意味 | 例文 (999件) |
diffusion-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5831件
Lower layer embedded interconnections 103 are formed via a first diffusion preventive layer 102 on a first insulation film 101, formed on a semiconductor substrate 100 and a second insulation film 104, is formed on the lower layer embedded interconnections 103 and the first insulation film 101.例文帳に追加
半導体基板100上の第1の絶縁膜101には、第1の拡散防止層102を介して下層の埋め込み配線103が形成されており、下層の埋め込み配線103及び第1の絶縁膜101の上には第2の絶縁膜104が形成されている。 - 特許庁
To provide an electrical connection structure capable of effectively suppressing the diffusion of a component (e.g. nickel) contained in a base plating layer to a surface plating layer to improve the connection stability and reliability of the surface plating layer to a conductive connection material and to improve repairing property.例文帳に追加
高温に曝される状況下であっても、下地めっき層に含まれる成分(たとえばニッケル)が、表面めっき層に拡散するのを効果的に抑制し、表面めっき層と導電性接続材との接続安定性および信頼性を向上させ、またリペア性を向上させる - 特許庁
The method includes bringing the coated super alloy article into contact with a preselected chemical stripping solution for a preselected period of time sufficient to remove only the outer aluminide layer (14), without substantially affecting the diffusion layer (16) underlying the outer aluminide layer (14).例文帳に追加
この方法では、被覆された超合金物品を、外側のアルミ化物層(14)の下の拡散層(16)には実質的に影響を及ぼすことなく、外側のアルミ化物層(14)のみを除去するのに十分な所定時間所定の化学ストリッピング溶液に接触させる。 - 特許庁
Due to this, by introducing a diffusion prevention layer between the backing layer and the antiferromagnetic layer, it is possible to stably maintain the magnetic properties of a magnetoresistive element by preventing main components from diffusing when it is subjected to a high temperature process when it is formed or when heated to high temperatures when used.例文帳に追加
これにより、下地層及び反強磁性層間に拡散防止層を導入することにより、磁気抵抗素子の形成時、高温工程または、使用時高温に加熱される場合、主要成分の拡散を防止してその磁気的な特性を安定的に維持できる。 - 特許庁
Since an In composition near the hetero-interface of a channel layer 30 constituted of InGaAs is similar to that of an electron supply layer 4, constituted of InGaP and In composition in the channel layer 30 changes continuously, the diffusion of In atoms is suppressed, and superior interface steepness is obtained.例文帳に追加
InGaAsからなるチャネル層30のヘテロ界面付近でのIn組成が、InGaPからなる電子供給層4の組成と同じ組成であり、チャネル層30内のIn組成が連続的に変化しているので、In原子の拡散が抑止され優れた界面急峻性が得られる。 - 特許庁
The light-emitting diode device is provided with a light-emitting diode chip emitting a blue light, and a phosphor sheet having a phosphor layer emitting a light based on the blue light and a light diffusion layer formed on at least one surface of the phosphor layer.例文帳に追加
青色光を発光する発光ダイオードチップと;前記青色光により発光する蛍光体層および前記蛍光体層の少なくとも一方の面上に形成された光拡散層を有する蛍光体シートと;を具備することを特徴とする発光ダイオード装置。 - 特許庁
At heat treatment, in a reaction in the interface of the core material and the coating layer 2 when Cu is included in the coating layer 2, a diffusion reaction is loosened compared to a reaction between a coating layer 2 consisting of a pure metal and the copper core material 1, so that sufficient adhesion is obtained even when the heat treatment temperature is raised.例文帳に追加
被覆層2にCuを含んでいると、熱処理時、芯材と被覆層2の界面における反応は、純金属からなる被覆層2と銅芯材1との間の反応に比べて拡散反応が緩やかとなって熱処理温度を上げても十分な密着性を得る。 - 特許庁
A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration.例文帳に追加
サファイア(Al_2O_3)単結晶の基板上に成長したZnO系結晶層は、基板との界面にアルミニウム(Al)が8×10^20個/cm^3以上の濃度で固溶した固溶層、及びAlの濃度が1×10^19cm^3以上である高濃度拡散層を有している。 - 特許庁
To provide a solid oxide fuel cell equipped with an air electrode reaction layer, capable of restraining diffusion of Ca into electrolyte, by clarifying states of the air electrode reaction layer in which elements in an air electrode conductive layer material, especially, Ca, tends to diffuse into ZrO_2 series electrolyte.例文帳に追加
空気極導電層材料中の元素、特にCaがZrO_2系電解質に拡散しやすい空気極反応層の状態を明らかにし、Caの電解質への拡散を抑制することができる空気極反応層を備えた固体酸化物型燃料電池を提供する。 - 特許庁
In a planographic printing material having at least a base coating layer, a silver halide emulsion layer and a physical developing nuclei layer on a supporting body and using a silver complex salt diffusion transfer method, the planographic printing material contains acetylene glycol and its solubilizing agent in at least one of the above layers.例文帳に追加
支持体上に少なくとも下塗り層、ハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、前記の少なくとも一つの層にアセチレングリコールとその可溶化剤を含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁
The transistor stores a first data state having a first threshold voltage wherein majority carriers are injected into the columnar semiconductor layer, and a second data state having a second threshold voltage wherein the majority carriers in the columnar semiconductor layer 2 are discharged into the drain diffusion layer 5, by dynamic operation.例文帳に追加
トランジスタは、柱状半導体層2に多数キャリアが注入された第1のしきい値電圧を有する第1データ状態と、柱状半導体層2の多数キャリアがドレイン拡散層5に放出された第2のしきい値電圧を有する第2データ状態とをダイナミックに記憶する。 - 特許庁
The projection screen 10-1 includes a polarized light selecting reflective layer 11 having a cholesteric liquid crystal structure that selectively reflects the light of a specific polarization component, and a diffusion layer 40 having recesses and projections for diffusing light transmitted through the polarized light selecting reflective layer 11.例文帳に追加
投影スクリーン10−1は、特定の偏光成分の光を選択的に反射するコレステリック液晶構造を有する偏光選択反射層11と、偏光選択反射層11を透過した透過光を拡散させるための凹凸部を有する拡散層40とを備えている。 - 特許庁
The etching stop layer 11 is formed of a material which is etched with a first etchant at an etching speed slower than the etching speed of the diffusion source layer 12 for the first etchant and etched with a second etchant at an etching speed faster than the etching speed of the contact layer 10 for the second etchant.例文帳に追加
エッチングストップ層11を、第1エッチャントに対するエッチング速度が第1エッチャントに対する拡散源層12のエッチング速度よりも遅く、かつ、第2エッチャントに対するエッチング速度が第2エッチャントに対するコンタクト層10のエッチング速度よりも速い材料で形成する。 - 特許庁
Further, the first layer 11 uses a material with a low density, while the second layer 12 uses one woven with a fibrous shape-memory alloy so that it can expand and contract in a vertical direction in accordance with temperature change against a joint surface of the electrolyte catalyst 2 with the gas diffusion layer 3.例文帳に追加
さらに、第1の層11として密度の小さなものを用い、第2の層12として、温度変化によって、電極触媒層2とガス拡散層3との接合面13に対して垂直な方向に伸縮するように、繊維状の形状記憶合金で織られたものを用いる。 - 特許庁
The light passing through the i-type InGaAs photo-absorption layer 24, in light incident from the p-type diffusion region 32, is reflected to the i-type InGaAs photo-absorption 24 by the reflector layer 23, and a film thickness of the i-type InGaAs photo-absorption layer 24 may increase in appearance.例文帳に追加
p型拡散領域32より入射した光のうち、i−InGaAs光吸収層24を通過した光は、反射鏡層23によりi−InGaAs光吸収層24に反射され、i−InGaAs光吸収層24の膜厚が見かけ上増加する。 - 特許庁
That is, the diffusion of copper from the copper conductor layer 3 is inhibited while the relative change of a copper content is reduced even when copper is diffused and intrudes to the resistance layer 2 and an effect on a resistance value can be lowered by previously mixing copper to the resistance layer 2.例文帳に追加
すなわち、予め抵抗層2に銅を混入させることで、銅導体層3からの銅の拡散を抑制すると共に、たとえ銅が拡散して抵抗層2に侵入した場合でも相対的な銅含有量の変化が小さく、抵抗値に及ぼす影響を小さくすることができる。 - 特許庁
A solid nitride layer consisting of a compound layer having a hardness of Hv 900 or more and a diffusion hardened layer is formed by low-temperature nitriding method on part of inner raceways 3a to 3c, outer raceways 4a to 4c, and the inner peripheral surfaces of outer rings 5a to 5c which guide the outer peripheral surfaces of cages 7a to 7c.例文帳に追加
内輪軌道3a〜3c及び外輪軌道4a〜4c、並びに外輪5a〜5cの内周面の一部で保持器7a〜7cの外周面を案内する部分に、硬度がHv900以上の化合物層と拡散硬化層とから成る、緻密な窒化層を、低温窒化法により形成する。 - 特許庁
Adopting a configuration of the film thickness of the Au layer 22 selected to be 0.01μm or over and 0.1μm or below can suppress growing of an Au-Sn alloy layer 52 resulting from diffusion of the Sn being the component of the solder bump into the Au layer 22 placed under the protection film 30 during the solder reflow.例文帳に追加
Au層22の膜厚を0.01μm以上0.1μm以下とした構成とすることで、はんだリフロー時にはんだバンプを構成するSnが保護膜30の下に位置するAu層22に拡散してAu−Sn合金層52が成長していくのを抑制するようになっている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which leak current among wiring portions due to partially selective breakage or the like, in a semiconductor device in which a metal diffusion preventive layer is selectively formed on the upper side of a wiring layer embedded in a groove for wiring formed in an insulating layer.例文帳に追加
絶縁膜中に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層の上部に選択的に金属拡散防止膜を形成する半導体装置において、部分的選択破れ等に起因する配線間リーク電流を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the electrode for the solid polymer fuel cell provided with a gas diffusion layer and a catalyst layer, the thickness of the catalyst layer formed from a carbon to carry platinum, the ion liquid provided with proton conductivity, and an organic compound to fix this ion liquid is made to have a range of 1 to 10 μm.例文帳に追加
ガス拡散層と触媒層を備えた固体高分子形燃料電池用電極において、白金を担持したカーボン担体と、プロトン伝動性を備えたイオン液体と、このイオン液体を固定化する有機化合物から形成された触媒層の厚さを1〜10μmの範囲とする。 - 特許庁
The micro porous layer 2, which is interposed between a diffusion layer base material 1 of the fuel battery cell 10 and the catalyst layer 5 includes mixture of an almost even amount of three or more carbon particles 2a, 2b, 2c whose average grain sizes are different, and fluorine resin 2d.例文帳に追加
燃料電池セル10の拡散層基材1と触媒層5の間に介層されるマイクロポーラス層2であって、平均粒径が異なる3種類以上のカーボン粒子2a,2b,2cが相互に略均等となる量で配合され、これらとフッ素樹脂2dとから形成されている。 - 特許庁
An electrode 11 is formed by installing a catalyst layer 7 on one face of a gas diffusion layer 9, and this electrode 11 is superposed on a solid polyelectrolyte membrane 5 in a state the catalyst layer 7 is on the solid polyelectrolyte membrane 5 side, and the membrane/electrode assembly 1 is constructed.例文帳に追加
ガス拡散層9の一方の面に触媒層7を設けて電極11を形成し、この電極11を、触媒層7が固体高分子電解質膜5側となる状態で、固体高分子電解質膜5に重ね合わせて膜・電極接合体1を構成する。 - 特許庁
To provide an electrode layer of a structure easy in intrusion and diffusion of fuel and an oxidizing agent, by enlarging the substantially surface area participating in catalyst reaction as the electrode layer for a fuel cell, and a method capable of forming this electrode layer by an ultrasonic spray device.例文帳に追加
燃料電池用電極層として触媒反応に関与する実質的な表面積が大きく、燃料、酸化剤の侵入、拡散が容易である構造の電極層を得ることおよびこの電極層を超音波スプレー装置によって形成できる方法を得ることにある。 - 特許庁
The separators 17, 19 have reaction gas passages 17a, 19a respectively, and a portion coming in contact with the catalyst layer is formed in a porous carbon layer 41 forming a gas diffusion part capable of passing the reaction gas by the permeation of reaction gas, and other portions are formed in a dense solid carbon layer 43 becoming a gas non-permeation part.例文帳に追加
これら各セパレータ17,19は、反応ガス流路17a,19aをそれぞれ備え、前記触媒層に接触する部分を、反応ガスが浸透して流通可能なガス拡散部となるポーラスカーボン層41とする一方、他の部位をガス不透過部となる気密なソリッドカーボン層43とする。 - 特許庁
To provide a copper damassin structure wherein the mismatch of dynamical characteristics between inorganic insulating layers used for a copper diffusion prevention insulating layer, a wiring layer, and a via layer is eliminated, and troubles such as exfoliation and cracking ocurring in a CMP process in damascene formation and upon a heat cycle are solved.例文帳に追加
銅拡散防止用絶縁層と配線層、ビア層に用いられる無機絶縁層間の力学特性のミスマッチを解消し、ダマシン形成におけるCMP工程やヒートサイクル時に生じる剥離、亀裂発生などの問題点を解決する銅ダマシン構造体を提供する。 - 特許庁
An isolation layer 6 for preventing the diffusion of base metallic materials constituting an internal electrode 1 is arranged on almost the whole face or one face of the part other than the part functioning as an element of a ceramic layer 2 (2a and 2b) being the outermost layer in the laminated direction of the internal electrode 1.例文帳に追加
内部電極1の積層方向において最外層となるセラミック層2(2a,2b)の、素子として機能する部分以外の部分の、略全面に又は部分的に、内部電極1を構成する卑金属材料の拡散を防止するための遮断層6を配設する。 - 特許庁
Ni is prevented from being diffused upward by the diffusion stop layer 30, whereby the surface of the land 26 is hardly oxidized, and the gold layer 32 can be made thin through a flash plating method, so that a rigid and fragile layer of Au-Sn alloy or the like is hardly formed on a solder joint surface.例文帳に追加
拡散阻止層30によりNiの上層拡散が阻止され、これによりランド部26表面が酸化されにくくなる一方で、金層32をフラッシュメッキ法等により薄くできるので、例えばAu−Sn合金等の固くて脆い層がハンダ接合面に形成されにくくなる。 - 特許庁
A diffusion barrier film 30, a via layer insulating film 31 of porous material, a lower etching stopper film 32, an upper etching stopper film 33, a wiring layer insulating film 34 of porous material, a cap layer 35, and a hard mask are formed in sequence on a substrate on which underlayer wiring is formed.例文帳に追加
下層配線が形成された基板上に、拡散バリア膜30、多孔質材料からなる ビア層絶縁膜31、下側エッチングストッパ膜32、上側エッチングストッパ膜33、多孔質材料からなる配線層絶縁膜34、キャップ層35、ハードマスクとを順に成膜する。 - 特許庁
The gas diffusion layer 20 is constituted of: a main body 21 formed from the non-conductive porous resin material; a carbon thin film layer 22 formed on a facing surface facing an MEA 10 of the main body 21; and a plurality of carbon rods 23 joined integrally with the carbon thin film layer 22.例文帳に追加
ガス拡散層20は、非導電性の多孔質樹脂材料から形成された本体21と、本体21のMEA10に対向する対向面に形成されたカーボン薄膜層22と、カーボン薄膜層22と一体的に接合された複数のカーボン棒23とで構成される。 - 特許庁
The planographic printing plate has at least a silver halide emulsion layer and a physical development nuclei layer on a support and uses a silver complex diffusion transfer method, wherein at least one layer of the planographic printing plate contains a specified hydrazide compound.例文帳に追加
支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版において、該平版印刷版の少なくとも1層に特定のヒドラジド化合物を含有する事を特徴とする平版印刷版。 - 特許庁
The light receiving element array has a light absorbing layer 3 formed on a conductivity type semiconductor substrate 2, and also has a plurality of diffusion regions 5 of the opposite conductivity type from the conductivity type semiconductor substrate 2 formed in a conductivity type semiconductor layer 4 provided right on the light absorbing layer 3.例文帳に追加
受光素子アレイは、導電型半導体基板2上に形成された光吸収層3を有し、かつ、導電型半導体基板2と逆の導電型の拡散領域5を光吸収層3の直上に設けられた導電型半導体層4内に複数形成されている。 - 特許庁
The layer 24 made of a mixed crystal compound semiconductor containing two or more types of group III elements is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the diffusion layer 7 is formed on the layer 24 by a hydride vapor growing process.例文帳に追加
そして、該オフアングルを有する単結晶基板1上に、2種以上のIII族元素を含む混晶化合物半導体よりなる発光層部24を有機金属気相成長法により形成し、該発光層部24の上に電流拡散層7をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁
The optical element of this invention has transparent layers 3 and light absorption layers 2 which are alternatively arranged and is equipped with a microlouver 1, which restricts a range of emitting direction of light passing through a transparent layer 3 by the light absorption layer 2, and a diffusion layer 4 provided on the microlouver 1.例文帳に追加
本発明の光学素子は、交互に配置された透明層3と光吸収層2とを有し、透明層3を透過する光の出射方向の範囲を光吸収層2によって制限するマイクロルーバー1と、マイクロルーバー1上に設けられた拡散層4とを備えている。 - 特許庁
To provide an organic EL display capable of preventing the occurrence of display defects caused by diffusion of residual gas and moisture to an organic EL layer, because coverage failure of a passivation layer is improved by reducing protrusions on the surface of an overcoat layer, and also provide its manufacturing method.例文帳に追加
オーバーコート層の表面上の突起などを低減することで、パッシベーション層のカバレッジ不良が改善され、有機EL層への残留ガスや水分の拡散に起因する表示欠陥などの発生を防ぐことができる有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a solid polymer fuel cell, and its manufacturing method, with a contact resistance reduced between the gas diffusion layer and the catalyst layer, without preventing the supply of reaction gas to the catalyst layer, and with improved drainage of moisture generated by electrode reaction.例文帳に追加
この発明は、ガス拡散層と触媒層との接触抵抗を低減させるとともに、触媒層への反応ガスの供給を妨げず、かつ電極反応により発生する水分の排水性を向上させる固体高分子型燃料電池及びその製造方法を得る。 - 特許庁
A DMOS (double diffused metal oxide semiconductor) transistor 23 and the pn junction diode 22a are formed on one SOI layer 13b surrounded by trench separation 15 in a shape that they are insulated electrically by a p-type diffusion layer 20 formed in a state of being levitated electrically on the SOI layer 13b surrounded by the trench separation 15.例文帳に追加
トレンチ分離15で囲まれた1つのSOI層13bには、DMOSトランジスタ23と温度検出用PN接合ダイオード22aとが、電気的に浮いた状態で形成されるP型拡散層20によって電気的に絶縁される形で形成されている。 - 特許庁
The planographic printing plate has at least a silver halide emulsion layer and a physical development kernel layer on a support body and uses a silver complex salt diffusion transfer method, wherein at least one layer laid on the support body contains water-soluble polyester resin.例文帳に追加
支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、支持体上に設けられた少なくとも一層に水溶性ポリエステル樹脂を含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁
The semiconductor device includes a plurality of trenches 105, a plurality of gate electrodes 102, a plurality of diffusion layers 107, an interlayer insulating film 103, an electrode layer 110, a plurality of concave parts 108, 109 formed on the electrode layer 110, a solder layer 111, and a conductive plate 113.例文帳に追加
本発明にかかる半導体装置は、複数のトレンチ105、複数のゲート電極102、複数の拡散層107、層間絶縁膜103、電極層110、電極層110に形成された複数の凹部108,109、半田層111、並びに導電板113を備える。 - 特許庁
For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加
MOSトランジスタのしきい値制御の為に、DDD不純物層形成にリンを用い、DDD不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、MOSトランジスタのしきい値制御とDDD不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁
This gas diffusion electrode consisting of a reaction layer and a gas supply layer is characterized in that the gas supply layer is a structure formed by diffusing hydrogen peroxide decomposing catalyst particulates into the structure consisting of hydrophobic carbon black and fluororesin and having gas permeability.例文帳に追加
反応層とガス供給層とからなるガス拡散電極において、ガス供給層が、疎水性カーボンブラックとフッ素樹脂から成るガス透過能を有する組織中に過酸化水素分解触媒微粒子を分散させた構造体であることを特徴とするガス拡散電極。 - 特許庁
The fuel cell 100 includes: an electrolyte membrane 10; a catalyst layer 20 containing platinum or a platinum alloy; a gas diffusion layer 30; and platinum ion trapping layers 40 and 42 for trapping platinum ions eluted from the platinum or the platinum alloy contained in the catalyst layer 20.例文帳に追加
燃料電池100は、電解質膜10と、白金または白金合金を含む触媒層20と、ガス拡散層30と、触媒層20に含まれる白金または白金合金から溶出した白金イオンを捕捉するための白金イオン捕捉層40,42と、を備える。 - 特許庁
By improving the planarity of the boundary between the silicon compound layer 12i and P-type source/drain diffused layer 12g in such a way, the increase in junction leakage current caused by the diffusion of Co atoms in the MOSFET against which the depth reduction of the diffused layer 12g is contrived is controlled.例文帳に追加
こうして、シリコン化合物層12iの、P型ソース/ドレイン拡散層12gとの界面の平坦性を向上することで、拡散層の深さの低減が図られるMOSFETでの、Co原子の拡散にともなう、接合リーク電流の増大を制御する構成となっている。 - 特許庁
A p^++-type first diffused layer 11 is formed on the surface of an n^--type semiconductor substrate 10 by diffusing a p-type impurity, and an n-type fourth diffused layer 14 shallower than the first diffusion layer 11 is formed on the surface of the substrate 10 by diffusing an n-type impurity.例文帳に追加
N^−型半導体基板10の表面にP型不純物の拡散によって、P^++型の第一拡散層11が形成され、基板10の表面にN型不純物の拡散によって、第一拡散層11より浅いN型の第四拡散層14が形成される。 - 特許庁
The room lamp for the vehicle is provided with the light source for emitting the collected light; a modulated light layer being a modulated light layer provided on a light emitting side of the light source and controlled with light diffusion property by an applied voltage; and a light-permeation cover arranged on the modulated light layer.例文帳に追加
集光された光を放出する光源と、 前記光源の光放出側に設けられる調光層であって、印加電圧によって光拡散性が制御される調光層と、 前記調光層上に配置される光透過性カバーと、を備える、車両用ルームランプ。 - 特許庁
In addition, the impeding portions 8 in the gas passage layer 6a on the side of an anode side catalyst electrode 4a and the impeding portion 8 in the gas passage layer 6b on the side of a cathode side catalyst electrode 4b are disposed at a position mutually offset in the direction along the face in contact with the diffusion layer 5.例文帳に追加
さらに、アノード側触媒電極4a側のガス流路層6a内における阻害部8とカソード側触媒電極4b側のガス流路層6b内における阻害部8とを拡散層5に接触する面に沿った方向において互いにオフセットされた位置に配置する。 - 特許庁
The adhesion between the current collector and the active material layer is improved without forming the diffusion layer between the current collector and the active material layer, thereby obtaining the electrode compatible with suppression of deformation of an electrode plate and exfoliation of the active material due to charge and discharge reactions of a battery.例文帳に追加
これによって、集電体と活物質層間に拡散層を形成することなく、集電体と活物質層間の密着性が向上し、電池の充放電反応による極板の変形及び活物質の剥離の抑制を両立した電極を得ることが可能となる。 - 特許庁
In the method for manufacturing a reaction layer raw material or a gas supply layer raw material of the gas diffusion electrode, gas diffusion electrode materials except PTFE(polytetrafluoroethylene) are dispersed into an organic solvent which is immiscible with water, the dispersed liquid is mixed with PTFE dispersion and is subjected to ultrasonic irradiation or violent agitation and shaking to mix and disperse PTFE fine particles with the gas diffusion electrode materials in the organic solvent.例文帳に追加
PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)以外のガス拡散電極材料を水と混合しない有機溶媒に分散させ、その分散液にPTFEディスパージョンを添加し、超音波照射又は激しく攪拌、振とうすることによりPTFE微粒子を有機溶媒中の前記ガス拡散電極材料と混合、分散することを特徴とするガス拡散電極の反応層原料又はガス供給層原料の製造方法。 - 特許庁
This semiconductor device wherein the diffusion region of an impurity is formed comprises a silicon substrate, a silicon oxide film formed on the silicon substrate except a part on the diffusion region of the impurity, a polysilicon layer formed on the silicon substrate without the silicon oxide film and on the silicon oxide film, and an impurity film formed on the polysilicon layer and containing the impurity diffused in the diffusion region by heat treatment.例文帳に追加
不純物の拡散領域が形成される半導体素子において、シリコン基板と、このシリコン基板の不純物の拡散領域の上の部分以外に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜が形成されていないシリコン基板上及び前記シリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層上に形成され熱処理により前記拡散領域に拡散させる前記不純物を含有する前記不純物膜とを備える。 - 特許庁
A catalyst layer 2 composed of catalyst support particles 21 and a catalytic noble metal 22 is formed on the outer surface 141 introducing the gas to be measured of the porous diffusion resistance layer 14 and a plurality of protective layers (first protective layer 3 and second protective layer 4) comprising oxide particles 31 and 41 respectively different in average particle size, are formed on the catalyst layer 2.例文帳に追加
多孔質拡散抵抗層14における被測定ガスを導入する外表面141上には、触媒担持粒子21と触媒貴金属22とからなる触媒層2が形成されており、触媒層2上には、それぞれ平均粒径の異なる酸化物粒子31、41からなる複数の保護層(第1保護層3、第2保護層4)が多層形成されている。 - 特許庁
The gas diffusion media is made by: preparing an aqueous dispersion liquid composed by containing a powder resin, a binder material, and a fiber material composed by including carbon fibers, graphite fibers and those combinations; forming a layer of the dispersion product on a carrier; removing water from the layer to form a fiber layer; molding the fiber layer; and carbonizing or graphitizing the molded layer.例文帳に追加
ガス拡散媒体は、樹脂粉末、結合剤材料、及び炭素繊維とグラファイト繊維とそれらの組み合わせを含んでなる繊維材料を含んでなる水性分散液を調製し、担体上に該分散物の層を形成し、該層から水を除去して繊維層を形成し、該繊維層を成形し、そして該成形層を炭化又はグラファイト化することにより作製される。 - 特許庁
意味 | 例文 (999件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|