「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a catalyst layer forming method for forming a catalyst layer on a solid polymer electrolyte membrane for a fuel cell that prevents needlelike projections of a gas diffusion layer from piercing the solid polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

燃料電池の固体高分子電解質膜上に触媒層を形成する触媒層形成方法において、ガス拡散層の針状突起物による固体高分子電解質膜への突き差しを防止する。 - 特許庁

In the membrane-electrode assembly 1, two opposing sides 5a of a diffusion layer 5 are located outside beyond a catalyst layer 4, and other two opposing sides 5b are located in the inside of side peripheries 4b of the catalyst layer 4.例文帳に追加

膜電極接合体１において、拡散層５の対向する２辺５ａは触媒層４を越えて外側に位置しており、他の対向する２辺５ｂは触媒層４の側縁４ｂから内側に位置している。 - 特許庁

In the semiconductor layer element, a dopant resulting from mixing two elements Mg and Zn different in ease of diffusion is added to a p-InGaP clad layer 13 formed on an infrared laser active layer 12.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。 - 特許庁

The intermediate metal layer 3 and the brazing material layer 4 are welded by pressure and diffusion-bonded with each other, and the brazing material layer 4 has a bulging part observed in its outer surface in an area percentage of 0.5% or less.例文帳に追加

前記中間金属層３とろう材層４とは互いに圧接かつ拡散接合されており、前記ろう材層４はその外表面において観察される膨れ部の面積割合が０．５％以下である。 - 特許庁

In the membrane electrode assembly having an electrolyte membrane, a pair of electrode catalyst layers between which the electrolyte membrane is interposed, and a pair of gas diffusion layers between which a pair of electrode catalyst layers is interposed, the gas diffusion layer is comprised of material having water repellency and material having heat conductivity and a gas diffusion substrate, and the water repellent layer is arranged between the electrode catalyst layer and the gas diffusion substrate.例文帳に追加

電解質膜と、前記電解質膜を挟持する１対の電極触媒層と、前記１対の電極触媒層を挟持する１対のガス拡散層と、を有する膜電極接合体において 前記ガス拡散層は、撥水性を有する材料と熱伝導性を有する材料とを含む撥水層と、ガス拡散基材からなり、かつ前記撥水層は前記電極触媒層と前記ガス拡散基材との間に配置されることを特徴とする膜電極接合体である。 - 特許庁

This perpendicular magnetic recording medium has at least a base plate, an underlayer which is formed on the base plate and includes an hcp structure, a thin film diffusion preventive layer which is formed on the underlayer and includes an hcp structure, and a magnetic layer which is formed in contact with the diffusion preventive layer and includes an hcp structure.例文帳に追加

少なくとも、基板と、この基板上に形成されたｈｃｐ構造を含む下層と、この下層上に形成されたｈｃｐ構造を含む薄膜状の拡散防止層と、この拡散防止層に接して形成されたｈｃｐ構造を含む磁性層と、を備えて構成される垂直磁気記録媒体とした。 - 特許庁

Then, a diffusion prevention layer 41 is formed on the upper surface of the metal plate 48 of the vibrating plate 40 and after a lower electrode 42 is further formed, particles of a piezoelectric material are deposited by an AD method on the upper surface of the diffusion prevention layer 41 where the lower electrode 42 is formed to form the piezoelectric layer 43.例文帳に追加

次に、振動板４０の金属層４８の上面に拡散防止層４１を形成し、さらに、下部電極４２を形成した後、ＡＤ法により圧電材料の粒子を下部電極４２が形成された拡散防止層４１の上面に堆積させることにより圧電層４３を形成する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave element dealing with a high frequency and a large power, which is provided with a piezoelectric substrate, a mutual diffusion preventing layer formed on the piezoelectric substrate and an electrode layer containing Al as a main component on the mutual diffusion preventing layer, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

圧電基板と、圧電基板上に形成された相互拡散防止層と、相互拡散防止層上にＡｌを主成分とする電極層を備える弾性表面波素子およびその製造方法において、高周波および大電力に対応した弾性表面波素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The AuBe contact electrode 214 of the peripheral rim electrode 215 is directly contacted with the p-AlGaAs current diffusion layer 210, however, the central electrode 220 is electrically connected to the p-AlGaAs current diffusion layer 210 through a p-GaAs contact layer 222 comprising a high concentration of p-type impurities.例文帳に追加

周縁電極部２１５のＡｕＢｅコンタクト電極２１４は直接ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と接触するが、中心電極部２２０は高濃度のｐ型不純物を含むｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２２を介してｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と電気的に接合される。 - 特許庁

In a SiC pn diode, a lower inclined plane 14 of a side surface of a mesa portion 13 extends from an upper end 14B above a diffusion position at a diffusion distance D above a junction surface 3A between an n-type drift layer 2 and a p-type layer 3 to a lower end 14A connected with an upper surface 2A of the n-type drift layer 2.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｎダイオードでは、メサ部１３の側面の下部傾斜面１４は、ｎ型ドリフト層２とｐ型層３との接合面３Ａから拡散距離Ｄだけ上方の拡散位置よりも上方の上端１４Ｂからｎ型ドリフト層２の上面２Ａに接続する下端１４Ａまで延在している。 - 特許庁

This capacitive element is provided with a diffusion preventing layer 10a, a capacitive lower electrode 12 formed on the diffusion preventing layer 10a, a capacitive film 13 constituted of a ferroelectric having a bismuth layer-shaped structure formed on the capacitive lower electrode 12, and a capacitive upper electrode 14 formed on the capacitive film 13.例文帳に追加

容量素子は、拡散防止層１０ａと、拡散防止層１０ａの上に形成された容量下部電極１２と、容量下部電極１２の上に形成されたビスマス層状構造を有する強誘電体よりなる容量膜１３と、容量膜１３の上に形成された容量上部電極１４とを備える。 - 特許庁

In a polymer electrolyte fuel cell single cell equipped with separators each having a passage formed of projecting and recessed portions and holding therebetween a polymer electrolyte membrane, an electrode catalyst layer and a gas diffusion layer, the gas diffusion layer has a hole portion formed of an opening portion and a thin passage portion.例文帳に追加

凸部および凹部で形成された流路を有し、高分子電解質膜、電極触媒層およびガス拡散層を挟持するセパレータを具備する固体高分子形燃料電池単セルにおいて、ガス拡散層が、開口部と細路部とからなる孔部を有する固体高分子形燃料電池単セルとする。 - 特許庁

The source area 14, the drain region 15 and the gate region 17 are formed by impurities diffusion from a source drawing layer 21 of polycrystalline silicon containing impurities, a drain drawing layer 23 and a gate drawing layer 18 as diffusion sources through an opening 20a of an insulating film 20.例文帳に追加

ソース領域１４、ドレイン領域１５およびゲート領域１７は、絶縁膜２０の開口２０ａを介して、不純物を含む多結晶シリコンよりなるソース取り出し層２１、ドレイン取り出し層２３およびゲート取り出し層１８を拡散源とする不純物拡散によりそれぞれ形成されたものである。 - 特許庁

The catalyst fine particles and PTFE(polytetrafluoroethylene) fine particles which are reaction layer materials of the gas diffusion electrode, are coagulated and self-organized by adding an alcohol and an electrolyte to a dispersed liquid of the reaction layer materials containing at least the catalyst particles and PTFE dispersion and by stirring the same to manufacture a reaction layer raw material of the gas diffusion electrode.例文帳に追加

少なくとも触媒粒子とＰＴＦＥディスパージョンを含むガス拡散電極の反応層材料の分散液に、アルコールと電解質を添加して攪拌することにより反応層材料の触媒微粒子とＰＴＦＥ微粒子を凝集、自己組織化させてガス拡散電極の反応層原料を製造する。 - 特許庁

A light-receiving element 70 is composed of a PDSOI transistor (MOS transistor) in which a gate electrode 72 is formed on the surface of a p-type silicon layer 15 used as a channel body via a gate insulation film 71, and a source diffusion layer 73 and a drain diffusion layer 74 are formed to a depth reaching the insulation film 14.例文帳に追加

受光素子７０は、ｐ型シリコン層１５をチャネルボディとして、その表面にゲート絶縁膜７１を介してゲート電極７２が形成され、絶縁膜１４に達する深さにソース拡散層７３およびドレイン拡散層７４が形成された、ＰＤＳＯＩトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）により構成されている。 - 特許庁

To provide a fuel cell which is superior in draining performance and prevents flooding effectively by appropriately specifying a relation among a contact angle (or water repellency) of a surface of a diffusion layer base material, a diameter of a hole formed on the diffusion layer base material, and a width or a height of a flow passage of a gas flow passage layer.例文帳に追加

拡散層基材表面の接触角（または撥水性）と該拡散層基材に形成された孔の径、およびガス流路層の流路の幅もしくは高さの関係を適切に規定することにより、排水性能に優れ、フラッティングを効果的に防止することのできる燃料電池を提供する。 - 特許庁

To prevent the threshold voltage of an E-FET from becoming substandard while sharing a gate diffusion process determining the threshold voltage in a semiconductor device where a D-FET and an E-FET, each having a channel layer, are provided on one semiconductor substrate and each channel layer is provided with a gate diffusion layer.例文帳に追加

同一の半導体基板上に、それぞれチャネル層を有するＤ−ＦＥＴとＥ−ＦＥＴとが設けられ、前記各チャネル層にゲート拡散層が設けられた半導体装置において、閾値電圧を決定するゲート拡散工程を共有しながら、Ｅ−ＦＥＴの閾値電圧が規格外になってしまうことを防止すること。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 100 is equipped with an electrolyte membrane 110; catalyst layers 112, 114 coming in contact with the electrolyte membrane 110; diffusion layers 120, 122 installed on the opposite side to the electrolyte membrane 110 in the catalyst layers 112, 114; and a drain layer 116 installed between the catalyst layer 112 and the diffusion layer 120.例文帳に追加

膜電極接合体１００は、電解質膜１１０と、電解質膜１１０に接している触媒層１１２，１１４と、触媒層１１２，１１４に対して電解質膜１１０とは逆の側に設けられた拡散層１２０，１２２と、触媒層１１２と拡散層１２０との間に設けられた排水層１１６を備える。 - 特許庁

The TAT DRAM cell portion 40 of the semiconductor device is equipped with the same structure as a conventional TAT DRAM cell portion 10, except that diffusion-layer extracting electrode 22 penetrates a first interlayer dielectric film 38 and has a conductive sidewall 42 stopped at a SiN cap layer 36 around the diffusion-layer extracting electrode 22.例文帳に追加

本半導体装置のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部４０は、拡散層取り出し電極２２が、第１の層間絶縁膜３８を貫通し、ＳｉＮキャップ層３６で停止する導電性サイドウォール４２を拡散層取り出し電極２２の周りに有することを除いて、従来のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部１０と同じ構成を備えている。 - 特許庁

A three-layer light transparent film constituted of a first silicon oxide film 105, a silicon nitride film 106 and a second silicon oxide film 107 is arranged on the n-type diffusion layers 103, 103 and on the p-type semiconductor layer 102 between the two n-type diffusion layers 103, 103.例文帳に追加

このＮ型拡散層１０３，１０３上と、この２つのＮ型拡散層１０３，１０３の間のＰ型半導体層１０２の上に、第１シリコン酸化膜１０５と、シリコン窒化膜１０６と、第２シリコン酸化膜１０７との３層の光透過性膜を配置する。 - 特許庁

To provide a fuel cell, an electrode for the fuel cell and treating method of the same which enables to adjust gas permeability of a gas diffusion layer, and advantageous for a designer to obtain the gas diffusion layer with intended physical properties.例文帳に追加

燃料電池用電極を構成するガス拡散層の透気度の調整を図り得、設計者の意図通りの物性を備えたガス透過層を得るのに有利な燃料電池、燃料電池用電極、燃料電池用電極の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new light emitting element that utilizes a positive diffusion over a deposition layer, not considering an interfacial order between a compound semiconductor substrate and the deposition layer formed thereon and a mutual diffusion as the problems, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

化合物半導体基板とその上に形成される成膜層との界面順位や相互拡散の影響を問題と捉えず、成膜層へ積極的に拡散させることを利用する新規な発光素子及びその作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a stable low on voltage characteristic, by activating a rear-surface diffusion layer and improving the front-surface concentration of the rear-surface diffusion layer so as to obtain satisfactory contact of prescribed injection efficiency and a rear-surface electrode.例文帳に追加

裏面拡散層の活性化を図り、かつ裏面拡散層の表面濃度を高くし、所定の注入効率と裏面電極との良好なコンタクトを得ることで、安定した低オン電圧特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the P-type silicon layer 3, every memory cell, N-type source and drain diffusion layers 7, 8 extended to the buried oxide film 2 are so formed that the region sandwiched between the source and drain diffusion layers 7, 8 becomes a body region 9 under a gate insulation layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層３には、メモリセル毎に、埋込酸化膜２まで達するＮ型のソース拡散層７及びドレイン拡散層８が形成され、ゲート絶縁膜５の下でソース拡散層７及びドレイン拡散層８に挟まれた領域がボディ領域９となっている。 - 特許庁

The H2 diffusion control material and the NOx removing catalyst are laminated on an integral structured catalyst support and make a multilayer structure, and either one or both of an inner surface and an outer surface of this NOx removing catalyst layer makes or make contact with the H2 diffusion control layer.例文帳に追加

Ｈ２拡散制御材及びＮＯｘ浄化触媒が一体構造型担体に積層されて多層構造をなし、このＮＯｘ浄化触媒層の内表面及び外表面のいずれか一方又は双方がＨ２拡散制御層と接する。 - 特許庁

From an edge part 23f of a bottom contact part 23c in contact with the bottom part 56a on the diffusion layer 23b to at least a part of a projection area 23g when the inclination part 56c is projected onto the diffusion layer 23b, a water-repellent treatment part 8 is formed.例文帳に追加

拡散層２３ｂにおける底部５６aに接する底部接触部２３ｃの縁部２３ｆから、傾斜部５６ｃを拡散層２３ｂに投影したときの投影領域２３ｇの少なくとも一部までの間には、撥水処理部８が形成されている。 - 特許庁

A bonding wire for semiconductor comprises an outer peripheral part 2 formed of a conductive metal, a core 1 made of an alloy formed mainly of the metal, and a diffusion layer 3 disposed between the core and the outer peripheral part, the diffusion layer having a concentration gradient.例文帳に追加

導電性の金属からなる外周部２と、前記金属を主成分とする合金からなる芯線１と、さらにその芯線と外周部の間に拡散層３を有し、前記拡散層が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 - 特許庁

The oxygen composition ratio of the diffusion prevention layer 12a is higher than that of the photodiode electrode 12 in the center of a film thickness direction, or the zinc composition ratio of the diffusion prevention layer 12a is higher than that of the photodiode electrode 12 in the center in the film thickness direction.例文帳に追加

拡散防止層１２ａは、フォトダイオード電極１２の膜厚方向の中央の酸素組成比よりも高い酸素組成比を有する、若しくは、フォトダイオード電極１２の膜厚方向の中央の亜鉛組成比よりも高い亜鉛組成比を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a variance of sheet resistance in an impurity diffused layer can be suppressed when the impurity diffused layer is formed in a semiconductor substrate through the vapor-phase diffusion of impurities in a diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉において不純物を気相拡散させることにより半導体基板に不純物拡散層を形成した半導体装置の製造方法において、不純物拡散層のシート抵抗のばらつきを抑制可能とした製造方法を提供する。 - 特許庁

As for the display 1, between a display panel 20 and a light source part 12, sequentially from the light source part 12 side, a diffusion plate 13, the phosphor layer 14, a protective layer 15, a diffusion film 16, a lens film 17, and a reflection type polarizing film 18 are laminated sequentially.例文帳に追加

表示装置１は、表示パネル２０と光源部１２との間に、光源部１２の側から順に、拡散板１３、蛍光体層１４、保護層１５、拡散フィルム１６、レンズフィルム１７および反射型偏光フィルム１８が順に積層されたものである。 - 特許庁

Then, the coat conductive particles are heated and pressurized so that the conductive particle lump of the coat conductive particles can be formed, and the metallic diffusion layer of the conductor pattern metal and the first metal is formed so that the conductor patterns of the plurality of layers can be electrically connected by the metallic diffusion layer.例文帳に追加

そして、加熱加圧することにより、コート導電粒子の導電粒子塊を形成するとともに、導体パターン金属と第１の金属との金属拡散層を形成し、この金属拡散層により複数層の導体パターンを電気的に接続させる。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a bit line diffusion layer 11, a bit line insulating film 12, an ONO insulating film 4, a second gate electrode 6, a contact diffusion layer 13, an interlayer insulating film 9, a contact electrode 8, an ultraviolet-ray blocking film 22, and an ultraviolet-ray blocking film 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ビット線拡散層１１と、ビット線絶縁膜１２と、ＯＮＯ絶縁膜４と、第２ゲート電極６と、コンタクト拡散層１３と、層間絶縁膜９と、コンタクト電極８と、紫外線遮光膜２２と、紫外線遮光膜２１とを備える。 - 特許庁

A part where a diffusion layer 1 of a transistor and a basic pattern OP of a gate pattern overlap with each other is computed, patterns of specific width are formed on both the sides of the overlap part, and both the sides of the pattern are extended to outside the diffusion layer 1 to obtain a pattern P3 of the phase shifter.例文帳に追加

トランジスタの拡散層１とゲートパターンの基本パターンＯＰとの重複部分を算出し、重複部分の両側に所定幅のパターンを生成し、前記パターンの両側を拡散層１外まで延長して、位相シフタのパターンＰ３として生成する。 - 特許庁

A diffusion layer 12 is installed in an incident end surface of the light guide plate 11, light outgoing from the solid light emitting element 10 is diffused with the diffusion layer 12, and made incident from almost the whole region of an incident end surface 11a of the light guide plate 11.例文帳に追加

導光板１１の入射端面１１ａに拡散層１２を設け、固体発光素子１０からの出射光を前記拡散層１２により拡散させて前記導光板１１にその入射端面１１ａのほぼ全域から入射させるようにした。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device wherein thermal stress is small, a terminating end length is short since a guard ring diffusion layer is shallow, the variation of the depth of the guard ring diffusion layer is small, the working process difficulty of a fine element structure is low and loss is low, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By controlling potentials of the p-type diffusion layer 31 and the n-type diffusion layer 32 via wirings 33 and 34, a decline of the amount of saturated electric charge in the photoelectric conversion region 1 can be suppressed and electric charges generated excessively can be discharged.例文帳に追加

配線３３及び３４を介してｐ型拡散層３１及びｎ型拡散層３２の電位を制御することによって、光電変換領域１の飽和電荷量の低下を抑制したり、過剰に発生した電荷を排出したりすることが可能となる。 - 特許庁

The volatile memory element 312 has a body region 42, a gate electrode 15 and diffusion layer regions 31 and 32, and the quantity of current between the diffusion layer regions 33 and 34 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of current being held in the body region 42.例文帳に追加

揮発性メモリ素子３１２は、ボディ領域４２、ゲート電極１５、拡散層領域３１，３２を備え、ボディ領域４２が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３３，３４間の電流量を変化させる。 - 特許庁

A resist mask is formed and the p^+-type buried diffusion layer is formed by implanting ions to the opening section of the mask in this case but the opening section corresponding to a scribing line is not formed only by forming the opening section corresponding to the p^+-type buried diffusion layer to the resist mask.例文帳に追加

このとき、レジストマスクを形成し、その開口部にイオン注入することでＰ^＋型埋め込み拡散層を形成するが、レジストマスクには、Ｐ^＋型埋め込み拡散層に対応する開口部を形成するだけで、スクライブラインに対応した開口部は形成しない。 - 特許庁

The first electrode 26a is constituted of an N-type diffusion layer 26, having a high impurity concentration so as to prevent breakdown, even when a high voltage is applied to the first electrode 26a; and an N-type well 25, having impurity concentration lower than that of the N-type diffusion layer is formed around the first electrode 26a.例文帳に追加

第１の電極２６ａに高い電圧が印加されてもブレークダウンしないように、第１の電極２６ａは、不純物濃度の高いＮ拡散層２６からなり、その周囲にＮ拡散層よりも不純物濃度が低いＮウエル２５が形成されている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a reaction layer raw material or a gas supply layer raw material of the gas diffusion electrode, gas diffusion electrode materials except polytetrafluoroethylene are dispersed into a water-soluble organic solvent, the dispersed liquid is mixed with polytetrafluoroethylene dispersion and is mixed.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレンを除いたガス拡散電極材料を水溶性の有機溶媒に分散させ、その分散液にポリテトラフルオロエチレンディスパージョンを添加混合することを特徴とするガス拡散電極の反応層又はガス供給層原料の製造方法。 - 特許庁

At least a sealing part 140c of the anode terminal 140 is formed by press-molding a thermal diffusion Ni-plated steel plate 14 consisting of a steel plate main body 143 mainly composed of Fe, an Fe-Ni diffusion layer 142, and an Ni layer 141.例文帳に追加

負極端子１４０のうち少なくともシール部１４０ｃは、Ｆｅを主成分とする鋼板本体部１４３、Ｆｅ−Ｎｉ拡散層１４２、及びＮｉ層１４１からなる熱拡散Ｎｉメッキ鋼板１４を、プレス成型することにより形成されている。 - 特許庁

Each of transistor elements comprises a drain 4 and a source 5 configured with a n-type diffusion layer, a gate 3 formed on a channel region between the drain 4 and the source 5, and the well contact 1 configured of a p-type diffusion layer at a position adjacent to the drain 4.例文帳に追加

各トランジスタ素子は、Ｎ型拡散層により構成されたドレイン４及びソース５と、ドレイン４とソース５との間のチャネル領域上に形成されたゲート３と、ドレイン４に隣接する位置にＰ型拡散層により構成されたウェルコンタクト１とを有する。 - 特許庁

The method includes: an amorphous layer forming step of forming an amorphous layer 111 on a surface of a semiconductor substrate 100 by modifying a surface of the semiconductor substrate 100 into the amorphous layer; and a diffusion layer forming step of forming a diffusion layer 112 in the semiconductor substrate 100 by irradiating the semiconductor substrate 100 with a microwave in a dopant-containing gas atmosphere to diffuse the dopant in the amorphous layer 111 and also activating the dopant.例文帳に追加

半導体基板１００表面をアモルファス化することにより半導体基板１００表面にアモルファス層１１１を形成するアモルファス層形成工程と、ドーパントを含むガス雰囲気中で半導体基板１００にマイクロ波を照射することにより、アモルファス層１１１にドーパントを拡散させるとともにドーパントの活性化を行い、半導体基板１００に拡散層１１２を形成する拡散層形成工程と、を具備する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a semiconductor substrate 1 on which a first diffusion region 2 and a second diffusion region 3 are formed separately from each other, a first insulating layer 4 formed on the semiconductor substrate 1, a charge storage layer 5 formed on the first insulating layer 4, a second insulating layer 6 formed on the charge storage layer 5, and a gate electrode 7 formed on the second insulating layer 6.例文帳に追加

本発明に用いられる不揮発性半導体記憶装置は、第１の拡散領域２および第２の拡散領域３が離間して形成された半導体基板１と、半導体基板１上に形成された第１の絶縁層４と、第１の絶縁層４上に形成された電荷蓄積層５と、電荷蓄積層５上に形成された第２の絶縁層６と、第２の絶縁層６上に形成されたゲート電極７と、を有する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 1 for the fuel cell has an electrolyte 2 having proton conductivity, a cathode catalyst layer 3 bonded with one surface of the electrolyte membrane 2 in the thickness direction, an anode catalyst layer 4 bonded with the other surface of the electrolyte membrane 2 in the thickness direction, a cathode diffusion layer 5 laminated outside the cathode catalyst layer 3, and an anode diffusion layer 6 laminated outside the anode catalyst layer 4.例文帳に追加

燃料電池用膜電極接合体１は、プロトン伝導性をもつ電解質２と、厚み方向において電解質膜２の一方の表面に接合されたカソード触媒層３と、厚み方向において電解質膜２の他方の表面に接合されたアノード触媒層４と、カソード触媒層３の外側に積層されたカソード拡散層５と、アノード触媒層４に外側に積層されたアノード拡散層６とを有する。 - 特許庁