「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, it can effectively suppress the diffusion of Au to an epitaxial layer, and to obtain a heterojunction bipolar transistor capable of maintaining high reliability over a long term.例文帳に追加

これにより、Ａｕのエピタキシャル層への拡散を効果的に抑制して、長期間にわたり高い信頼性を維持できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを実現することができる。 - 特許庁

A surface of a silicon oxide film 6 which is embedded inside a device isolation trench 4 is formed with a nitrogen introduction layer 7 having a small diffusion coefficient relative to an oxidation agent.例文帳に追加

素子分離溝４の内部に埋め込まれた酸化シリコン膜６の表面部分には、酸化剤に対する拡散係数が小さい窒素導入層７が形成されている。 - 特許庁

An electrode diffusion preventive layer 50 is laid between a sealing member 40 and an address electrode 28 so that the address electrode 28 has no direct contact with the sealing member 40.例文帳に追加

封止部材40とアドレス電極28との間に、電極拡散防止層50を介在させるように形成し、アドレス電極28と封止部材40とが直接接触しないようにする。 - 特許庁

In this semiconductor optical element 1A, the diffusion prevention portion 62 contains Si as the impurities, so Zn impurities from the semiconductor buried layer 70 are trapped.例文帳に追加

この半導体光素子１Ａにおいては、拡散防止部６２が不純物としてＳｉを含んでいるため、半導体埋込層７０からのＺｎ不純物をトラップする。 - 特許庁

A source/drain diffusion layer 15 is formed on a surface side of the semiconductor substrate 1, and the second sidewall 13a is selectively removed by wet etching using an alkaline etching solution.例文帳に追加

半導体基板１の表面側にソース／ドレイン拡散層１５を形成し、アルカリエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、第２サイドウォール１３ａを選択的に除去する。 - 特許庁

MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY FOR STATIONARY OR PORTABLE FUEL CELL, STATIONARY OR PORTABLE FUEL CELL, AND RESIN PASTE FOR GAS DIFFUSION LAYER OF STATIONARY OR PORTABLE FUEL CELL例文帳に追加

定置または携帯型燃料電池用膜電極接合体、定置または携帯型燃料電池、および、定置または携帯型燃料電池のガス拡散層用樹脂ペースト - 特許庁

To provide an electrode catalyst layer for fuel cell in which sufficient proton conductivity and gas diffusion properties are ensured, reaction active points are increased and the output performance is enhanced.例文帳に追加

十分なプロトン伝導性とガス拡散性とを確保し、反応活性点を増加させ出力性能を向上させた燃料電池用の電極触媒層を提供する。 - 特許庁

Also, in the region other than the gate electrode 24 and the source-drain expansion part 31, a Deep diffusion layer 30 is formed deeper than the source-drain expansion part 31.例文帳に追加

また、ゲート電極２４およびソース・ドレイン拡張部３１以外の領域には、ソース・ドレイン拡張部３１よりも深いＤｅｅｐ拡散層３０が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate with an alignment mark which can be used for the alignment formed even after the impurity diffusion layer is formed with an epitaxial film flattened.例文帳に追加

エピタキシャル膜を平坦化して不純物拡散層を形成した後にも、アライメントに用いることができるアライメントマークが形成された半導体基板を提供する。 - 特許庁

Thus, the semiconductor layer surface is coated with the insulating film to suppress surface diffusion, and the Schottky electrode can be intruded only mainly in a depth direction.例文帳に追加

半導体層表面を絶縁膜で被覆することによって、表面拡散が抑制され、主に深さ方向のみにショットキー電極を侵入させることが可能となっている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the silicon epitaxial wafer, a silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7 and the silicon epitaxial wafer 10 is manufactured.例文帳に追加

拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハ１０を製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

A floating gate 3 is formed on the polysilicon gate of a logic part, and a control gate 6 is composed of a diffusion layer formed on a silicon substrate 1 by implantion of ions.例文帳に追加

フローティングゲート３をｌｏｇｉｃ部のポリシリコンゲート２８と兼ねて形成し、コントロールゲート６をシリコン基板１にイオン注入によって形成した拡散層で構成する。 - 特許庁

To enable protecting well a foam made from metallic material composing a gas diffusion layer without being acted by compression load more than required.例文帳に追加

ガス拡散層を構成する金属材料製の発泡体に、必要以上の圧縮荷重が作用することがなく、前記発泡体を良好に保護することを可能にする。 - 特許庁

By forming an anode electrode 7 using aluminum silicon having the silicon content between 3% and 5%, an aluminum spike into a p^+ diffusion layer 4 can be prevented.例文帳に追加

シリコン含有率が３％以上５％以下のアルミニウムシリコンを用いてアノード電極７を形成することにより、Ｐ^+拡散層４へのアルミニウムスパイクを防止することができる。 - 特許庁

The catalyst carrying carbon 30A with larger average particle diameter is provided on the gas diffusion layer side and the catalyst carrying carbon 30B with smaller average particle diameter is provided on the polymer electrolyte membrane side.例文帳に追加

平均粒径の大きい触媒担持カーボン３０Ａをガス拡散層側に設け、平均粒径の小さい触媒担持カーボン３０Ｂを高分子電解質膜側に設ける。 - 特許庁

In the second opening 5b, a second semiconductor layer 7 having an impurity diffusion coefficient smaller than that of the semiconductor substrate 1 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

第２開口５ｂの内部において、半導体基板１より小さい不純物拡散係数を有する第２半導体層７を半導体基板１の表面に形成する。 - 特許庁

A diffusion layer formed on a multilayer film interface can be thinned as a result, so as to provide the multilayer film reflection mirror 80 of low reflectance reduction.例文帳に追加

その結果、多層膜界面に形成される拡散層を薄くすることができ、反射率の低下が小さい多層膜反射鏡８０を提供することができる。 - 特許庁

To provide a technology of improving adhesion of a soda-lime glass substrate and a back electrode layer, and suppressing excessive diffusion of Na from the soda-lime glass substrate.例文帳に追加

本発明はソーダライムガラス基板と裏面電極層の密着性を改善するとともに、ソーダライムガラス基板からのＮａの過剰な拡散を抑制する技術を提供する。 - 特許庁

To provide composite particles, in forming an active material layer of an electrochemical element electrode, with an improved diffusion property of electrolytic ions, and resistance lowered of the electrodes.例文帳に追加

電気化学素子用電極の電極活物質層を形成する複合粒子において、電解質イオンの拡散性を向上し、電極を低抵抗化すること。 - 特許庁

To manufacture a plurality of kinds of CMOS logical cell, in which a driving capacity is secured, by only adding or deleting a wiring pattern without changing the pattern of a diffusion layer or a contact hole.例文帳に追加

拡散層やコンタクトホールのパターンを変えずに配線パターンの追加又は削除のみにより、駆動能力を確保した複数種のＣＭＯＳ論理セルを作成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transmission-type screen of high resolution and high grade which facilitates thickness control of a light diffusion layer and is free of anti-dazzle and has high resolution.例文帳に追加

光拡散層の厚さコントロールが容易で、ぎらつきがなく、解像度の高い高品位な透過型スクリーンを生産性よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

Gas (b) is emitted as gas (c) through the air-permeable control layer during the melting process of the contaminated soil, which can prevent the diffusion of the generated gas to the peripheral soil.例文帳に追加

汚染土壌の溶融過程でガスｂは、通気性のある制御層を経由してｃとして放出され、発生ガスの周辺土壌への拡散が防止される。 - 特許庁

In this surface contact state measuring instrument 100, a measuring object (such as a gas diffusion layer 22) in a surface contact state is sandwiched between an acrylic plate 110 and a conductive plate 120.例文帳に追加

面接触状況計測器１００は、アクリルプレート１１０と導電プレート１２０との間に、面接触状況の測定対象（例えばガス拡散層２２）を挟持する。 - 特許庁

According to the structure, the area can be reduced significantly as compared with a connection structure of the n+ type source region 5 and the p+ type silicon substrate 1 employing a deep diffusion layer.例文帳に追加

この構成により深い拡散層によるｎ＋型ソース領域５とｐ＋型シリコン基板１の接続構造に比べて、大幅に面積を縮小することができる。 - 特許庁

Even if a pinhole cannot be found by a visual check, a metal member and the impurity diffusion layer 101 short-circuit when a bump is formed and the pinhole is checked as a failure in an electric characteristic test.例文帳に追加

外観発見できないピンホールが発生してもバンプ形成時の金属部材が不純物拡散層１０１と短絡して電気特性試験で不良になる。 - 特許庁

To realize a high-speed response and high-sensitivity characteristics by solving a problem with formation of a p diffusion layer caused by outdiffusion in a circuit-built-in light receiving element of a PIN structure.例文帳に追加

ＰＩＮ構造を有する回路内蔵受光素子において、アウトディフュージョンによるＰ拡散層の形成を解消し、高速応答、高感度特性を実現する。 - 特許庁

To provide a fuel cell system restrained from lowering of power generating efficiency caused by the water accumulated in a gas diffusion layer generated when a required output value is sharply lowered.例文帳に追加

燃料電池への出力要求値が急低下した場合に、ガス拡散層に水分が滞留して燃料電池の発電効率が低下することを抑制する。 - 特許庁

When N^+ type impurities for forming an N^+ type buried diffusion layer 11 on a P type substrate 10 are embedded, an oxide film 101 is removed in a specified opening pattern A.例文帳に追加

Ｐ型基板１０上にＮ＋型埋め込み拡散層１１を形成するＮ＋型不純物を埋め込む際に、酸化膜１０１を所定の開口パターンＡで除去する。 - 特許庁

To provide a fuel cell capable of preventing the shift of the relative position of a separator and a gas diffusion layer caused by the deformation of a sealing member and to provide the manufacturing method of the fuel cell.例文帳に追加

シール部材の変形によりセパレータとガス拡散層の相対位置がずれるのを防止することのできる燃料電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then the diffusion depth of the base area 35 can be controlled independently of the thickness of the silicon layer 33, so the ON resistance is reducible and the controllability of the threshold voltage is improved.例文帳に追加

そして、シリコン層３３の厚さとは独立にベース領域３５の拡散深さを制御できるため、オン抵抗を低くでき、また、閾値電圧の制御性も向上できる。 - 特許庁

An aroma generating material 3 is housed in a metallic vessel 2 having an aroma diffusion port 4 formed therein, and the aroma diffusion port 4 is sealed with a lid body 5 made of a low-melting point metal, and the circumference of the metallic vessel 2 is covered with an electric insulating layer 6.例文帳に追加

匂い発散口４が形成された金属製容器２内に匂い発生物質３を収容すると共に、その匂い発散口４を低融点金属製の蓋体５で封止し、かつその金属製容器２の周囲を電気絶縁層６で覆う。 - 特許庁

An isolated area 3 formed of dispersed insulator layer is formed in an element formation area on a semiconductor substrate 1, and diffusion layers 6 are formed on both sides of the isolated area 3, and then electrodes are connected to the respective diffusion layers 6 to form an anti-fuse.例文帳に追加

半導体基板１上の素子形成領域内に、分散絶縁物層からなる分離領域３を形成するとともにこの分離領域３の両側にそれぞれの拡散層６を形成し、それぞれに電極を接続し、アンチヒューズ素子とする。 - 特許庁

To provide a fuel cell preventing a decrease of an output from the fuel cell due to degradation of catalyst activity at a subfreezing temperature and a power generation failure due to a gas diffusion inhibition by the freezing of generated water in a gas diffusion layer, the fuel cell exhibiting high battery performance and remaining stable even at the subfreezing temperature.例文帳に追加

氷点下では触媒活性の低下のための燃料電池の出力低下や、生成水がガス拡散層内で凍結しガス拡散阻害による発電不可を抑制し、氷点下でも電池性能が高く、安定な、燃料電池を提供する。 - 特許庁

The first light diffusion layer 3 comprises a light diffusion plate 31 and a prism sheet 32, and the light alignment characteristic is such that the luminance value in a direction of 70° to the normal of the light incident surface of the liquid crystal cell is 20% or less of the luminance value in the normal direction.例文帳に追加

第１光拡散層３は、光拡散板３１とプリズムシート３２とを有し、その配光特性を、液晶セルの光入射面の法線に対して７０°方向の輝度値が法線方向の輝度値に対して２０％以下となるようにする。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode assembly with a reinforcing sheet for a polymer electrolyte fuel cell suppressing damage caused by a mechanical load applied to an electrolyte membrane, appropriately conducting gas diffusion in a gas diffusion layer, and improving electric contact between an electrode and a separator.例文帳に追加

電解質膜が受ける機械的負荷によるダメージが抑制され、ガス拡散層でのガス拡散が良好に行われ、かつ、電極とセパレータとの電気的接触が良好な、固体高分子型燃料電池用補強シート付き膜・電極接合体を提供する。 - 特許庁

The binder 10a is irradiated with active energy rays through the second releasing film 35 and, thereby, is cured, the lens shape of the transfer surface is transferred to the surface of a light diffusion layer 16 and, thereby, a diffusion lens part 19 on which cylindrical lenses 19a are arranged in parallel is formed.例文帳に追加

第２離型フィルム３５を通してバインダ１０ａに活性エネルギー線を照射して硬化させ、転写面のレンズ形状を光拡散層１６の表面に転写してシリンドリカルレンズ１９ａを並列させた拡散レンズ部１９を形成する。 - 特許庁

A diffusion resisting layer 56 and a diffusion hole 54 are provided for making shorter the time for the measured gas to diffuse over the surface of the electrode 78 than the time for the measured gas to diffuse over the surface of the electrode 60 from within the space to be measured.例文帳に追加

測定対象の空間内から被測定ガスが第１電極６０の表面に拡散するための時間に比して、被測定ガスが第２電極７８の表面に拡散するための時間が短くなるように核酸抵抗層５６や拡散孔５４を設ける。 - 特許庁

To provide a horizontal diffusion furnace capable of, without being complicated, manufacturing a diffused wafer having high in-plane uniformity of the depth of a diffusion layer across a wafer surface including a center portion and an outer peripheral portion, and a method for heat-treating a semiconductor wafer using the same.例文帳に追加

横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

In the light diffusion plate, at least one side of a light diffusion resin plate 6 containing a propylene resin is formed into a rough surface 6a having a ten point average roughness Rz of not less than 25.0 μm and a coating layer 3 containing an antistatic agent is formed on the rough surface.例文帳に追加

プロピレン樹脂を含有する光拡散性樹脂板６の少なくとも片面が、十点平均粗さＲｚが２５．０μｍ以上である粗面６ａに形成され、該粗面に、帯電防止剤を含有するコーティング層３が積層された構成とする。 - 特許庁

The bulk semiconductor material includes a minority charge carrier diffusion length property configured to substantially match a predetermined hole diffusion length value and a thickness configured to substantially match a predetermined photodiode layer thickness.例文帳に追加

バルク半導体材料は、予め決められた正孔拡散距離値に実質的に一致するように構成されている少数電荷担体拡散距離特性と、予め決められたフォトダイオード層厚に実質的に一致するように構成されている厚みとを含んでいる。 - 特許庁

The manufacturing method contains a first process forming the gas diffusion electrode with a catalyst layer on a substrate, and a second process joining the gas diffusion electrode to both surfaces of the polymer electrolyte membrane and then peeling and removing the substrate.例文帳に追加

また、その製造方法は、基材上で触媒層付きの上記ガス拡散電極を得る第１工程と、高分子電解質膜の両面にこのガス拡散電極を接合した後、基材を剥離除去する第２工程とを有することを特徴とするものである。 - 特許庁

Then, a p-type diffusion region 4a is formed on the surface of the n-type semiconductor layer 2 at least on the side of the gate region 3 of the drain region 4 and a drain electrode 7 is formed, so as to be connected to the p-type diffusion region 4a.例文帳に追加

そして、ドレイン領域４の少なくともゲート領域３側におけるｎ形半導体層２の表面にｐ形の拡散領域４ａが形成され、そのｐ形拡散領域４ａに接続されるようにドレイン電極７が形成されている。 - 特許庁

To obtain an electronic component which is capable of suppressing metal diffusion between an electrode layer made of Al or an Al alloy and another metal layer in a wiring electrode, an under-bump metal layer, or a pad electrode, and is provided with an electrode in which contact resistance between electrode layers is reliably reduced.例文帳に追加

配線電極、アンダーバンプメタル層またはパッド電極におけるＡｌもしくはＡｌ合金からなる電極層と、他の金属層との間の金属の拡散を抑制することができ、電極層間の接触抵抗が確実に低められた電極を備える電子部品を得る。 - 特許庁

Since the grain boundaries of the first platinum layer 81 are fed, while being difficult to continue to the grain boundary of the second platinum layer 82, a grain boundary diffusion is made hard to occur and reductant seeds are difficult to reach the oxide dielectrics film 7 via the grain boundary, even under hydrogen sintering with an aluminum wiring layer.例文帳に追加

第１白金層８１の粒界が少なく、また第２白金層８２の粒界とは連続しにくいので、粒界拡散が生じにくく、アルミ配線層１１の水素シンタを行っても還元種が粒界を介して酸化物誘電体膜７に到達しにくくなる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a channel layer 18 which is formed on a silicon substrate 10 and composed of SiGe whose thickness is 2-6 nm, a gate electrode 22 which is formed on the channel layer through a gate insulating film 20, and a source/drain diffusion layer 32 which is formed in both sides of the gate electrode.例文帳に追加

シリコン基板１０上に形成された、厚さ２〜６ｎｍのＳｉＧｅより成るチャネル層１８と、チャネル層上に、ゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極２２と、ゲート電極の両側に形成されたソース／ドレイン拡散層３２とを有している。 - 特許庁