「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The Zener diode 2 is formed on a diffusion region (a P-type diffusion region for forming the Zener diode 2), separated from the DMOS transistor 1, in a drain region of the DMOS transistor 1 in different density (or may be in the same density).例文帳に追加

ツェナダイオード２は、ＤＭＯＳトランジスタ１のドレイン電極領域内のＤＭＯＳトランジスタ１とは異なる濃度（或いは同濃度であっても良い）で分離された拡散領域（ツェナダイオード２形成用のＰ型拡散領域）上に形成されて成る。 - 特許庁

The LED element (the semiconductor light-emitting element) has an n-type active layer 4 having an MQW structure, a diffusion preventive layer 5 formed on the active layer 4 and a semi-insulating second clad layer 6 formed on the diffusion preventive layer 5.例文帳に追加

このＬＥＤ素子（半導体発光素子）は、ＭＱＷ構造を有するｎ型活性層４と、活性層４上に形成された拡散抑止層５と、拡散抑止層５上に形成された半絶縁性の第２クラッド層６とを備えている。 - 特許庁

In this panel speaker, the light diffusion board (2) of a backlight type liquid crystal display device having a configuration wherein a lighting system comprising the light diffusion board (2) is arranged in the rear of a liquid crystal panel (1), is used as a diaphragm for exciting flexural vibration.例文帳に追加

本発明のパネル型スピーカは、液晶パネル(1) の後方に光拡散板(2) を含む照明装置を配置する構成のバックライト型液晶表示装置の光拡散板(2) を、撓み振動を励振するための振動板として利用する。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

The NMOS transistor non-volatile semiconductor memory includes: first and second n-type diffusion layers 21, 22 formed as a source and a drain in a p-type silicon layer 20; a gate electrode 50 formed on a channel region CNL between the first and second n-type diffusion layers 21, 22 via an insulating film 30; and the charge storage layer 40 formed in the insulating film 30.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリは、Ｐ型シリコン層２０中にソース／ドレインとして形成された第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２と、第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２に挟まれたチャネル領域ＣＮＬ上に絶縁膜３０を介して形成されたゲート電極５０と、その絶縁膜３０中に形成された電荷蓄積層４０とを備える。 - 特許庁

To provide a paper type discrimination apparatus capable of more certainly discriminating the type of paper by detecting the light diffusion characteristics of target paper to discriminate the type of the paper and capable of being constituted simply and inexpensively, and an image forming apparatus using it.例文帳に追加

検査対象の紙の光拡散特性を検出することにより紙種を判別するようにしたので、より確実に紙種を判別でき、また、簡素にかつ安価に構成できる紙種判別装置及び紙種判別装置を用いた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In an epitaxy side down type, i.e., an inverted III-nitride light emitting device(LED), a high reflectance ohmic contact has an N-type electrode 22 and a P-type electrode metal coating 20 which are translucent, have high reflectance and perform superior current diffusion.例文帳に追加

エピタキシーサイドダウン型すなわち反転型ＩＩＩ−窒化物発光デバイス（ＬＥＤ）において、半透明で、高反射率を持ち、優れた電流拡散を行なうｎ型電極２２及びｐ型電極金属被覆２０を有する、高反射率オーミックコンタクトを備える。 - 特許庁

In a p-type semiconductor layer 101, a heavily doped region 109 in which the concentration of p-type impurities different from right and left n-type diffusion regions 106, 107 becomes extremely large is formed by oblique ion implantation in the center of a channel region 108.例文帳に追加

ｐ型の半導体層１０１には、チャネル領域１０８の中央部に、左右のｎ型の拡散領域１０６，１０７とは異なるｐ型の不純物の濃度が極大となる高濃度領域１０９が斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁

To provide a transmission type screen capable of obtaining an image having a wide viewing angle and reducing an influence of external light by increasing light diffusion of light of a projection image emitted from the transmission type screen using an optical fiber.例文帳に追加

光ファイバーを用いた透過型スクリーンから出射する投写画像の光の光拡散を多くし、広い視野角の画像を得ることができ、外光の影響を低減することができるようにしたこと。 - 特許庁

In this case, the P-conductive type columns PC1-PC4 and the N-conductive type columns NC1-NC4 are formed of single crystal silicon and are isolated electrically from diffusion layers having conductivity except the column layer 10.例文帳に追加

そして、Ｐ導電型コラムＰＣ１〜ＰＣ４及びＮ導電型コラムＮＣ１〜ＮＣ４は、単結晶シリコンにて形成されており、コラム層１０以外の導電性を有する拡散層と電気的に絶縁されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of side etching during formation of an n-type polysilicon gate while preventing boron from punching through a substrate due to the diffusion of boron in a p-type polysilicon gate.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコンゲート中のボロンの拡散による基板側への突き抜けを防止しつつ、ｎ型ポリシリコンゲートの形成時におけるサイドエッチの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor switch is provided with resistors 31 and 32 respectively connected to a source 21 and a drain 22 in an n-type MOSFET 1a having the source and the drain, which is an n-type diffusion layer formed in a P well.例文帳に追加

半導体スイッチは、Ｐウェルに形成されるｎ型拡散層であるソース及びドレインを有するｎ型ＭＯＳＦＥＴ１ａにおいて、ソース２１及びドレイン２２のそれぞれに接続された抵抗３１、３２を有する。 - 特許庁

A pn junction is formed by forming an n-type diffusion layer 3 on the light receiving surface side of a p-type polysilicon substrate 2, and an antireflection film 4 and a light receiving surface silver electrode 10 are formed, respectively, on the light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型多結晶シリコン基板２の受光面側にｎ型拡散層３を形成することによりｐｎ接合を形成し、受光面には反射防止膜４および受光面銀電極１０をそれぞれ形成する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric film type actuator having less deterioration in an amount of displacement due to a diffusion prevention layer as compared with the conventional ones, and a liquid droplet injection device using the piezoelectric film type actuator and capable of securing a sufficient discharge quantity.例文帳に追加

従来よりも拡散防止層による変位量の低下が小さい圧電膜型アクチュエータ、及びその圧電膜型アクチュエータを使った十分な吐出量の確保が可能な液滴噴射装置を提供すること。 - 特許庁

Then, a mask is formed again on the surface except a part where a bonding N-electrode NT is formed, and the current diffusion layer D and the P-type gallium nitride layer P are etched again until the N-type gallium nitride layer N is exposed.例文帳に追加

次いで、ボンディング用のｎ電極ＮＴを形成する部分を除いて再度マスクを形成し、再度ｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出するまで電流拡散層Ｄ、及びｐ型窒化ガリウム層Ｐをエッチングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device structure which is improved in manufacturing yield by alleviating the influence of the diffusion of a p-type dopant element on its characteristics, and by distributing the concentration of a p-type dopant element as designed.例文帳に追加

ｐ型ドーパント元素の拡散による特性に対する影響を軽減し、かつｐ型ドーパント元素を設計通りに濃度分布させることが可能な、歩留まりの高い半導体発光素子の構造を提供する。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17b having a relatively deep junction while both the sides are held by p-type source/drain regions 16b is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15b.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ｂ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ｂに挟まれ、相対的に接合深さの深いＮ型しきい値制御拡散層１７ｂが形成されている。 - 特許庁

The region 3 of the second conductivity type is diffused in such a manner that it reaches the highly doped region 1, with an upward diffusion of doping from a highly doped substrate layer 1 to a weakly doped layer 2 of the same conductivity type concurrently.例文帳に追加

第２の伝導型の領域３は、当該領域が高ドーピング領域１に達するように拡散し、同時に高ドーピング基板層１から同じ伝導型の弱ドーピング層２へのドーピングの上方拡散を行う。 - 特許庁

Therefore, if the pattern of the isolation film 32, which is opened by the diffusion of n-type or p-type impurities, is small, the diameter of the through-hole 31b can be sufficiently smaller than the diameter of the through-hole 31a.例文帳に追加

ゆえに、ｎ型またはｐ型不純物を拡散の際に開口する絶縁膜３２のパターンを小さいものにすれば、貫通孔３１ｂの径を貫通孔３１ａの径に比べて十分小さくすることができる。 - 特許庁

To provide an optically functional diffusing plate capable of providing a target diffusion angle and improving contrast performance so as to clearly visualize an image, to provide a reflection type screen having the optically functional diffusing plate, and to provide a method for manufacturing the reflection type screen.例文帳に追加

目標の拡散角とすることができ、さらに映像を明確に視認できるようにコントラスト性能を高めることのできる光機能性拡散板、反射型スクリーン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a p-type silicon substrate 1011, a fine particle diffusion region 1012, an SiO2 film 1015 functioning as an insulating film, and an n-type polycrystalline silicon electrode 1016 functioning as an upper electrode are provided in the order of lower part.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板1011上には、微粒子分散領域1012、絶縁膜として機能するＳｉＯ_2 膜1015、及び上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極1016が下から順に設けられている。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17a having a relatively shallow junction while both sides are held by p-type source/drain regions 16a is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15a.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ａ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ａに挟まれ、相対的に接合深さの浅いＮ型しきい値制御拡散層１７ａが形成されている。 - 特許庁

And a potential varied linearly or natural logarithmically by the embedded type photo diode PD is transmitted to a N type suspended diffusion layer FD and outputted as an image signal through MOS transistors T3, T4.例文帳に追加

そして、埋込型フォトダイオードＰＤで線形的又は自然対数的に変化したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに転送し、ＭＯＳトランジスタＴ３，Ｔ４を通じて映像信号として出力する。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 1 is formed as a drain region, a P type body diffusion region 2 is formed in the epitaxial layer 1, and a hollow gate electrode 3 is formed so that the plane shape is polygonal.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層１をドレイン領域とし、そのエピタキシャル層１内にＰ型のボディー拡散領域２を形成し、平面形状が多角形となるように中抜きされたゲート電極３を形成する。 - 特許庁

To provide a light extinction type smoke sensor and a light extinction type smoke sensing system, not affected by the relation with a background color or a diffusion state of smoke, and not affected by a positional shift of a light emission means.例文帳に追加

煙の拡散状態や背景色との関係に影響を受けることがなく、発光手段の位置ずれの影響を受けることがない、減光式煙感知器及び減光式煙感知システムを提供すること。 - 特許庁

To provide a lens array sheet which freely controls the distribution of diffused light to impart optional diffusion characteristic so that a smooth video can be displayed, and to provide a method for manufacturing the lens array sheet, a transmission type screen and a back projection type display device.例文帳に追加

拡散光の分布を自由に制御して任意の拡散特性を付与でき、滑らかな映像を表示可能なレンズアレイシート、レンズアレイシートの製造方法、透過型スクリーン、背面投射型表示装置を提供する。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a first conduction-type semiconductor substrate defined in an active region and an element isolation region; an element isolation film formed in the element isolation region of the semiconductor substrate; a second conduction-type diffusion region formed in the active region of the semiconductor substrate; and a first conduction-type doping region and insulation film formed between the element isolation film and the second conduction-type diffusion region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、アクティブ領域と素子分離領域とで定義された第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の素子分離領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板のアクティブ領域に形成される第２導電型の拡散領域と、前記素子分離膜と第２導電型の拡散領域との間に形成される第１導電型のドーピング領域及び絶縁膜とを含む。 - 特許庁

The dispersion solution is preferably heated so that the temperature of the dispersion solution for the gas diffusion electrode containing polyoxyethylene type non-ionic surfactant is not lower than the cloud point of the surfactant, or the dispersion solution for the gas diffusion electrode is preferably self-organized by adding alcohol to the dispersion solution for the gas diffusion electrode.例文帳に追加

ガス拡散電極用分散液が、ポリオキシエチレン型非イオン性界面活性剤を含むガス拡散電極用分散液の液温を界面活性剤の曇点以上になるように加熱処理したもの、又はガス拡散電極用分散液が、ガス拡散電極用分散液にアルコールを添加し白己組織化させたものであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a light diffusion plate on which a plurality of optical elements extending to a prescribed direction are formed in parallel to one another and in which the generation of moire is suppressed surely, and also to provide a method for generating an array pattern of optical elements on the light diffusion plate, and a surface light source apparatus and a transmission type image display device, each using the light diffusion plate.例文帳に追加

所定の方向に延在する複数の光学要素が互いに平行に形成された光拡散板であってモアレの発生をより確実に抑制可能な光拡散板、その光拡散板における光学要素の配列パターンの生成方法並びにその光拡散板を用いた面光源装置及び透過型画像表示装置を提供する。 - 特許庁

A slide type mobile phone includes a gas diffusion part 1000 composed of a base container 1110 and an injection part 1150 or the like, in an operation side case 100.例文帳に追加

スライド式の携帯電話機３において、基材容器１１１０や噴射部１１５０などで構成された気体拡散部１０００を操作側筐体１００に構成する。 - 特許庁

In the peripheral region of a photodiode PD, a guard band region 34 is so formed as to cover the side face of an N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD.例文帳に追加

フォト・ダイオードＰＤの周辺部には、該フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型拡散層３３の側面を覆うようにガードバンド領域３４が形成されている。 - 特許庁

An end of the p^+-type diffusion layer 6 is spaced from the end (close to a contact between the gate insulating film 4 and the field insulating film 5) of the field insulating film 5 having a concentrated electric field.例文帳に追加

Ｐ＋型拡散層６の端は、電界が集中するフィールド絶縁膜５の端（ゲート絶縁膜４とフィールド絶縁膜５とが接する部位）と離間されている。 - 特許庁

To provide a new nonlinear type active ingredient release device which is easily be prepared and does not cause the diffusion of the active ingredient in gel with the passage of time.例文帳に追加

簡易に作製が可能で、ゲル中において有効成分が経時的に拡散したりすることがない新規な非線形型有効成分放出デバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a transfer master used in the production of a diffusion reflection plate for a reflection type CD having good reflection characteristics, an uneven film and a transfer film.例文帳に追加

良好な反射特性を有する反射型ＬＣＤ用拡散反射板等の製造に使用される転写原型及び凹凸フィルム及び転写フィルムを提供する。 - 特許庁

The second well is arranged adjoining the first well, has a prescribed insulation region in the internal section and has a second conductivity-type diffusion region outside the insulation region.例文帳に追加

第２ウェルは、前記第１ウェルに隣接して配置され、内部に所定の絶縁領域を備え、前記絶縁領域の外部には第２導電型拡散領域を備える。 - 特許庁

Both the parts of the material composite are joined by a fusion welding process or a diffusion welding process to the intermediate piece region of the same type even in any case.例文帳に追加

材料複合体のそれら両部分は、融接プロセス又は拡散溶接プロセスによって、いずれの場合においても、同じタイプの中間片領域に接合される。 - 特許庁

By this manufacturing method, the semiconductor device is realized in which the n-type embedded diffusion layer 2 is suppressed from creeping up more than required, to provide a wanted breakdown strength characteristics.例文帳に追加

この製造方法により、Ｎ型の埋込拡散層２の必要以上の這い上がりを抑制し、所望の耐圧特性が得られる半導体装置を実現できる。 - 特許庁

A source pad 17a and a p-type diffusion region 25 adjacent to the connection portion of the filed plate 19 and the floating limiter ring 20 have notches 17b, 25a.例文帳に追加

フィールドプレート１９とフローティングリミッティングリング２０との接続部分に隣接するソースパッド１７ａ及びＰ形拡散領域２５は、切欠部１７ｂ、２５ａを有する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an n-type first diffusion layer which extends on a semiconductor substrate including the lower layer of a plurality of bonding pads (hereafter referred to as pads) mounted on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に設置された複数のボンディングパッド（以下パッド）下層を含む上記半導体基板上に延在するＮ型の第１拡散層を備える。 - 特許庁

Source/drain diffusion regions 107a and 107b are formed in active regions formed by dividing the surface portion of the p-type well region 102 by an element separating region.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散領域１０７ａ，１０７ｂを、Ｐ型ウェル領域１０２の表面部分が素子分離領域で区画されてなる活性領域に形成する。 - 特許庁

To efficiently generate a cross flow at the time of constituting an immersion-type membrane separator while reducing the amt. of diffusion of air and to uniformly clean the membrane surface.例文帳に追加

浸漬型膜分離装置を構成するに際し、散気量を低減しながら効率よくクロスフロー流を惹起でき、また偏りなく膜面洗浄できるようにする。 - 特許庁

In the low temperature area, the self-excited oscillation type heat pipe can achieve both of high heat conductivity and high heat diffusion rate in comparison with a case when heat conduction by solid is utilized.例文帳に追加

低温域において、自励振動式ヒートパイプは、固体による熱伝導を利用した場合に比して大きな熱伝導率と熱拡散率を両立することができる。 - 特許庁

The cluster ions implanted in the FIN type semiconductor portion 10 are activated thereafter to form a diffusion region that constitutes parts of a source region and a drain region.例文帳に追加

その後、ＦＩＮ状の半導体部１０に注入されたクラスタイオンを活性化して、ソース領域およびドレイン領域の一部を構成する拡散領域を形成する。 - 特許庁