「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thermographic material and a photothermographic material each having a layer which functions as a barrier against the diffusion of a fatty acid resulting from high temperature development.例文帳に追加

熱現像中の材料からの脂肪酸の拡散に対する障壁として機能する層を有するサーモグラフィ材料およびフォトサーモグラフィ材料を提供する。 - 特許庁

To obtain a solid polymer fuel cell which has a superior cell characteristic by suppressing the drying of electrolyte membrane of an entrance side of reaction gas and by suppressing the reduction of gas diffusion performance of a catalyst layer of an exit side.例文帳に追加

反応ガスの入口側の電解質膜の乾燥や出口側の触媒層のガス拡散性能の低下を抑制して、優れたセル特性を有するものを得る。 - 特許庁

To provide a memory cell which can be adapted to multiple specifications by altering at least one of metal and contact layers, while the bulk of a diffusion layer, etc. are fixed.例文帳に追加

拡散層等のバルクが固定であってメタル層、コンタクト層の少なくとも何れか１層を変更して複数の仕様に対応可能なメモリセルを提供すること。 - 特許庁

A plurality of impeding portions 8 to impede a gas flow in the direction along the face in contact with a diffusion layer 5 are provided in gas passage layers 6a, 6b formed by a porous body.例文帳に追加

多孔体によって形成されたガス流路層６ａ、６ｂ内に、拡散層５に接触する面に沿った方向のガスの流れを阻害する阻害部８を複数設ける。 - 特許庁

On the surface of the first diffusion region, a shielding layer is arranged so as to surround the first metal silicide film while being away from the edge of the first metal silicide film.例文帳に追加

第１の拡散領域の表面において、第１の金属シリサイド膜の縁から離れて、第１の金属シリサイド膜を取り囲むようにシールド層が配置されている。 - 特許庁

To bring a source-drain region composed of a silicon mixed crystal layer in an MIS transistor close to a channel region while preventing trouble due to diffusion of an impurity.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタにおけるシリコン混晶層からなるソースドレイン領域を、不純物の拡散による不具合を防止しながらチャネル領域に近づけることができるようにする。 - 特許庁

Since the catalyst layer 60 is a diffusion reflection surface, the reflected light is more scattered than the case of a mirror surface, and absorption rate by the dyes is high and power generation efficiency is good.例文帳に追加

触媒層６０は拡散反射面であるので、鏡面の場合よりも反射光は散乱され、色素による吸収率が高く発電効率が良い。 - 特許庁

A surface of the silicon substrate 2 formed with the second-conductivity diffusion layer 3 has unevenness, and the unevenness is formed so that projections 17 are continued when seen in two dimensions.例文帳に追加

第２導電型拡散層３が形成されたシリコン基板２の表面に凹凸が設けられ、凹凸は、平面的に見て、凸部１７が連続するように設けられている。 - 特許庁

The paste composition for electrode formation given with an n-type diffusion layer forming function comprises: metal particles; glass particles containing donor elements; resin; and a solvent.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成機能を付与した電極形成用ペースト組成物を、金属粒子と、ドナー元素を含むガラス粒子と、樹脂と、溶剤と、を含んで構成する。 - 特許庁

A gas diffusion layer for fuel cells is structured with a porous member mainly composed of conductive particles such as acetylene black or graphite and a polymer resin such as PTFE.例文帳に追加

アセチレンブラックやグラファイトなどの導電性粒子と、ＰＴＦＥなどの高分子樹脂とを主成分とした多孔質部材で燃料電池用ガス拡散層を構成する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer having a reduced cost, high conductivity, high gas permeability, and sufficient mechanical strength, in view of a problem in a conventional technology.例文帳に追加

従来の技術における問題点に鑑み、低コスト性、高導電性、高ガス透過性および十分な機械的強度を有するガス拡散層を提供する。 - 特許庁

A multiplication expression multiplying the function of the vertical direction adjacent diffusion layer distance and a weighting function is generated and a parameter correction amount is calculated on the basis of the multiplication expression.例文帳に追加

その縦方向隣接拡散層距離の関数と重み付け関数とを掛け合わせた乗算式を生成し、その乗算式に基づいて、パラメータ補正量を算出する。 - 特許庁

By this arrangement, the heat generated in a laser beam irradiation portion is widely distributed by the heat diffusion layer 112, and as a result, the heat is efficiently discharged through the whole substrate 111.例文帳に追加

これによりレーザ光照射部分ので発生した熱が熱拡散層１１２によって広く分布し、この結果、基板１１１全体を介して効率よく放熱される。 - 特許庁

To provide an aluminized treatment method which does not require supply of H_2 gas and by which the surface state of an aluminum diffusion layer is made good, and the generation of pollutants is reduced.例文帳に追加

Ｈ２ガスの供給を必要とせず、しかも、アルミニウム拡散層の表面状態が良好で、汚染物質の発生を少なくできるアルミナイズド処理方法を提供する。 - 特許庁

The position identification mark is formed in a convex-concave shape in the side face portion (side part) of a linear pattern 11 for substrate potential supply which is formed using a diffusion layer.例文帳に追加

本発明の位置識別マークは、拡散層で形成される直線状の基板電位供給用パターン１１の側面部（辺側）に、凹凸形状を設けて形成される。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer including a gas flow passage formed at one main surface thereof, which is capable of achieving further improvement in power generation performance.例文帳に追加

一方の主面にガス流路が形成されたガス拡散層において、発電性能の一層向上させることができるガス拡散層を提供することにある。 - 特許庁

The entire surface except at least a portion of a side surface of a drain-side diffusion layer 112" A on the side of a channel region 116 is covered with an oxide film 107.例文帳に追加

ドレイン側拡散層１１２”Ａにおけるチャネル領域１１６側の側面の少なくとも一部を除いた全面が、酸化膜１０７により、覆われている。 - 特許庁

A first dope 45 forming a diffusion layer and containing particles and a second dope 46 forming a substrate and containing no particle are casted to be overlapped with the same width.例文帳に追加

拡散層を形成し粒子を含む第１ドープ４５と、支持体を形成し粒子を非含有とする第２ドープ４６とが同一幅で重なるように流延する。 - 特許庁

To provide a barrier layer very effective for preventing diffusion of water and/or oxygen which is easily and reliably manufactured in an integrated circuit device including a copper structure.例文帳に追加

銅構造を含む集積回路デバイス内に、容易かつ信頼性良く製造される水および／または酸素の拡散を防ぐのに非常に有効なバリア層を提供する。 - 特許庁

A bottom part of the bowing profile enters into the silicon semiconductor substrate, beyond the high concentration impurity diffusion semiconductor layer and improves the leakage characteristics of the element isolation region.例文帳に追加

ボーイング形状部底部は、高濃度不純物拡散半導体層を越えてシリコン半導体基板内に入り込み素子分離領域のリーク特性が向上する。 - 特許庁

A 1poly type memory cell 10 has a pair of source-drain region 11, a floating gate electrode layer 13, and an impurity diffusion region 14 for control gate.例文帳に追加

１ｐｏｌｙ型メモリセル１０は、１対のソース／ドレイン領域１１と、フローティングゲート電極層１３と、コントロールゲート用不純物拡散領域１４とを有している。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers S and D involve an epitaxial layer 21, for example, and are formed thick on the side part of the lower gate electrode member 14, while being insulated by an oxide film 20.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層Ｓ，Ｄは例えばエピタキシャル層２１を伴い酸化膜２０で絶縁されつつ下部ゲート電極部材１４側部に厚く形成されている。 - 特許庁

A transistor T consisting of a source/drain diffusion layer 12, a gate electrode 13, a gate insulating film 14 and a sidewall insulating film 15 is formed on a silicon board 10.例文帳に追加

シリコン基板１０上にはソース／ドレイン拡散層１２、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４及び側壁絶縁膜１５からなるトランジスタＴが形成されている。 - 特許庁

The maximum of carbon element concentration in the carbon accumulation region 10 is provided in a region of 2 nm from an interface between the n-type diffusion layer 7 and the inter-cell insulating film 9.例文帳に追加

この炭素蓄積領域１０における炭素元素濃度の最大がｎ型拡散層７とセル間絶縁膜９との界面から２ｎｍの領域に設けられている。 - 特許庁

A drain diffusion layer 11b comprises a lightly doped region 5a and a heavily doped region 5b, and the region 5a is located at a channel region side.例文帳に追加

ドレイン拡散層１１ｂを、低濃度不純物領域５ａと高濃度不純物領域５ｂとで構成し、低濃度不純物領域５ａをチャンネル領域側に配置する。 - 特許庁

To prevent the epitaxial growth of an n-type polycrystalline silicon film connecting the storage node electrode of a trench capacitor to the n-type source/drain diffusion layer of an MOS (metal oxide semiconductor) transistor.例文帳に追加

トレンチキャパシタのストレージノード電極とＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層とを接続するｎ型多結晶シリコン膜のエピタキシャル成長を防止すること。 - 特許庁

A diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 so as to overlap with the floating gate 40 in a channel width direction and in a channel length direction of a channel region.例文帳に追加

拡散層７０は、半導体基板２０内に設けられ、チャネル領域のチャネル幅方向およびチャネル長さ方向においてフローティングゲート４０とオーバーラップしている。 - 特許庁

A cathode gas diffusion layer 13 of a unit cell 1 is constituted of water repellent part 20a and hydrophilic part 20b, and the hydrophilic part 20b is arranged and installed between neighboring water repellent parts 20a.例文帳に追加

単位セル１のカソードガス拡散層１３を撥水部２０ａと親水部２０ｂとによって構成し、隣り合う撥水部２０ａの間に親水部２０ｂを配設する。 - 特許庁

The probing circuit (PB) has no connection with the predetermined logic functions, and the diffusion layer of the probing circuit is used by an LVP (Laser Voltage Probing) method.例文帳に追加

前記プロービング回路は、前記所定の論理機能とは関係が無く、前記プロービング回路の拡散層は、ＬＶＰ（Ｌａｓｅｒ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｐｒｏｂｉｎｇ）法で使用される。 - 特許庁

An element isolation dielectric film 6 is formed so as to surround an N type diffusion layer 54 and a guard ring 3 (guard ring well) is formed around the periphery.例文帳に追加

Ｎ型拡散層５４を取り囲むように半導体基板表面に素子分離絶縁膜６が形成され、その周囲にガードリング（ガードリング用ウェル）３が形成されている。 - 特許庁

Therefore, by plating the gold layer to the lead, the problem due to poor contact or tin diffusion at an OLB section, and whisker generation of tin etc. can be effectively solved.例文帳に追加

よって、リードに金層をメッキすることによって、ＯＬＢ部位での接触不良または錫拡散、錫のウィスカー発生などによる問題を効果的に解決できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the resistance ratio when connecting the upper electrode of a trench capacitor to the diffusion layer of a transistor, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

トレンチキャパシタの上部電極と、トランジスタの拡散層とを接続する際の低抵抗化が可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a metal separator needed for a solid polymer fuel cell (a polymer electrolyte fuel cell, PEFC) having both sufficient corrosive resistanCE and conductivity with a gas diffusion layer.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池(Polymer Electrolyte Fuel Cell, PEFC)用金属セパレータとして必要とされる十分な耐食性とガス拡散層との導電性とを両立させた金属セパレータの提供。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device which has a protection layer that carries out a role as a reliable diffusion barrier for the humidity and is stable mechanically and chemically.例文帳に追加

湿気に対する信頼性のある拡散障壁としての役割を果たす機械的及び化学的に安定した保護層を具える有機エレクトロルミネッセント装置を提供する。 - 特許庁

The gas diffusion layer on the opposite surface side is extended to at least a part on the side opposite to the surface region over the overall peripheral edge of the electrolyte membrane.例文帳に追加

反対面側のガス拡散層は、電解質膜の外周縁全周に亘って該表面領域とは反対側の少なくとも一部にまで延在している。 - 特許庁

Consequently, the N+ diffusion region 49 and N+ additional embedded layer 45 are connected surely together to lower the collector-emitter saturation voltage of the NPN transistor 31.例文帳に追加

そのことで、Ｎ^+型拡散領域４９とＮ^+型付加埋め込み層４５とは確実に連結され、ＮＰＮトランジスタ３１におけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧が低減される。 - 特許庁

A wiring 10 of a conductor film is formed on the surface of interlayer insulating film 9, and the wiring 10 forms a short circuit at the source 4, drain 5, and diffusion layer 6 through a contact C.例文帳に追加

層間絶縁膜9の表面には導電体膜の配線10が形成され、配線10は、コンタクトCを介して、ソース4，ドレイン5及び拡散層6を電気的に短絡させている。 - 特許庁

To provide an interconnection structure of an integrated circuit having a dielectric layer with a low dielectric constant and capable of suppressing a deterioration of a mechanical strength and of improving a thermal diffusion.例文帳に追加

低い誘電率を有する誘電体層を備え機械的強度の低下をおさえると共に熱拡散を改善できる集積回路の相互接続構造を製造する。 - 特許庁

Moreover, nitriding is applied to the bellows part, and a nitrogen diffusion layer with thickness 3% or more and 20% or less of that of the bellows part is formed on the outer surface of the bellows part.例文帳に追加

また、この蛇腹部には窒化処理が施されていて、肉厚の３％以上２０％以下の厚さの窒素拡散層が外表面に形成されている。 - 特許庁

A trench 24 is formed inside the second diffusion layer 23, a conductive film is embedded on the inner side via an insulating film 25 and a gate electrode 14 is formed.例文帳に追加

第２の拡散層２３の内部にはトレンチ２４が形成され、その内側に絶縁膜２５を介して導電膜が埋め込まれてゲート電極１４が形成される。 - 特許庁

Namely, the source area 16S is formed on the surface of the P--type body diffusion layer 15 and the drain area 16D is formed on the N--type well 112.例文帳に追加

すなわち、ソース領域１６Ｓは、上記Ｐ^- 型ボディー拡散層１５の表面上に形成され、ドレイン領域１６Ｄは、Ｎ^- 型ウェル１１２上に形成されている。 - 特許庁

An n-well 10 having no p-type diffusion layer inside is formed between pads 5 and the outside device region 4 on a chip formed by a p-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１により形成されたチップ上の、パッド５と外側素子領域４との間に、その内部にＰ型拡散層を有さないＮウェル１０が形成される。 - 特許庁

The impurity concentration of an adjacent part of the P-type impurity diffusion layer 14 to the element isolation insulating film 12 is selected lower than that of the remaining part.例文帳に追加

Ｐ型不純物拡散層１４における素子分離絶縁膜１２との隣接部分の不純物濃度は、その残りの部分よりも低くなるように設定されている。 - 特許庁

The fuel cell is formed by stacking an electrolyte body 1, an anode part 2, a cathode part 3, a diffusion layer 4, a liquid fuel supply part 5a, and an oxidant supply part 5b.例文帳に追加

燃料電池は、電解質体１，アノード部２，カソード部３，拡散層４，液体燃料供給部５ａ及び酸化剤供給部５ｂが積層されている。 - 特許庁

An N-drain region 38 is implanted in a P-epitaxial layer through the bottom part of a trench 35, extending between the N+-substrate 32 and the bottom part of trench through diffusion step.例文帳に追加

Ｎドレイン領域３３はトレンチ３５の底部を通りＰエピタキシャル層内に注入され、拡散ステップを経てＮ＋基板３２とトレンチの底部との間に延在する。 - 特許庁