「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(253ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sheet-shaped fiber assembly having an increased diffusion-osmotic force and an improved effective absorption power of ink by further subjecting a fiber assembly obtained by laminating and forming fibers to a pressing treatment and thereby stimulating the contact between the fibers constituting the skeleton of the fiber assembly and the ink absorbed in the voids among the fibers, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

繊維を積層・成形して得られる繊維集合体に対して、更なる圧縮を施して、該繊維集合体の骨格部分を構成する該繊維と、この繊維間の空隙に吸収されるインクとの接触を促進することで、拡散浸透力を増大させて該インクの実効吸収力を向上させたシート状繊維集合体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The laminated copper foil is manufactured through a step 1 for laminating a Ni plating layer and a Sn plating layer in this order at least on a part of the copper or copper alloy base material, a step 2 for forming the NiSn alloy layer on the boundary surface of the Ni plating layer and the Sn plating layer by a diffusion reaction, and a step 3 for removing the residual Sn plating layer.例文帳に追加

該積層銅箔は、銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にＮｉめっき層及びＳｎめっき層をこの順に積層する工程１と、該Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の界面に拡散反応によってＮｉＳｎ合金層を形成する工程２と、残留Ｓｎめっき層を除去する工程３とを行うことによって製造することができる。 - 特許庁

The semiconductor memory is composed of a transistor TRA for selection (A) and a memory cell MCAM composed of a first electrode 21, a capacitor layer 22 and a second electrode 23 (B), the first electrode 21 is connected, via the transistor TRA for selection, to a bit line BLA and a thermal diffusion layer 25 is formed on or above the memory cell MCAM or under or below the memory cell.例文帳に追加

半導体メモリは、（Ａ）選択用トランジスタＴＲ_Aと、（Ｂ）第１の電極２１とキャパシタ層２２と第２の電極２３とから成るメモリセルＭＣ_AMから構成され、第１の電極２１は選択用トランジスタＴＲ_Aを介してビット線ＢＬ_Aに接続され、メモリセルＭＣ_AMの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層２５が形成されている。 - 特許庁

An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.例文帳に追加

回転イオン注入法を用いてＡｓおよびＢをトレンチ３の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ３で挟まれたｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層を、横方向に並んだｎ型ピラー層５／ｐ型ピラー層４／ｎ型ピラー層５からなる、実質的にＳｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁

The fine porous layer is formed by preparing a plurality of cerium oxides differing in particle size or specific surface area, mixing the plurality of cerium oxides at a predetermined ratio to prepare a mixed cerium oxide, manufacturing a fine porous layer formation member including the mixed cerium oxide, a water-repellent member, and a conductive member, and coating the fine porous layer formation member on the diffusion base material layer.例文帳に追加

微多孔質層は、粒子径または比表面積が異なる複数の酸化セリウムを用意し、複数の酸化セリウムを所定の割合で混合して混合酸化セリウムを作製するとともに、混合酸化セリウムと撥水性部材と導電性部材とを含む微多孔質層形成部材を作製し、微多孔質層形成部材を拡散基材層上に塗工することにより形成される。 - 特許庁

In a cylindrical reaction vessel having an inlet for introducing raw gas and an outlet for discharging the processed gas, a method of manufacturing a spherical semiconductor device for forming a diffusion layer wherein the impurities in the raw gas are diffused in the surface of a spherical semiconductor is carried out such that a spherical semiconductor may be flowed/rotated by rocking or rotating the reaction vessel.例文帳に追加

本発明は、処理ガスを導入する導入口およびガスを排出する排出口を有する円筒状の反応容器内において、球状の半導体の表面に処理ガス中の不純物を拡散させた拡散層を形成する球状半導体素子の製造方法において、反応容器を揺動または回転させることにより、球状の半導体を流動・回転させる。 - 特許庁

To provide a glass substrate which does not cause deterioration in film characteristics caused by the diffusion of alkali ions in the glass into a deposited semiconductor film in a heat treatment process even when it is used as the glass substrate for a liquid crystal display, and which prevents the electrostatic breakdown of a semiconductor element or an electrical circuit caused by discharge, and whose surface is hardly contaminated by dust and dirt in the environment.例文帳に追加

液晶ディスプレイ用ガラス基板として使用しても、熱処理工程において、ガラス中のアルカリイオンが成膜された半導体物質中に拡散し、膜特性の劣化を招くことがなく、また放電による半導体素子や電気回路の静電破壊を防止し、さらに環境中の塵や埃によって表面が汚染されにくいガラス基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a hydrogen diffusion route can be secured, so that hydrogen is capable of reaching the interior of the semiconductor device, and effective annealing can be performed with a forming gas.例文帳に追加

本発明の目的は、水素バリア性を有する膜を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト構造及び埋め込み金属配線構造を有する半導体装置において、水素が半導体装置の内部に到達可能な水素拡散経路を確保し、フォーミングガスによる効果的なアニーリングが可能となる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

HEAD UNIT, ITS SETTING METHOD AND PLOTTING APPARATUS, METHODS OF MANUFACTURING LIQUID-CRYSTAL DISPLAY UNIT, ORGANIC EL APPARATUS, ELECTRON DISCHARGE APPARATUS, PDP APPARATUS, ELECTROPHORESIS DISPLAY APPARATUS, COLOR FILTER AND ORGANIC EL, AND METHODS OF FORMING SPACER, METAL WIRING, LENS, RESIST AND LIGHT DIFFUSION BODY例文帳に追加

ヘッドユニット、そのセット方法および描画装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法 - 特許庁

This optical power meter for measuring the spatial light power is constituted of a reflection preventing film, an attenuation film for attenuating the light, a wavelength filter film having a wavelength sensitivity characteristic substantially reverse to a wavelength sensitivity characteristic of a photoreceiving element, a filter layered with a glass substrate and a diffusion plate, and the photoreceiving element arranged to be opposed to the filter via a space.例文帳に追加

空間光パワーを測定する光パワーメータであって、反射防止膜と、光を減衰させる減衰膜と、受光素子の波長感度特性とほぼ逆の波長感度特性を有する波長フィルタ膜と、ガラス基板と、拡散板とが積層されたフィルタと、このフィルタと空間を介して対向するように配置された受光素子とで構成されたことを特徴とするもの。 - 特許庁

The fuel battery cell has a cell structure in which a membrane electrode assembly 10 having electrodes 12A, 12B installed on both sides of a polymer electrolyte membrane 11 is interposed by two adjoining separators 20, 30 through a gas diffusion layer which is arranged contacting the electrodes, and has a gasket arranged between each separator on the surrounding of the electrode and the electrolyte membrane.例文帳に追加

高分子電解質膜１１の両面に電極１２Ａ，１２Ｂが設けられた膜電極接合体１０を電極に当接して配置されたガス拡散層を介して隣接する２つのセパレータ２０，３０で挟持してなるセル構造を備え、電極の周囲における各セパレータと電解質膜との間に配置されたガスケットを備える燃料電池セルである。 - 特許庁

In the method, the symbols received from the transmission line are equalized, and data are decoded from it; a first processing, including a turbo equalizing sequence on the received symbol or a second processing including an equalizing step and a turbodecoding sequence following the step, is performed; and the first processing or the second processing is selected, based on the estimation of the delay diffusion of the transmission line.例文帳に追加

伝送路から受信されたシンボルを等化し、そこからデータを復号化する方法に関し、受信されたシンボル上のターボ等化シーケンスを含む第１の処理、または等化ステップおよびそれに続くターボ復号化シーケンスを含む第２の処理のいずれかを実行することであり、第１の処理または第２の処理の選択は、伝送路の遅延拡散の推定に基づいて行われる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an uneven film without necessitating large scale equipment such as a coating machine, a drying furnace and the like and possession and the like of a plurality of uneven rolls and belts, in high productivity without causing problems in removing foreign substances at a melting stage and to provide a diffusion film, a surface anti-reflection film and a polarizer protective film each being made by this method.例文帳に追加

塗工装置や乾燥炉等の大掛かりな付帯設備の導入、複数個の凹凸ロールやベルトの保有等を要することなく、生産性の高い、又、溶融段階での異物除去に支障が生じない凹凸フィルムの製造方法、及び本方法により得られた凹凸フィルムからなる拡散フィルムや表面反射防止フィルム、偏光子保護フィルムを提供しようとする。 - 特許庁

(Reason 3) Ideally, the water supply work should be run on full cost recovery basis in which both capital cost and O/M cost are covered by the water rate. In Myanmar, however, it is very difficult for the local government to mobilize financial resources for building water supply system. The diffusion of the water supply system has not progressed yet, and some cities of substantial size is equipped with no water supply system. In the early stage of development, it is necessary to utilize funds from the central government and the foreign organizations in order to build the nationwide water supply system. Then, it may eventually come the day to mobilize resources from the financial market by issuing local bonds in the near future since it may not be sufficient enough to cover all the costs necessary to diffuse the system by the funds from the central government and the foreign aid. Regarding the issuance of the local bond, it is not probable for the local government to make it real without back-up of the central government. In order to serve this function, it must be needed a ministry which is in charge of planning and executing those funding within the central government.例文帳に追加

③水道事業は、理想的には水道料金により資本費用と維持管理費用を賄うフルコスト・リカバリーが原則であるが、ミャンマーのように、全国的に水道整備が遅れており、相当規模の都市でも水道が無い都市がある状況下においては、地方自治体が水道整備資金を自ら調達することは困難であり、初期においては中央政府の財政資金や外国援助資金を投入することが必要となる。 - 厚生労働省

This semiconductor storage comprises field effect transistors formed on one surface side of a semiconductor substrate, the plurality of ferroelectric capacitors formed in proximity to each other above the field effect transistors, an insulating film for carrying out self-aligning planarization of the gaps between the adjacent ferroelectric capacitors upon the formation thereof by covering the plurality of ferroelectric capacitors, and the hydrogen diffusion preventing film formed on the insulating film.例文帳に追加

上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の一面側に形成された電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタの上方に互いに近接して形成された複数の強誘電体キャパシタと、前記複数の強誘電体キャパシタを覆い隣接する前記強誘電体キャパシタ間の間隙をその形成時に自己整合的に平坦化する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された水素拡散防止膜とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 1 composed of a solid polymer electrolyte membrane 4 and diffusion layers 103 bonded to both surfaces thereof, and the electrolyte membrane 4 includes a porous polymer membrane 101, proton conductive groups disposed in pores of the porous polymer membrane 101, and a catalyst-supporting conductive material 102 embedded in the pores at least in the neighborhood of at least one surface of the porous polymer membrane 101.例文帳に追加

固体高分子電解質膜４と、その両面に接合された拡散層１０３からなる膜電極接合体１であって、該固体高分子電解質膜４が、多孔性高分子膜１０１と、該多孔性高分子膜１０１の孔内に設けられたプロトン導電性基と、該多孔性高分子膜の片面または両面の少なくとも表面近傍の孔内に埋め込まれた触媒担持導電物質１０２を有する膜電極接合体１及びそれを用いた固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

The percutaneous patch comprises (a) and (b) and is applied to administrate 17-deacetylnorgestimate sufficient for suppressing the ovulation of woman by delivering to the skin of woman by diffusion, wherein (a) is a backing layer and (b) is a matrix layer existing under the backing layer and comprising a pressure sensitive adhesive mixture of 17-deacetylnorgestimate with at least one of silicone or polyisobutylenes.例文帳に追加

女性の排卵を抑制するための経皮パッチであって、次のａおよびｂを有する経皮パッチ：ａ）バッキング層；およびｂ）そのバッキング層の下に存在するマトリックス層であって、１７−デアセチルノルゲスチマート、および少なくともシリコーンおよびポリイソブチレンのうちの１種を含む感圧性粘着剤の混合物を含有し、女性の皮膚に拡散による伝達がなされるように、そして排卵を阻止する量の１７−デアセチルノルゲスチマートを投与するように適用される、マトリックス層。 - 特許庁

A light diffusion sheet allows a diffusion angle of emission light to be periodically changed along a predetermined direction in a sheet plane when an incident beam is perpendicular to the sheet plane.例文帳に追加

本発明の拡散シートは、シート面に垂直に光線を入射した場合の出射光の拡散角度がシート面内の所定の方向に沿って周期的に変化する拡散シートであって、所定の方向におけるシート面内の相対位置を横軸にとり、シート面内の相対位置での拡散角度を縦軸にとった拡散角度分布図において、拡散角度のピーク値と拡散角度のボトム値とが複数有り、隣り合うピーク値とボトム値との間の拡散角度の算術平均値が、隣り合う前記ピーク値とボトム値との間に分布する全点における拡散角度の算術平均値より大きく、且つ下記（ａ）〜（ｃ）の条件を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electrode for a fuel cell exerting stable, high performance for a long time by removing an effect of condensed water in a slit of a cathode end plate by humidity control and keeping wetting of a catalyst layer or a gas diffusion layer in a suitable state; to provide a polymer electrolyte fuel cell and a liquid fuel cell using the electrode; and to provide information electronic equipment mounting these fuel cells.例文帳に追加

本発明の目的は、調湿によってカソード端板のスリット内に溜まる結露水の影響を除くと共に、触媒層やガス拡散層の濡れを適した状態に維持することによって、長期間安定して高い性能を発揮する燃料電池用電極、その電極を用いた高分子電解質型燃料電池および液体燃料電池と、それら燃料電池を組み込んだ情報電子機器を提供することにある。 - 特許庁

To provide a digital transmission repeater, capable of improving transmission efficiency by reducing band width required for transmission through a digital demodulation step and a digital modulation step and capable of shortening time required for demodulation by using a low diffusion coefficient, independently of an input signal in the digital transmission repeater for a CDMA/WCDMA based mobile communication system, and to provide a signal transmission method which utilizes the repeater.例文帳に追加

ＣＤＭＡ／ＷＣＤＭＡ基盤移動通信システム用デジタル伝送中継器において、デジタル復調ステップ及びデジタル変調ステップを通じて、伝送に要する帯域幅を減らし、伝送効率を高めることができ、また、入力信号に関係なく、低い拡散係数を用いることにより、復調に必要な時間を減らすことができるデジタル伝送中継器、及び該中継器を利用した信号伝送方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved CVD apparatus capable of producing aluminum diffusion coatings modified by inclusion of one or more other coating elements such as only silicon and one or more so-called reactive elements, wherein the coatings can be produced having a more uniform coating composition, microstructure and thickness throughout the working volume (throughout multiple coating zones) of the CVD coating apparatus, and to provide a method.例文帳に追加

本発明の目的は、コーティングが、ＣＶＤコーティング装置のワーキング容積の全体にわたり（複数のコーティング帯域にわたり）、より一定のコーティング構成、微構造、及び厚さを有して生成できる場合、単にシリコン及び一つ以上の所謂反応的な元素などの一つ以上のコーティング元素の封入によって修飾されるアルミニウム化物イオン拡散コーティングの生成が可能な改良型ＣＶＤ装置及び方法を提供することである。 - 特許庁

The planographic printing material includes at least a silver halide emulsion layer and a physical development nucleus layer successively layered on a support and employs a silver complex diffusion transfer method, wherein the physical development nucleus layer or at least one layer adjacent thereto contains gum arabic having an ash content of 1 mass% or less.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を順に有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於いて、該物理現像核層もしくは、これに隣接する少なくとも一層に、灰分が１質量％以下のアラビアゴムを含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁

In the semiconductor device, the polysilicon resistor in the semiconductor device loading the polysilicon resistor comprises a polysilicon layer (113) formed in a desired shape, and an impurity diffusion layer (114) formed so as to diffuse impurities to the side inner than the shape of the polysilicon layer (113) in the polysilicon layer (113).例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置においてポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層（１１３）と、ポリシリコン層（１１３）に、ポリシリコン層（１１３）の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層（１１４）とから構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The micro-structures (56) are designed to homogenize light which emits the monolithic optical element (50) via the macro-optical characteristic (54) by diffusion and to direct the light so that a predetermined light distribution pattern, wherein the intensity smoothly and continuously varies, is formed by substantially the entire optical output of the monolithic optical element (50).例文帳に追加

微小構造（５６）は、マクロ光学的特徴（５４）を介してモノリシック光学要素（５０）を出射する光を拡散によって均質化するとともに、モノリシック光学要素（５０）の光出力のほぼ全体によって、その強度が滑らかに連続的に変化する所定の光分布パターンが形成されるように方向付けるよう適合されている。 - 特許庁

A semiconductor chip 10 is placed on an insulation tape 12 without openings, and projected electrodes 17 formed on the electrode 11 on the semiconductor chip 10 are connected electrically together by inner leads 13 formed on the insulating tape 12, so that the increase of diffusion processes for forming wiring on the semiconductor chip 10 is avoided.例文帳に追加

開口部を設けない絶縁テープ１２に半導体素子１０が搭載され、半導体素子１０の電極１１に形成された突起電極１７どうしが、絶縁テープ１２上に形成されたインナーリード１３によって電気的に接続されることで、半導体素子１０の配線形成のための拡散プロセス工程が増加することを回避できる。 - 特許庁

To provide an agitator mill which prevents a fear of an operation miss generated by a subsidiary pulverized body hitting a preventive screen, in particular, while obtaining a pulverization-diffusion effect having a narrow particle distribution, even if a pulverization material passes through the agitator mill only once when improving a conventional type agitator mill and using the subsidiary pulverized body having particularly the very small diameter.例文帳に追加

一般タイプのアジテータミルを改良し、特に極めて小さい直径を有する補助粉砕体を使用するとき、粉砕材料がアジテータミルを一度しか通過しない場合でも、狭い粒子分布を有する粉砕・分散効果を得る一方で、特に保護スクリーンに当たる補助粉砕体により生じる操作ミスの恐れを回避する。 - 特許庁

This reflection type image encoding device has: an emitter 101 emitting light; a diffusion type reflective encoder 120 reflecting the light from the emitter; an image forming lens 135 forming a reverse image of the light reflected from the encoder; and a detector 140 receiving the revere image from the image forming lens.例文帳に追加

本発明の一実施例の反射型画像符号化装置は、光を放射するエミッタ（１０１）と、前記エミッタからの光を反射させる拡散型反射性符号器（１２０）と、前記符号器から前記反射した光の反転画像を形成する結像レンズ（１３５）と、前記結像レンズから前記反転画像を受ける検出器（１４０）とを具備する。 - 特許庁

The space between the metal plate or plated metal plate 3 and the white resin sheet 5 may comprise a white resin coating film in which the diffusion reflectance of visible light at 555 nm is ≥0.70, or the other face free from the white rein sheet 5 in the metal plate or plated metal plate 3 may comprise a back resin coating film.例文帳に追加

金属板もしくはめっきした金属板３と白色樹脂シート５との間に、５５５ｎｍでの可視光線の拡散反射率が０．７０以上である白色樹脂塗膜を含んでもよく、あるいは、金属板もしくはめっきした金属板３の白色樹脂シート５のない他方の面に裏面樹脂塗膜を含むこともできる。 - 特許庁

Three N+ diffusion layers 4a, 4b, and 4c are formed on a surface of a region surrounded by an element isolating insulating film 3a.例文帳に追加

素子分離絶縁膜３ａに囲まれた領域の表面に、３個のＮ^+拡散層４ａ、４ｂ及び４ｃが形成されており、Ｎ^+拡散層４ａはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ａのソース拡散層となり、Ｎ^+拡散層４ｃはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ｂのソース拡散層となり、Ｎ^+拡散層４ｂはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ａ及び１１ｂのドレイン拡散層となっている。 - 特許庁

The method for carburizing and quenching a workpiece to be treated of a steel component is characterized by transferring the treated workpiece through a carburization process or a diffusion process to a temporary cooling process, a re-heating process, a quenching process, or the like, with a transferring unit which is kept under such a reduced pressure that the above workpiece is not oxidized or decarbonized.例文帳に追加

鋼部品を被処理品とする浸炭焼入れ工程において、浸炭拡散工程、あるいは拡散工程が終了した被処理品を、前記被処理品が酸化、あるいは脱炭しない程度の減圧下に保持された搬送ユニットを介して、一時冷却工程、再加熱工程、焼入れ工程等へ移送する浸炭焼入れ方法。 - 特許庁

A semiconductor device includes a gate insulation film 20 formed on a semiconductor substrate 10, a cap film 22 formed on the gate insulation film, a silicon oxide film 23 formed on the cap film, a metal gate electrode 24 formed on the silicon oxide film, and source/drain diffusion layers 48 formed in the semiconductor substrate beside both sides of the metal gate electrode.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜上に形成されたキャップ膜２２と、キャップ膜上に形成されたシリコン酸化膜２３と、シリコン酸化膜上に形成された金属ゲート電極２４と、金属ゲート電極の両側の半導体基板内に形成されたソース／ドレイン拡散層４８とを有している。 - 特許庁

To provide an optical unit having high optical functions such as refraction toward a normal direction and light diffusion in a wide angle, and capable of easily and reliably controlling the optical functions, and to provide a backlight unit using the optical unit, in which qualities are enhanced such as high luminance in a front direction, a wide viewing angle and uniform luminance.例文帳に追加

法線方向側への屈折及び広角度の光拡散等の光学的機能が高く、その光学的機能を容易かつ確実に制御することができる光学ユニット及びこれを用いて正面方向の高輝度化、広視野角化、輝度の均一化等の品質の向上が促進されるバックライトユニットの提供を目的とするものである。 - 特許庁

The gas sensor element 1 includes a solid electrolyte body 11 having oxygen ion conductivity, a measurement gas-side electrode 12 and a reference gas-side electrode 13 prepared on one surface and the other surface of the solid electrolyte body 11, respectively, and a porous diffusion-resistant layer 14 through which a measurement gas is transmitted while covering the measurement gas-side electrode 12.例文帳に追加

ガスセンサ素子１は、酸素イオン伝導性の固体電解質体１１と、固体電解質体１１の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極１２及び基準ガス側電極１３と、被測定ガス側電極１２を覆うと共に被測定ガスを透過させる多孔質拡散抵抗層１４とを有する。 - 特許庁

Then, the deep p-type implantation region is annealed up to a surface of the silicon carbide surrounding the shallow n-type implantation region at temperature and time sufficient for lateral diffusion without vertically diffusing the embedded deep p-type implantation region up to the silicon carbide substrate surface through the shallow n-type implantation region.例文帳に追加

その後、前記深いｐ型注入領域を前記浅いｎ型注入領域を囲む炭化シリコン表面まで、該埋め込まれた深いｐ型注入領域を該浅いｎ型注入領域を通って炭化シリコン基板表面まで縦方向に拡散させることなく、側方拡散させるのに十分な温度及び時間でアニールする。 - 特許庁

The method for producing a compound oxide containing lithium by firing a precursor of the compound oxide containing lithium, is characterized in that a metallic material plated with Al, preferably diffusion plated with Al, is used in the part to be contacted with the precursor during firing.例文帳に追加

リチウム含有複合酸化物の前駆体物質を焼成してリチウム含有複合酸化物を製造する方法において、焼成中に該前駆体物質が接触する部分に、Ａｌのメッキ処理、好ましくは、Ａｌの拡散メッキ処理を施した金属材料を用いることを特徴とするリチウム含有複合酸化物の製造方法に関する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first layer 16a on the impurity diffusion region 22 in a semiconductor substrate by a selective epitaxial growth method; forming a second layer 18 on the first layer 16a by the selective epitaxial growth method; and filling a conductive material on the second layer 18 to form the contact plug 21.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

In an outer peripheral part of the semiconductor substrate 1, a first material film 2 and a second material film 3 having a metal diffusion preventing function, and a third material film 4 sufficiently slow in an etching rate to a first chemical relative to the first material film 2 and sufficiently slow in an etching rate to a second chemical relative to the second material film 3 are formed in that order.例文帳に追加

半導体基板１の外周部に、金属拡散の防止機能を有する第１材料膜２及び第２材料膜３、第１薬液に対するエッチングレートが第１材料膜２よりも十分遅く、且つ、第２薬液に対するエッチングレートが第２材料膜３よりも十分遅い第３材料膜４、をこの順に順次成膜する。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

During the diffusion combustion mode, an HC emission HCEXPKM1 in the premixed compression ignition combustion mode liable to have a large HC emission is predicted (Fig.5), and switching to the premixed compression ignition combustion mode is allowed till the predicted HC emission HCEXPKM1 becomes a threshold HCEXREF or less (Steps 2, 6 of Fig.4).例文帳に追加

また、拡散燃焼モード中、ＨＣ排出量が多くなりがちな予混合圧縮着火燃焼モードにおけるＨＣ排出量ＨＣＥＸＰＫＭ１を予測し（図５）、予測されたＨＣ排出量ＨＣＥＸＰＫＭ１がしきい値ＨＣＥＸＲＥＦ以下になるのを待って、予混合圧縮着火燃焼モードへの切換を許可する（図４のステップ２，６）。 - 特許庁

To obtain a paint composition for forming a surface projecting and recessing layer 2 provided under the reflection layer 3 of a reflective or semitransmissive liquid crystal display device or forming a light diffusion layer provided above the reflection layer 3, a paint composition with which a projecting and recessing shape can be simply formed on a coating film surface and which has excellent adhesiveness to the reflection layer 3.例文帳に追加

反射型もしくは半透過型液晶表示装置の反射層３の下に設けられる表面凹凸層２、または反射層３の上方に設けられる光拡散層を形成するための塗料組成物であって、塗膜表面に凹凸形状を簡易に形成することができ、反射層３に対する密着性に優れた塗料組成物を得る。 - 特許庁

The diffusion-weighted MR image is a three-dimensional projection image displayed with inverted black and white of a photographed image.例文帳に追加

ＭＲＩにおける拡散強調画像を作成のための信号取得において、被検体の同一部位からの信号を少なくとも１０回以上加算して取得して、信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める呼吸体動部位の拡散強調ＭＲＩ撮像方法、さらにはこの呼吸体動部位の拡散強調ＭＲＩ撮像方法を含む全身の拡散強調ＭＲＩ撮像方法。 - 特許庁

To provide a diffusion optical sheet which is prevented from curving owing to environmental change in temperature, humidity, etc., to cause deterioration in picture quality and can prevent fragments of a substrate from scattering when the substrate is broken owing to an accident such as a collision, and is high in flatness and safe, and a transmission type screen and a back projection type display device using the same.例文帳に追加

温度や湿度等、環境の変化による反り等が生じて画質が劣ることを防ぎ、衝突等の事故により基板が割れる等した場合に、その破片が飛散することを防止できる、平面性が高く、かつ、安全な拡散光学シートと、それを用いた透過型スクリーン及び背面投射型表示装置を提供する。 - 特許庁

In the MEA 30, introduction layers 34a, 34b comprising an ion exchange membrane are provided between electrodes 32a, 32b made up of catalyst layers 32a1, 32b1 in which catalyst metal is carried on a carbon carrier and diffusion layers 32a1, 32b2 and an electrolyte 31, and a catalyst solution S is introduced from inlets 35a, 35b.例文帳に追加

ＭＥＡ３０は、カーボン担体上に触媒金属が担持されて成る触媒層３２ａ１，３２ｂ１及び拡散層３２ａ２，３２ｂ２で構成される電極３２ａ，３２ｂと電解質膜３１との間に、イオン交換膜から成る導入層３４ａ，３４ｂが設けられており、導入口３５ａ，３５ｂから触媒溶液Ｓが導入される。 - 特許庁

The planographic printing plate which is composed of the aluminum sheet as its support and utilizes a silver complex salt diffusion transfer process has a specific polymer, i.e., a polymer which has a fluorine-containing aliphatic group and is insoluble in water and soluble in an alkaline in a physical development nucleus layer or between the physical development nucleus layer and a silver halide emulsion layer.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、物理現像核層若しくは物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層との間に、特定の重合体、即ちフッ素脂肪族基を有し、水に不溶性で、アルカリ可溶性の重合体を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁