| 例文 (8件) |
diffusion barriersの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
The diffusion preventing barriers are disposed so as to face each other in the inside of the composite material article.例文帳に追加
拡散防止障壁は、複合材物品の内部で互いに向かい合うように配置されている。 - 特許庁
This composite material article is provided with two polymer substrate layers, and each of them has one or more diffusion preventing barriers on its one side.例文帳に追加
複合材物品は２つのポリマー基板層を備え、その各々が片面に１以上の拡散防止障壁を有する。 - 特許庁
Since the first oxide grains 1 beforehand subjected to sintering serves as diffusion barriers, the grain growth of the second oxide grains 2 can be suppressed.例文帳に追加
予めシンタリングされた第１酸化物粒子１が拡散障壁となるので、第２酸化物粒子２の粒成長が抑制される。 - 特許庁
Barriers 18b and 18c are provided between electrodes 17, 21 formed of copper the dielectric 20 to prevent diffusion of copper to the dielectric.例文帳に追加
銅で構成された電極１７、２１と誘電体２０との間には、該誘電体への銅の拡散を防止するための障壁１８ｂ、１８ｃが設けられている。 - 特許庁
On top faces of copper wirings are provided diffusion barriers made of a material selected among silicon nitride, silicon carbide, aluminum nitride, aluminum carbide and titanium carbide, an etch stopper film and an insulation film are provided on the diffusion barriers, and the etching selectivity of the etch stopper film to the insulation film is set to 10 or more, thereby attaining the purpose.例文帳に追加
銅配線の上面にシリコン窒化物、シリコン炭化物、アルミニウム窒化物、アルミニウム炭化物、チタン炭化物から選ばれる拡散バリアを設け、この拡散バリア上にエッチストッパ膜と絶縁膜を設け、この絶縁膜に対するエッチストッパ膜のエッチ選択比を１０以上とすることにより達成される。 - 特許庁
A method for forming the diffusion barrier for the copper wiring includes steps for supplying a semiconductor, forming a dielectric layer over the semiconductor, forming a trench in the dielectric layer, forming the diffusion barrier including a TiNSi in the trench using a chemical vapor deposition method (CVD), and forming an (α-Ta) layer having a body-centered cubic structure on the diffusion barriers.例文帳に追加
銅線用拡散バリアを形成する方法であって、 半導体を供給すること、 前記半導体上に誘電体層を形成すること、 前記誘電体層中にトレンチを形成すること、 化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて前記トレンチ中に窒化チタンケイ素を含む拡散バリアを形成すること、及び 前記拡散バリア上に体心立方構造をもつアルファ相タンタル（α‐Ｔａ）層を形成することを含む方法が提供される。 - 特許庁
Guide walls 9a, 9b being physical barriers are arranged at the positions to discharge the fluids A and B being the raw materials before mixed and the product so that only such a portion that the fluids A and B are mixed/reacted with each other is discharged by the molecular diffusion of the raw materials.例文帳に追加
未混合の原料である流体Ａ、流体Ｂ、および生成物が排出される部位であって、原料の分子拡散により流体Ａ、流体Ｂの両者が混合・反応した部分のみが出てくるように、物理的な障壁であるガイド壁９ａ・９ｂを設ける。 - 特許庁
The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加
ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁
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