「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(237ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, which can form a barrier insulating film, having sufficient performance for preventing the diffusion of copper and can form a main insulating film having a sufficiently low dielectric constant, while improving the throughput, when the barrier insulating film and the main insulation film on it are sequentially formed on wiring which is mainly constituted of a copper film.例文帳に追加

銅膜を主とする配線上にバリア絶縁膜とその上の主絶縁膜とを順に形成する場合、スループットの向上を図りつつ、銅の拡散を防止するために十分な性能を有するバリア絶縁膜と、十分に低誘電率を有する主絶縁膜とを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermal conductivity detector is configured to detect a thermal conductivity of a gas, on the basis of a resistance value change in a filament arising from a contact of the gas with the heated filament, wherein the filament and a diffusion means for diffusing the gas are disposed in a gas channel formed in a ceramic substrate.例文帳に追加

加熱されたフィラメントにガスが接することにより発生するフィラメントの抵抗値の変化に基づきガスの熱伝導度を検出するように構成された熱伝導度検出器であって、前記フィラメントおよび前記ガスを拡散する拡散手段がセラミック基板に形成されたガス流路内に設けられていることを特徴とするもの。 - 特許庁

The manufacturing apparatus 100 of the membrane electrode gas diffusion layer assembly for the fuel cell with the electrode materials joined with both surfaces of a continuously conveyed electrolyte membrane 10 includes a driving mechanism conveying the electrolyte membrane 10 in a predetermined direction 66 and a tension relaxing mechanism relaxing tension against a conveying direction of the electrolyte membrane 10.例文帳に追加

連続して搬送される電解質膜１０の両面に電極材料を接合させる燃料電池用電極材料接合体の製造装置１００は、電解質膜１０を所定の方向６６に搬送させる駆動機構と、電解質膜１０の搬送方向に対する張力を緩和する張力緩和機構と、を備える。 - 特許庁

An AC current measurement processing part 6 for measuring the value of an AC current, oscillator 4 for generating an AC current used for measurement of the ground resistance and a spectrum diffusion part 5 for diffusing a frequency distribution of an AC signal generated by the oscillator 4 to a wide band are provided in the ground resistance measuring device 1.例文帳に追加

接地抵抗測定装置１の内部には、交流電流の値を測定するための交流電流測定処理部６と、接地抵抗の測定に用いる交流信号を発生させるためのオシレータ４と、オシレータ４が発生する交流信号の周波数分布を広帯域に拡散させるためのスペクトラム拡散部５と、を備える。 - 特許庁

This plasma CVD device has a hollow structure of plasma confinement electrode plate 5 for plasma isolation being provided with a plurality of holes, between a plasma generation region and a substrate processing region, and the plasma confinement electrode plate 5 is provided with a radical passage hole and a neutral gas passage hole, and plural sheets of gas diffusion plates 7 (11 and 12) having holes are provided inside the plasma confinement electrode plate.例文帳に追加

プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造のプラズマ閉込電極板５を有し、プラズマ閉込電極板５には、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板７（１１，１２）が複数枚設けられている。 - 特許庁

An optical sheet laminated body consisting of an optical diffusion sheet 16 and a pair of prism sheets 17 and 18 is housed on the inner side of the frame-shaped spacer 19 and a rear polarizing plate 7 on the liquid crystal display panel 3 side and a light guide plate 11 on the surface irradiation panel 10 side are fixed by the adhesive 20 to unite both panels 3 and 10.例文帳に追加

枠状スペーサ１９の内側には、光拡散シート１６と一対のプリズムシート１７、１８からなる光学シート積層体が収容設置され、液晶表示パネル３側の後偏光板７と面状照射パネル１０側の導光板１１とが接着材２０により固着されて両パネル３、１０が一体化されている。 - 特許庁

To provide a polyester film which can obtain high brightness when used as a member of an optical product, especially a diffusion sheet of back light for LCD, a prism sheet, a composite sheet, and a substrate for a lens, has no optical defect caused by a crystallized substance, can give a bright, clear, high quality image, and is excellent in optical performance and advantageous in terms of cost.例文帳に追加

光学製品の部材、特にＬＣＤ用のバックライトの拡散シート、プリズムシート、複合シート、レンズシート用の基材として使用した際に、高度な輝度を実現し、結晶化物による光学欠陥のない、明るく鮮明で高品質な画像を与えることができ、光学的性能に優れ、コスト的にも利点があるポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

An illumination LED 40 for irradiating a display surface 46 of the reflection type display element 44 with a light, an illumination mirror 41 for guiding the light emitted from the illumination LED 40 to the display surface 46, and a diffusion polarizing filter 42, are arranged in a direction of an eyepiece window 25 provided on the back surface of the digital camera for the reflection type display element 44.例文帳に追加

反射表示素子４４の表示面４６に光を照射する照明ＬＥＤ４０、並びに照明ＬＥＤ４０から照射された光を表示面４６へ導く照明ミラー４１及び拡散偏光フィルタ４２を、反射型表示素子４４に対してデジタルカメラの背面に設けられた接眼窓２５の方向に配置する。 - 特許庁

The silver powder containing spherical silver grain is prepared by a wet-reduction method, and the silver powder containing flaky silver grain is prepared by the wet-reduction method or the combination of the wet-reduction method and a diffusion ball-mill treatment, and further, a great number of small protruded parts on the surface of the silver grain are precipitated again with the wet-reduction method.例文帳に追加

湿式還元法により球状の銀粒子を含む銀粉を、そして、湿式還元法または湿式還元法と分散ボールミル処理との組み合わせによりフレーク状の銀粒子を含む銀粉を作成し、さらに、再度、湿式還元法でこれらの銀粒子上の表面にさらに小さな凸部を多数析出させた。 - 特許庁

At a position where the cathode flow channel is extended to a cathode entry header 14 and a cathode exit header 16 through the sealing region, and a position where the anode flow channel is extended to an anode entry header 18 and an anode exit header 20 through the sealing region, a diffusion medium layer at one of the sides of the film is extended for providing a load of the sealing part.例文帳に追加

カソード流れチャンネルがシール領域を通してカソード入口ヘッダー１４及びカソード出口ヘッダー１６まで延在する位置及びアノード流れチャンネルがシール領域を通してアノード入口ヘッダー１８及びアノード出口ヘッダー２０まで延在する位置において、膜の一方の側の拡散媒体層は、シール部の荷重を提供するため延在する。 - 特許庁

This electron source base has a pair of element electrodes 2, 3 of metal formed on a glass base body 1, containing sodium with a sodium diffusion preventing layer 9 intervened and an electron emitting element of a conductive thin film 4 having an electron emitting part 5, and also has metal wirings 6, 7 to be connected to the element electrodes 2, 3 while being brought into contact with the glass base body 1.例文帳に追加

ナトリウムを含有するガラス基体１上に、ナトリウム拡散防止層９を介して形成された、金属よりなる一対の素子電極２，３と電子放出部５を有する導電性薄膜４からなる電子放出素子を有し、該ガラス基体１に接し該素子電極２，３に接続される金属配線６，７とを有することを特徴とする。 - 特許庁

When an error detecting unit 107 to which the receiving data are inputted determines preceding data, for example, the receiving data from the base station BS1 are correct, a path control unit 103 for sequentially storing the result of the determination inhibits an inverse diffusion process of the receiving data of the same block from the base station BS2 for transmitting later the data.例文帳に追加

この受信データが入力される誤り検出部１０７で、先行する、例えば基地局ＢＳ１からの受信データが正しいと判定されると、この判定結果を順次記憶するパス選択制御部１０３は、後行してデータを送信する基地局ＢＳ２からの同一ブロックの受信データの逆拡散処理を禁止する。 - 特許庁

When information light 1 which carries information by spatial modulation and reference light 2 for recording are allowed to interfere in an information recording layer 4 of a recording medium and the information is recorded according to the resulting interference pattern, diffusion of the reference light 2 for recording is controlled so that rays of the reference light 2 for recording cause no interference in the information recording layer 4.例文帳に追加

空間的に変調することで情報を担持した情報光１と、記録用参照光２とを記録媒体の情報記録層４において干渉させ、当該干渉パターンによって情報を記録する際に、記録用参照光２同士が情報記録層４において干渉を生じないように記録用参照光２の発散を制御する。 - 特許庁

That is to say, the part 19 is a small hole which introduces a fuel gas (consequently, the contained hydrogen gas) as a gas to be measured to the side of the first electrode 3 and which controls its diffusion, and it is installed so as to be situated in a direction separated from the reference electrode 7 from the end part T on the side of the reference electrode 7 of the second electrode 5.例文帳に追加

つまり、拡散律速部１９は、被測定ガスである燃料ガス（従って含まれる水素ガス）を第１電極３側に導入するとともに、その拡散を律速する小さい孔であり、第２電極５の参照電極７側の端部Ｔよりも、参照電極７から離れる方向に位置するように設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a MOS structure capable of solving problems such as fermi-level pinning, gate electrode depletion, and diffusion phenomena; and capable of appropriately adjusting (controlling) a threshold voltage by using a material suitable for respective gate electrodes of the MOS structure with different threshold voltages by a more simplified manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、フェルミレベルピニング、ゲート電極空乏化、拡散現象等の各問題を解決することができ、より簡略化した製造プロセスにより、閾値電圧が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値電圧を適切に調整（制御）することができる、ＭＯＳ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To suppress diffusion of dropping toner and scattering toner from near a transfer part, into an image forming apparatus main body by collecting them into a process cartridge and to prevent the dropping toner and scattering toner collected into the process cartridge from flowing out of the process cartridge when the process cartridge is taken out of the image forming apparatus main body by a user.例文帳に追加

転写部位近傍からのこぼれトナー、飛散トナーをプロセスカートリッジ内に捕集し、これが画像形成装置本体内に拡散することを抑制すること、及びユーザーがプロセスカートリッジを画像形成装置本体外に取り出した際に、プロセスカートリッジ内に捕集されたこぼれトナー、飛散トナーがプロセスカートリッジ外に流出することを抑制することである。 - 特許庁

To provide a color filter, by reducing the difference of wavelength diffusion in reflection display, enabling display of high contrast in transparent display, solving the decrease of light leakage and transmittance and enabling proper screen display in reflection and transparent display, in a color filter dividing a unit pixel into a transparent part and a reflective part, and to provide a translucent liquid crystal display device.例文帳に追加

単位画素を透過部と反射部に分割したカラーフィルタにおいて、反射表示で波長分散性の違いを低減させ、透過表示でコントラストの高い表示を可能とし、また、光モレや透過率の減少を解消し、反射及び透過表示で良好な画面表示を可能とするカラーフィルタ、半透過型液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

The image processor comprises a means for converting input image data into output image data having two kinds or more of gray level per pixel, and a means for diffusing errors generated from the converting means to pixels not yet converted by a diffusion matrix consisting of coefficients of positive and negative values.例文帳に追加

入力画像データに対して、画素ごとに２種類以上の階調値を有する出力画像データに変換する変換手段と、前記変換手段により発生した誤差を、正値と負値の係数からなる拡散マトリックスにより未変換画素に拡散させる誤差拡散手段と、を備えた画像処理装置であることを特徴とする。 - 特許庁

The lighting apparatus for the display device is installed on the rear side of a display panel 20, and comprises a plurality of rod-shape light sources 1 arranged mutually nearly in parallel, and a light diffusion member 2 which is arranged between two adjoining rod-shape light sources 1 out of the plural rod-shape light sources 1 and scatters the light.例文帳に追加

本発明による照明装置は、表示パネル２０の背面側に設けられる表示装置用照明装置であって、互いに略平行に配置された複数の棒状光源１と、複数の棒状光源１のうちの互いに隣接する２つの棒状光源１の間に配置され、光を散乱させる光散乱部材２とを有する。 - 特許庁

A potential barrier at the charge generation section of the thin-out row is lowered as compared with a case where the normal L level is applied, thus easily discharging unnecessary charge collected at the charge generation section of the thin-out row and overflowed into an adjacent row to the floating diffusion side, and hence reducing blooming to the unit pixel of an adjacent read row.例文帳に追加

間引き行の電荷生成部のポテンシャル障壁を、通常のＬレベルを印加する場合に比べて下げることで、間引き行の電荷生成部に溜まり、隣接行に溢れ出た不要電荷をフローティングディフュージョン側に排出され易い状態にすることができ、隣接する読出し行の単位画素へのブルーミングが減少する。 - 特許庁

A method for manufacturing the membrane electrode assembly includes the steps of: (a) forming a catalyst layer on the surface of the electrolyte membrane; (b) moistening with water the electrolyte membrane on which the catalyst layer is formed; and (c) heat-joining a diffusion layer to the catalyst layer under the environment where the contraction percentage of the electrolyte membrane becomes 3% or less.例文帳に追加

本発明の膜電極接合体の製造方法は、（ａ）電解質膜の表面に、触媒層を形成する工程、（ｂ）触媒層が形成された電解質膜を、水で湿潤させる工程、（ｃ）触媒層の上に、拡散層を、電解質膜の収縮率が３％以下となる環境下で、熱接合する工程を有する。 - 特許庁

The optical screen has a light diffusion layer, containing particulates having a spherulite structure characteristic of a crystalline high polymer, formed in such a manner that high polymer fibrils are isotropically grown in a three-dimensionally way or radially grown from one or more cores near the center of one individual particle, and having a number average particle diameter range of 1 to 30 μm.例文帳に追加

一つの単独粒子の中心付近の単数または複数のコアから高分子フィブリルが３次元的等方あるいは放射状に成長して形成した結晶性高分子特有の球晶構造を有し、数平均粒子径１〜３０μｍである微粒子を含有する光拡散層を有することを特徴とする光学スクリーン。 - 特許庁

A light emitting diode 10 comprises a light emitting part 4 formed on a GaAs substrate 1, and a medium layer 5 and a current diffusion layer 6 made of AlGaInP, where the light emitting part 4 is composed by forming a lower clad layer 41 made of AlGaInP, a light emitting layer 42 made of AlGaInP, and an upper clad layer 43 on the GaAs substrate 1 in order.例文帳に追加

発光ダイオード１０は、ＧａＡｓ基板１上に形成された発光部４、ＡｌＧａＩｎＰからなる中間層５及び電流拡散層６を備え、発光部４は、ＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４１、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層４２及び上部クラッド層４３をＧａＡｓ基板１上に順次形成して構成されている。 - 特許庁

The electrode for the fuel cell is equipped with a metallic catalyst, a carrier supporting the metallic catalyst, a cation conductor made of a metal phosphate, a catalyst layer containing a binder, and a gas diffusion layer made of a conductive substrate and laminated with the catalyst layer, and the manufacturing method of the electrode for the fuel cell and the fuel cell are also provided.例文帳に追加

本発明によれば，金属触媒と，上記金属触媒を支持する担体と，金属フォスフェイトからなる陽イオン伝導体と，バインダーとを含有する触媒層と，導電性の基材から形成され，上記触媒層が積層されるガス拡散層とを備える燃料電池用の電極とその製造方法，および燃料電池が提供される。 - 特許庁

The separation apparatus for achieving the method comprises the multilayered flat membrane, one or two kinds of the flat supports or support frames, and a membrane support inserted between the side of pressure applied to the flat membrane and the support or support frame, and optionally comprises a member including components for forming flows of the raw liquid and the diffusion liquid.例文帳に追加

該方法を実現する分離装置は、複数枚積層された平膜、1乃至2種類の平板支持体あるいは支持枠、該平膜へ付加される圧力側と該支持体あるいは支持枠の間に挿入される膜支持体で構成され、場合により原液および拡散液の流れを形成させる部品を加えた部材で構成される。 - 特許庁

To provide a method which can clean the heat treatment tube of a semiconductor substrate heat treatment device, which is used in the heat treatment process such as the oxidation and diffusion process, etc., of a semiconductor substrate, reducing the quantity of metallic contamination efficiently without raising its cost, and a metal contamination getter substrate and a regenerative metal contamination getter substrate used in that cleaning method.例文帳に追加

半導体基板の酸化、拡散工程等の熱処理工程で用いられる半導体基板熱処理装置の熱処理チューブをコストアップすることなく効率よく金属汚染量を減少させ清浄できる方法及びその清浄化方法に用いられる金属汚染ゲッター基板及び再生金属汚染ゲッター基板を提供する。 - 特許庁

The carbon monoxide removing machine includes the reactor body having an inner space and a catalyst provided in the inner space of the reactor body to react with the reforming gas and a diffusion unit installed at an inlet portion of the reactor body for introducing the reforming gas to diffuse a reforming gas over the entire area of the catalyst.例文帳に追加

一酸化炭素除去機は、内部空間を有する反応器本体と、改質ガスとの反応のために前記内部空間に設けられる触媒と、前記改質ガスが前記反応器本体内部に提供される前記反応器本体の流入部側に設けられ、前記改質ガスを前記触媒全体に拡散させる拡散ユニットとを備えている。 - 特許庁

This combustor of the gas turbine engine includes: a fuel spray portion 3 creating a diffusion combustion region 50 in a combustion chamber 12; and a pre-mixture supply portion 4 disposed in the state of surrounding the fuel supply portion 3, and of creating a pre-mixture combustion region 51 in the combustion chamber 12.例文帳に追加

燃焼室１２内に拡散燃焼領域５０を形成させる燃料噴霧部３と、燃料噴霧部３を囲むように設けられ、燃焼室１２内に予混合燃焼領域５１を形成させる予混合気供給部４とを備え、始動時および低負荷時は予混合気供給部４から空気ＣＡのみが予混合燃焼領域５１に供給される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a process to form a polysilicon resistor 10 formed on a semiconductor substrate 1, the concentration of an impurity into polysilicon is set at 1×1020 cm-3 or more, and a film or an aluminum wiring 9 is arranged at least on a part of the polysilicon resistor 10 to prevent diffusion of hydrogen when the concentration is treated in an FG gas atmosphere.例文帳に追加

半導体基板１上に形成されたポリシリコン抵抗１０を形成する工程において、ポリシリコン中のに注入する不純物濃度を１×１０^20ｃｍ^-3以上としＦＧガス雰囲気で処理する際にポリシリコン抵抗１０の少なくとも一部の上に水素の拡散を阻害する膜あるいはアルミニウム配線９を配置する。 - 特許庁

The diffusion preventing member is disposed by facing the back surface of the substrate, while being kept from coming into contact with the substrate in the thin film formation region, and has a protrusion that is protruded from each end in a width direction of the substrate in viewing from the raw material container and configured to be movable in a direction non-parallel to a conveying direction of the substrate.例文帳に追加

拡散防止部材は、薄膜形成領域において、基板の裏面と対向して、基板とは接触しないように配置され、かつ、原料容器から見て、基板の幅方向両端から突出する突出部を有し、当該突出部が、基板を搬送する方向に対し平行ではない方向に移動可能に構成されている。 - 特許庁

The cutting blade chip used for the cutting blade of the drilling tool has a structure comprising a cutting blade body part 11 made of the cemented carbide (the cemented carbide member), the member 12 made of diamond supported by the cutting blade body part 11, and a metal layer 13 that is arranged between the cutting blade body part 11 and the diamond member 12 and diffusion-bonded with them respectively.例文帳に追加

掘削工具において切刃として用いられる切刃片を、超硬合金製の切刃基体１１（超硬合金製部材）と、切刃基体１１に支持されるダイヤモンド製部材１２と、これらの間に設けられて切刃基体１１及びダイヤモンド製部材１２とそれぞれ拡散接合される金属層１３とを有する構成とする。 - 特許庁

In the target of an X-ray tube where a graphite base material and a Mo base material or a Mo alloy base material are jointed with each other via a connection layer, when a composition ratio of the connection layer by an EPMA is detected, the connection layer has a diffusion phase of MoTaTi, a TaTi alloy phase, a Ta-rich phase, and a ZrTa alloy phase.例文帳に追加

グラファイト基材と、Ｍｏ基材もしくはＭｏ合金基材とを接合層を介して接合したＸ線管用ターゲットにおいて、前記接合層についてＥＰＭＡにより組成比を検出したとき、前記接合層はＭｏＴａＴｉの拡散相、ＴａＴｉ合金相、Ｔａリッチ相、ＺｒＴａ合金相を具備することを特徴とする。 - 特許庁

In order for countries to advance the move towards sustainable low-carbon economies, international co-operation will be crucial in areas such as the development and diffusion of clean technologies, for example carbon capture and storage, renewable energy technologies, and application of green ICT for raising energy efficiency, and the development of an international market for environmental goods and services. 例文帳に追加

各国が持続可能な低炭素経済に向けて進むため、例えば、炭素回収・貯留、再生可能なエネルギー技術、エネルギー効率向上のためのグリーンICT利用といったクリーン技術の開発及び普及と、環境物品とサービスの国際的市場の発展といった分野における国際協力が極めて重要となるであろう。 - 経済産業省

To provide nickel powder whose surface is coated with metallic oxide and having characteristics suitable for use as the internal electrode material of a mutilayer ceramic capacitor, particularly excellent in the oxidation preventability and diffusion preventability of metallic nickel at the time of debindering and suitable for producing a thin, compact multilayer ceramic capacitor of a ceramic dielectric substance and an internal electrode.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサの内部電極材料として用いるのに適した特性を有しており、特に脱バインダー時の金属ニッケルの酸化防止性及び拡散防止性に優れていて、セラミック誘電体及び内部電極の厚みの薄い小型多層の積層セラミックコンデンサを製造するのに適している、金属酸化物で表面被覆されたニッケル粉を提供すること。 - 特許庁

The delay time calculating device is provided with a resistance capacity specification part 25 which specifies source resistance and diffusion capacity before process fluctuation at the gate as an object of delay time calculation and specifies the wiring resistance and wiring capacity of wiring connected with the gate after the process fluctuation and calculates the delay time of the gate on the basis of the specification contents by the resistance capacity specification part 25.例文帳に追加

遅延時間計算対象のゲートにおけるプロセス変動前のソース抵抗と拡散容量を特定するとともに、そのゲートに接続されている配線のプロセス変動後の配線抵抗と配線容量を特定する抵抗容量特定部２５を設け、その抵抗容量特定部２５による特定内容に基づいて当該ゲートの遅延時間を計算する。 - 特許庁

The fuel cell has a laminated body formed by arranging a plurality of unit cells constituted by pinching with a gas diffusion layer both sides of a membrane/electrode assembly with each side of a solid polymer electrolyte film coated with electrode catalyst consisting of fuel electrode and an oxidant electrode, and further, arranging a separator at both sides for supplying fuel gas and oxidant gas.例文帳に追加

固体高分子電解質膜の両側をそれぞれ、燃料極と酸化剤極とからなる電極触媒で被覆した膜／電極接合体の両側をガス拡散層で挟み、さらにその両側にそれぞれ燃料ガスおよび酸化剤ガスを供給するためのセパレータを配置して構成する単位セルを複数個設置して積層体を形成した燃料電池である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electrode material for a fuel cell capable of uniformly promoting counter diffusion of two or more kinds of catalyst metals and manufacturing a large amount of the electrode material for the fuel cell having high performance, and to provide a manufacturing method for the electrode for the fuel cell by using the electrode material obtained by its manufacturing method.例文帳に追加

２種類以上の触媒金属の相互拡散が均一に促進し、高い性能を有する燃料電池用電極材料を短時間に多量に製造することができる、燃料電池用電極材料の製造方法を提供し、さらに、その製造方法によって得られた電極材料を用いる燃料電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor at a low cost which can restrain diffusion of impurities from a glass substrate to a semiconductor layer, and improve transistor characteristics, in particular the threshold voltage characteristic, a manufacturing method of the thin-film transistor, a transmission type liquid crystal display device capable of improving transmittance, and a manufacturing method of the liquid crystal display device.例文帳に追加

ガラス基板から半導体層への不純物の拡散を抑制し、トランジスタ特性、特にしきい値電圧特性を改善できる低コストの薄膜トランジスタ及びこの薄膜トランジスタの製造方法を提供すること、及び、透過率を向上することが可能な透過型の液晶表示装置及びこの液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The viewing-angle increasing film for the liquid crystal display device obtained by melt extrusion molding of a mixture of at least two kinds of incompatible polyolefin resins satisfies the following conditions (1) and (2) at the same time: (1) The transmittance of parallel rays ranges from 5 to 90%; and (2) The diffusivity (A) in the main diffusion direction ranges from 1° to 20°.例文帳に追加

少なくとも二種の非相溶性のポリオレフィン系樹脂からなる混合物を溶融押し出し成型して得られる液晶表示装置用視野角向上フィルムであって、下記（１）及び（２）の条件を同時に満足することを特徴とする視野角向上フィルム：（１）平行光線透過率が５〜９０％である；（２）主拡散方向の拡散度（Ａ）が１〜２０度である。 - 特許庁

To provide a sheath which has improved corrosion resistance to the diffusion of lithium by containing a magnesia component and simultaneously enables an increase in the coefficient of thermal expansion thereof by containing the magnesia component to be effectively suppressed, and thereby effectively avoiding problems of deterioration in thermal shock resistance or deterioration in the product strength caused by the increase in the coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

マグネシア成分を含有することによりリチウムの拡散に対する耐蝕性の向上を図りつつ、同時に、マグネシア成分の含有による鞘の熱膨張率上昇を抑制し、熱膨張率の上昇に起因する熱衝撃性の低下問題や製品強度の低下問題を、効果的に回避可能とした粉体焼成用の鞘を提供すること。 - 特許庁

In the control method of the ferrite steel material containing an intrusion-type solid solution element, the AC high magnet field is applied to the ferrite steel material in the AC magnet field which is smaller than 0.1 to 1T, and heat treatment or processing is applied thereto while suppressing an aging phenomenon generated by the diffusion of the intrusion-type element, the spheroidization of a carbide, decarburization, and the precipitation of a carbide and a nitride.例文帳に追加

侵入型の固溶元素を含むフェライト鋼材の材質を制御する方法において、該フェライト鋼材に、０．１〜１Ｔ未満の交流磁場中で、交流強磁場を印加し、侵入型元素の拡散により引き起こされる時効現象、炭化物の球状化、脱炭、炭化物又は窒化物の析出を抑制しながら、熱処理又は加工を施すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a conductive member which holds minimum hardness necessary for application which needs high bending property such as a connector female terminal, is provided with an Ni under layer preventing diffusion of Ni to an upper layer, preventing oxidation of the inside of the Ni based under layer and having high bending property, and has excellent bending property, while keeping excellent contact resistance and wear resistance, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

コネクタ雌端子等の高い曲げ加工性を必要とする用途に必要な最低限の硬度を保持し、Ｎｉの上層への拡散を防ぎ、Ｎｉ系下地層内部の酸化を防ぎ、高い曲げ加工性を有するＮｉ下地層を備え、良好な接触抵抗性、耐摩耗性を維持しながら、曲げ加工性に優れた導電部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A diffusion plate 11 having the function of diffusing the laser beam 1a and not applied with the nonreflective coating on the both laser beam 1a incident or outgoing surfaces is disposed in front of the beam diameter increasing lens 8 on the same optical path as that of the beam diameter increasing lens 8 and on the side opposite to a laser beam absorber 2 to increase the diameter of the beam incident upon the beam diameter increasing lens 8.例文帳に追加

レーザ光１ａを拡散する機能を有し、レーザ光１ａが入射あるいは出射する両面には無反射コーティングが施されていない拡散板１１を、ビーム径拡大レンズ８と同一光路上でレーザ光吸収体２とは反対側のビーム径拡大レンズ８の前方に備え、ビーム径拡大レンズ８に入射するビームの直径を拡大する。 - 特許庁

In the device 100, sidewalls 122 for a SAC, which is constituted of a silicon nitride film, are respectively formed on the side parts of a gate electrode 116 of the MOSFET 110 and a diffusion inhibition film 126 for to inhibit hydrogen or nitrogen contained in the sidewalls 122 from diffusing to the side of the substrate 102 is formed between the sidewalls 122 and the substrate 102.例文帳に追加

半導体装置１００において，ＭＯＳＦＥＴ１１０のゲート電極１１６側部には，窒化シリコンから構成されるＳＡＣのためのサイドウォール１２２が形成されており，サイドウォール１２２とシリコン基板１０２との間には，サイドウォール１２２に含まれる水素や窒素のシリコン基板１０２側への拡散を抑止する拡散抑止膜１２６が形成されている。 - 特許庁