD method, or the like becomes approximately 300°C or higher.例文帳に追加

MOCVD法などの成膜時の温度が約300℃以上となる方法を用いて強誘電体又は高誘電体よりなる容量絶縁膜を成膜する際に、容量絶縁膜を構成する金属元素が下部電極中へ熱拡散することを抑制して、容量絶縁膜の組成ずれを防止する。 - 特許庁

The operation of one pixel is based upon signal charge accumulation in a photodiode 17, the transfer of signal charges accumulated in the photodiode area 17 to the electric charge holding area 21, the holding of the signal charges in the electric charge holding region 21, and signal charge transfer from the electric charging holding region 21 to the floating diffusion region 18 in this order.例文帳に追加

ひとつの画素の動作は、フォトダイオード領域17での信号電荷蓄積→フォトダイオード領域17に蓄積された信号電荷を電荷保持領域21に転送→電荷保持領域21における信号電荷の保持→電荷保持領域21からフローティングディフュージョン領域18への信号電荷転送、を基本としている。 - 特許庁

The air diffusing tube 10 has opening parts 11 formed in the lower surface thereof along the axial L1 direction and has a plurality of air diffusion holes 12 formed so as to be disposed along the direction of the axis L1 in a position higher than the opening parts 11 but lower than the axis L1 and so as to be on either side of the opening parts 11.例文帳に追加

散気管10はその下面にて軸L1方向に沿って配置されるように開口部11が形成されると共にこの開口部11よりも高位であり且つ軸L1よりも低位の位置にて開口部11を挟むようにして軸L1方向に沿って配置されるように複数の散気孔12が形成されている。 - 特許庁

The electric field distribution in the semiconductor in the course of diffusing the impurities in the semiconductor is found accurately by using the Poisson equation, without having to use the conventionally used simple approximate expression, and the distributions of the impurities are simulated by using electric field values, obtained from the electric field distribution in the electric-field effect term of a diffusion equation.例文帳に追加

従来のように簡略な近似式を用いることなく、半導体の拡散過程における半導体内部の電界分布をポアソン方程式を用いて正確に求め、これによって得られた電界値を拡散方程式内の電界効果項に用いて不純物分布のシミュレーション計算を行なう。 - 特許庁

例文

To provide a hard film coated tool capable of corresponding to dry, high speed cutting and high feed cutting by improving adhesion of a hard film onto the tool, improving oxidation resistance and abrasion resistance, further welding resistance and suppressing diffusion of a workpiece element into a hard film in a high temperature state.例文帳に追加

硬質皮膜の密着性を改善し、耐酸化性、耐摩耗性を向上させ、更に高温状態での耐溶着性並びに硬質皮膜中への被削材元素の拡散を抑制し、切削加工の乾式化、高速化、高送り化に対応する硬質皮膜被覆工具を提供することが目的である。 - 特許庁




  
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