「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

The diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductor containing Ga indispensably as a group III element is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加

また、発光層部２４の上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを必須とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

Consequently, a gate electrode 3 comes into contact with the titanium layer 8 through an opening 7a and P^+ type diffusion layers 6a and 6b, also come into contact with the titanium layer 8 respectively through openings 7b and 7c.例文帳に追加

これにより、ゲート電極３は開口部７ａを介してチタン層８と接触し、Ｐ＋型拡散層６ａ，６ｂはそれぞれ開口部７ｂ，７ｃを介してチタン層８と接触する。 - 特許庁

In manufacturing a light emitting device 100, a light emitting layer portion 24 and a current diffusion layer 7 each comprising a III-V compound semiconductor are formed on a single crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

Related to the alignment mark, around a cross-shaped mark main body part 1 formed as a solid pattern of an aluminum layer 3, a diffusion reflection layer of aluminum is formed.例文帳に追加

本発明のアライメントマークでは、アルミニウム層３のベタパターンとして形成された十字形状のマーク本体部１の周辺領域に、アルミニウムから成る拡散反射層が形成されている。 - 特許庁

In the MOS capacitor type semiconductor device, an insulation portion to prevent a short circuit is formed at a position where there may occur the short circuit between the conductive layer and the diffusion layer.例文帳に追加

本発明に係るＭＯＳキャパシタ型半導体装置では、導電層及び拡散層間で短絡する可能性がある箇所に、短絡を阻止するための絶縁部が形成されている。 - 特許庁

To manufacture a gas diffusion layer in a simpler process yet without degrading porosity of a base material, in one having a bilayer structure of a base material made of a porous material and a microporous layer.例文帳に追加

多孔質材料からなる基材とマイクロポーラスレイヤーの２層構造を持つガス拡散層を、より簡単な処理でもって、かつ基材の多孔度を低下させることなく製造する。 - 特許庁

To provide a fuel cell capable of measuring individually moisture content in the vicinity of a separator and the center part in the gas passage and in the vicinity of a catalyst layer/diffusion layer, and a moisture content measuring device.例文帳に追加

ガス流路内のセパレータ近傍、中央及び触媒層・拡散層近傍の水分量を個別に測定することが可能な燃料電池及び水分量測定装置を実現する。 - 特許庁

A gate electrode 14 is formed on the upper surface of a p-form layer 12 through a gate insulation film 13, and a drain and source diffusion areas 15 and 16 are formed in the depth to the n-type layer 11.例文帳に追加

ｐ型層１２の上面にゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１４が形成され、ｎ型層１１に達する深さにドレイン、ソース拡散層１５，１６が形成される。 - 特許庁

The light diffusion layer 74 comprises a paint composition having a binder layer composed of a transparent resin, and transparent nearly-spherical silica fine-particulate fillers are uniformly dispersed therein.例文帳に追加

光散乱層７４は、透明樹脂をバインダー層とした塗料組成物からなり、その中に、透明状で略球形のシリカの微粉粒子のフィラーを均一に分散させている。 - 特許庁

To efficiently manufacture a diffusion layer having high drainage performance at a boundary side with a separator of a porous substrate, capable of thinning a layer of the porous substrate and improving power generation performance.例文帳に追加

多孔質基材のセパレータとの境界側部分の高排水性及び多孔質基材の薄層化が可能で、発電性能を向上できる拡散層を効率よく製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element in which a diffusion condition of impurities for forming a window structure becoming a light irradiation part for an active layer (quantum well layer) can be easily controlled.例文帳に追加

活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The method includes a step (S2) of enriching interstitial defects (105a) of the first layer (102), in order to limit the elements of the first layer from vacancy diffusion.例文帳に追加

本発明の方法は、前記第１の層の元素が空孔拡散するのを制限するために、第１の層（１０２）を格子間欠陥（１０５ａ）で富化させるためのステップ（Ｓ２）を含む。 - 特許庁

Further, condensed spot-like white light is radiated from the respective lens parts 9a of the light permeation layer 9 and diffused colored light is radiated from the light diffusion layer 8.例文帳に追加

そして、光透過層９の各レンズ部９ａからは集光されたスポット状の白色光が照射され、光拡散層８からは拡散された有色光が照射される。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 10, a diffusion layer 12, a wiring layer 20, a contact plug 30, a contact testing opening 34, a via plug 40 and a via testing opening 44.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０、拡散層１２、配線層２０、コンタクトプラグ３０、コンタクト試験用開口３４、ビアプラグ４０、およびビア試験用開口４４を備えている。 - 特許庁

Further, with a process (b) of joining the strip-shaped electrolyte film 12A with a diffusion layer 14A through the catalyst layer 12A, the strip-shaped electrolyte film 12S can be reinforced.例文帳に追加

又、帯状の電解質膜１２Ｓと拡散層１４Ａとを、触媒層１２Ａを介して接合する工程（ｂ）により、帯状の電解質膜１２Ｓを強化することができる。 - 特許庁

An iron-diffusion preventing buffer layer 2 and a beta-iron silicide semiconductor thin film 3 are formed on one surface of a silicon substrate 1, and an antireflection dielectric layer 5 is formed on the other surface.例文帳に追加

ケイ素基板１の一方の面上に鉄拡散防止緩衝層２とベータ鉄シリサイド半導体薄膜３を形成し、他方の面上に無反射誘電体層５を形成する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a fuel cell and its manufacturing method advantageous for setting a pore diameter in a pore control layer in conformity with operating conditions for the fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の運転条件に合わせて、細孔制御層における細孔径を設定するのに有利な燃料電池用ガス拡散層およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, generation of the interference patterns, such as moire fringes generated between the PDP 1 and a light absorbing part 12c of the BS layer 12 is prevented by arranging the diffusion layer 13.例文帳に追加

また、拡散層１３を配置することにより、ＰＤＰ１とＢＳ層１２の光吸収部１２ｃとの間に生じるモアレ縞等の干渉縞の発生を防止することができる。 - 特許庁

In the semiconductor substrate, a p-type impurity diffusion embedded layer 16 is extendedly provided from the layers 15 to the lower part of the region 6 and the layer 16 becomes one part of the breaking current paths.例文帳に追加

半導体基板においてｐ^+不純物拡散埋込層１５からｐ^+ボディ領域６の下方までｐ不純物拡散埋込層１６が延設され、ブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

The heat diffusion controlling layer consists of a metal on the first principal face to be in contact with the magneto-optical recording layer and of a nitride containing the above metal on the opposite second principal face.例文帳に追加

該熱拡散制御層は光磁気記録層と接する第一主面には金属を、反対側の第二主面にはその金属を含有する窒化物から形成されている。 - 特許庁

In this case, zone 32 which is not doped with impurities is provided in a side of the clad layer 25 provided with the active layer 24 and is used as a buffer region of impurity diffusion at the thermal treatment.例文帳に追加

その場合、ｐ型クラッド層２５の活性層２４側に不純物がドープされない領域３２を形成し、上記熱処理の際に不純物拡散の緩衝領域とする。 - 特許庁

After the coating, the preform 32 is heat-treated, thus a layer-having Fe based alloy having a diffused layer 20 formed by the diffusion of the carbide of the metal into a base material can be obtained.例文帳に追加

塗布後、予備成形体３２を熱処理すれば、前記金属の炭化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。 - 特許庁

The patterns 16a to 16c and the pads 17a to 17c are those which are reduced in resistance an active layer formed on the substrate 10A via an insulating layer through impurity diffusion.例文帳に追加

配線パターン１６ａ〜１６ｃ及び電極パッド１７ａ〜１７ｃは、シリコン基板１０Ａ上に絶縁層を介して形成された活性層を不純物拡散により低抵抗化したものである。 - 特許庁

To display a high-quality color picture and to improve a manufacturing operation by preventing adverse effects such as optical attenuation in making light pass through a diffusion layer and a resin layer.例文帳に追加

拡散層および樹脂層を透過する際における光の減衰等の影響を防止して高品質のカラー画像を表示することができるとともに、製造作業の向上を図る。 - 特許庁

If the concentration of the impurity diffusion layer 8 is high, the life time of optical carriers is lowered and it is recombined, before they reach the depletion layer, and disappear, thus lowering the quantum efficiency of the light-receiving element.例文帳に追加

不純物拡散層８が高濃度の場合、光キャリアのライフタイムが低下し、空乏層に到達するまでに再結合して消滅し、受光素子の量子効率が低下する。 - 特許庁

An optical sheet 30 includes a first surface on which a lens layer is formed, a second surface on which a light diffusion layer is formed and a side end surface nearly orthogonal to the first and second surfaces.例文帳に追加

光学シート３０は、レンズ層が形成された第１の面と、光拡散層が形成された第２の面と、第１の面と第２の面と略直交する側端面とを有する。 - 特許庁

The groove-embedded gate electrode 3 is provided to a substrate equipped with a p-type well layer 2, a p-type channel doped layer 4, and n-type diffusion layers 5 serving as a source region and a drain region.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２と、ｐ型チャネルドープ層４と、ソース領域およびドレイン領域となるｎ型拡散層５とを有する基板に溝埋め込み型のゲート電極３が設けられている。 - 特許庁

The sintering is prompted only by the diffusion from the auxiliary agent layer20 because of being thin in the film thickness of the 1st ceramic material layer 18 and the 2nd ceramic material layer 22.例文帳に追加

第１セラミック材料層１８および第２セラミック材料層２２は、何れも膜厚が薄いことから、この助剤層２０からの拡散だけで十分に焼結が促進される。 - 特許庁

According to this constitution, the p-type buried diffusion layer 6 is restrained from creeping up, and the epitaxial layer 4 can be thinned while maintaining withstand voltage characteristics of a semiconductor element for power.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の埋込拡散層６の這い上がりが抑制され、パワー用半導体素子の耐圧特性を維持しつつ、エピタキシャル層４の厚みを薄くすることができる。 - 特許庁

To provide an evaluation method for accurate and simple measurement of lifetime of a silicon single-crystal wafer having an ion implantation layer or a diffusion layer formed, which has been conventionally considered to be impossible.例文帳に追加

従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。 - 特許庁

A contact hole 14 reaching the surface of the silicide layer 12 of a diffusion layer 11 is formed on an interlayer insulating film 13 made of an SiO_2 film on an Si semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板上におけるＳｉＯ_２膜でなる層間絶縁膜１３上に拡散層１１のシリサイド層１２表面に到達するコンタクトホール１４が形成されている。 - 特許庁

A cathode electrode for the fuel cell is provided with a diffusion layer and a cathode catalyst layer with its ratio of peak height P and a half width W of pore distribution, P/W to be 0.4 or more and 1.8 or less.例文帳に追加

燃料電池用カソード電極が，拡散層と，細孔分布のピーク高さＰと半値幅Ｗの比Ｐ／Ｗが０．４以上，１．８以下のカソード触媒層を具備する。 - 特許庁

To provide an edge non-injecting type window-structure semiconductor laser in which the diffusion of Zn from a p-type clad layer to an active layer can be suppressed, and a method for manufacturing the laser.例文帳に追加

ｐ型クラッド層から活性層へのＺｎ拡散を抑制することができる端面非注入型の窓構造半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The gas diffusion layer for the fuel cell is arranged between a catalyst layer and a separator of the fuel cell, and contains fluororesin, fluorine-modified carbon, and fibrous carbon.例文帳に追加

燃料電池の触媒層とセパレータとの間に配置される燃料電池用ガス拡散層であって、フッ素樹脂と、ホウ素修飾カーボンと、繊維状炭素とを含むガス拡散層とする。 - 特許庁

Consequently, a diffusion condition of impurities to the infrared laser active layer (quantum well layer ) 12 can be controlled by adjusting a mixture ratio of the two elements Mg and Zn.例文帳に追加

したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 - 特許庁

To provide a fuel cell achieving an increase in contact force between a catalyst layer and a diffusion layer in a region corresponding to a gas passage of a separator without causing any damage to MEA.例文帳に追加

セパレータのガス流路に対応する部位における触媒層と拡散層との接触力を増大でき、しかもそれをＭＥＡの損傷を伴わずに達成できる、燃料電池の提供。 - 特許庁

To provide a catalytic electrode layer superior in binding performance with a solid electrolyte membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、固体電解質膜およびガス拡散層との結着性に優れた触媒電極層を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

To provide a method for forming a porous carbon layer, especially one suitable for a gas diffusion layer of a fuel cell, by horizontally depositing a carbon material on a substrate with a high efficiency by a simple method.例文帳に追加

簡易な方法で効率よく基板上に炭素材を水平に堆積させて、特に燃料電池のガス拡散層に好適な多孔質炭素層を形成させる方法を提供する。 - 特許庁

An n diffusion region 70 is provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 at least between the p impurity region 3 and the n^+ impurity region 12, of the n^- semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２のうち少なくとｐ不純物領域３とｎ^+不純物領域１２との間のｎ^-半導体層２の上面内にはｎ拡散領域７０が設けられている。 - 特許庁

Thus, the shallow source/ drain diffusion layer is sucked to the impurity integrated layer and a shallower junction which has high concentration and is distributed into squares is realized.例文帳に追加

微細ＭＯＳトランジスタに於いて、高濃度で浅いソース・ドレイン拡散層領域内部にピークを有する如く低濃度のＩｎ又はＧａからなる不純物集積層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of estimating physical parameters in which various voltage losses are individually obtained and thereby physical parameters of an electrolyte membrane, a catalyst layer and a diffusion layer are estimated.例文帳に追加

各種電圧損失を個別に求めると共に電解質膜、触媒層及び拡散層の物理パラメータを推定することが可能な燃料電池の物理パラメータ推定方法を実現する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer capable of keeping good supply/drainage conditions of water around an electrolyte layer and an electrode without causing degradation of durability or battery performance.例文帳に追加

耐久性や電池性能の低下を伴うことなく、電解質層および電極周辺における水の給排状態を良好に保つことができるガス拡散層を提供する。 - 特許庁

Therefore, the diffusion of Zn from the p-type layer (6) included in the III-V group compound semiconductor device to an adjacent layer (4) in which Zn is not contained can be suppressed.例文帳に追加

それによって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置中に含まれるそのｐ型層（６）からその近隣のＺｎを含まない層（４）へのＺｎの拡散が抑制され得る。 - 特許庁

A region from the p-type InP window layer 5 to the middle of the undoped InP diffusion buffer layer 4 is removed precisely by dry etching, to form a second mesa with a diameter smaller than that of the first mesa.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からアンドープＩｎＰ拡散バッファ層４の途中までドライエッチングにより精密に除去し、第一のメサより径が小さい第二のメサを形成した。 - 特許庁

In at least one electrode of a positive electrode and a negative electrode, an insulating layer is formed in a projecting part existing on the surface of a gas diffusion layer facing a polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

正負極のうち少なくとも一方の電極において、高分子電解質膜に対向する側のガス拡散層の表面に存在する突起部に絶縁層を形成する。 - 特許庁