「diffusion current」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a biological information measuring apparatus for solving the problem of direct current in spectrum diffusion and improving the use efficiency of the frequency in related to measurement and measuring the biological information according to the metabolism of a living body.例文帳に追加

スペクトラム拡散における直流問題を解決し、また、計測に関連する周波数の利用効率を向上させて生体の代謝に伴う生体情報を計測する生体情報計測装置を提供すること。 - 特許庁

An electrolytic film 1 like a solid polymeric material is formed into a wave-shaped plate body with crest folds and trough folds running in parallel, and a film electrode body 8 is formed by arranging a catalyst layer, a diffusion layer, a current collector and the like, on the front side and the back side of the wave shaped plate body.例文帳に追加

固体高分子物質などの電解質膜１を、山折りと谷折りが平行に連なる波形板体に形成し、その表裏に触媒層，拡散層，集電体４などを組み付けて膜電極体８とする。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode assembly and a fuel cell in which voltage drop is small on current collection from a gas diffusion layer to a separator and electrode reaction is hardly blocked on a catalyst layer in the vicinity of a gas passage and power generation capability is excellent.例文帳に追加

ガス拡散層からセパレータへの集電における電圧降下が小さく、ガス流路付近での触媒層での電極反応が阻害され難く、発電能力にすぐれた膜電極接合体及び燃料電池を提供する。 - 特許庁

Thereby, uniform air vents are formed between the electrodes and the separator, high contact pressure by the contact of the mesh of a narrow wire shape is secured, and thereby, the uniformity of gas diffusion and the reduction of current collection resistance can be attained.例文帳に追加

これにより、電極とセパレータとの間に均一な通気孔が形成され、幅の狭い線状の網目の接触による高い接触圧が確保され、それによりガス拡散の均一化と集電抵抗の軽減がともに可能となる。 - 特許庁

Electric current is made to flow between an insoluble anode 3 and a gaseous oxygen diffusion cathode 5 while holding the concentration of halide ions in an anode solution in an anode chamber 4 to ≤1 g/l, and hydrogen peroxide in a cathode solution is dissolved.例文帳に追加

陽極室４内の陽極液中のハロゲン化物イオン濃度を１ｇ／リットル以下の低濃度に維持しながら、不溶性陽極３と酸素ガス拡散陰極５間に通電して陰極液中の過酸化水素を溶解させる。 - 特許庁

This procedure avoids increase in leakage current between the source and the drain caused by rediffusion in the n+ diffusion layer.例文帳に追加

さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ溝を形成し前記トレンチ溝にゲート電極形成後にソースとなるN＋拡散層を形成しているため、N＋拡散層の再拡散によるソース及びドレイン間リーク電流が増大しない。 - 特許庁

Noises generated by the speed sprayer are reduced by attaching a sound absorbing material on the backside of a diffusion plate 24, which forms the opening 22 of the current cylinder 9, and absorbing and dispersing collision noises caused by the blast force from the rotative blade 12.例文帳に追加

整流筒の散布開口部を形成する拡散板の背面に吸音材を貼着して回転羽根からの送風力による衝突音を吸収分散させてスピードスプレヤーの発生する騒音を低減させる構成。 - 特許庁

To provide a solid polymer fuel cell capable of stably operating for a long period during a high-humidity/high current-density operation through quick absorption, diffusion, and transpiration into the atmosphere of product water in a porous metal body.例文帳に追加

多孔質金属体における生成水を速やかに吸水拡散と大気中へ蒸散して、高湿・高電流密度運転時においても長時間にわたって安定して運転できる固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁

A sensor element 10 of an A/F sensor has a gas diffusion rate determining part, a solid electrolyte and a pair of electrodes, and an element current flows in response to the concentration of a specified component in each time in accompaniment with voltage impression to the sensor element 10.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサのセンサ素子１０はガス拡散律速部、固体電解質体及び一対の電極を有し、該センサ素子１０への電圧印加に伴いその都度の特定成分濃度に応じた素子電流が流れる。 - 特許庁

The method also comprises the step of extracting the grain boundary fault from a potential and carrier density obtained from the capacity-voltage measurement, and a current-voltage measurement by using a depletion layer approximation at the boundary, drift diffusion equation and thermo-ionic emission equation.例文帳に追加

容量-電圧測定から得られたポテンシャルとキャリア密度、および、電流-電圧測定から、粒界での空乏層近似とドリフト拡散方程式とサーモアイオニックエミッション方程式を用いて、粒界欠陥を抽出する。 - 特許庁

Therefore, the emitter diffusion layer 5 is a shallow junction and the impurity concentration of an emitter becomes high, thereby realizing a high-performance semiconductor device which simultaneously obtains a high current amplification factor without reducing an early voltage or emitter-collector voltage resistance.例文帳に追加

従って、エミッタ拡散層５は浅い接合で、且つエミッタの不純物濃度は高くなるので、アーリー電圧やエミッタ・コレクタ耐圧を低下させることなく、同時に高い電流増幅率を得る高性能な半導体装置を実現できる。 - 特許庁

To provide a transparent electrode for a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device in which ohmic contact and current diffusion are good and the bonding strength of a bonding pad is large.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、オーミック接触および電流の拡散が良好であって、かつボンディングパッドの接合強度が大きい透光性の電極を提供することである。 - 特許庁

P^+ impurity diffusion embedded layers 15 are formed in the semiconductor substrate under the lower parts of drain electrodes 12 and each of the layers 15 turns into one part of the breaking current paths to reach from the electrodes 12 to a source electrode 10 via the region 6.例文帳に追加

ドレイン電極１２の下方における半導体基板にｐ^+不純物拡散埋込層１５が形成され、ドレイン電極１２からｐ^+ボディ領域６を介してソース電極１０に至るブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

To provide a solid polymer type fuel cell, which can achieve long life and high current supply, by controlling the concentration of a water repellency agent within an electrode layer in a thickness-wise direction of the layer and within the surface thereof to attain high efficiency and evenness of gas diffusion.例文帳に追加

電極層内での撥水濃度を層の厚み方向及び表面内で制御してガス拡散の高効率化と均一化に行い、高寿命化と大電流化を達成できる固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁

A sensor element 10 of an A/F sensor has a gas diffusion rate-determining part, a solid electrolyte, and a pair of electrodes, and an element current corresponding to a specific component concentration flows in every of voltage impression in accompaniment to the voltage impression to the sensor element 10.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサのセンサ素子１０はガス拡散律速部、固体電解質体及び一対の電極を有し、該センサ素子１０への電圧印加に伴いその都度の特定成分濃度に応じた素子電流が流れる。 - 特許庁

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell.例文帳に追加

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode terminal of the first MOS capacitance is equivalently connected to a diffusion layer side terminal (terminal opposite to the gate electrode terminal) of the second MOS capacitance, and a potential difference generating element 16 for generating potential difference, based on the current flowing, is connected between the diffusion layer side terminal of the first MOS capacitance and the gate electrode terminal of the second MOS capacitance.例文帳に追加

第１のＭＯＳ容量のゲート電極端子と、第２のＭＯＳ容量の拡散層側端子（ゲート電極端子とは反対の端子）が等価的に接続され、第１のＭＯＳ容量の拡散層側端子と第２のＭＯＳ容量のゲート電極端子の間に、電流が流れることにより電位差を発生する電位差発生素子１６が接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element capable of achieving uniformity of current density by promoting current diffusion in a semiconductor film in a lateral direction and a stacked direction and capable of easily controlling color mixture of light using a phosphor, in the semiconductor light-emitting element in which an n-electrode and a p-electrode are provided on the same surface side of the semiconductor film.例文帳に追加

ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ電流密度の均一化を図るとともに蛍光体を用いた光の混色のコントロールを容易にすることができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

By converting an output voltage obtained from the floating diffusion of a solid-state imaging device into current signals, shifting a DC level by using the current signals, lowering the power supply voltage and outputting it from a drive circuit, the power supply voltage of the output buffer circuit is lowered and power consumption is reduced without lowering the conversion efficiency and the frequency characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子のフローティングディフュージョンから得られる出力電圧を電流信号に変換し、該電流信号を用いて直流レベルシフトして電源電圧を下げて駆動回路から出力することにより、変換効率や周波数特性を低下させることなく、出力バッファ回路の電源電圧を下げて消費電力を削減する。 - 特許庁

In this method of simulating a semiconductor device in which the semiconductor device having a two-or three-dimensional structure is divided into meshes and a physical equation, such as potential equation, carrier transportation equation, etc., is solved in each mesh, a drift current caused by an electric field and a diffusion current caused by a carrier density gradient are handled separately from each other.例文帳に追加

２次元構造または３次元構造の半導体デバイスをメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式やキャリア輸送方程式等の物理方程式を解く、半導体デバイスシミュレーション方法において、電界に起因するドリフト電流と、キャリア密度勾配に起因する拡散電流とを、それぞれ別個に取り扱うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a light-emitting element, in which transparent semiconductors functioning as current diffusing layers can be formed efficiently on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section and the variation of the serial resistance, in which the forward current of the element hardly occurs, and which can suppress the deterioration of the light-emitting layer section caused by the thermal diffusion of a dopant profile.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層として機能する透明半導体を効率よく形成でき、また、発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制でき、さらに、素子の直列抵抗ひいては順方向電流のばらつきも生じにくい発光素子を提供する。 - 特許庁

The negative electrode 21 has a diffusion preventing layer 21B formed by a dry or wet deposition method, a negative electrode current collector layer 21C, and a negative electrode activator layer 21D formed on a substrate 21A for deposition made of a plastic or the like.例文帳に追加

負極２１は、プラスチックなどよりなる成膜用基体２１Ａの上に、乾式成膜法または湿式成膜法により形成された拡散防止層２１Ｂ，負極集電体層２１Ｃおよび負極活物質層２１Ｄを有している。 - 特許庁

By providing the n-type diffusion layer 17, a depletion layer is well generated in the semiconductor device 10 when a reverse voltage is applied, and a leakage current can also be decreased, so that the semiconductor device 10 will have a high breakdown voltage.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７を設けることによって逆方向電圧が印加された際、半導体素子１０内に空乏層が良好に発生し、また漏れ電流を減少させることができるため半導体素子１０は良好な耐圧性を備える。 - 特許庁

To provide a high-luminance and inexpensive light-emitting diode, that uses a metal oxide-based transparent conductive film as current diffusion film, and suppresses increase of the resistance of the transparent conductive film in an electrode-forming process.例文帳に追加

電流分散膜として金属酸化物系透明導電膜を用いる構造の発光ダイオードにおいて、電極形成プロセスでの金属酸化物系透明導電膜の高抵抗化を抑止して、高輝度で低価格な発光ダイオードを得ること。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element which further facilitates current diffusion in a semiconductor film and prevents light emission from a side surface of the optical semiconductor element for eliminating color unevenness of luminescent colors in a vertical type optical semiconductor element.例文帳に追加

縦型光半導体素子において、半導体膜内における電流拡散が更に促進され、更に発光色の色ムラ解消に寄与するべく光半導体素子側面からの光放出の抑えた光半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which reduces a current leakage via a clad layer and prevents the diffusion of an injected carrier in between a core layer in a region having a first function and a core layer in a region having a second function.例文帳に追加

半導体素子において、クラッド層を経由する電流リークを低減するとともに、第１の機能を有する領域のコア層と第２の機能を有する領域のコア層との間で、注入されたキャリアが拡散してしまうのを抑制する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electric double layer capacitor electrode capable of reinforcing the molding of an electrode, preventing the generation of cracks, lowering the diffusion resistance of ions, increasing capacitance at a high current density, and manufacturing a large-sized electrode.例文帳に追加

電極の成形体を補強しクラック、われの発生を防止し、イオンの拡散披抗を下げ、高電流密度における静電容量を増加させ、大型の電極の作製が可能となる電気二重層コンデンサ電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress current leakage between wiring due to diffusion of copper into an interlayer insulation film and to improve electromigration resistance by fully obtaining the step coverage of barrier and copper seed layers corresponding to the tendency toward the high aspect ratio of a groove and a connection hole.例文帳に追加

溝や接続孔の高アスペクト比化に対応し、バリア層や銅シード層のステップカバリッジを十分に得ることで層間絶縁膜中への銅の拡散による配線間での電流リークを抑制し、かつエレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。 - 特許庁

A heating current is flown from the baking power source 6a to the baking device 6 and heats the chamber 2 and the ion pump 5, and by opening the valve 12 and the valve 11, vacuum exhausting is made by the oil diffusion pump 4 via the exhaust passage and the chamber 1.例文帳に追加

ベーキング用電源６ａからベーキング装置６に加熱電流が流され、チャンバ２及びイオンポンプ５を加熱すると同時に、バルブ１２及びバルブ１１を開き、その排気通路からチャンバ１を介して油拡散ポンプ４で真空排気する。 - 特許庁

As a result a current flows radially from a through-hole 8 forming a region to the electrode 2 and the electrode 4 in a direction of diffusion, the parasitic inductance of the capacitor can be suppressed to a very small value.例文帳に追加

電流入力側コンデンサ電極２と電流出力側コンデンサ電極４にはスルーホール８の形成領域から放射状に電流が拡散方向に流れる結果、コンデンサの寄生インダクタンスを非常に小さく抑制することができる。 - 特許庁

To suppress a leak current from an impurity diffusion layer connected to a plug when the mutual positions of the plug and an opening part for bit line are deviated, concerning a producing method for a semiconductor device having a self-align contact structure to be used for DRAM or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等に使用されるセルフアラインコンタクト構造を有する半導体装置の製造方法に関し、プラグとビット線用開口部の互いの位置にずれが生じた場合にプラグに繋がる不純物拡散層からのリーク電流を抑制すること。 - 特許庁

Regarding the Bank of Japan's "tankan" report (on short-term business sentiment), which was announced this morning, how do you assess the current condition of Japan's economy in relation to the deterioration of the business sentiment diffusion index (DI) for large companies, and what impact do you expect this to produce on the management of financial institutions? 例文帳に追加

今朝発表されました日銀短観ですけれども、大企業の業況判断指数（ＤＩ）が悪化していることについて、大臣の現状の景気認識と、それが金融機関の経営に与える影響等についてお聞かせ下さい - 金融庁

Regarding the Bank of Japan's "tankan" report (on short-term business sentiment), which was announced this morning, how do you assess the current condition of Japan's economy in relation to the deterioration of the business sentiment diffusion index (DI) for large companies, and what impact do you expect this to produce on the management of financial institutions? 例文帳に追加

今朝発表されました日銀短観ですけれども、大企業の業況判断指数（ＤＩ）が悪化していることについて、大臣の現状の景気認識と、それが金融機関の経営に与える影響等についてお聞かせ下さい。 - 金融庁

To provide a plane electric heating unit that is made thin in total thickness and is not vitiated in mechanical strength, and enabled to suppress leakage current, and that has excellent sound insulating characteristics when used as a flooring material and is superior in thermal diffusion to the adjoining panels.例文帳に追加

総厚みを薄くすることができ、機械的強度を損なうことなく、漏洩電流値を低く抑えることができ、床材として用いた場合に、防音性に優れ、しかも、隣接パネル間への熱拡散性に優れた電熱面発熱ユニットを提供すること。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of reducing a dark current caused by an interface state without preparing a hole accumulation layer made of an impurity diffusion layer, and thereby capable of arranging a sensor on a shallow position of a semiconductor substrate and improving charge transfer efficiency.例文帳に追加

不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has dual gate electrodes and prevents deterioration of the current capacity of a transistor, by suppressing the solid phase diffusion of an impurity in a gate insulating film and the decrease of the capacities of the gate electrodes, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

デュアルゲート電極を有する半導体装置について、不純物のゲート絶縁膜中への固体内拡散を抑制し、ゲート電極容量の減少を抑えてトランジスタの電流能力の低減を防いだ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a contact plug for connecting the source-drain of a transistor with an interconnection by polysilicon in which junction leak current can be reduced, especially, by reducing defects remaining in a diffusion layer.例文帳に追加

本発明はトランジスタのソース・ドレイン拡散層と配線を多結晶シリコンによって接続したコンタクトプラグを有する半導体装置に関し、特に拡散層中に残留する欠陥を低減して接合リーク電流を減少できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel battery cell which can further enhance the water-repellent performance while ensuring the deformation performance of a gas diffusion layer by a compression force during stacking, and can reduce the size of the fuel battery cell while improving the current collecting performance.例文帳に追加

スタッキング時の圧縮力によるガス拡散層の変形性能を確保しながら、撥水性能をより一層高めることができ、集電性能を向上させながら、燃料電池セルの体格低減を図ることもできる燃料電池セルを提供する。 - 特許庁

To provide a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting device that does not need alloying heat treatment under electron radiation, high temperature annealing or oxygen atmosphere, and has proper translucency and low contact resistance, being superior in diffusion of electric current.例文帳に追加

電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用正極を提供すること。 - 特許庁

The oxygen electrode 20 has a laminated structure of a diffusion layer 22 and a catalyst layer 23 on a current collector 21, and for example, palladium (Pd) and palladium alloy as a selective catalyst which is not reacted with a fuel and reacts with oxygen is included in the catalyst layer 23.例文帳に追加

酸素電極２０を、集電体２１上の拡散層２２および触媒層２３の積層構造とし、触媒層２３には、燃料とは反応しないが酸素と反応する選択性触媒として、例えばパラジウム（Ｐｄ）、およびパラジウム系の合金を含ませる。 - 特許庁

A bonding layer 3 is formed above a conductive support substrate 21, a reflective layer made up of an oxide silicon layer 15' and a reflective electrode layer 16' is formed above the bonding layer 3, and a current diffusion layer 14' is formed between the reflective layer and light emitting layers 11, 12 and 13.例文帳に追加

導電性支持基板２１上方に接合層３を形成し、接合層３の上方に酸化シリコン層１５’及び反射電極層１６’よりなる反射層を形成し、反射層と発光層１１、１２、１３との間に電流拡散層１４’を形成する。 - 特許庁

In an epitaxy side down type, i.e., an inverted III-nitride light emitting device(LED), a high reflectance ohmic contact has an N-type electrode 22 and a P-type electrode metal coating 20 which are translucent, have high reflectance and perform superior current diffusion.例文帳に追加

エピタキシーサイドダウン型すなわち反転型ＩＩＩ−窒化物発光デバイス（ＬＥＤ）において、半透明で、高反射率を持ち、優れた電流拡散を行なうｎ型電極２２及びｐ型電極金属被覆２０を有する、高反射率オーミックコンタクトを備える。 - 特許庁

To enable a void shape analysis to be applied to the reserve part of a (W) plug-attached Al alloy wiring, based on current heat transfer analysis and diffusion analysis of atoms in a crystal grain structure, in an analysis method of wiring faults accompanied with a form change in a wiring.例文帳に追加

電流伝熱解析と結晶粒組織中の原子の拡散の解析から、配線の形状変化を伴う配線故障解析方法において、タングステン（W)プラグ付きAl合金配線のリザーバー部にもボイドの形状解析を適用できるようにすること。 - 特許庁