「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

A ring-like n^+ diffusion region 1 is formed in the peripheral area of the surface region of a semiconductor substrate to surround a transistor cell.例文帳に追加

半導体基板の表面領域の外周領域にトランジスタセルを取り囲むようにリング状のｎ^+拡散領域１が形成される。 - 特許庁

An operator of a digital camera 1 mounts a diffusion plate 4 on a lens mount MT in place of a photographing lens in a foreign material detecting mode.例文帳に追加

デジタルカメラ１の操作者は、異物検出モードにおいて、撮影レンズの代わりに拡散板４をレンズマウントＭＴに装着する。 - 特許庁

The end of the first interior channel formation member is in contact with a surface on the first separator side of a diffusion layer on the first separator side.例文帳に追加

第１の内部流路形成部材の端部は第１のセパレータ側の拡散層の第１のセパレータ側の表面に接触している。 - 特許庁

To maintain high reliability of circuit devices by properly preventing diffusion of hydrogen, moisture or the like into circuit devices such as nonvolatile memory cells.例文帳に追加

不揮発性メモリセル等の回路素子への水素及び水分等の拡散を十分に防止し、回路素子の高信頼性を維持する。 - 特許庁

A light source unit 30 composed of a fluorescent tube 18, a backlight casing 17, and a diffusion sheet 16 is arranged on a back surface of the panel unit 20.例文帳に追加

パネルユニット２０の背面には蛍光管１８、バックライト筐体１７、拡散板１６からなる光源ユニット３０が設置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of coping with both of a high on-state current and a low junction leakage current in a source/drain diffusion layer.例文帳に追加

高いオン電流とソース／ドレイン拡散層における低い接合リーク電流を両立可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an in-situ confining method capable of avoiding diffusion of ground water in a polluted land from a confining zone by a simple means.例文帳に追加

簡易な手段で封じ込め地区からの汚染地下水の拡散を防止することができる原位置封じ込め工法を提供する。 - 特許庁

In such a construction, even if the gas leaks out of the pipes 30 and 32, the means 50 collects the gas, thereby preventing the diffusion of the gas.例文帳に追加

このような構成においては、配管からガスが漏洩しても、排気手段により収集されるので、ガスの拡散が防止される。 - 特許庁

To provide a desk mat capable of diffusing a fragrance as occasion demands and continuing the diffusion of the fragrance for a period as long as possible.例文帳に追加

必要に応じて芳香させて香りの放散をできるだけ長期に亘って継続させることができるデスクマットを提供すること。 - 特許庁

Moreover the light diffusion apparatus is arranged at a light output side of a light guiding plate of the lighting apparatus or is made on the light guiding plate.例文帳に追加

さらに、該光拡散装置を照明装置の導光板の光出力側に配置した、もしくは該導光板上に作り込んだ。 - 特許庁

A content ratio of the glass powder in the p-type diffusion layer forming composition is within a range of 1 mass% and over to 90 mass% and under.例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物のガラス粉末の含有比率は、１質量％以上９０質量％以下の範囲である。 - 特許庁

To provide a writing control system which can write recording data such as a concert in a plurality of players without a possibility of diffusion by copying.例文帳に追加

コンサート等の録音データを複製による拡散の虞がなく複数のプレーヤーに書き込める書込制御システムを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming the interlayer insulating film 2 on a semiconductor substrate 1, and a step of then forming a first Cu diffusion barrier insulating film 3.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成した後、第１のＣｕ拡散バリア絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

A drain of a reset transistor and a drain of an amplification transistor 30 which constitute the n-type diffusion layer 26 are connected to a power supply line 33.例文帳に追加

ｎ型拡散層２６を構成しているリセットトランジスタのドレインと増幅トランジスタ３０のドレインは、電源線３３に接続される。 - 特許庁

Furthermore, main scan line synchronism of the CCD 303 is varied for each line within the modulation cycle M of the frequency diffusion circuit 322.例文帳に追加

さらに、周波数拡散回路３２２の変調周期Ｍ以内で、ＣＣＤ３０３の主走査ライン同期を毎ラインごとに変動させる。 - 特許庁

To excellently embed Cu into a fine pattern of a semiconductor device, and to suppress diffusion of the Cu into an interlayer insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。 - 特許庁

In addition, the particles are allowed to pass through the gas phase of a diffusion source in order to form a surface layer by doping the impurity into the surface of the particles.例文帳に追加

さらにその粒子の表面に、不純物をドープして表面層を形成するために、拡散源の気相中を通過させる。 - 特許庁

This structure allows favorable diffusion of the introduced gas and favorable drainage of the generated water.例文帳に追加

この構成により、導入されたガスを良好に拡散させることができるとともに発生した生成水を良好に排水することができる。 - 特許庁

To suppress variations in cell characteristics due to widening of a diffusion layer as a bit line in a thermal process at the time of gate oxidation.例文帳に追加

ゲート酸化時の熱工程で、ビット線としての拡散層が広がることによるセル特性のばらつきを抑制することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a diffusion layer 11 formed around the bottom of a trench formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に形成された拡散層１１を含む。 - 特許庁

In suppressing the diffusion of aldehydes from the woody building material, the deactivation treatment of an enzyme component contained in the woody building material is performed.例文帳に追加

木質建材からのアルデヒド類の放散を抑止するにあたり、上記木質建材に含まれる酵素成分の失活処理を行なう。 - 特許庁

To reduce image quality deterioration in a boundary of an area in the case of performing error diffusion processing for every area divided from an image.例文帳に追加

画像から分割された領域ごとに誤差拡散処理を行う場合の領域の境界における画質劣化を低減する。 - 特許庁

The distribution of the diffusion characteristics is evaluated in real time by arranging a plurality of such characteristic evaluation apparatus in a manufacturing line.例文帳に追加

また、この様な特性評価装置を製造ラインの中に複数配置することにより、拡散特性の分布をリアルタイムで評価する。 - 特許庁

To provide a high pressure gas storage facility securely capable of preventing the diffusion of high pressure gas leaking from a tank at a low cost.例文帳に追加

タンクから漏洩した高圧気体の拡散を、低コストで確実に防止することができる高圧気体貯蔵施設を提供する。 - 特許庁

Each diffusion layer 40 is formed only under the bottom surface of each trench 50, or is formed only under the surface of the substrate present in each RI interposed between the trenches.例文帳に追加

拡散層４０は、トレンチ５０の底面の下だけに、あるいは、トレンチ間ＲＩの基板表面の下だけに形成される。 - 特許庁

To provide a technique for restraining cross leak of gas or generation of leak current in a fuel cell equipped with a gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層を備える燃料電池において、ガスのクロスリークまたはリーク電流の発生を抑制する技術を提供すること。 - 特許庁

This semiconductor device has the N+ additional embedded layer 45 of the NPN transistor 31, formed of phosphorus (P) having a rapid diffusion rate.例文帳に追加

この半導体装置では、ＮＰＮトランジスタ３１におけるＮ^+型付加埋め込み層４５は、拡散速度の速いリン（Ｐ）で形成される。 - 特許庁

The electron potential energy of the lower-part diode impurity layer 41 in an initial state is higher than that of the floating diffusion layer 43.例文帳に追加

下部ダイオード不純物層４１の初期状態における電子ポテンシャルエネルギーは、浮遊拡散層４３の電子ポテンシャルエネルギーよりも高い。 - 特許庁

P^+ diffusion areas 23, 24 and 25 of 14-20 μm in depth (design value) are selectively formed on the surface layer of an n^- semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２２の表面層に、１４〜２０μｍ（設計値）の深さのｐ^+拡散領域２３，２４，２５を選択的に形成する。 - 特許庁

To improve the gettering capability of an epitaxial silicon wafer and to provide an epitaxial silicon wafer in which shortening of the carrier diffusion length is suppressed.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハのゲッタリング能力を向上させ、ウエーハ中のキャリアの拡散長の低下が抑制されたエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

To secure enough illuminance required of a diffusion area, with the use of light irradiated from an LED light source upward aslant.例文帳に追加

ＬＥＤ光源から斜め上方へ出射する光を用いて拡散領域に要求される照度を十分に確保することができる。 - 特許庁

To prevent a debonding of an electrode from an anti-diffusion layer, or a generation of cracks in a piezoelectric layer when a piezoelectric actuator is manufactured.例文帳に追加

圧電アクチュエータを製造する際に、電極が拡散防止層から剥離したり、圧電層に亀裂が生じたりするのを防止する。 - 特許庁

The water pump 124 supplies a pressurized water from an introduction tube 113 of the airtight container 102 to an upper surface of the gas diffusion layer substrate 106.例文帳に追加

水ポンプ１２４は密閉容器１０２の導入管１１３からガス拡散層基材１０６の上面に加圧水を供給する。 - 特許庁

Phosphorous ions are injected vertically to the surface (110) of the rear surface of the wafer to form the deep diffusion layer becoming the field stop layer 31.例文帳に追加

そして、ウェハ裏面の（１１０）面に対して垂直にリンイオンを注入して、フィールドストップ層３１となる深い拡散層を形成する。 - 特許庁

A diffusion coefficient of at least one of oxygen and carbon in the non-ferrous metal is smaller than that in iron.例文帳に追加

非鉄金属における、酸素および炭素の少なくともいずれか一方の拡散係数は、鉄におけるその拡散係数よりも小さい。 - 特許庁

To provide a spectrum diffusion clock generator (SSCG) capable of reducing disorder of clock duty ratio caused in a variable delay circuit.例文帳に追加

可変遅延回路で生じるクロックのデューティ比の崩れを低減することができるスペクトラム拡散クロックジェネレータ（ＳＳＣＧ）を提供する。 - 特許庁

By the trench grooves, diffusion of the signal charge in an adjacent pixel direction, and leakage of incident light in the adjacent pixel direction are suppressed.例文帳に追加

トレンチ溝によって、信号電荷の隣接画素方向への拡散や入射光の隣接画素方向への漏れ込みが抑制される。 - 特許庁

A p-type diffusion region 3 is formed as an anode 2 of a diode on one-side main surface side of an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の一方の主表面の側には、ダイオードのアノード２として、ｐ型拡散領域３が形成されている。 - 特許庁

On the surface of a cavity 4 side, a thermal diffusion layer 5 having larger thermal diffusivity than the heat-diffusivity of a die base material 11 is arranged.例文帳に追加

キャビティ４側の表面に、金型母材１１の熱拡散率より大きい熱拡散率を有する熱拡散層５を設ける。 - 特許庁

Gas diffusion resistance to the catalyst layer of the reaction gas is made low, and exhaust resistance of produced water from the catalyst layer is made low.例文帳に追加

それにより、反応ガスの触媒層までのガス拡散抵抗が小さくなり、触媒層からの生成水排出抵抗が小さくなる。 - 特許庁

However, due to changes in the social environment, such as the diffusion of personal computers and printers, the peak of posting nengajo has become later each year. 例文帳に追加

しかしながらパーソナルコンピュータ（パソコン）並びにプリンターの普及等の社会環境の変化などから投函のピークは遅くなっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a technology capable of suppressing diffusion of reflected light from a reading medium when the exposed reading medium is subjected to light.例文帳に追加

露出した読取媒体に光を照射するときの読取媒体からの反射光の拡散を抑制できる技術を提供すること。 - 特許庁

Light diffusion property of a light diffusing layer 9 is made to regularly vary in a plane of the light diffusing layer 9.例文帳に追加

光拡散層９の光拡散性をその光拡散層９の平面内において規則性をもって変化させるようにしたもの。 - 特許庁

A second light diffusion part 75 is formed at a side of a first surface 71a of the protrusion wall 66b to be continuous to the storage recess 73.例文帳に追加

突出壁６６ｂの第１面７１ａ側に、収容凹部７３に連続するように第２光拡散部７５が形成される。 - 特許庁

An embossed surface 3e that is a diffusion and reflection portion and is composed of a number of micro roughnesses is formed in the surface 3d in a scale ring 3.例文帳に追加

目盛リング３の表面３ｄに拡散反射部であり多数の微小な凹凸からなるシボ面３ｅを形成している。 - 特許庁