「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The backlight device includes a straight tube type fluorescent lamp as a light source, a diffusion plate 4 disposed on the liquid crystal panel side of the lamp, a prism sheet, and a reflection plate disposed on the rear side of the lamp.例文帳に追加

このバックライト装置は、光源として直管型蛍光ランプと、ランプの液晶パネル側に配置される拡散板４と、プリズムシートと、ランプの後方に配置される反射板とを備える。 - 特許庁

To stabilize a characteristic of a driving TFT by preventing the diffusion of an Ag material due to heat generated in a manufacturing process or light emission, in an optical resonance type organic EL element.例文帳に追加

光共振型有機ＥＬ素子において、製造プロセス中や発光中に生じる熱によるＡｇ材料の拡散を極力防止して、駆動用ＴＦＴの特性の安定化を図る。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor which reduces a parasitic capacitance generated between an umbrella part of a gate electrode of T-type structure and a diffusion layer, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加

Ｔ型構造のゲート電極の傘部と拡散層の間に生じる寄生容量を低減した電界効果トランジスタ及びその電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, p-type high resistance wafer obtained through CZ method is employed to effect heating treatment for the purpose of oxygen outward diffusion of 1-5 hours at 1,100-1,250°C in a tuning atmosphere.例文帳に追加

製造方法はＣＺ法によるｐ型の高抵抗ウェーハを用い、調整雰囲気中にて１１００〜１２５０℃で１〜５時間の酸素外方拡散を目的とした加熱処理をおこなう。 - 特許庁

In the reflection type screen, a prism sheet and a reflecting layer are layered on an anisotropic diffusion medium, and an apical angle of the prism sheet is within the range of 70-110°.例文帳に追加

異方性拡散媒体上に、プリズムシートおよび反射層が積層されてなり、該プリズムシートの頂角が７０〜１１０°の範囲にあることを特徴とする反射型スクリーンである。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, P type diffusion regions 7 and 17 used as back gate regions are formed while shifting a peak of an impurity concentration.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、バックゲート領域として用いるＰ型の拡散層７、１７を形成する際に、それぞれの不純物濃度のピークをずらして形成する。 - 特許庁

To provide a combustion device capable of using a low-pressure fuel gas in a diffusion combustion type combustion device supplying the preheated combustion air to a combustion chamber.例文帳に追加

予熱された燃焼用空気を燃焼室に供給する拡散燃焼方式の燃焼装置において、低圧力燃料ガスを用いることができる燃焼装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the P+ type diffusion layer 35 of a short gate length is easily formed as the gate, and the gate length is easily controlled to a value shorter than the limit in lithography.例文帳に追加

このため、ゲート長の短いＰ^+型拡散層３５をゲートとして容易に形成することができ、リソグラフィの限界よりも短い値にゲート長を容易に制御することもできる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a trap film for charge storage and a bit-line diffusion layer of a MONOS type semiconductor memory device, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型半導体記憶装置の電荷蓄積用のトラップ膜及びビット線拡散層を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A sensitivity of the target function is drawn out (step S23), a double well type potential f(ϕ) is drawn out, and reaction diffusion equation is solved by a finite volume method (step S24).例文帳に追加

そして、目標関数の感度を導出し（ステップＳ２３）、また二重井戸型ポテンシャルｆ（φ）を導出して、反応拡散方程式を有限体積法により解く（ステップＳ２４）。 - 特許庁

To provide an open type hot water circulation device of a simple constitution capable of suppressing diffusion of water from a water expansion tank, and keeping at least a stable operation within a time of periodic inspection.例文帳に追加

水膨張タンクからの水の放散を抑制し、定期点検の期間内では少なくとも安定運転を維持可能な簡便な構成の開放型温水循環装置を提供する。 - 特許庁

To strike a balance between the heavily doped diffusion of an n-type dopant into a photoelectric conversion layer and the formation of a buffer layer with an optimal thickness, and also to simplify the manufacturing process and reduce the equipment cost.例文帳に追加

光電変換層へのｎ型ドーパントの高濃度拡散と最適な膜厚のバッファ層の形成とを両立させ、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element having a structure capable of suppressing deterioration in power feed characteristics by suppressing diffusion of a p-type dopant into a light-emitting layer on an end face of a semiconductor mesa part.例文帳に追加

半導体メサ部の端面の発光層へのｐ型ドーパントの拡散を抑制することにより通電特性の劣化を抑制可能な構造を有する半導体光素子を提供する。 - 特許庁

The drift diffusion region 10 has a substrate inner region 11, and a surface region 12 which contains first conductive type impurities at a higher concentration than the substrate inner region 11.例文帳に追加

また、ドリフト拡散領域１０は、基板内部領域１１と、基板内部領域１１よりも高濃度の第１導電型不純物を含む表面領域１２とを有している。 - 特許庁

With such a structure, creep up of the p-type buried diffusion layer 7 is suppressed, and the epitaxial layer 4 can be made thin while sustaining the withstand voltage characteristics of a power semiconductor element.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の埋込拡散層７の這い上がりが抑制され、パワー用半導体素子の耐圧特性を維持しつつ、エピタキシャル層４の厚みを薄くすることができる。 - 特許庁

Consequently, a gate electrode 3 comes into contact with the titanium layer 8 through an opening 7a and P^+ type diffusion layers 6a and 6b, also come into contact with the titanium layer 8 respectively through openings 7b and 7c.例文帳に追加

これにより、ゲート電極３は開口部７ａを介してチタン層８と接触し、Ｐ＋型拡散層６ａ，６ｂはそれぞれ開口部７ｂ，７ｃを介してチタン層８と接触する。 - 特許庁

In a plan view, the gate electrode 110 has a configuration formed in a comb-like structure having comb teeth covering the second conduction type impurity diffusion region of the drift region 172.例文帳に追加

ゲート電極１１０は、平面視で、ドリフト領域１７２の第２導電型の不純物拡散領域上を覆う櫛歯を有する櫛形構造に形成された構成を有する。 - 特許庁

In the MOS capacitor type semiconductor device, an insulation portion to prevent a short circuit is formed at a position where there may occur the short circuit between the conductive layer and the diffusion layer.例文帳に追加

本発明に係るＭＯＳキャパシタ型半導体装置では、導電層及び拡散層間で短絡する可能性がある箇所に、短絡を阻止するための絶縁部が形成されている。 - 特許庁

A trench 63 is formed in a p-type silicon semiconductor substrate 65 after impurities are introduced, and impurity diffusion layers 62a and 62b are formed on protrusions 64a and 64b forming the trench 63.例文帳に追加

ｐ型シリコン半導体基板６５への不純物導入後に溝６３を形成し、この溝６３を形成する凸部６４ａ，６４ｂに、不純物拡散層６２ａ，６２ｂを形成する。 - 特許庁

A gate electrode 14 is formed on the upper surface of a p-form layer 12 through a gate insulation film 13, and a drain and source diffusion areas 15 and 16 are formed in the depth to the n-type layer 11.例文帳に追加

ｐ型層１２の上面にゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１４が形成され、ｎ型層１１に達する深さにドレイン、ソース拡散層１５，１６が形成される。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device, p+ type first and second diffusion regions 34 and 32 are formed on the front of a second epitaxial layer 23 so as to be partially superimposed.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置では、第２のエピタキシャル層２３表面にＰ＋型の第１および第２の拡散領域３４、３２を一部重畳するように形成する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer forming composition according to the present invention includes glass powder containing an acceptor element; a binder having a weight average molecular weight of 5,000 or more and 500,000 or less; and a solvent.例文帳に追加

本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、重量平均分子量が５０００以上５０００００以下であるバインダーと、溶剤と、を含有する。 - 特許庁

Further, an antireflection film 9 covers from a part of the upper side of the gate electrode 7 to a whole upper side of a first n-type diffusion layer 3 of photoelectric region.例文帳に追加

さらに、ゲート電極７の上方の一部から光電変換領域である第１のｎ型拡散層３の上方全体までをシリコン窒化膜からなる反射防止膜９が覆っている。 - 特許庁

An insulation layer is formed on the germanium layer, the germanium layer and the insulation layer are heat treated at 550°C to 1000°C, and the n-type diffusion region is formed in the prescribed region of the germanium layer.例文帳に追加

ゲルマニウム層上に絶縁層を形成し、ゲルマニウム層および絶縁層を５５０℃〜１０００℃で熱処理して、ゲルマニウム層の所定の位置にｎ型拡散領域を形成する。 - 特許庁

The p-type diffusion layer forming composition contains glass powder including an acceptor element, and a dispersant containing a binder having a solubility parameter being equal to or less than 12(MJ/m^3)^1/2.例文帳に追加

本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、溶解度パラメーターが１２（ＭＪ／ｍ^３）^１／２以下であるバインダーを含む分散媒と、を含有する。 - 特許庁

To provide a fuel cell, such as a high polymer molecule type, in which a stable power generation is possible by keeping good gas diffusion nature and good humidity of a solid high polymer molecule film.例文帳に追加

固体高分子型などの燃料電池において、ガス拡散性と固体高分子膜の湿潤性を良好に保つことにより、安定した発電が可能な燃料電池を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor substrate, a p-type impurity diffusion embedded layer 16 is extendedly provided from the layers 15 to the lower part of the region 6 and the layer 16 becomes one part of the breaking current paths.例文帳に追加

半導体基板においてｐ^+不純物拡散埋込層１５からｐ^+ボディ領域６の下方までｐ不純物拡散埋込層１６が延設され、ブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

A diffusion reflection type photoelectric sensor 10 includes the light cut-off plate 24 arranged between a light detection element 22 and a light detection lens 26, and a slit 30 is formed to the light cut-off plate 24.例文帳に追加

拡散反射型光電センサ１０は受光素子２２と受光レンズ２６との間に配置された遮光プレート２４を含み、この遮光プレート２４にはスリット３０が形成されている。 - 特許庁

To provide a plate-laminated type micro-reactor module where plates can be mutually bonded with proper strength by diffusion bonding even if a channel area that is a channel of fluid is increased in this module.例文帳に追加

プレート積層型マイクロリアクタモジュールにおいて、流体の流路となるチャネル面積を大きくした場合でも、拡散接合によってプレート同士を強度良く接合できるものを提供する。 - 特許庁

The total resistance of bit lines is reduced by making the bit line diffusion layer on which no transistor is formed broader in width or higher in concentration in the flat cell type memory cell area of the semiconductor device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセル領域にてトランジスタを形成しないビット線拡散層を幅広とするか、または拡散層濃度を高くすることにより、ビット線全体としての抵抗を低くする。 - 特許庁

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

According to this constitution, the p-type buried diffusion layer 6 is restrained from creeping up, and the epitaxial layer 4 can be thinned while maintaining withstand voltage characteristics of a semiconductor element for power.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の埋込拡散層６の這い上がりが抑制され、パワー用半導体素子の耐圧特性を維持しつつ、エピタキシャル層４の厚みを薄くすることができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect type magnetic head wherein characteristic deterioration due to oxygen diffusion is not generated, in a magnetoresistive effect film to which an oxide is applied for obtaining a high changing ratio of magnetoresistance.例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率を得る為に、酸化物を適用した磁気抵抗効果膜において、酸素拡散による特性劣化を起こさない磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

A spectrum diffusion type distance measuring device determines, prior to main distance measurements, whether or not a laser beam emitted from an emitting part 14 is reflected back from rain or fog as a scattered beam.例文帳に追加

スペクトル拡散方式の距離測定装置において、本測距の前に、発光部１４から出射したレーザ光が雨や霧に当たって反射してくる散乱光があるか否かを判定する。 - 特許庁

To prevent decomposition and deterioration of a liquid crystal by UV rays in an information display device using a polymer diffusion type liquid crystal panel using a liquid crystal layer containing a liquid crystal and a polymer.例文帳に追加

液晶と高分子ポリマーを含む液晶層を用いた高分子散乱型液晶パネルを用いた情報表示装置において、紫外線による液晶の分解劣化を防止する。 - 特許庁

Then, connection with an anode electrode 39 is executed at a part right above the p+ type second diffusion region 32 and a parasitic resistor R1 is made larger than a parasitic resistor R2.例文帳に追加

そして、Ｐ＋型の第２の拡散領域３２の直上部でアノード電極３９と接続させ、寄生抵抗Ｒ１を寄生抵抗Ｒ２より大きくすることに特徴を有する。 - 特許庁

Therefore, the diffusion of Zn from the p-type layer (6) included in the III-V group compound semiconductor device to an adjacent layer (4) in which Zn is not contained can be suppressed.例文帳に追加

それによって、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置中に含まれるそのｐ型層（６）からその近隣のＺｎを含まない層（４）へのＺｎの拡散が抑制され得る。 - 特許庁

An n-type diffusion layer forming composition includes glass powder containing a donor element; a binder having a weight average molecular weight of 5,000 or more and 500,000 or less; and a solvent.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物に、ドナー元素を含むガラス粉末と、重量平均分子量が５０００以上５０００００以下であるバインダーと、溶剤と、を含有せしめる。 - 特許庁

An MOS structure is formed of polysilicon 10 and the n-type diffusion resistor 11, as a variable resistor 5 between the IN terminal and the power switch element 2 for the semiconductor device 1.例文帳に追加

また、半導体装置１のＩＮ端子とパワースイッチ素子２の間には、可変抵抗体５として、ポリシリコン１０とＮ型拡散抵抗１１とでＭＯＳ構造が形成されている。 - 特許庁

A region from the p-type InP window layer 5 to the middle of the undoped InP diffusion buffer layer 4 is removed precisely by dry etching, to form a second mesa with a diameter smaller than that of the first mesa.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からアンドープＩｎＰ拡散バッファ層４の途中までドライエッチングにより精密に除去し、第一のメサより径が小さい第二のメサを形成した。 - 特許庁

On a side of a trench 5b dug from a surface of the epitaxial layer 4, a trench sidewall diffusion layer 9 made of polysilicon with P-type impurities introduced is deposited.例文帳に追加

また、エピタキシャル層４の表面から掘り下がったトレンチ５ｂの側面には、Ｐ型の不純物が導入されたポリシリコンからなるトレンチ側壁拡散層９が被着されている。 - 特許庁

A gate electrode 12 is formed on a semiconductor substrate 10 through the intermediary of a gate insulating film 11, and a P-type impurity diffusion layer 13 is formed under the gate electrode 12.例文帳に追加

半導体基板１０上にゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２が形成されており、該ゲート電極１２の下側にはｐ型の不純物拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

A metal layer 14 for Schottky barrier is formed on the surface of the epitaxial layer 3 and a P type diffusion layer 7 is formed under the end 20 of the metal layer 14 for Schottky barrier.例文帳に追加

エピタキシャル層３表面にはショットキーバリア用金属層１４が形成され、ショットキーバリア用金属層１４の端部２０の下方にはＰ型の拡散層７が形成されている。 - 特許庁

A metal layer 14 for Schottky barrier is formed on the surface of the epitaxial layer 3 and a P type diffusion layer 9 is formed under the end 20 of the metal layer 14 for Schottky barrier.例文帳に追加

エピタキシャル層３表面にはショットキーバリア用金属層１４が形成され、ショットキーバリア用金属層１４の端部２０の下方にはＰ型の拡散層９が形成されている。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer capable of suppressing the diffusion of a p-type dopant to an active layer during crystalline growth or LED energization, and to provide a semiconductor luminescent device using the wafer.例文帳に追加

結晶成長時又はＬＥＤ通電時のｐ型ドーパントの活性層への拡散を抑制することが可能なエピタキシャルウェハ及びそのウェハを用いた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁