「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted.例文帳に追加

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。 - 特許庁

Then, after a p^+-type diffusion layer is formed on the collector region, an SiGe or SiGeC layer 10 is grown only on the one-side wall of the collector region.例文帳に追加

次に、コレクタ領域上部にＰ^+型拡散層を形成した後、コレクタ領域の片側側壁部分にのみＳｉＧｅあるいはＳｉＧｅＣ層１０を成長させる。 - 特許庁

The maximum of carbon element concentration in the carbon accumulation region 10 is provided in a region of 2 nm from an interface between the n-type diffusion layer 7 and the inter-cell insulating film 9.例文帳に追加

この炭素蓄積領域１０における炭素元素濃度の最大がｎ型拡散層７とセル間絶縁膜９との界面から２ｎｍの領域に設けられている。 - 特許庁

An element isolation dielectric film 6 is formed so as to surround an N type diffusion layer 54 and a guard ring 3 (guard ring well) is formed around the periphery.例文帳に追加

Ｎ型拡散層５４を取り囲むように半導体基板表面に素子分離絶縁膜６が形成され、その周囲にガードリング（ガードリング用ウェル）３が形成されている。 - 特許庁

To enclose a contaminant inside a glass lump for avoiding diffusion to outside in an inorganic chemical substance type industrial waste treatment of glass, ceramic and the like.例文帳に追加

ガラスやセラミック等の無機化学物質系産業廃棄物の処理において、汚染物質をガラスの塊中に封入してしまって外部への拡散を防止するようにする。 - 特許庁

The impurity layer 7 of a conduction type opposite to that of the drain diffusion layer 11b is formed on the channel region at a position apart from the region 5a by an interval T.例文帳に追加

チャンネル領域に、ドレイン拡散層１１ｂとは逆導電型の不純物層７を、低濃度不純物領域５ａから間隔Ｔをあけた位置に形成する。 - 特許庁

In this way, a resonance circuit is formed with parasitic capacitance, which is provided between the P-type substrate 1, the p^+ diffusion region 3 and the shunt circuit 4, and an inductance of the shunt circuit 4.例文帳に追加

そして、Ｐ型基板１及びｐ^＋拡散領域３とシャント配線４との間の寄生容量と、シャント配線４のインダクタンスとにより、共振回路を形成する。 - 特許庁

An N type buffer region 12 containing a relatively high concentration of arsenic via an anti-diffusion region 22 and having a relatively small thickness is formed on the collector region 11.例文帳に追加

コレクタ領域１１の上には、拡散防止領域２２を介して、ヒ素を比較的高濃度で含み、比較的厚みの薄いＮ型バッファ領域１２が形成されている。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 is formed on this active region 2a, and a silicon film 5 and an n-type diffusion layer (emitter layer) 6 are formed on the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

この活性領域２ａ上にＳｉＧｅ合金層４を形成し、ＳｉＧｅ合金層４上にシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を形成する。 - 特許庁

A plurality of metal electrodes 20 of a trench structure disposed in a range not arriving at an active layer is formed in a current diffusion layer 16 or a conductivity type clad layer 15.例文帳に追加

電流拡散層１６又は導電型のクラッド層１５内に活性層に到達しない範囲で配置されたトレンチ構造の複数の金属電極２０が形成される。 - 特許庁

Under a field separation film 14, a P type diffusion region 7 is discretely formed in the direction across the direction where a current flows in on-state.例文帳に追加

フィールド分離膜１４の下に、オン状態において電流が流れる方向と交差する方向に沿って離散的にＰ型拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

The impurity concentration of an adjacent part of the P-type impurity diffusion layer 14 to the element isolation insulating film 12 is selected lower than that of the remaining part.例文帳に追加

Ｐ型不純物拡散層１４における素子分離絶縁膜１２との隣接部分の不純物濃度は、その残りの部分よりも低くなるように設定されている。 - 特許庁

The present invention provides the method of manufacturing the structural body of a diffusion type reflector which is a substrate having a plurality of bump elements each having a reflective curved face.例文帳に追加

本発明は、反射曲面を備えた複数のバンプ状エレメントを有する基板である拡散タイプ反射体の構造体を製作する方法を提供する。 - 特許庁

The n-type diffusion layer forming composition contains glass powder including a donor element, and a dispersant containing a binder having a solubility parameter being equal to or less than 12(MJ/m^3)^1/2.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物は、ドナー元素を含むガラス粉末と、溶解度パラメーターが１２（ＭＪ／ｍ^３）^１／２以下であるバインダーを含む分散媒と、を含有する。 - 特許庁

To provide a peel apart type color diffusion transfer photographic image forming method in which an image after peeling is free of stain and the maximum density of a transferred image does not lower.例文帳に追加

剥離後の画像にステインが発生せず、しかも転写画像の最高濃度が低下しないピールアパート型カラー拡散転写写真画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a measuring method capable of accurately and easily measuring the diffusion length of minority carriers which are few in number in semiconductor by an SPV (surface photovoltage) method even in the case of a P-type epitaxial wafer.例文帳に追加

Ｐ型エピタキシャルウエハにおいても、ＳＰＶ法により、正確かつ容易に少数キャリア拡散長の測定を行うことができる測定方法を提供する。 - 特許庁

To bring a Fresnel lens sheet which constitutes a back projection type screen and a diffusion sheet into permanent contact with each other so that they will not float in a high-temperature and high-humidity atmosphere.例文帳に追加

背面投写型スクリーンを構成するフレネルレンズシートと拡散シートが、高温多湿の雰囲気中で互いに浮き上がらないように両者を恒常的に密着させる。 - 特許庁

Consequently, the latch-up resistance of the power semiconductor element is improved, by reducing the diffusion resistance of a P-type base layer, and at the same time, the on-state voltage of the element is lowered by improving the latch-up resistance of the element by scaling down the element.例文帳に追加

これにより、Ｐ型ベース層の拡散抵抗を小さくしてラッチアップ耐量を向上すると共に素子の微細化を行ないオン電圧を低くした。 - 特許庁

To provide an optical screen for projecting display light which excells in light diffusion properties and can reduce the occurrence of hot spots, and to provide a projection-type image display system.例文帳に追加

本発明は、表示光を投影する光学スクリーンに関し、光拡散性に優れ、ホットスポットの発生を低減することができるスクリーンを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a diffusion type reflector which can reflect incident light, can diffuse light at a specified solid angle with uniformity of required intensity and causes no decrease in display quality.例文帳に追加

入射光を反射でき、必要とされる強度の均一性をもつ所定の立体角に拡散でき、表示品質の低下のない拡散タイプ反射体を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion transfer type photographic product, having high sensitivity and high maximum density, superior discrimination with an improved white background and having improved temperature dependency in development.例文帳に追加

高感度で、最高濃度が高く、白地の改良されたディスクリミネーションに優れ、かつ現像時の温度依存性が改良された拡散転写型写真製品の提供。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer capable of utilizing accumulated manufacturing technology and manufacturing know-how, and suppressing diffusion of p-type impurities, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

蓄積された製造技術、製造ノウハウを活かすことができ、かつ、ｐ型不純物の拡散を抑制できるエピタキシャルウエハ及びエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a backside irradiation type CMOS image sensor that can reduce lateral diffusion of impurities from an accumulation layer and suppress a rise in readout voltage.例文帳に追加

アキューミュレーション層からの不純物の横方向拡散を軽減でき、読み出し電圧の上昇を抑制できる裏面照射型のＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

A Fresnel lens screen 20 is composed of a Fresnel lens 24 having a total reflection type light entrance surface and a first light diffusion part 26 and a first base 25 which are arranged on the succeeding stage side of the Fresnel lens.例文帳に追加

フレネルレンズスクリーン２０は、入光面部分全反射式フレネルレンズ２４と、その後段側に設けられた第一の光拡散部２６と第一の基盤２５とからなる。 - 特許庁

To suppress the diffusion of a p-type impurity (typically magnesium) contained in a semiconductor region of a III-V compound semiconductor into another adjacent semiconductor region.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の半導体領域に含まれるｐ型の不純物（典型的にはマグネシウム）が隣接する他の半導体領域に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device capable of preventing diffusion of magnesium from a p-type nitride semiconductor layer and ensuring excellent normally-off characteristics.例文帳に追加

ｐ型の窒化物半導体層からのマグネシウムの拡散を防止するとともに良好なノーマリオフ特性を確保することができる窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

A composition ratio of Al atoms of the semiconductor forming the impurity diffusion controlling region 13 is larger than that of Al atoms of the p^+-type semiconductor region 14.例文帳に追加

不純物拡散抑制領域１３を構成する半導体のＡｌ原子の組成比は、ｐ^＋型の半導体領域１４のＡｌ原子の組成比よりも大きい - 特許庁

The composition for forming a p-type diffusion layer is composed to contain at least one kind of boron compound selected from a boron nitride and a boron carbide, and a dispersion medium.例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物を窒化ホウ素及び炭化ホウ素から選ばれる少なくとも１種のホウ素化合物と、分散媒と、を含有して構成する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor and its manufacturing method, in which a shallow surface diffusion region is formed on the surface of a HAD region on an N-type photodiode.例文帳に追加

Ｎ型のフォトダイオード上にあるＨＡＤ領域の表面に浅い表面拡散領域が形成されているＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this structure, the first common gate 10G can electrically be connected to the p-type drain diffusion layer 21d by the bimetal layer 34 having small resistivity.例文帳に追加

この構造により、第１共有ゲート１０Ｇは、抵抗率が小さいバリアメタル層３４によって、ｐ型ドレイン拡散層２１ｄとの電気的な接続を取ることができる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; a plurality of trenches; an insulating layer; a conductive layer; a first semiconductor diffusion layer; and an anode electrode.例文帳に追加

一態様に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第１半導体拡散層、及びアノード電極を有する。 - 特許庁

A drain electrode 51 is formed on the surface of the n^--type diffusion area 44D with a distance from the side walls 43 of the gate electrodes 42 by the width of a silicide block area 52.例文帳に追加

ｎ^−型拡散領域４４Ｄの表面に、ゲート電極４２のサイドウォール４３からシリサイドブロック領域５２分だけ離間してドレイン電極５１を形成した。 - 特許庁

On a side of a trench 5a dug from a surface of an epitaxial layer 4, a trench sidewall diffusion layer 6 made of polysilicon with N-type impurities introduced is deposited.例文帳に追加

エピタキシャル層４の表面から掘り下がったトレンチ５ａの側面には、Ｎ型の不純物が導入されたポリシリコンからなるトレンチ側壁拡散層６が被着されている。 - 特許庁

In a CH1 side photothyristor and a CH2 side photothyristor, a shot key barrier diode 44 is formed between a p-gate diffusion region 33 and an n-type silicon substrate 31.例文帳に追加

ＣＨ1側のフォトサイリスタとＣＨ2側のフォトサイリスタとにおいて、Ｐゲート拡散領域３３とＮ型シリコン基板３１との間にショットキーバリアダイオード４４を形成している。 - 特許庁

Ions are implanted with conductor layer patterns 114b as a mask to form an embedded type impurity diffusion layer 120 near the surface of the semiconductor substrate between the patterns 114b.例文帳に追加

導電層パターン１１４ｂをマスクとしてイオン打ち込みを行い、これらの間の半導体基板の表面近傍に埋め込み型不純物拡散領域１２０を形成する。 - 特許庁

Two diodes constituting a bridge rectification circuit are formed in each of two regions, and each diode is separated from surroundings by a p-type separation diffusion region.例文帳に追加

２つの領域には、ブリッジ整流回路を構成するダイオードが２つずつ形成されており、各ダイオードは、Ｐ型の分離拡散領域によって、周囲から分離されている。 - 特許庁

This allows diffusion of the phosphorus into the p-type silicon substrate and improvement in crystallinity of a semiconductor layer which is grown on a surface of the first semiconductor layer.例文帳に追加

そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 - 特許庁

To measure an oxygen diffusion coefficient of a porous body being a measuring target with high precision using a galvanic cell type oxygen sensor even when the porous body being the measuring target contains water.例文帳に追加

測定対象となる多孔体が液水を含んでいるときでも、その酸素拡散係数をガルバニ電池式の酸素センサーを用いて高精度に測定する。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 is formed on the epitaxial layer 2, and a silicon film 5 and an n-type diffusion layer (emitter layer) 6 are formed on the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

エピタキシャル層２上にはＳｉＧｅ合金層４を形成し、ＳｉＧｅ合金層４上にはシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を形成する。 - 特許庁

A p-type buried diffusion layer 116 with its impurity concentration higher than that of a semiconductor layer 101 is formed between the semiconductor substrate 100 and the semiconductor layer 101.例文帳に追加

半導体基板１００と半導体層１０１との間に、半導体層１０１よりも不純物濃度の高いＰ型埋め込み拡散層１１６を形成する。 - 特許庁

The electrode wing line 117 is formed on the thermal oxidation film 107, and the other end side of the electrode wiring is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 109.例文帳に追加

電極配線１１７は、熱酸化膜１０７上に形成されており、その他端側の部分がｐ型不純物拡散領域１０９に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a diffusion/reflection type screen made of a cloth and a method for manufacturing the screen that can be easily and inexpensively manufactured while preventing curling.例文帳に追加

布帛からなる拡散反射型スクリーン及びその製造方法において、容易かつ安価に製造を行いつつ、カーリングの発生を防止できるものを提供する。 - 特許庁

To provide a bend heater for a thermal diffusion type vessel oil tank having a small-scale, large heat emitting area to be installed in an oil tank of a vessel having a narrow internal space.例文帳に追加

内部空間が狭い船舶の油類タンクに装入される小規模大熱発散面積を持つ熱拡散型船舶油類タンク用ベンドヒータを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transmission-type screen of high resolution and high grade which facilitates thickness control of a light diffusion layer and is free of anti-dazzle and has high resolution.例文帳に追加

光拡散層の厚さコントロールが容易で、ぎらつきがなく、解像度の高い高品位な透過型スクリーンを生産性よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

A MOS transistor is equipped with an n^+-source region 7, an n^+-drain region 8, and a gate electrode 6, and a p-type diffusion region 14 of an n-channel stopper is arranged around the MOS transistor.例文帳に追加

Ｎ＋ソース領域７、Ｎ＋ドレイン領域８、ゲート電極６を備えたＭＯＳトランジスタ周辺にＮチャネルストッパのＰ型拡散領域１４が配置される。 - 特許庁