「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface of an N-type semiconductor wafer 1 is coated with a liquid-state impurity source 2 composed of the mixture of an aluminum compound, boron compound, organic polymer material and organic solvent and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, and the organic solvent is evaporated so that a layer containing aluminum and boron can be formed.例文帳に追加

アルミニウム化合物とホウ素化合物と有機高分子物質と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ型半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

The method of separating particulates comprises (1) isolating particulates alone, (2) removing particulates alone or (3) concentrating particulates alone, through a sieving effect without adsorption of the particulates, by separating particulates corresponding to diameters of 15 nm or smaller and dispersed in a gas or a liquid by means of a pore-diffusion-type membrane separation method.例文帳に追加

気体または液体中に分散した相当直径１５ｎｍ以下の微粒子を、孔拡散型の膜分離法を利用して、微粒子を吸着させることなく、ふるい効果で（１）微粒子のみを隔離するか（２）微粒子のみを除去するか、あるいは（３）微粒子のみを濃縮することを特徴とする微粒子の分離方法。 - 特許庁

To solve a problem that a light transmissive type liquid crystal panel constituting a thin display device has a backlight unit in which numerous light emitting tubes are arranged in parallel, and which is equipped with a light diffusion plate/optical sheet, as a light source of surface approximation characteristics, but brightness ununiformity that the peripheral part of a screen becomes darker compared with the center part of the screen.例文帳に追加

薄型表示装置を構成する光透過型液晶パネルは、背面に多数の発光管を平行に配置するとともに光拡散板／光学シートを具備したバックライトユニットを面近似特性の光源としているが、画面の周辺部が画面の中心部に比し暗くなる輝度不均一性の課題を有する。 - 特許庁

A pixel unit 1 is structured with a non-volatile memory transistor MT formed in a p-type well 12 of a silicon substrate 10 to include a floating gate 14 and a control gate 16 and selection gate transistors ST1, ST2 formed in both sides of each memory transistor MT through common use of such memory transistor MT and diffusion layer 17.例文帳に追加

画素ユニット１は、シリコン基板１０のｐ型ウェル１２に形成された、浮遊ゲート１４と制御ゲート１６を持つ不揮発性メモリトランジスタＭＴと、このメモリトランジスタＭＴと拡散層１７を共有して各メモリトランジスタＭＴの両側に形成された選択ゲートトランジスタＳＴ１，ＳＴ２とから構成される。 - 特許庁

To provide a resin-packaged type semiconductor device wherein a semiconductor element mounted to a die pad and a lead is connected by a bonding wire and they are packaged by a mold resin and wherein the surface diffusion of a base metal is suppressed in an inner lead and the adhesion between the mold resin and the inner lead is ensured to easily prevent peeling of resin.例文帳に追加

ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをボンディングワイヤで接続したものを、モールド樹脂で封止してなる樹脂封止型の半導体装置において、インナーリードにおける下地金属の表面拡散を抑制し、モールド樹脂とインナーリードとの密着性を確保して樹脂剥離を抑制しやすくする。 - 特許庁

In the LDD layer 5a, formed from the surface of the semiconductor substrate 1 down to a predetermined depth D1, a p-type diffusion layer 10 is so formed as to be surrounded by the LDD layer 5a, excluding the surface of the LDD layer 5a, while being extended from the surface of the LDD layer 5a to a depth D3.例文帳に追加

半導体基板１の表面から所定の深さＤ１にわたり形成されたＬＤＤ層５ａには、ＬＤＤ層５ａの表面を除いてＬＤＤ層５ａに取り囲まれるとともに、ＬＤＤ層５ａの表面から深さＤ３にわたりｐ型拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

This transmission type projection screen is provided with black stripe 14 layer parts in the portions where the projected light from projection is not transmitted and light diffusion layer parts 16a by foaming only in the portions where the light is transmitted on the flat surface side of a lenticular sheet 10 which is provided with cylindrical lenses in juxtaposition on one surface and the other surface is a flat surface.例文帳に追加

片面にシリンドリカルレンズが並設され、他面が平坦面であるレンチキュラーシート１０の平坦面側にプロジェクションからの投影光が透過しない部分にブラックストライプ１４層部、透過する部分のみに発泡による光拡散層部１６ａが設けられている透過型プロジェクションスクリーン。 - 特許庁

The surface concentration top region 14A of the p-type diffusion region 14 can be made comparatively high in impurity concentration because an opening is provided to a field oxide film 4 avoiding the gate electrode 6 and impurities are diffused by implanting impurity ions through the opening, and a surface leakage current occurring between itself and the source region and drain region of the adjacent MOS transistor can be restrained.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域１４の表面濃度頂上領域１４Ａは、ゲート電極６と重ならずフィールド酸化膜４を開孔しイオン打ち込みによって拡散するため、比較的高濃度にすることができ、隣接したＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域との表面リーク電流を抑制できる。 - 特許庁

To provide an electrolyte membrane for direct methanol type fuel cells with methanol as a direct fuel, suppressed in swelling degree, causing neither membrane breakage nor seal trouble through reducing its dimensional change under long-term operation, and suppressing power generation efficiency drop due to methanol diffusion to the positive electrode.例文帳に追加

本発明は、燃料電池の電解質膜の膨潤度を抑制し、長期間の運転中に、寸法変化を少なくして、膜の破損やシールの不具合を発生しなくすると共に、メタノールを直接燃料とするダイレクトメタノール型燃料電池における、メタノールが正極へ拡散し、発電効率が低下することを抑制する。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 13 and source-drain (diffusion layer 14) as a varicap, an impurity layer is formed in a channel region 15 beneath the gate electrode 13 to have a concentration gradient.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタ構造で、ゲート電極１３とソース・ドレイン（拡散層１４）間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極１３下のチャネル領域１５に形成された不純物層が濃度勾配を有するように形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１において、ゲート電極１５、ソース電極９およびドレイン電極５と、半導体基板1ａとの間に電位を印加して、半導体基板1ａとウェル３との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域４にまで到達しない。 - 特許庁

The surface side of a base region 4, constituted of the well region 8 and a section interposed between the well region 8 and the collector region 6 in the element forming region 3a, is formed with a reconnection region 7 constituted of an n-type impurity diffusion region functioning as the reconnection center of the minority carriers in the base region 4.例文帳に追加

ウェル領域８と、素子形成領域３ａのうちウェル領域８とコレクタ領域６との間に介在する部分で構成されるベース領域４の表面側に、ベース領域４中の少数キャリアの再結合中心として働くｎ形の不純物拡散領域からなる再結合領域７を形成してある。 - 特許庁

Thus, the semiconductor region 8 containing nitrogen ions disposed between the element separation portion and the semiconductor substrate 1 can prevent diffusion of impurities (particularly, boron constituting the p-type well) constituting the wells and thus can prevent reduction in the impurities concentration in the vicinity of the element separation portion, thereby ensuring pressure resistance at the element separation portion.例文帳に追加

このように素子分離と半導体基板１との境界に窒素イオンを含有する半導体領域８を設けたので、ウエルを構成する不純物（特に、ｐ型ウエルを構成するホウ素）の拡散を防止し、素子分離近傍の不純物濃度の低下を防止することができ、分離耐圧を確保することができる。 - 特許庁

To enable to secure sufficient brightness at the portion near the lower part of a cut-off line in the right and left diffusion area of a low-beam light distribution pattern, even when a light source is arranged at the position separated from an optical axis downward in a vehicle headlamp of projection type constituted so as to form the low-beam light distribution pattern.例文帳に追加

ロービーム用配光パターンを形成するように構成されたプロジェクタ型の車両用前照灯において、光源が光軸から下方に離れた位置に配置されている場合であっても、ロービーム用配光パターンの左右拡散領域におけるカットオフラインの下方近傍部分の明るさを十分に確保可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that stably exhibits a high reverse recovery withstand independently of the existence and nonexistence of the defects caused during the wafer process for manufacturing the semiconductor device, even if the semiconductor device is a pn-junction diode having a structure, in which an anode electrode is formed on an outer circumferential portion surface of a p-type anode diffusion region with an insulating film interposed.例文帳に追加

ｐ型アノード拡散領域の外周部表面に絶縁膜を介してアノード電極が設けられる構造を有するｐｎ接合ダイオードであっても、該ダイオードを製造する際のウエハプロセスに起因する欠陥の有無に依らず、安定的に高い逆回復耐量を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A general peripheral circuit such as a sense amplifier using inner voltage having an absolute value smaller than external supply voltage as a main operating power supply is constituted of a (p) channel and (n) channel MOSFETs having a p+ gate and an n+ gate having the same conductivity type as the diffusion layer of the general peripheral circuit respectively and having comparatively thin oxide films.例文帳に追加

また、外部電源電圧より絶対値の小さな内部電圧を主たる動作電源とするセンスアンプ等の一般周辺回路を、その拡散層と同じ導電型のｐ^+ ゲート及びｎ^+ ゲートをそれぞれ有し、かつ比較的薄い酸化膜を有するＰチャネル及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成する。 - 特許庁

A gate oxide film 107 of the lateral high-dielectric-strength MOSFET100 of a 1st conductivity type is formed to such a thickness that an electric field value to the maximum operating voltage between the source and drain is ≤4 MV/cm and a drain diffusion layer 114 is so formed that its impurity total amount is ≥2×10^12/cm^2.例文帳に追加

第１導電型の横型高耐圧ＭＯＳＦＥＴ100のゲート酸化膜107の膜厚を、ソース・ドレイン間の最大動作電圧に対する電界値が４ＭＶ／ｃｍ以下となる厚さに形成し、前記ドレイン拡散層114をその不純物総量が２×１０^12／ｃｍ^2以上となるよう形成する - 特許庁

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子１は、ｐ型シリコン基板１０に、２箇所の不純物拡散領域１１とゲート電極１３およびゲート絶縁層１２から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極１９と上部電極２１とで可変抵抗層２０を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁

A diffusion sheet 40, a transmission type liquid crystal panel 30, and a prism sheet 20 are fitted in a window part C1 provided on an external wall part B, and a lamp 10 is so arranged that the illumination ratio found from the ratio of the minimum illumination to the maximum illumination on the back surface of the prism sheet 20 is 0.2 to 0.7.例文帳に追加

外壁部Ｂに設けられた窓部Ｃ１に拡散シート４０、透過型液晶パネル３０およびプリズムシート２０をはめ込み、このプリズムシート２０の背面上における最大照度に対する最小照度の割合により求まる照度比が０．２以上、かつ０．７以下になるようにランプ１０を配置する。 - 特許庁

A filter water tank 3 having a sludge mixed liquid intake port 31 and a discharge port 33 is arranged in the circulating water channel 12 of the oxidation ditch 1 so as to provide at least a predetermined space with respect to the sidewalls of the water channel, and an immersion type separation membrane 20 and an air diffusion pipe 23 for washing the membrane are arranged in the filter water tank 3.例文帳に追加

オキシデーションディッチ１の循環水路１２内に、汚泥混合液の取込口３１と排出口３３を有する濾過水槽３を、少なくとも水路側壁との間に所定の空間を有するようにして配設し、濾過水槽３内に浸漬形の分離膜２０と膜洗浄用の散気管２３とを配設する。 - 特許庁

When a direct injection type diesel engine 1 is in a high load range (trancated chevron mark, square mark, trancated chevron mark), fuel is injected by an injector 5 while being divided into sub injecting operation injecting in a compression stroke of a cylinder 2 so as to be a premixed combustion state, and main injection operation injecting so as to be a diffusion combustion state after the premixed combustion state.例文帳に追加

直噴式ディーゼルエンジン１が高負荷域（ハ、ロ、ハ）にあるとき、インジェクタ５により燃料を、予混合燃焼状態になるように気筒２の圧縮行程で噴射する副噴射作動と、その後に拡散燃焼状態になるように噴射する主噴射作動とに分けて噴射させる。 - 特許庁

To provide a technology for shortening such a time as the resistance between main electrodes becomes the on resistance under steady state when transition is made from off state to on state in a semiconductor device having an impurity diffusion region of a conductivity type different from that of a drift layer within a range surrounding the footprint of a trench in the drift layer.例文帳に追加

ドリフト層内においてトレンチの底面を取り囲む範囲に、ドリフト層とは異なる導電型の不純物拡散領域を備えている半導体装置の、オフ状態からオン状態に移行する際の主電極間の抵抗が定常状態のオン抵抗となる時間を短縮化する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device for flip chip and its manufacturing method improved in a luminance characteristic and a driving voltage characteristic capable of reducing an adhesion defect and improving the luminance characteristic by improving adhesiveness between a p metal layer and a p-type nitride semiconductor layer, reflection efficiency, current diffusion efficiency, and contact resistance.例文帳に追加

pメタル層とp型窒化物半導体層間の密着性と、反射効率及び電流拡散効率と、接触抵抗とを改善することにより、輝度及び駆動電圧特性の向上されたフリップチップ用窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関し、密着力不良を減少し、輝度特性を改善する。 - 特許庁

The passive type fuel cell is provided with a case containing an MEA 21 pinched by housing plates 23 in which oxygen/fuel supplying holes 24 are formed and the fuel and oxygen are supplied by spontaneous diffusion, and strip-shaped sheet springs 22 are arranged in the case to give surface pressure on the MEA 21.例文帳に追加

酸素・燃料供給孔２４が形成されたハウジングプレート２３で挟まれたＭＥＡ２１を収容した筐体を備えて自然拡散で燃料及び酸素を供給するパッシブ型燃料電池において、前記筐体内に配設され前記ＭＥＡ２１に面圧を加える帯状板バネ２２を備えてなる。 - 特許庁

Upper surface portion and right and left side face portions of the semiconductor region 12 along the end of the gate electrode 15 on the drain region side is covered with a selective insulating film 171 thicker than the gate insulating film 14, and a lightly doped n^--type impurity diffusion layer 172 is formed beneath the selective insulating film 171 (offset structure 17).例文帳に追加

ドレイン領域側のゲート電極１５の端部近傍に沿う半導体領域１２の上面及び左右側面の部分はゲート絶縁膜１４よりも厚い選択的絶縁膜１７１で覆われ、選択的絶縁膜１７１下には、低濃度Ｎ^−型不純物拡散層１７２が形成される（オフセット構造１７）。 - 特許庁

To provide a light diffusion plate made of polycarbonate resin which has excellent surface light emitting property consisting of aromatic polycarbonate resin composition, has little luminance irregularity and is excellent in a color tone, and especially which is suitable for the just-under type backlight system of a large-sized liquid crystal display or a large-sized liquid crystal television.例文帳に追加

芳香族ポリカーボネート樹脂組成物からなる優れた面発光性を有し、且つ輝度ムラが少なく、その上色調の優れたポリカーボネート樹脂製の光拡散板、特に大型液晶ディスプレイ又は大型液晶テレビの直下型バックライト方式に適したポリカーボネート樹脂製の光拡散板を提供する。 - 特許庁

In addition, the deterioration of a gate insulating film or the retreat of a diffusion layer is suppressed by improving the uniformity of gate resistance by improving the uniformity of characteristics of p- and n-type MOSs by equally controlling silicide reactions of the MOSs and in addition, suppressing the abnormal growth of a gate electrode or the Ni silicide film at the end of the source/drain region.例文帳に追加

また、Ｐ−ＭＯＳとＮ−ＭＯＳのシリサイド反応を同等に制御することにより特性の均一性を高め、更にゲート電極やソース／ドレイン領域端部のＮｉシリサイド膜の異常成長を抑制することにより、ゲート抵抗の均一性を高めゲート絶縁膜の劣化や拡散層の後退を抑制する。 - 特許庁

The input stage and output stage or the like of a data input-output circuit IO using the external supply voltage as the main operating power supply are configured of (p) channel and (n) channel MOSFETs having the p+ gate and the n+ gate having the same conductivity type as the diffusion layer of the data input-outp'ut circuit IO respectively and the comparatively thick oxide film.例文帳に追加

さらに、外部電源電圧を主たる動作電源とするデータ入出力回路ＩＯの入力段及び出力段等を、その拡散層と同じ導電型のｐ^+ ゲート及びｎ^+ ゲートをそれぞれ有し、かつ比較的厚い酸化膜を有するＰチャネル及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成する。 - 特許庁

To constitute a passive cooling heatsink having an improved thermal diffusion so that a laser diode element which uses a heatsink of this type has symmetry with respect to heat, and a compact constitution and can be used for multiple purposes, and particularly can be universally used with respect to beam guiding and electrical circuitry.例文帳に追加

熱拡散の点で改善された受動的冷却性ヒートシンクであって、この種のヒートシンクを使用するダイオードレーザー素子が熱的に対称性があり、構成がコンパクトであり、普遍的に使用でき、特に光線の案内と電気回路技術に関し普遍的に使用できるように前記ヒートシンクを構成する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a first semiconductor region 28 of gallium nitride (GaN) doped with magnesium which is a p-type impurity, a second semiconductor region 34 of gallium nitride, and an impurity diffusion suppression film 32 which is interposed between the first semiconductor region 28 and the second semiconductor region 34 and made of silicon oxide (SiO_2).例文帳に追加

本発明の半導体装置１０は、ｐ型の不純物であるマグネシウムを含む窒化ガリウム（GaN）の第１半導体領域２８と、窒化ガリウムの第２半導体領域３４と、第１半導体領域２８と第２半導体領域３４の間に介在している酸化シリコン（SiO_2）の不純物拡散抑制膜３２を備えていることを特徴としている。 - 特許庁

This gas diffusion electrode for a solid high polymer electrolyte fuel cell contains a catalyst and a carbon sulfonic acid type ion exchange resin containing fluoride, the ion exchange resin can be obtained by hydrolyzing and oxidizing the precursor of the ion exchange resin having -SO2F and the precursor has a fused extrusion temperature of 80-170°C.例文帳に追加

触媒と含フッ素カーボンスルホン酸型イオン交換樹脂とを含有してなり、前記イオン交換樹脂は、末端に−ＳＯ_2Ｆを有する前記イオン交換樹脂の前駆体を加水分解及び酸型化処理して得られ、かつ前記前駆体は、溶融押出し温度が８０〜１７０℃である固体高分子電解質型燃料電池用ガス拡散電極。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an agitator mill which prevents a fear of an operation miss generated by a subsidiary pulverized body hitting a preventive screen, in particular, while obtaining a pulverization-diffusion effect having a narrow particle distribution, even if a pulverization material passes through the agitator mill only once when improving a conventional type agitator mill and using the subsidiary pulverized body having particularly the very small diameter.例文帳に追加

一般タイプのアジテータミルを改良し、特に極めて小さい直径を有する補助粉砕体を使用するとき、粉砕材料がアジテータミルを一度しか通過しない場合でも、狭い粒子分布を有する粉砕・分散効果を得る一方で、特に保護スクリーンに当たる補助粉砕体により生じる操作ミスの恐れを回避する。 - 特許庁

To provide an air diffuser which can optionally deflect the direction of an air bubble flow to be formed by a jet, merely by making a simple remodeling of an air diffusion pipe and also, can optionally adjust the magnitude of the membrane rocking motion and significantly enhance the cleaning effect of the membrane surface, as well as a method of operating the air diffuser and a dipping type membrane separator with the air diffuser.例文帳に追加

散気管に簡単な改良を加えるだけで、噴射流により形成される気泡流の方向を任意に偏向させることができ、膜の揺動の大きさを任意に調整することができ、膜面の洗浄効果を著しく高めることができる散気装置、その運転方法及び同散気装置を備えた浸漬型膜分離装置を提供する。 - 特許庁

The cap type optical part 13 is equipped with an included angle light diffusion reflecting section 25 for reflecting included angle radiation light Pn emitted from a semiconductor light emitting element 3 in almost all directions from the central axis Ax with an included angle relative to the central axis Ax smaller than a preset angle θ1 so that the light goes out from the peripheral surface 24.例文帳に追加

キャップ型光学部品１３は、中心軸Ａｘとの間の挟角が所定角度θ１よりも小さい角度で半導体発光素子３から出射される挟角放射光Ｐｎを、中心軸Ａｘを中心に略放射状に反射して外周面２４から出射させる挟角光拡散反射部２５を有する。 - 特許庁

To provide a reverse blocking insulated gate type bipolar transistor for reducing the occupation area ratio of the isolation region per chip, which becomes a problem if the thickness of a thin wafer (semiconductor substrate) is equal to 150 μm or less, which can avoid the tradeoff between on voltage property and turn off loss, and also for shortening diffusion time, and its fabrication method.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To restrain reaction gas from being short-circuited from a gas supply port to a gas exhaust port through a gap in a seal lip without passing through a power generation region, in a sealing structure of a type integrally provided with a gasket at a power-generating body equipped with a membrane electrode conjugate and a gas diffusion layer, and thereby to improve the power generation efficiency of a fuel cell.例文帳に追加

膜電極複合体およびガス拡散層を有する発電体にガスケットを一体的に設けるタイプのシール構造において、反応ガスが発電領域を経由せずガス供給口からシールリップ内側の空隙を経由してガス排出口へ短絡するのを抑制し、もって燃料電池の発電効率を向上させる。 - 特許庁

The pixel of the image sensor includes a gate insulation film formed on a substrate doped with an impurity of a first conductivity type, a transfer gate formed on the gate insulation film, a photodiode formed inside one substrate of the transfer gate, and a floating diffusion node formed inside the other substrate of the transfer gate.例文帳に追加

本発明のイメージセンサのピクセルは、第１導電型の不純物でドーピングされた基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された転送ゲートと、該転送ゲートの一方の基板の内部に形成されたフォトダイオードと、前記転送ゲートの他方の基板の内部に形成されたフローティング拡散ノードとを備える。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

One example of a diffusion type coral treatment means 70 for city water comprises a cylindrical porous inlet 71, a cylindrical porous outlet 72 formed outside the inlet 70, a bottom plate part 73 for bonding the outlet 72 and the inlet 71 together, and a filter paper 74 set along the inner fringe of the outlet 72.例文帳に追加

一方、水道水の拡散型珊瑚処理手段７０の一実施例は、多孔性の筒状注水口７１と、この外側に設けられた多孔性の筒状出水口７２と、これと上記の筒状注水口７１を結合する底板部７３と、上記の筒状出水口７２の内縁に沿って設けられた濾紙７４からなる。 - 特許庁

This varactor diode does not have a junction formed of the p^+ diffusion layer which is hard to vary in capacity and has high resistance and the n type epitaxial layer 20, so the capacity variation rate of the p-n junction is improved and the diode is driven with the low voltage, so that the capacity variation of the p-n junction can follow up a high-frequency voltage.例文帳に追加

本発明の可変容量ダイオードでは、容量が変化しにくく高抵抗であるｐ^+拡散層４０とｎ型エピタキシャル層２０との接合が形成されないので、ｐｎ接合の容量変化率が向上して低電圧で駆動されるようになり、ｐｎ接合の容量変化が高周波の電圧に追従できるようになる。 - 特許庁

The nonvolatile memory cell comprises a gate electrode formed on a semiconductor layer through a gate insulation film, a channel region arranged under the gate electrode, a diffusion region arranged at both sides of the channel region and having a channel region and a reverse conduction type, and a memory function object having a function holding electric charges formed at the both sides of the gate electrode.例文帳に追加

不揮発性メモリセルは、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、チャネル領域の両側に配置され、チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなる。 - 特許庁

Positive active materials contained in the lithium ion secondary battery 100 are positive active materials comprising compounds expressed by the same compositional expression (for example, LiFePO_4), and for carrying out two phase coexistence type charge and discharge, and are the positive active materials (the first positive active material 153b and the second positive active material 153c) of two kinds or more different in lithium ion diffusion coefficients.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池１００に含まれる正極活物質は、同一の組成式（例えば、ＬｉＦｅＰＯ_4）で表される化合物からなり、２相共存型の充放電を行う正極活物質であって、リチウムイオン拡散係数が異なる２種以上の正極活物質（第１正極活物質１５３ｂ及び第２正極活物質１５３ｃ）である。 - 特許庁

Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層１８からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層１８の上部と下部に形成されたｎ型拡散領域１４、２３からなるソース・ドレイン領域と、ワード線２１からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３が形成される。 - 特許庁