「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

The epitaxial growth of the n-type Si layer at temperatures ranging from approximate 1,000 to 1,200°C causes an impurity in an embedded type impurity layer to rise at the n-type Si layer side, however, the impurity diffusion from the embedded impurity layer in the varactor-forming region with the carbon introduced on its surface is suppressed to suppress the rise of the phosphorous.例文帳に追加

Ｎ型Ｓｉ層は約１０００〜１２００℃でエピタキシャル成長させるため、埋め込み型不純物層中の不純物がＮ型Ｓｉ層側にせり上がってくるが、表面にカーボンが導入されているバラクタ形成領域は埋め込み不純物層からの不純物拡散が抑制され、リンのせり上がりを抑制できる。 - 特許庁

The diffusion agent composition used for forming an impurity diffusion layer into a semiconductor substrate contains: an impurity diffusion composition (A); a silicon compound (B); and a solvent (C) containing a solvent (C1) having a boiling point of 100°C or less, a solvent (C2) having a boiling point of 120-180°C and a solvent (C3) having a boiling point of 240-300°C.例文帳に追加

拡散剤組成物は、半導体基板への不純物拡散剤層の形成に用いられる拡散剤組成物であって、不純物拡散成分（Ａ）と、ケイ素化合物（Ｂ）と、沸点が１００℃以下である溶剤（Ｃ１）、沸点が１２０〜１８０℃である溶剤（Ｃ２）、および沸点が２４０〜３００℃である溶剤（Ｃ３）を含む溶剤（Ｃ）と、を含有する。 - 特許庁

This cell of fuel cell is provided with the pair of diffusion layers for sandwiching a membrane-electrode assembly, a pair of fuel cell separators for sandwiching both sides of diffusion layers, and a separator sealing material for sealing the fuel cell separators, and a water-repellency deterioration restraining layer is formed between the separator sealing material and the diffusion layers.例文帳に追加

膜−電極アッセンブリを挟持する一対の拡散層と、前記拡散層の両外側を挟持する一対の燃料電池用セパレータと、前記燃料電池セパレータ同士をシールするセパレータ用シール材とを備える燃料電池セルであって、前記セパレータ用シール材と前記拡散層との間に、撥水性低下抑制層を備える。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises: a multilayer wiring layer 73; a semiconductor layer 64 that is provided on the multilayer wiring layer 73 and has a penetration trench; a first conductive layer 69 embedded inside the penetration trench; a first insulation film 32 formed on the periphery of the first conductive layer 69; and a first impurity diffusion layer 36 of a first conductive type formed on the periphery of the first insulation film 32.例文帳に追加

固体撮像装置は、多層配線層７３と、前記多層配線層上に設けられ、貫通トレンチを有する半導体層６４と、前記貫通トレンチ内部に埋め込まれた第１導電層６９と、前記第１導電層の周囲に形成された第１絶縁膜３２と、前記第１絶縁膜の周囲に形成された第１導電型の第１不純物拡散層３６とを備える。 - 特許庁

The production process of the thin-film superconductive wire material 10A comprises the steps of forming an intermediate layer 2 on a metal tape substrate 1, forming a first superconductive layer 3 having an RE123 composition as a diffusion-preventing layer on the intermediate layer 2 and forming a second superconductive layer 4 having an RE123 composition so as to come into contact with the first superconductive layer 3.例文帳に追加

本発明の薄膜超電導線材１０Ａの製造方法は、金属テープ基板１上に中間層２を形成する工程と、その中間層２上にＲＥ１２３系の組成を有する第１の超電導層３を拡散防止層として形成する工程と、第１の超電導層３に接するように、ＲＥ１２３系の組成を有する第２の超電導層４を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode, a light-emitting device, and a method of manufacturing the same that increases the efficiency of current diffusion for an indium tin oxide (ITO) layer and improves luminance and light-emitting performance.例文帳に追加

ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To surely block the rise of a high temperature smoke layer and the diffusion of a high temperature area even in the case that a fire occurs in a tube-like space such as a tunnel.例文帳に追加

トンネル等のチューブ状空間にて火災が発生した場合であっても、高温煙層６の遡上および高温領域の拡散を確実に阻止する。 - 特許庁

To obtain a developing device which eliminates the liquid jumping of a developer to the outside of a developing chamber and is suitable for forming a light diffusion layer by a photosensitive resin on an electrode sub strate.例文帳に追加

現像室外への現像液の液跳ねがなく、特に電極基板に感光性樹脂による光拡散層を形成するのに好適な現像装置を得る。 - 特許庁

A detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased, so that the signal charge detection part of the charge transfer device is improved in charge-voltage conversion efficiency and detection sensitivity.例文帳に追加

浮遊拡散層からなる検出容量が低減されるので、電荷転送装置の信号電荷検出部の電荷電圧変換効率、検出感度が向上する。 - 特許庁

Measured gas flowing in via a first diffusion hole 21 passes through an inside of the porous layer 29 to reach to the first measuring chamber 17 without omission.例文帳に追加

第１拡散孔２１を介して流入する被測定ガスは、もれなく導電性多孔質層２９の内部を通過して第１測定室１７内へ到達する。 - 特許庁

To provide a sheet for a storage warehouse for suppressing scattering of explosion pieces and diffusion of a blast air pressure when a warehouse body storing gunpowder or the like surrounded by a soil layer explodes.例文帳に追加

土層に囲まれた火薬等を貯蔵する倉庫本体の爆発時における爆発片の飛散や爆風圧の拡散を抑制する貯蔵倉庫用シートを提供する。 - 特許庁

In the peripheral region of a photodiode PD, a guard band region 34 is so formed as to cover the side face of an N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD.例文帳に追加

フォト・ダイオードＰＤの周辺部には、該フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型拡散層３３の側面を覆うようにガードバンド領域３４が形成されている。 - 特許庁

A plurality of transistor elements connected in parallel with each other are formed on a p-type substrate 8, and a well contact 1 is configured of a p-type diffusion layer so as to surround them.例文帳に追加

互いに並列接続された複数のトランジスタ素子をＰ型基板８上に形成し、これらを取り囲むようにウェルコンタクト１をＰ型拡散層により構成する。 - 特許庁

In a prescribed area from the side of the base 4 to the distal end of the surface of the glass bulb 3, a rugged surface of a satin finish pattern is formed as a light diffusion layer 5.例文帳に追加

ガラスバルブ３の表面のうち口金４側から先端部に向かう所定の領域において、光拡散層５として梨地模様の凹凸面が形成されている。 - 特許庁

A plurality of p-type diffusion regions (body region 2) are regularly formed on, for example, on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１とするたとえばｎ形の半導体層の表面側に規則的にｐ形の拡散領域（ボディ領域２）が複数個形成されている。 - 特許庁

So, while a short turn-off time is maintained, concentration of current that occurs at a corner part of the high-concentration collector diffusion layer is suppressed, resulting in improved on-breakdown strength.例文帳に追加

これにより、短いターンオフ時間を維持しながら、高濃度コレクタ拡散層のコーナー部分で起こる電流集中を抑制し、オン耐圧の向上を実現する。 - 特許庁

It is preferred that in the optical diffusion layer 2, two or more colorless transparent granular materials 22 having convex faces lie scattered among the two or more colored transparent granular materials.例文帳に追加

また、前記光拡散層２には、凸面を有する無色透明粒体２２が、前記複数の有色透明粒体２１の間に散在してなることが好ましい。 - 特許庁

Since the plasma CVD method conducts processes at about 200-300°C, it does not destroy the barrier metal layer in the first contact holes and does not activate the diffusion of connection wirings of W, etc.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法は２００〜３００℃程度で処理するので、第１のコンタクト孔内のバリアメタル層を破壊せず、Ｗなどの接続配線の拡散を活性化しない。 - 特許庁

An end of the p^+-type diffusion layer 6 is spaced from the end (close to a contact between the gate insulating film 4 and the field insulating film 5) of the field insulating film 5 having a concentrated electric field.例文帳に追加

Ｐ＋型拡散層６の端は、電界が集中するフィールド絶縁膜５の端（ゲート絶縁膜４とフィールド絶縁膜５とが接する部位）と離間されている。 - 特許庁

Consequently, decrease in the breakdown voltage due to concentration of electric field at the corners of each diffusion layer 3-5 can be prevented in the end parts and the bottom of the cell section.例文帳に追加

これにより、セル部の終端部及び底部において、各拡散層３〜５のコーナー部での電界集中による耐圧低下を防止することが可能となる。 - 特許庁

The conductive supporting portions 12, 17 and the frame body layer 25 are bonded to the surface 101 of an IC package 100 by eutectic bonding or diffusion bonding of a metal.例文帳に追加

そして、支持導通部１２，１７および枠体層２５が、ＩＣパッケージ１００の表面１０１に金属の共晶接合または拡散接合で接合されている。 - 特許庁

In the concentration-changing part 35, the content of W etc., is lowest on the uppermost side approached to the diffusion layer and therefore, the toughness at the uppermost side becomes large in comparison with the inner part side.例文帳に追加

この濃度変化部３５では、拡散層に近接する最上方側でＷ等の量が最も低く、このために該最上方の靱性が内部側に比して大きくなる。 - 特許庁

A second thermal process is carried out at a temperature lower than the first thermal process for a short period to cause the source/drain diffusion layer 131 to be activated.例文帳に追加

そして第１の熱処理工程よりも低い温度或いは短い時間で第２の熱処理工程を行い浅いソース−ドレイン拡散層１３１を活性化させる。 - 特許庁

Subsequently, the level 28 of the diffusion liquid 26 is moved from the upper part toward the lower part of the surface of a mask layer 14 by slanting a cell structural body 24 from the horizontal state thereof.例文帳に追加

続いて、セル構造体２４を水平から傾けることにより、マスク層１４の表面において分散液２６の液面２８を上方から下方へ移動させる。 - 特許庁

Further, it is excluded that hot holes which are generated in a source diffusion layer 12 during erasing operation are injected in the tunnel film 14 and reliability of the tunnel film is deteriorated.例文帳に追加

さらに、消去動作中にソース拡散層１２で発生するホットホールがトンネル膜１４に注入されることによってトンネル膜の信頼性を劣化させることもない。 - 特許庁

After that, recessed parts in the above steps are filled with a diffusion preventive material to form a film on the recessed parts, and Zn diffused parts are smoothly polished from over the Zn diffused parts until the places of the Zn diffused parts which are exposed to the surface of the layer 3.例文帳に追加

その後、拡散防止材料で上記段差の凹部を埋めて膜を形成し、上からＺｎ拡散部が表面に出るところまで平滑に研磨する。 - 特許庁

In the short pulse electrolysis, the lowering of the short pulse is completed (time t_E) after the startup of the short pulse P 1 (time t_S) and before the generation of a diffusion layer at a cathode boundary (t≤t_D).例文帳に追加

短パルス電解では、短パルスＰ１の立ち上げ後（時間ｔ_S）、陰極界面に拡散層が発生する前（ｔ≦ｔ_D）に、短パルスの立ち下げが完了する（時間ｔ_E）。 - 特許庁

To provide a resistance regulating device that electrically regulates, so that variation in resistance value of a diffusion layer manufactured in a semiconductor process is contained within a definite range.例文帳に追加

半導体プロセスによって製造された拡散層の抵抗値のばらつきを一定の範囲内に入るように、電気的に調整可能な抵抗調整装置を提供する。 - 特許庁

A resistor row is composed of a plurality of resistor elements 5 formed of an impurity diffusion layer, and resistor elements 5a having the same element shape with the resistor element 5 are arranged on both sides of the resistor row composed of the resistor elements 5.例文帳に追加

不純物拡散層により形成された複数の抵抗素子５の列の両側に、抵抗素子５と素子形状が同じ抵抗素子５ａを配置する。 - 特許庁

In the manufacturing method, an intrinsic base diffusion layer 7 is formed in almost a central part of a semiconductor region 2 which is enclosed with an isolation insulation film 3 in a main surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主面において分離絶縁膜３に囲まれた半導体領域２の略中央部に真性ベース拡散層７を形成する。 - 特許庁

Also, the retarder is hardly deposited in the inside (in the recessed part) of the via hole similar to in the stirring method because the thickness of the diffusion layer in the inside (inside the recessed part) of the via hole is thick corresponding to the depth of the via hole (the recessed part).例文帳に追加

それに対し、バイアホールの内部（凹内）はバイアホール（凹）の深さ分拡散層の厚さが厚いので、攪拌方法と同様に抑制剤が付き難い。 - 特許庁

The surface light source device is provided with a diffusion member which makes enter light emitted from the luminous layer and diffuses and transmits or reflects the incident light.例文帳に追加

前記面光源装置は、前記発光層から出射された光を入射し、この入射した光を拡散して透過もしくは反射させる拡散部材を備える。 - 特許庁

A capacitance element 400 constitutes a memory cell and a first diffusion layer 226 serving as a source and a drain is connected to the capacitance element 400 in a first transistor 200.例文帳に追加

容量素子４００はメモリセルを構成しており、第１トランジスタ２００は、ソース及びドレインとなる第１拡散層２２６が容量素子４００に接続している。 - 特許庁

To endow a gas diffusion layer for a fuel cell electrode with performance equivalent to or better than that in case of using a VGCF, with the use of a low-cost material and at low cost.例文帳に追加

燃料電池電極用ガス拡散層において、安価な材料を使用して低コストでＶＧＣＦを使用した場合と同等以上の性能を有すること。 - 特許庁

The variable resistance model compensates the variance of a voltage in a channel end part adjacent to the low-concentration diffusion layer, which is caused by an influence of not only the gate voltage but also the drain voltage.例文帳に追加

可変抵抗モデルは低濃度ドレイン拡散層に隣接するチャネル端部の電圧がゲート電圧のみならずドレイン電圧の影響も受けて変化することを補償する。 - 特許庁

A surface barrier film 29 made of a metal material acting as a barrier for preventing diffusion of Cu is interposed between the Cu wiring 24 and the coating layer 31.例文帳に追加

そして、Ｃｕ配線２４と被覆層３１との間には、Ｃｕの拡散を防止するバリア性を有する金属材料からなる表面バリア膜２９が介在されている。 - 特許庁

This is constituted so that the permeation wetting limit surface tension of the diffusion layer of the fuel supply side which is not in contact with a rib apex part of the separator becomes 22 to 40 mN/m.例文帳に追加

セパレータのリブ頂部と接触していない燃料供給側の拡散層の浸透ぬれ限界表面張力が、２２〜４０ｍＮ／ｍとなるような構成とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of gas diffusion layer for fuel cell, which can control the degree of impregnation of ink into a base material with high accuracy, and to provide a manufacturing method.例文帳に追加

基材内部へのインクの含浸度合を高精度で制御することができる燃料電池用ガス拡散層の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The bottom and lateral faces of the upper layer wiring 10 and the via 12 are continuously cladded with a barrier film 13 consisting of a material having barrier performance against Cu diffusion.例文帳に追加

上層配線１０およびビア１２の底面および側面は、Ｃｕの拡散に対するバリア性を有する材料からなるバリア膜１３で連続して被覆されている。 - 特許庁

In the sidewall 21, a region from the region in contact with the gas diffusion electrode layer GDL to the bottom surface 22 and the bottom surface 22 are configured by a hydrophilic region.例文帳に追加

側壁２１において、ガス拡散電極層ＧＤＬに接する領域から底面２２に達する領域及び底面２２は親水性領域により構成されている。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device that prevents a drop in bonding breakdown voltage of a source-drain diffusion layer while improving reliability to hot carrier effects.例文帳に追加

ホットキャリア効果に対する信頼性を向上させると共にソースドレイン拡散層の接合耐圧を低下させることがない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The adhesive collectors 42, 44 are formed by moving a step 36 back to the outside in the direction parallel to the electrolyte membrane 11 from the end face position of a diffusion layer.例文帳に追加

接着剤溜まり４２、４４が、段差３６を、拡散層の端面位置から電解質膜１１と平行な方向に外側に後退させることにより、形成されている。 - 特許庁

The control part 33 and the isolation part 32 are formed to be shallower than the N-type diffusion layer 4 and have impurity concentration higher than a P-type well 2 of the substrate 1.例文帳に追加

これ等の制御部３３及び分離部３２は、前記ｎ型拡散層４よりも浅く、且つ基板１のｐ型ウェル２よりも高濃度の不純物濃度に形成される。 - 特許庁

The magnetic lip connected to a writing electrode is formed nearby a second end of the opening part, and the diffusion barrier layer is arranged between the magnetic lip and the opening part.例文帳に追加

書き込み極に接続された磁性リップが開口部の第２端部近傍で形成され、磁性リップと開口部の間に拡散障壁層が配置されている。 - 特許庁

By this manufacturing method, the semiconductor device is realized in which the n-type embedded diffusion layer 2 is suppressed from creeping up more than required, to provide a wanted breakdown strength characteristics.例文帳に追加

この製造方法により、Ｎ型の埋込拡散層２の必要以上の這い上がりを抑制し、所望の耐圧特性が得られる半導体装置を実現できる。 - 特許庁