「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

The remaining noise that reach the p-type diffusion region 206 pass sequentially through a contact hole 207, a guard band metallic electrode layer 205, and an outside connecting pad and absorbed by a bypass capacitor.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域２０６に到達に到達した残りのノイズは、コンタクトホール２０７、ガードバンド用メタル電極層２０５、外部接続用パッドを順に通過しバイパスコンデンサに吸収される。 - 特許庁

Since the upper region 3a of the p-type diffusion layers 3 is made narrow, a contact part of the n^--type epitaxial layer 2 with a Schottky electrode 5 is widened and contact resistance between the n^--type epitaxial layer 2 and the Schottky electrode 5 can be reduced while increasing a current passage resulting in low ON resistance.例文帳に追加

また、ｐ型拡散層３の上部領域３ａの幅を狭くしてあるため、ｎ^-型エピ層２のうちショットキー電極５との接触部位を広くとれ、ｎ^-型エピ層２とショットキー電極５との接触抵抗を低減および電流経路の増大を図ることができ、低オン抵抗化を図ることができる。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 8 is formed by thermally diffusing a P-type impurity over the surface of the layer 4, and a fourth N-type semiconductor layer 20 which is doped more heavily than the layer 4 is formed from the layer 18 having a large diffusion coefficient toward the layer 4.例文帳に追加

第２Ｎ型半導体層の表面にＰ型不純物を熱拡散してＰ型半導体層８を形成させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８から第２Ｎ型半導体層に第２Ｎ型半導体層の濃度より高い濃度の第４Ｎ型半導体層２０を形成する。 - 特許庁

A p-type base region 12 is provided with a base electrode connection part 24 made of an n^+-type region, and moreover a Zener voltage controlled diffusion region 25 made of a p^+-type region is provided in the circumference of the base electrode connection part 24 in such a manner as to form p-n junction and cause Zener breakdown at the desired voltage.例文帳に追加

ｐ形のベース領域１２にｎ^+形領域からなるベース電極接続部２４が設けられ、さらにベース電極接続部２４の周囲に、ｐｎ接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、ｐ^+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域２５が設けられている。 - 特許庁

A PN junction diode 22 which comprises an N type impurity diffusion region 21 and a P type semiconductor support substrate 11 by which padding formation is carried out after this embedded insulating film 12 has dissociated electrically SOI layer 13 is formed at a portion which is in the P type semiconductor support substrate 11, and touches the embedded insulating film 12.例文帳に追加

Ｐ型の半導体支持基板１１にあって埋込絶縁膜１２に接する部位に、該埋込絶縁膜１２によってＳＯＩ層１３とは電気的に分離された状態で埋め込み形成されるＮ型の不純物拡散領域２１とＰ型の半導体支持基板１１とからなるＰＮ接合ダイオード２２を形成した。 - 特許庁

To form a functional semiconductor layer which performs a stable functionality by controlling so as to suppress the diffusion amount of a p-type dopant to the functional semiconductor layer having predetermined functionalities, such as an activity layer, through a first dopant layer as a buffer layer from a p-type semiconductor layer doped with the p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントをドープしたｐ型半導体層から、バッファ層としての第１ドーパント層を介して活性層などの所定の機能を有する機能半導体層へのｐ型ドーパントの拡散量が抑制できるように制御し、安定した機能を実現する機能半導体層を形成すること。 - 特許庁

Further, the substrate has, in the substrate, a first conductivity type source region 121 formed below the first upper surface, a second conductivity type drain region 121 formed below the second upper surface, and a second conductivity type lateral diffusion region 123 formed between the step lateral face S3 and the source region 121.例文帳に追加

さらに、基板内において、第１上面の下方に形成された第１導電型のソース領域１２１と、第２上面の下方に形成された第２導電型のドレイン領域１２２と、段差側面Ｓ３とソース領域１２２との間に形成された第２導電型の側方拡散領域１２３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor image pickup element includes: a first conductivity-type semiconductor region 21 formed on a semiconductor substrate 30; a transfer gate 23 formed on the semiconductor substrate 30; a photodiode region 34 formed on the first conductivity-type semiconductor region 21; and a second conductivity-type floating diffusion region 31.例文帳に追加

半導体基体３０に形成された第１導電型の半導体領域２１と、半導体基体３０上に形成された転送ゲート２３と、第１導電型の半導体領域２１に形成されたフォトダイオード領域３４、及び、第２導電型のフローティングディフュージョン領域３１とを備える半導体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The epitaxial growth of the n-type Si layer at temperatures ranging from approximate 1,000 to 1,200°C causes an impurity in an embedded type impurity layer to rise at the n-type Si layer side, however, the impurity diffusion from the embedded impurity layer in the varactor-forming region with the carbon introduced on its surface is suppressed to suppress the rise of the phosphorous.例文帳に追加

Ｎ型Ｓｉ層は約１０００〜１２００℃でエピタキシャル成長させるため、埋め込み型不純物層中の不純物がＮ型Ｓｉ層側にせり上がってくるが、表面にカーボンが導入されているバラクタ形成領域は埋め込み不純物層からの不純物拡散が抑制され、リンのせり上がりを抑制できる。 - 特許庁

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face.例文帳に追加

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。 - 特許庁

The first MIS transistor Trl includes: a first pocket region 9A of a second conductivity type formed below a first extension region 8A of a first conductivity type in a first active region 1a; and a first diffusion suppression region 7A containing a diffusion suppression impurity and formed below the first pocket region 9A in the first active region 1a.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタＴｒｌは、第１の活性領域１ａにおける第１導電型の第１のエクステンション領域８Ａの下に形成された第２導電型の第１のポケット領域９Ａと、第１の活性領域１ａにおける第１のポケット領域９Ａの下に形成された拡散抑制不純物を含む第１の拡散抑制領域７Ａとを備えている。 - 特許庁

The photoelectric converter includes: a photo diode 5 as a photoelectric conversion part having a photoelectric conversion region and an n-type layer 3 functioning as a charge storage region wherein charges generated in the photoelectric conversion region are stored; and a transfer transistor which is disposed between the photo diode 5 and a floating diffusion region 6 and transfers signal charges stored in the n-type layer 3 to the floating diffusion region 6.例文帳に追加

光電変換領域と、前記光電変換領域で生じた電荷を蓄積する電荷蓄積領域として機能するｎ型層３と、を有する光電変換部としてのフォトダイオード５と、フォトダイオード５と浮遊拡散領域６との間に配置され、ｎ型層３に蓄積された信号電荷を浮遊拡散領域６に転送する転送トランジスタと、を備える。 - 特許庁

An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.例文帳に追加

回転イオン注入法を用いてＡｓおよびＢをトレンチ３の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ３で挟まれたｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層を、横方向に並んだｎ型ピラー層５／ｐ型ピラー層４／ｎ型ピラー層５からなる、実質的にＳｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁

The thickness of the depletion layer which is formed between the n-type InP substrate 1 and the p-type diffusion layer region 7 when voltage is applied to a cathode electrode 8 and an anode electrode 9 is larger than that of a light receiver A at least in part of a region below the anode electrode 9.例文帳に追加

カソード電極８とアノード電極９に電圧を印加したときに、ｎ型ＩｎＰ基板１とｐ型拡散層領域７との間に形成される空乏層の厚さは、アノード電極９の下部領域の少なくとも一部で受光部Ａより厚くなる。 - 特許庁

An NPN-HBT is provided with a collector diffusion layer 57 which is formed simultaneously with the N^+ type layer 56 of the element VAR, a collector layer 59, and an Si/SiGe layer 79 which is epitaxially grown simultaneously with the P^+ type layer 21 of the element VAR.例文帳に追加

ＮＰＮ−ＨＢＴは、可変容量素子ＶＡＲのＮ^+ 層５６と同時に形成されたコレクタ拡散層５７と、コレクタ層５９と、可変容量素子のＰ^+ 層２１と同時にエピタキシャル成長により形成されたＳｉ／ＳｉＧｅ層７９とを備えている。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a semiconductor light emitting element in which the amount of diffusion of Zn from a p-type contact layer to a p-type cladding layer and an active layer can be controlled, and to provide a semiconductor light emitting element fabricated employing the epitaxial wafer for the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層や活性層へのＺｎの拡散量をコントロールできる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びその半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

At an end part of a first common gate which included in a second CMOS inverter 20, a first contact part 20c is formed which is electrically connected to a p-type drain diffusion layer 21d of a p-type MOSFET 21p of the second CMOS inverter 20.例文帳に追加

第１共有ゲート１０Ｇの第２のＣＭＯＳインバータ２０に含まれる端部には、第２のＣＭＯＳインバータ２０におけるｐ型ＭＯＳＦＥＴ２１ｐのｐ型ドレイン拡散層２１ｄと電気的に接続される第１コンタクト部１０ｃが形成されている。 - 特許庁

A Co2Si film 11 is formed on the surfaces of an N (P)-type gate silicon layer 5 (6) and an N (P)-type diffusion layer 8 (9) through high-temperature sputtering the Co2Si film 11 is turned into a CoSi film 12, and furthermore the CoSi film 12 is turned into a CoSi2 film 13 by a thermal treatment.例文帳に追加

そして、高温スパッタリングでＮ（Ｐ）型ゲートシリコン層５（６）、Ｎ（Ｐ）型拡散層８（９）表面にＣｏ_2 Ｓｉ膜を成膜し、熱処理でＣｏ_2 Ｓｉ膜１１をＣｏＳｉ膜１２に更にＣｏＳｉ膜１２をＣｏＳｉ_2 膜１３に変換する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses the mutual diffusion of impurities in gate electrodes between an n-type gate electrode and a p-type gate electrode and reduces variation in the threshold voltage, having a dual gate electrode exhibiting desirable characteristics, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極との間で、ゲート電極中の不純物が相互拡散するのを抑え、しきい値電圧の変動が抑制され、所望の特性を示すデュアルゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

For this semiconductor electron beam detector, an electron beam detection part formed of a P-type diffusion region is arranged on the surface of an N-type first semiconductor substrate, and a second semiconductor substrate is arranged at least on the electron beam detection part.例文帳に追加

本発明の半導体電子線検出器は、Ｎ型である第１の半導体基板の表面上に、Ｐ型拡散領域によって形成された電子線検出部が配置され、第２の半導体基板が少なくとも前記電子線検出部の上に配置される。 - 特許庁

To provide an oxide laminated film comprising an upper/lower perovskite-type oxide films containing different alkaline-earth metal elements, in which an atomic diffusion between the layers is prevented and the growth of the upper perovskite-type oxide film is not hindered.例文帳に追加

異なるアルカリ土類金属元素を含む上層／下層ペロブスカイト型酸化膜の積層において、層間における原子拡散を防止し、かつ上層ペロブスカイト型酸化膜の成長を阻害しないような酸化物積層膜を提供することを課題とする。 - 特許庁

By surrounding each of drain diffusion layers having the same conductivity type as that of a first well arranged on the substrate by a second well and a third well each having a conductivity type opposite to that of the first well and shallower than the first well, leak to the substrate is suppressed.例文帳に追加

また、基板上に配置される第１のウェルと同一の導電型を持つドレイン拡散層のそれぞれを第１のウェルと反対の導電型を持ち、第１のウェルより浅い第２のウェル及び第３のウェルで囲むことにより、基板へのリークを抑制する。 - 特許庁

To provide a transmission type screen in which the reflection of external light is little, the contrast of an image is excellent, generation of more is rare, diffusion characteristics are excellent, and manufacturing is easy as a transmission type screen for condensing light projected from an oblique direction.例文帳に追加

斜め方向から投射された光を集光させるための透過型スクリーンであって、外光の反射が少なくて画像のコンラストが良好であり、モアレの発生も少なく、かつ、拡散特性に優れた、製造が容易な透過型スクリーンを提供する。 - 特許庁

To provide a stack for a fuel mixture type fuel cell in which diffusion of fuel and an oxidation agent can be made smooth and a fuel cell performance can be improved, and provide a fuel mixture type fuel cell system provided with the above stack.例文帳に追加

燃料および酸化剤の拡散が円滑になって燃料電池の性能を向上させることができる、燃料混合形燃料電池用スタックおよび燃料混合形燃料電池用スタックを含む燃料混合形燃料電池システムを提供すること。 - 特許庁

By constructing a conduction band energy level of the intermediate layer 40 so as to be higher than that of the cladding layer 10 of the n-type semiconductor, the diffusion of an electron 1 from the cladding layer 10 of the n-type semiconductor to the optical waveguide layer 20 which is a non-doped layer is prevented.例文帳に追加

この中間層４０の伝導帯エネルギー準位を、ｎ型半導体のクラッド層１０よりも高くなるように構成することによって、ｎ型半導体のクラッド層１０からノンドープ層である光導波層２０への電子１の拡散が防止される。 - 特許庁

A p-n joint part between a p-type diffusion layer 2 and an n-type silicon substrate 1 is formed in an element formation area divided by an element isolation area 5 on the surface of a semiconductor substrate 1, and a radiation sensitive area is formed by the p-n joint part.例文帳に追加

半導体基板１の表面の素子分離領域５により区画された素子形成領域に、ｐ型拡散層２とｎ型シリコン基板１とのｐｎ接合部が形成されており、このｐｎ接合部により放射線有感領域が構成されている。 - 特許庁

Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁

The semiconductor-on-insulator type transistor comprises (a) an insulating layer, (b) a semiconductor material layer on the insulating layer, (c) a transistor gate provided in the semiconductor material layer, and (d) a vertical, outer source/drain diffusion region and a vertical, inner diffusion-region, provided in the semiconductor material layer operationally adjacent to the transistor gate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型トランジスタは、ａ）絶縁層、ｂ）絶縁層上の半導体物質の層、ｃ）半導体物質層内に設けられたトランジスタゲート、ｄ）トランジスタゲートに動作上近接して半導体物質層内に設けられた上下方向外側ソース／ドレイン拡散領域及び上下方向内側拡散領域とからなる。 - 特許庁

The AuBe contact electrode 214 of the peripheral rim electrode 215 is directly contacted with the p-AlGaAs current diffusion layer 210, however, the central electrode 220 is electrically connected to the p-AlGaAs current diffusion layer 210 through a p-GaAs contact layer 222 comprising a high concentration of p-type impurities.例文帳に追加

周縁電極部２１５のＡｕＢｅコンタクト電極２１４は直接ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と接触するが、中心電極部２２０は高濃度のｐ型不純物を含むｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２２を介してｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と電気的に接合される。 - 特許庁

Thereafter, titanium silicide layers 9a, 9b, and 9c are respectively formed on the surfaces of the gate electrode 3 and P^+ type diffusion layers 6a and 6b by partially silicifying the titanium layer 8 which is in contact with the gate electrode 3 and diffusion layers 6a and 6b by performing heat treatment as shown in Fig (b).例文帳に追加

その後、図３（ｂ）に示すように熱処理を行うことにより、ゲート電極８及びＰ＋型拡散層６ａ，６ｂと接触したチタン層８が部分的にシリサイド化され、ゲート電極３上の表面にチタンシリサイド層９ａ、Ｐ＋型拡散層６ａ，６ｂの表面にそれぞれチタンシリサイド層９ｂ，９ｃが形成される。 - 特許庁

The diffusion cover 5 is fixed on the apparatus main body 2 in a predetermined mounting position so as to uniform light from the straight tube type fluorescent lamp 3 and emit the light from the translucent panel 4 by engaging a projection part 52 provided on the diffusion cover 5 with a hole for fixation 23 provided on the apparatus main body 2.例文帳に追加

拡散カバー５は、拡散カバー５に設けられた突起部５２を器具本体２に設けられた固定用穴２３に係合させることにより、直管形蛍光灯３からの光が透光パネル４から均斉化されて出射されるように器具本体２に所定の取付姿勢で固定される。 - 特許庁

A light-receiving element 70 is composed of a PDSOI transistor (MOS transistor) in which a gate electrode 72 is formed on the surface of a p-type silicon layer 15 used as a channel body via a gate insulation film 71, and a source diffusion layer 73 and a drain diffusion layer 74 are formed to a depth reaching the insulation film 14.例文帳に追加

受光素子７０は、ｐ型シリコン層１５をチャネルボディとして、その表面にゲート絶縁膜７１を介してゲート電極７２が形成され、絶縁膜１４に達する深さにソース拡散層７３およびドレイン拡散層７４が形成された、ＰＤＳＯＩトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）により構成されている。 - 特許庁

The channel layers 2a, 2b comprise a prescribed conductivity type, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b, which form pn junctions with each channel layer 2a, 2b under a gate electrode 7, respectively, are formed, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b are electrically connected by a connection layer 5.例文帳に追加

チャネル層２ａ，２ｂは、所定の導電型を有し、ゲート電極７下における各チャネル層２ａ，２ｂとｐｎ接合をそれぞれ形成する少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂが形成され、少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂは、接続層５により電気的に接続されている。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

A method for manufacturing the light diffusion film includes a process A for forming a prefilm from a plurality of short fibers by the dry type nonwoven fabric method and a process B for applying application liquid for forming transparent resin by solidification or hardening at least to one surface of the prefilm obtained in the process A and solidifying or hardening the applied application liquid to form the light diffusion film.例文帳に追加

複数の短繊維を乾式不織布法によってプレフィルムにする工程Ａと、工程Ａで得られたプレフィルムの少なくとも片面に、固化または硬化により透明樹脂を形成する塗布液を塗布し、塗布された前記塗布液を固化または硬化させて光拡散フィルムを形成する工程Ｂとを含む。 - 特許庁

Then, a first conductive isolation diffusion area 4 which reaches the semiconductor substrate 1 from the front surface of the n^--type semiconductor layer 2 is formed, and an Al metal film 7 e.g. is formed in ohmic contact with the surface of the isolation diffusion area 4 to be electrically connected with the first electrode 5.例文帳に追加

そして、ｎ^−形半導体層２表面から半導体基板１に達する第１導電形アイソレーション拡散領域４が形成され、そのアイソレーション拡散領域４の表面にオーミック接触するように、たとえばＡｌ金属膜７が設けられることにより、第１電極５と電気的に接続している。 - 特許庁

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a sticking type dust flotation and diffusion preventing bag for enabling an ATM to be efficiently cleaned without using an expensive device, or diffusing eliminated dust around.例文帳に追加

高価な装置を使用する必要がなく、また除去したゴミ（塵埃）を周囲に拡散することなく、ＡＴＭの清掃を能率的に行うことができる密着型ゴミ浮遊拡散防止袋を提供すること。 - 特許庁

The biaxially oriented polyester film roll for the liquid crystal display downward prism type diffusion plate is configured such that a film width is ≥250 mm and orientation angles measured at intervals of 250 mm when a TD direction orthogonal to a film length direction is 0° are 35 to 55°.例文帳に追加

フィルム長手方向に直交するＴＤ方向を０°とした時の配向角が３５°以上５５°以下である液晶ディスプレイ下向きプリズム方式拡散板用二軸延伸ポリエステルフィルムロール。 - 特許庁

The light projected on the light transmission diffusion type screen 7' is unnecessary light which was thermally converted in the projector before and the image for the monitor screen can be obtained at a low cost by using the light.例文帳に追加

光透過拡散型スクリーン７’に投影される光は、従来ではプロジェクタ内で熱変換していた不要な光であり、この光を使って安価にモニタ画面用の画像を得ることができる。 - 特許庁

Thus, the diffusion light-distribution pattern P1 is obtained by reflecting the light L1 of the semiconductor type light source 7 with a first reflection surface 8 formed by the parabolic-columnar curved surface.例文帳に追加

この結果、この発明は、半導体型光源７からの光Ｌ１を放物柱状曲面からなる第１反射面８で反射させることにより、拡散タイプの配光パターンＰ１が得られる。 - 特許庁

To provide a carbonaceous fiber woven cloth having well-balanced gas permeability, electrical conductivity, water retention, drainage properties, evenness of thickness, etc., and suitable as a material for a gas diffusion layer of a solid polymer-type fuel cell.例文帳に追加

ガス透過性、導電性、保水性、排水性、厚さむら等の性質がバランスし、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料として好適な炭素質繊維織布を提供する。 - 特許庁

With this structure, a channel region is efficiently arranged to suppress occurrence of parasitic currents in the P-type diffusion layer, thereby preventing fluctuation in on-resistance value of an N-channel MOS transistor 1.例文帳に追加

この構造により、効率的にチャネル領域が配置され、Ｐ型の拡散層での寄生電流の発生が抑制され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ１のオン抵抗値の変動が防止される。 - 特許庁

The microscopic structure of a P-type semiconductor layer is formed through a manner in which disks are decreased enough in vertical dimension (depth) and expanded enough in horizontal dimension by selective diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体層の微視的構造をディスク群として垂直寸法（深さ）を十分に短縮し，且つ水平寸法を十分に広げた形状に選択拡散により形成する構造とした。 - 特許庁