「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A metal pad 152 for relaxing a stress is formed on the first plug 150n on the N-type diffusion layer by patterning the Ti/TiN/W deposited film 151.例文帳に追加

Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｗ積層膜１５１をパターニングして、Ｎ型拡散層上第１プラグ１５０ｎの上に応力緩和用金属パッド１５２を形成する。 - 特許庁

Moreover, in another adjacent side of the each floating gate 7, a trench Tr 1 is formed; and in the bottom side, an n-type diffusion layer 3 is formed.例文帳に追加

また、各浮遊ゲート７の他方の隣接側には、溝Ｔｒ１が形成されており、その底部側にはｎ型拡散層３が形成されている。 - 特許庁

In the epitaxial layer 3, N-type diffusion layers 4, 5 as cathode regions are formed, which are diffused so as to be coupled with the substrate 2.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、カソード領域としてのＮ型の拡散層４、５が形成され、Ｎ型の拡散層４、５は基板２と連結するように拡散されている。 - 特許庁

An ohmic electrode 6 laminating a lower-layer Ti layer 2, a diffusion preventive layer 3, an upper-layer Ti layer 4 and a metallic layer (Au) 5 are provided on a p-type GaAs layer 1.例文帳に追加

ｐ型GaAs層１の上に、下層Ti層２、拡散防止層３、上層Ti層４、金属層（Au）５を積層したオーミック電極６が設けられている。 - 特許庁

Since the oxide film on the p^+-type diffusion layer is removed, the oxide film forms a waveguide, and thus a crosstalk causing phenomenon is prevented.例文帳に追加

Ｐ＋型拡散層の上の酸化膜が取り去られていることにより、酸化膜が導波管となってクロストークを引き起こす現象が防止される。 - 特許庁

To prevent scatter and diffusion of high-melting point metal in a MOS type transistor, where a high melting point metal silicide film such as polycide is arranged on a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極にポリサイドなどの高融点金属シリサイド膜を有したＭＯＳ型トランジスタにおいて、高融点金属の飛散・拡散を防止する。 - 特許庁

A trench capacitor 12, having strap units 22, 26 which make contact with the upper surface and the side surface of the n-type diffusion region 20a for the transfer transistor 21, is formed.例文帳に追加

転送トランジスタ２１のｎ型拡散領域２０ａの上面及び側面に接するストラップ部２２，２６を有したトレンチキャパシタ１２が形成されている。 - 特許庁

After an n-type impurity diffusion layer 3 is formed on at least one surface of the semiconductor substrate 1, a rear surface is abraded for thinning the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の一方の表面に少なくともｎ型の不純物拡散層３を形成後、裏面を削って前記半導体基板１を薄くする。 - 特許庁

To form a diffusion prevention layer of copper with a material which does not cause a decrease in the performance of a resistance change type semiconductor storage device.例文帳に追加

本発明は、抵抗変化型の半導体記憶装置の性能低下を引き起こさない材料で銅の拡散防止層が形成されることを可能にする。 - 特許庁

The diffusion type gas concentration detection pipe is equipped with a rod-shaped air permeable porous body 142 and the reagent impregnated carrier 144 allowed to fill the periphery of the air permeable porous body 142.例文帳に追加

棒状の通気性多孔質体１４２と、該通気性多孔質体１４２の周囲に充填された試薬含浸担体１４４とを備える。 - 特許庁

A P^+ type diffusion layer 26C and a P well layer 22 on a surface of the photodiode 16C are electrically connected to a connection part 18C of the light shielding film 18.例文帳に追加

フォトダイオード１６Ｃの表面のＰ^＋型拡散層２６Ｃ及びＰウェル層２２と、遮光膜１８の接続部１８Ｃとは電気的に接続している。 - 特許庁

That is, the end of the p^+-type diffusion layer 6 is disposed to be spaced inward in a direction toward the gate insulating film 4 from the end of the field insulating film 5.例文帳に追加

すなわち、Ｐ＋型拡散層６の端は、フィールド絶縁膜５の端から、ゲート絶縁膜４の方向へ内側に離れて配置されている。 - 特許庁

To provide a kitchen built-in type garbage processing equipment capable of preventing a diffusion of an odor into a kitchen when a garbage processing vessel is drawn toward a user.例文帳に追加

生ごみ処理槽を引き出したときに台所への臭気の拡散を防止することができる厨房組み込み型生ごみ処理装置を提供する。 - 特許庁

The rim 2a at the side of an n^+ channel stopper layer 5 of an oxide film 2 is superposed on the end at the side of a p type diffusion layer 4 for the n^+ channel stopper layer 5.例文帳に追加

酸化膜２のＮ^＋チャンネルストッパー層５側の縁部２ａは、Ｎ^＋チャンネルストッパー層５のＰ型拡散層４側の端に重さなっている。 - 特許庁

To improve fuel economy and exhaust emission by preventing or restraining diffusion or parting of mixture due to squish in a cylinder injection type internal combustion engine.例文帳に追加

筒内噴射式内燃機関において、スキッシュによる混合気の拡散および分断を防止または抑制して、燃費および排気エミッションの改善を図る。 - 特許庁

To make a planographic printing plate free of edge staining even in continuous printing on roll paper with a silver salt diffusion transfer type planographic printing original plate.例文帳に追加

銀塩拡散転写型平版印刷原版を用いて、ロール紙に連続印刷しても端部に汚れが発生することのない平版印刷版を製版する - 特許庁

At this point, capacitance is formed between the well and the diffusion layer, whose conductivity is opposite type to that of the well, so that current is restrained from changing sharply.例文帳に追加

このとき、ウェルとそのウェルと反対の導電型の拡散層との間に容量を有することになるので、電流の急激な変化を抑制する。 - 特許庁

On the first P-well area 55a, N-type diffusion areas 53d and 53s are formed so as to sandwich parts of the first P-well area 55a.例文帳に追加

第1Pウェル領域55aの上層には、第1Pウェル領域55aの一部を挟んで形成されたN型拡散領域53dおよびN型拡散領域53sを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the resistance of a bit line diffusion layer without exerting effects upon the transistor characteristics of flat cell type memory cells and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセルのトランジスタ特性に影響をあたえず、ビット線拡散層抵抗を低減する半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The positive-negative type of the photo-resist 132 is reverse to the photo-resist used for forming a p-offset region 122 and a diffusion region 123.例文帳に追加

このフォトレジスト１３２は、ｐ−オフセット領域１２２および拡散領域１２３を形成するために用いたフォトレジストとはポジ−ネガ型が逆である。 - 特許庁

The gate electrode 114 is formed by a semiconductor, for example polysilicon, in which an impurity having the same conductivity type as the first diffusion layer 116 is introduced.例文帳に追加

そしてゲート電極１１４は、第１拡散層１１６と同一導電型の不純物が導入された半導体、例えばポリシリコンにより形成されている。 - 特許庁

The N+ semiconductor region 12 is formed in a region from one main surface of a semiconductor layer 100 to the lower part 3a of the p-type diffusion region 3.例文帳に追加

ｎ^+半導体領域１２は半導体層１００の一方主面からｐ型拡散領域３の下部３ａに至る領域に形成する。 - 特許庁

A plurality of island-like back gate diffusion layers 7bs of a first conductivity type are formed in contact with the semiconductor substrate 1 inside the source 7s.例文帳に追加

ソース７ｓ内に、半導体基板１に接して形成された島状の第１導電型のバックゲート拡散層７ｂｓが複数形成されている。 - 特許庁

The light reflected by the reflector 6 and the reflecting plate 7 is emitted at a rear side (base 5 side) of the bulb-type lighting device 1 with diffusion effects of a globe 3.例文帳に追加

リフレクタ６や反射板７で反射された光は、グローブ３の拡散効果により、電球型照明装置１の後方側（口金５側）に出射される。 - 特許庁

A P-type push-in diffusion region 440 higher in concentration than a semiconductor layer 200 is formed from the surface to the bottom face of the semiconductor layer 200.例文帳に追加

半導体層２００よりも高濃度のＰ型の押込拡散領域４４０は、半導体層２００の表層から底面まで設けられている。 - 特許庁

To realize a structure that derives the potential of the upper electrode to a diffusion layer, in a dielectric memory having a solid stacked-type structure.例文帳に追加

立体スタック型構造を有する誘電体メモリにおいて、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造を実現することを目的とする。 - 特許庁

This rear projection type display device is constituted of a video projection device 1, a curved mirror 2, a diffusion screen 3 and a diffraction grating screen 4.例文帳に追加

この背面投写型表示装置は、映像投写装置１、曲面ミラー２、拡散スクリーン３、及び回折格子スクリーン４により構成されている。 - 特許庁

Thus, detecting the diffusion reflection light and mirror reflection light makes it possible to detect a registration control pattern 38 formed with any type of toner.例文帳に追加

このように、拡散反射光と鏡面反射光を検出することで、どのような種類のトナーで形成されたレジコンパターン３８でも検出可能となる。 - 特許庁

The well of the 2nd conduction type includes a narrow width switching passage between the 3rd and 4th diffusion layers.例文帳に追加

本発明において、前記第２導電型のウェルは前記第３及び第４拡散層の間に幅が狭いスイッチング通路を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Grooves 13a and 13b are formed on a p-type silicon semiconductor substrate 15, and impurity diffusion layers 12a and 12b are formed on bottoms of the grooves 13a and 13b.例文帳に追加

ｐ型シリコン半導体基板１５に溝１３ａ，１３ｂを形成し、この溝１３ａ，１３ｂ底面部に、不純物拡散層１２ａ，１２ｂを形成する。 - 特許庁

A shallow n-type low-concentration impurity diffusion region EX1 is formed in the semiconductor substrate 1S right below the auxiliary gate electrodes AG1, AG2.例文帳に追加

補助ゲート電極ＡＧ１、ＡＧ２の直下にある半導体基板１Ｓ内には浅いｎ型低濃度不純物拡散領域ＥＸ１が形成されている。 - 特許庁

To prevent the generation of luminance irregularities in the case of viewing from the front in a signal lamp device using a light emitting diode and also using a convex type diffusion lens.例文帳に追加

発光ダイオードを使用し、かつ凸型拡散レンズを使用する信号灯器において、前方から見た場合の輝度むらが発生しないようにする。 - 特許庁

Accordingly, both diffusion-proof property and close contact property can be satisfied through disturbance of column type interface by coupling the nitrogen element to metal crystal of barrier metal.例文帳に追加

これにより窒素成分をバリアメタルの金属結晶に結合させて柱状界面を乱し、耐拡散性と密着性とを両立させることができる。 - 特許庁

In the semiconductor region 12 on the opposite sides of the channel portion 13, n-type impurity diffusion layers 161 and 162 for source/drain electrodes are formed.例文帳に追加

チャネル部１３を隔てた両側の半導体領域１２にソース／ドレイン電極用のＮ型不純物拡散層１６１，１６２が形成されている。 - 特許庁

A contact 18 is provided on the drain region 14, contacts 19, 21 are provided on the n^+-type diffusion region 15, and further the contact 21 is connected to a pad.例文帳に追加

そして、ドレイン領域１４上にコンタクト１８を設け、ｎ^＋型拡散領域１５上にコンタクト１９及び２１を設け、コンタクト２１はパッドに接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light diffusion plate for just-under type backlight which does not cause the breaking and chipping upon punching, has excellent productivity and hardly causes foreign matter generation.例文帳に追加

打ち抜き時に割れ・欠けを起こすことがなく、生産性に優れ、異物発生の少ない直下型バックライト用拡散板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a backlight device of a direct-under-diffusion plate type in which brightness unevenness can be eliminated simply even if the backlight device is constituted as a double-sided backlight device.例文帳に追加

バックライト装置が両面バックライト装置として構成される場合についても、簡易に輝度ムラを解消できる直下方式のバックライト装置を提供する。 - 特許庁

A buffer circuit 11, comprising an operational amplifier having a one-time amplification degree to the parasitic capacitor Cj between the n-type diffusion layer 2 and the P well 4, is provided.例文帳に追加

ｎ型拡散層２とＰウェル４との間の寄生容量Ｃｊに対して、１倍の増幅度をもつオペアンプからなるバッファ回路１１が設けられている。 - 特許庁

To provide a double-sided input type thin film solar cell for realizing a high efficiency by suppressing the increase of a serial resistance and improving the diffusion length of a carrier.例文帳に追加

直列抵抗の増大を抑えて、キャリヤの拡散長を改善して高効率を実現した両面入力型薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

A metal plate 11 for thermal diffusion is placed on an intermediate layer of the wiring board 10, and a protrusion type terminal 12 is, further, placed on an layer identical to the metal plate.例文帳に追加

配線基板１０の中間層に熱拡散用のメタルプレート１１を設け、更に、このメタルプレートと同一の層に突起型端子１２を設ける。 - 特許庁

The concentration of a low concentration N-type diffusion layer 14 of a drain electrode 26 that affects the characteristics of N channel high voltage MOS transistor 10 can be increased 50% by generating an overlapping region 36 at the border portion between a gate electrode 22 and the low concentration of N-type diffusion layer 14.例文帳に追加

ゲート電極２２と、ドレイン電極２６の低濃度Ｎ型拡散層１４との境界部分にオーバーラップ領域３６を設けることで、上記Ｎチャンネル高耐圧ＭＯＳトランジシタ１０の所謂トランジスタ特性に影響のある低濃度Ｎ型拡散層１４の濃度を約５０％増加することができる。 - 特許庁

The photodiode unit PD includes a light reception portion 11 comprising an N conductivity type diffusion layer for accumulating signal charges obtained by photoelectrically converting incident light, and an accumulation layer 12 comprising a diffusion layer region (P-layer) of low impurity concentration having, for example, a P conductivity type for suppressing a dark current.例文帳に追加

フォトダイオード部ＰＤは、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積するためのＮ導電型の拡散層からなる受光部１１と、暗電流を抑制するための、たとえばＰ導電型を有する低不純物濃度の拡散層領域（Ｐ−層）からなるアキューミュレーション層１２と、を有して構成されている。 - 特許庁

A diffusion sheet having a diffusion effect is stuck to one surface of upper and lower surfaces of a transmission type liquid crystal display plate for display in the finder of the camera and a Fresnel sheet having a polarization effect is stuck to another opposed surface and thereby, the liquid crystal display plate of the transmission type itself can be constituted as the focusing glass of the camera.例文帳に追加

カメラのファインダ内表示用の透過型液晶表示板の上下の面の片面に、拡散効果を持つ拡散シートを接着し、対向するもう片面に偏光効果を持つフレネルレンズシートを接着することにより、透過型の液晶表示板自体をカメラの焦点板とすることができる。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises: a second-conductivity-type high-concentration impurity region 111 in the impurity region 104 between the adjacent trenches; and a diffusion suppressing element (for example, carbon) doped region 106 that includes the high-concentration impurity region 111 and prevents the diffusion of a second-conductivity-type impurity.例文帳に追加

さらに隣接するトレンチ間における不純物領域１０４中に、第２導電型高濃度不純物領域１１１と、高濃度不純物領域１１１を包含すると共に第２導電型不純物の拡散を抑制する拡散抑制元素（例えば炭素）ドープ領域１０６とが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a first conductivity-type well 2 provided in the semiconductor substrate 1, a second conductivity-type impurity diffusion layer 4 provided in the well 2, and a source connection electrode 5 brought into contact on the impurity diffusion layer 4 and the well 2.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１と、この半導体基板１中に設けられた第１導電型のウエル２と、このウエル２中に設けられた第２導電型の不純物拡散層４と、この不純物拡散層４及び前記ウエル２に接触されたソース接続電極５とを有する半導体装置である。 - 特許庁