「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

Each trap film 30 is formed between either one of the electrodes opposed to each diffusion layer 40 and the side surface of each trench 50.例文帳に追加

トラップ膜３０は、拡散層４０に対向するいずれかの電極とトレンチ５０の側面との間に形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an embedded diffusion silicon epitaxial wafer with no defects on the main back surface of a silicon monocrystalline substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板の主裏面に欠陥がない埋込拡散シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The underlayer 8 of the diffusion electrode 5 is pressed on the electrode catalyst layer 3 and heated to integrate them into a pile of layers.例文帳に追加

電極触媒層３上に拡散電極５を、下地層８を介して積層し加熱下に押圧して一体化する。 - 特許庁

A back diffusion/lake synthesis part 106 performs lake synthesis of a received signal from an antenna at a satisfactory state of the propagation path.例文帳に追加

逆拡散・レイク合成部１０６は、伝搬路状態が良好なアンテナからの受信信号をレイク合成する。 - 特許庁

To provide wiring that suppresses oxidation of a copper wiring layer and diffusion of copper while securing excellent shape controllability.例文帳に追加

良好な形状制御性を確保しつつ、銅配線層の酸化および銅の拡散を抑制できる配線を提供する。 - 特許庁

A diffusion plate 26 is arranged on the upper part of the lens case 32 and a Fresnel lens 28 is arranged on the lower part of the lens case 32.例文帳に追加

レンズケース３２の上部に拡散板２６が配設され、レンズケース３２の下部にフレネルレンズ２８が配設されている。 - 特許庁

The plurality of diffusion layer portions are arranged while mutual relative positions are displaced along the surface of the electrode.例文帳に追加

複数の拡散層部分は、互いの相対的な位置が電極の面に沿って変位可能な状態で配置されている。 - 特許庁

With the diffusion of TV and radio, standard Japanese has permeated [has spread] through the nation, and dialects in various parts of Japan have been rapidly disappearing. 例文帳に追加

テレビやラジオの普及と共に標準語が全国に浸透し, 各地の方言が急速に姿を消しつつある. - 研究社 新和英中辞典

The two diffusion layers are thin layers and one layer is positioned on the upper side of the substrate and the other layer is positioned on the lower side of the substrate.例文帳に追加

二片の拡散層は薄片状で、一片は基礎台上側に位置し、別一片は基礎台下側に位置する。 - 特許庁

The power supply potential is fed to the source node of the MIS transistor by using two layers of the diffusion layer and the wiring layer.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのソースノードに給電される電源電位が拡散層と配線層の２層を用いて行われる。 - 特許庁

To prevent occurrence of diffusion limit phenomenon, where the internal resistance of a power supply device increases abruptly during charging/discharging.例文帳に追加

充放電時に、電源デバイスの内部抵抗が急激に上昇する拡散限界現象が発生するのを防ぐ。 - 特許庁

The body part has an anisotropic diffusion function of diffusing transmitted light mainly in the array direction of the unit shape elements.例文帳に追加

本体部は、透過光を主として単位形状要素の配列方向に拡散させる異方性拡散機能を有する。 - 特許庁

A diffusion sheet 14 with characters put on is stuck to the surface of a light guide panel 8 of the light guide display part 2.例文帳に追加

導光表示部２の導光パネル８の表面には文字が付された拡散シート１４が貼り付けられている。 - 特許庁

A strain sensor composed of the force sensor 12 formed by diffusion is arranged on the upper side of the thin support part 16.例文帳に追加

薄肉支持部１６上側に拡散によって形成された力センサ１２からなる歪センサが設けられている。 - 特許庁

To provide a soil improving agent preventing diffusion of hazardous substances in soil, and capable of being decomposed and removed.例文帳に追加

土壌中の有害物質の拡散を防止するとともに、分解除去可能な土壌改質改良剤を提供する。 - 特許庁

The diffusion screw section 24 located at the tip of the extrusion screw 2 has a larger diameter than the screw diameter of the pressurizing screw section 21.例文帳に追加

押出スクリュー２の先端に配置した拡散スクリュー部２４は，加圧スクリュー部２１のスクリュー径よりも大径にしてある。 - 特許庁

In analysis of bulk specimens by WDS, the spatial resolution is limited to 0.1 to 1 μm by the diameter of the electron-diffusion region. 例文帳に追加

WDSによるバルク試料の分析では、空間分解能は電子拡散領域の直径によって0.1〜1μmに限定される。 - 科学技術論文動詞集

To provide a method of manufacturing a light emitting element capable of efficiently forming a current diffusion layer whose conductivity type is n-type.例文帳に追加

導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the creeping distance from a p-type diffusion region 23 to an n-type diffusion region 24 can be made longer in the vertical direction, the capacity of the n-type MOSFET 26 can be increased.例文帳に追加

ｐ型拡散領域２３からｎ型拡散領域２４までの沿面距離を垂直方向に長くすることができ、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２６のキャパシティーを大きくすることができる。 - 特許庁

The anti-static light diffusion sheet 1 is formed by laminating a translucent anti-static layer 3, having 10^6-10^11 Ω/square for the surface resistivity on one surface of a light diffusion sheet body 2.例文帳に追加

光拡散シート本体２の片面に、１０^６〜１０^１１Ω／□の表面抵抗率を有する透光性制電層３を積層した構成の制電性光拡散シート１とする。 - 特許庁

In the first impurity diffusion region 33, a band gap is expanded by impurity diffusion to suppress heat generation by light absorption and to prevent the deterioration caused from the side of the ridge 20.例文帳に追加

第１不純物拡散領域３３では、不純物拡散によりバンドギャップが拡大し、光吸収による発熱が抑えられ、リッジ部２０の側面からの劣化が抑制される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for manufacturing a light diffusion plate with a primer layer capable of securing sufficient sticking strength between the light diffusion plate and the other optical film or the like with efficient productivity and at a low cost.例文帳に追加

他の光学フィルム等との間で十分な貼合強度を確保できるプライマー層付き光拡散板を生産効率良くかつ低コストで製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

An optical sheet (diffusion plate 32) different from an optical sheet 38 is disposed on the light source side of an optical sheet 30, the optical sheet 38 and the diffusion plate 32 are bonded by an adhesive layer 60.例文帳に追加

光学シート３０の光源側に光学シート３８とは別の光学シート（拡散板３２）が配設され、光学シート３８と拡散板３２は接着層６０により接合されている。 - 特許庁

The lateral diffusion region 14B of the p-type diffusion region 14 reaches to a point just under the gate electrode 6, so that a surface leakage current occurring between the n^+-source region 7 and the n^+-drain region 8 can be reduced.例文帳に追加

また、横方向拡散１４Ｂがゲート電極６の直下まで到達することでＮ＋ソース領域７とＮ＋ドレイン領域８との間の表面リーク電流を低減する。 - 特許庁

A current measuring part 1 measures the value of a current flowing through the second diffusion region c or the fourth diffusion region e, and outputs current value signals corresponding to the measured current value.例文帳に追加

電流測定部１は、第２拡散領域または第４拡散領域を流れる電流の電流値を測定し、且つ測定された電流値に応じた電流値信号を出力する。 - 特許庁

To provide a low temperature co-fired ceramic substrate having a diffusion barrier layer to prevent diffusion occurring at a heterojunction region during firing, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

焼成過程において異種接合領域に発生する拡散現象を防止するための拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 12 is formed between a p-type diffusion layer 10 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１０とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 14 is formed between a p-type diffusion layer 12 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１２とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

The n-type diffusion area 12 and the p-type diffusion area 17 correspond to body contact areas for setting the back gate potential levels of the PMOS transistor and the NMOS transistor.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域１２及びＰ型拡散領域１７はＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのバックゲート電位設定用に設けられたボディコンタクト領域に相当する。 - 特許庁

The gate G_ST of the selection transistor ST is formed with a MOS structure so as to straddle the first impurity diffusion layer 104, the first body region 100, and the first impurity diffusion layer 124.例文帳に追加

第１不純物拡散層１０４、第１ボディ領域１００、第１不純物拡散層１２４に跨るように選択トランジスタSTのゲート部G_STをＭＯＳ型構造で形成する。 - 特許庁

This p^+-type body contact diffusion region 7B is formed at the center of the n^+-type source diffusion region 9 in plan view, and has an electric connection relation with the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加

このＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７ＢはＮ^+型ソース拡散領域９の平面視中心部に形成され、Ｐ型ボディ領域突出部３ａと電気的接続関係を有する。 - 特許庁

Each air diffusion pipe line A and B has at least, not less than one gas jet nozzle (92), and each gas jet nozzle (92) of the adjacent air diffusion pipe lines A and B is arranged right opposed to each other.例文帳に追加

各散気管系列A,B が少なくとも１個以上の気体噴射ノズル(92)を有しており、隣接する前記散気管系列A,B の各気体噴射ノズル(92)が正対して配されている。 - 特許庁

A first conductive type of second impurity diffusion region 5 is disposed in the first layer 12 at an interval in an in-plane direction from the first impurity diffusion region 13.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３から、面内方向にある間隔を隔てて、第１の層１２内に第１導電型の第２の不純物拡散領域５が配置されている。 - 特許庁

Consequently, a sufficient range of P type diffuse conditions can be ensured in a P^+ type buried diffusion layer 12 being formed on the N^+ type buried diffusion layer 11.例文帳に追加

これにより、Ｎ＋型埋め込み拡散層１１上に形成するＰ＋型埋め込み拡散層１２におけるＰ型拡散条件の範囲を十分に確保することが自在となる。 - 特許庁

The lid of a lateral diffusion furnace is opened at the same time when the furnace is made to start dropping in temperature, and a quartz fork is inserted into the diffusion furnace to unload semiconductors wafers from the furnace.例文帳に追加

横型拡散炉内の降温を開始すると同時に、横型拡散炉の蓋体を開放し、石英フォークを横型拡散炉内に挿入して半導体ウェハの搬出を開始する。 - 特許庁

Bar graphs 360J, K have a constant breadth ((1/128)W) regardless of diffusion code length, whereas display regions 360E, F have widths ((1/32)W, (1/4)W) corresponding to diffusion code lengths.例文帳に追加

表示領域３６０Ｅ、Ｆが拡散符号長に対応する幅（（1／32）W、（1／4）W）を有する一方で、棒グラフ３６０Ｊ、Ｋは拡散符号長にかかわらず一定の幅（（1／128）W）を有する。 - 特許庁

The anti-diffusion region 22 is provided to have a thickness not smaller than a diffusion distance of the P type impurity from the collector region 11 toward the buffer region 12 in an element formation process.例文帳に追加

拡散防止領域２２は、素子形成プロセスにおいてコレクタ領域１１からバッファ領域１２側へＰ型不純物が拡散する距離以上の厚みで設けられている。 - 特許庁

N+ type diffusion regions 6a-6d as well as P- type diffusion region 5a and the like are formed on the surface and its vicinity of an N- type epitaxial layer 2 on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上のＮ−型エピタキシャル層２の表面およびその近傍にＮ＋型拡散領域６ａ〜６ｄおよびＰ型拡散領域５ａ等が形成されている。 - 特許庁

The second transistor 3-1 is disposed on a third impurity diffusion layer 210 provided on the second impurity diffusion layer 206-12, so as to constitute a portion of the pixels, and is connected to the first transistor 2-1.例文帳に追加

第２トランジスタ3-1は、第２不純物拡散層206-12上の第３不純物拡散層210上に設けられ、画素の一部を構成すると共に、第１トランジスタ2-1に接続される。 - 特許庁

To provide a display device having high contrast, in which a light control means is used in place of a light diffusion layer and the failure in the case when the light diffusion layer is used is eliminated.例文帳に追加

光拡散層の代わりに、光制御手段を利用して、光拡散層を用いた場合の不具合を解消し、高コントラストの表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A light emitting device, wherein two or more LED lamps are arranged, is constituted such that at least a light emitting surface side of an LED lamp is covered with a diffusion layer, and a diffusion layer is further covered with a cover layer.例文帳に追加

複数のＬＥＤランプを配列してなる発光装置において、ＬＥＤランプの少なくとも発光面側を拡散層で被覆し、更に拡散層をカバー層で被覆する。 - 特許庁

To solve the problem that protrusions like carbon fiber of a gas diffusion layer are left in a section when cutting a gas diffusion electrode, and break a polymer film on a surface contacting with the polymer film.例文帳に追加

ガス拡散電極を切断加工する際に、ガス拡散層の炭素繊維等の突起物が切断面に残存し、高分子膜と接触する面で高分子膜を破損する。 - 特許庁

To provide a fuel cell with suppressed whole thickness, enhanced gas diffusion property, and enhanced reaction efficiency by specifically improving the form of a gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層の形態に独自の工夫を凝らすことにより、電池全体の厚さを抑えつつガス拡散性を向上させ、電池としての反応効率が上がった燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light diffusion plate with a primer layer for sufficiently securing an air layer between the light diffusion plate and the other optical film or the like and securing sufficient sticking strength.例文帳に追加

他の光学フィルム等との間に空気層を十分に確保できると共に十分な貼合強度を確保できるプライマー層付き光拡散板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A high conductivity region 18 that comprises the surface part of the drain region is diffused more deeply than a main diffusion layer 36 and channel diffusion layer 37, and its conductive resistance is kept at a low level.例文帳に追加

ドレイン領域の表面部分を構成する高導電領域１８は、主拡散層３６やチャネル拡散層３７よりも深く拡散されており、導通抵抗が小さくなっている。 - 特許庁