「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

A p^+-diffusion layer 7 is arranged in the n-well 2 near a portion wherein directions of the VDD wiring 1 and the substrate bias VDD2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the VDD wiring 1 via a contact.例文帳に追加

Ｐ＋拡散層７が、ＶＤＤ配線１と基板バイアスＶＤＤ２配線５方向が交差する部分の近傍におけるＮウェル２内に配され、ＶＤＤ配線１とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for an AlGaInP semiconductor light-emitting device in which the planarity of surface of the epitaxial wafer is improved, by suppressing the generation of crystal defects in a current diffusion layer of the epitaxial wafer for the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

半導体発光素子用エピタキシャルウェハの電流拡散層における結晶欠陥の発生を抑制し、該エピタキシャルウェハの表面平坦性を向上させたAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The resistive element comprises two or more kinds of electric conduction layers containing an electric conductive film 4 and a diffusion layer 5, and a position specifier 4a for specifying a region to the semiconductor substrate 1 consisting of the same material as the electric conductive film.例文帳に追加

抵抗素子は、導電膜４と拡散層５を含む２種類以上の導電層と、導電膜と同一材料により構成され、半導体基板１に領域を規定する位置規定部４ａとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the characteristics change of a semiconductor substrate due to impurity diffusion and reducing the electrical resistance of a wiring layer, and to provide a solid-state imaging element and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散による半導体基板の特性変化を防止し、且つ配線層の電気抵抗を低減することができる半導体装置、固体撮像素子、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a P-type upper separation area 29 is formed in the epitaxial layer 21 by thermal diffusion, and the upper separation area 29 and a lower separation area 22 are coupled to form a separation area 30.例文帳に追加

その後、熱拡散を行うことにより、エピタキシャル層２１の中にＰ型の上分離領域２９が形成され、この上分離領域２９と下分離領域２２とは連結されて分離領域３０が形成される。 - 特許庁

To obtain a gas feed layer-metallic porous body joined body by tightly joining a metallic porous body to a porous sheet of fibrillated PTFE and to obtain a gas diffusion electrode using the joined body and having a long service life and high performance.例文帳に追加

金属多孔体とフィブリル化ＰＴＦＥ多孔体シートを強固に接合したガス供給層と金属多孔体との接合体、及びこれを用いた長寿命で高性能のガス拡散電極を提供する。 - 特許庁

To dispense with a correction of a wiring layer mask excluding necessary masks for essential correction, and to prevent extension of a diffusion period of time and the increasing of the expense for the mask, upon changing the mask accompanied by the addition of functions or the correction of bug.例文帳に追加

機能追加やバグ修正に伴うマスク変更を行う際、本来の修正に必要なマスク以外の配線層マスクの修正が必要とならず、拡散期間延長、マスク費の増大を防止する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof, where the memory device is high in W/E(writing/erasing) reliability, and the source diffusion layer of a memory cell is protected against damage when a source wiring is formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

自己整合によるソース配線の形成の際にメモリセルのソース拡散層にダメージがなく、Ｗ／Ｅ信頼性の良好な、不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To visualize a structure of each layer of a cardiac muscle in a three-dimensional manner based on diffusion information of MRI to obtain clinically and biologically meaningful information on a heart, such as a torsional state of the cardiac muscle, a relative position of layers, or the like.例文帳に追加

ＭＲＩの拡散情報に基づいて心筋の各層の構造を３次元的に可視化し、心筋のねじれ具合や各層の相対位置など、臨床的、生物学的に意味のある心臓の情報を取り出す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which prevent the delamination of interlayer insulating films and the diffusion of copper to the surroundings of the inter-layer insulating films while giving the interlayer insulating films a lower dielectric constant.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

An input/output pad 3 is formed on a substrate in an active region 1 with a transistor, a wiring and the like, which are formed of hierarchies, such as a diffusion layer 11, wiring layers 8, 8' and 8", contacts 9 and an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

基板上に拡散層１１、配線層８，８’，８”、コンタクト９、層間絶縁膜１０等の階層によりトランジスタや配線等が形成された能動領域１上に入出力パッド３を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the high conductivity region 18 is surrounded by a P-type diffusion layer 40, and there is no spherical bonding.例文帳に追加

更に、高導電領域１８は、Ｐ型の拡散領域４０によって囲まれており、球状接合が無く、高導電領域１８内に広がる空乏層は、高導電領域１８の内側に向けて伸びるようになっている。 - 特許庁

A structure of a bonding pad for a copper metallized integrated circuit comprises a first barrier metal layer deposited on a surface of a non- oxidative copper having a copper diffusion coefficient at 250°C of lower than 1×10E-23 cm2/s and a thickness of about 0.5 to 1.5 μm.例文帳に追加

この構造は、銅拡散係数が２５０℃において１×１０Ｅ−２３ｃｍ^2／ｓ未満、厚さが約０．５から１．５μｍである、非酸化銅表面上に堆積させた第１のバリア金属層を含む。 - 特許庁

The diffusion rate determining layer 6 is disposed in contact with the opposite surface 1B of the solid electrolyte substrate 1, and the ceramic board 7 is disposed so as to form a space 14 between the solid electrolyte substrate 1 and the atmospheric poles 2, 4.例文帳に追加

拡散律速層６は、固体電界質基板１の反対面１Ｂに接して配設され、セラミック板７は、固体電解質基板１および大気極２，４との間に空間１４を形成するように配設される。 - 特許庁

A surface to become an outer surface of the positive electrode can has Ni not less than 12 g/m2, and it is desirable that the Fe-Ni diffusion layer is formed at a part of this Ni in order to give a good corrosion resistance to the outer surface.例文帳に追加

正極缶外面になる面は、１２ｇ／ｍ^2 以上のＮｉを有し、このＮｉの一部がＦｅ−Ｎｉ拡散層を形成していることが、外面に良好な耐食性を付与するために望ましい。 - 特許庁

It is not necessary to form the embedded low-concentration impurity region by impurity diffusion in addition to the low-concentration semiconductor layer, the heat treatment temperature can be lowered relative to a conventional one in this case, and a high withstand voltage can be provided.例文帳に追加

また低濃度半導体層に追加して不純物拡散による埋め込み低濃度不純物領域を設けてもよく、この場合は従来より熱処理温度を短縮し、高い耐圧を得ることができる。 - 特許庁

The interval d between the LCD 1 and the front light guide 2 can be reduced to the level equivalent to the film thickness of the resin layer 5 and reflection and diffusion of light between the LCD 1 and the front light guide 2 can be suppressed.例文帳に追加

ＬＣＤ１とフロントライトガイド２の間隔ｄを樹脂層５の膜厚と同等まで小さくすることができ、ＬＣＤ１とフロントライトガイド２の間において光が反射、拡散することを抑止できる。 - 特許庁

(7) The separator is made of metal formed by superposing a corrugated plate 18a and a flat plate 18b one on the other, of which, the corrugated plate 18a is in contact with the gas diffusion layer, smoothly bent without forming corners.例文帳に追加

（７）セパレータはメタルセパレータであり、波板１８ａと平板１８ｂとを重ねて形成されており、波板がガス拡散層に接触しており、波板１８ａは角を形成せずに滑らかに湾曲している。 - 特許庁

Thus, when the transfer transistor TXL is driven by the intermediate voltage VM, signal charges to be leaked from the photoelectric conversion element PD to the floating diffusion layer FD are increased, to thereby reduce the sensitivity of the logarithm characteristic part.例文帳に追加

よって、転送トランジスタＴＸＬを中間電圧ＶＭで駆動させた場合、光電変換素子ＰＤから浮遊拡散層ＦＤに漏れ出る信号電荷は多くなるため、対数特性部の感度が下がる。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。 - 特許庁

A reflection preventing film constituted of a silicon oxide film 27 and a silicon nitride film 28 is formed on the n type diffusion layer 24, and each film thickness is set so that reflectivity can be minimized for the wavelength of incident light.例文帳に追加

ｎ型拡散層２４上には、シリコン酸化膜２７およびシリコン窒化膜２８で成る反射防止膜を形成し、入射光の波長に対して反射率が最小になるように各膜厚を設定する。 - 特許庁

To form a membrane electrode assembly (MEGA) with a microporous layer (MPL) enhancing flooding resistance while ensuring sufficient gas diffusion, and to provide a technique uniformizing the reaction inside the electrode surface.例文帳に追加

十分なガス拡散性を確保しつつ、耐フラッディング性を向上させた微多孔質層（マイクロポーラス層：ＭＰＬ）付き膜電極接合体（ＭＥＧＡ）を形成し、これにより電極面内の反応を均一化する技術を提供する。 - 特許庁

A cut-out part 32 is provided to be positioned between an oxidant gas inlet communication hole 20a and a fuel gas inlet communication hole 22a, in an upper side of a gas diffusion layer 30a constituting the anode side electrode 30.例文帳に追加

アノード側電極３０を構成するガス拡散層３０ａの上辺に、酸化剤ガス入口連通孔２０ａ及び燃料ガス入口連通孔２２ａの間に位置して切り欠き部３２が設けられる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a method of manufacturing the same, wherein diffusion of an impurity of high concentration included in a silicon substrate into an epitaxial layer is suppressed in a heat treatment process for forming a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス形成時の熱処理プロセスにおいて、シリコン基板に含まれる高濃度の不純物がエピタキシャル層に拡散するのを抑制することができるエピタキシャルウェーハ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

An air diffusion pipe 27 having an exhaustion control valve (float valve 33C) is provided on the aerator body 24 moored on the bottom 1 of a dam lake or the like and circulating bottom layer water near the bottom 1 by aeration.例文帳に追加

ダム湖等の湖底１に係留されて、湖底１付近の深層の水をエアレーションにより循環させる曝気本体２４の上部に、排気調整弁（フロート弁３３Ｃ）を有する散気管２７を設けている。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a solid electrolyte secondary cell formed on a semiconductor substrate (a), and the semiconductor substrate (a) located beneath the solid electrolyte secondary cell is equipped with a diffusion layer (g) doped with N-type impurities.例文帳に追加

半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、固体電解質二次電池直下の半導体基板ａがＮ型の不純物をドープした拡散層ｇを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can stably form a low-resistant nickel silicide film without increase of junction leakage current in a diffusion layer area containing an arsenic dopant densely.例文帳に追加

高濃度で砒素不純物を含有する拡散層領域における接合リーク電流の増大なく、低抵抗なニッケル珪化物膜を安定性よく形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film laminate and an interface detection method capable of detecting accurately interface information, even when a physical irregularity and an intermediate layer due to diffusion of a constitutive element exist in the interface.例文帳に追加

界面に物理的な凹凸や構成元素の拡散による中間層が存在する場合であっても、界面情報を正確に検出することが可能な薄膜積層体及び界面検出方法を提供すること。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 32, an opening 33 for embedded wiring is etched for forming, while the opening 33 for embedded wiring is laid from the upper part of the diffusion layer 24 to the upper part of the element isolation insulating film 13, and a tungsten film 43 is embedded.例文帳に追加

層間絶縁膜３２に、埋め込み配線用の開口３３を拡散層２４上から素子分離絶縁膜１３上にまたがるようにエッチングにより形成し、タングステン膜４３の埋め込みを行う。 - 特許庁

Hydrogen gas diffusing to the fuel diffusion layer 13 from the fuel passage 18 is efficiently humidified in the conduit 21 high in steam concentration, and steam is uniformly dispersed to the flat positions of the openings 20 in the form of a plane.例文帳に追加

燃料流路１８から燃料拡散層１３へ拡散する水素ガスは、水蒸気濃度の高い溝２１にて効率的に加湿されて、開口部２０の平面位置まで水蒸気を面状に均一に分散させる。 - 特許庁

In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板１１の上部にＰ型チャネル拡散層１２を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a heavily doped n type diffusion region 10 is formed on the surface of a region of the lightly doped n type epitaxial layer 3 where the p type well 4 is not formed and connected electrically with a power supply voltage.例文帳に追加

更に、前記低濃度ｎ型エピタキシャル層３の前記ｐ型ウェル４が形成されていない領域表面に、高濃度ｎ型拡散領域１０を形成し、これを電源電圧と電気的に接続した。 - 特許庁

A gas diffusion layer 4 is formed on the outside surface of a membrane electrode assembly (MEA) 3 in mirror surface symmetry of a gas passage 6, and capable of housing in the gas passage 6 when a separator 2 is arranged on the outside of the MEA 3.例文帳に追加

ガス拡散層４を、膜電極接合体３の外側表面に、ガス流路６の鏡面対称形状に設け、ＭＥＡ３の外側にセパレータ２を配置した際、ガス流路６内に収納可能とする。 - 特許庁

To provide a hydrogen ion conductive polymer electrolyte fuel cell capable of raising battery voltage by improving gaseous diffusion property of a catalyst layer and maintaining the high battery voltage over a long time.例文帳に追加

触媒層のガス拡散性をよくすることによって、電池電圧を高くし、かつ長時間にわたって、その高い電池電圧を維持することのできる水素イオン伝導性高分子電解質型燃料電池を提供する。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17a having a relatively shallow junction while both sides are held by p-type source/drain regions 16a is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15a.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ａ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ａに挟まれ、相対的に接合深さの浅いＮ型しきい値制御拡散層１７ａが形成されている。 - 特許庁

In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。 - 特許庁

A surface modified layer is formed by injecting injection powders containing a reinforcing element diffusion-permeated into the piston to enhance the strength, onto the Al-Si alloy-based piston obtained by casting and forging, under a prescribed condition.例文帳に追加

鋳鍛造により得たAl-Si合金系ピストンに，該ピストンに拡散浸透して強度を向上させる強化元素を含有する噴射粉体を，所定条件で噴射して衝突させて表面改質層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the fuel cell has a process of forming a diffusion layer by polymerization of a compound having phosphoric acid group in a liquid containing at least a porous body and a nonionic copolymer.例文帳に追加

燃料電池の製造方法は、少なくとも、多孔質体及び非イオン性共重合体を含有する液体中でリン酸基を有する化合物を重合することにより拡散層を形成する工程を有する。 - 特許庁

To improve conduction of a bipolar pole plate, especially, at its surface region and, thereby, minimize the contact resistance between the bipolar pole plate and a gas diffusion layer in the fuel cell assembly.例文帳に追加

双極極板の導電性を特にその表面領域で向上させそしてそれによって燃料電池組立物中の双極極板とガス拡散層との間の接触抵抗を最小化するこである。 - 特許庁

And a potential varied linearly or natural logarithmically by the embedded type photo diode PD is transmitted to a N type suspended diffusion layer FD and outputted as an image signal through MOS transistors T3, T4.例文帳に追加

そして、埋込型フォトダイオードＰＤで線形的又は自然対数的に変化したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに転送し、ＭＯＳトランジスタＴ３，Ｔ４を通じて映像信号として出力する。 - 特許庁

To reduce a transistor in parasitic resistance in a state of realizing shallow junction of an emitter base, in a method of manufacturing a bipolar transistor whose emitter diffusion layer is formed by diffusing impurities from an emitter polysilicon electrode.例文帳に追加

エミッタポリシリコン電極からの不純物拡散によってエミッタ拡散層を形成するバイポーラトランジスタの製造方法において、エミッタベースの浅接合を実現した状態でトランジスタの寄生抵抗を低減させる。 - 特許庁

After forming a separated insulating area 24 in the trench, As and P are diffused into the semiconductor substrate 11 by heat treatment and the storage node electrode is connected to the diffusion layer of the transfer gate transistor.例文帳に追加

次に、トレンチに分離絶縁領域２４を形成した後、熱処理によりＡｓとＰを半導体基板１１内に拡散させて、前記ストレージノード電極と前記トランスファーゲートトランジスタの拡散層とを接続する。 - 特許庁

The anisotropic light diffusion film for LED lighting has a layer formed of a resin composition containing (A) a cyclic olefin system resin 70-90 wt.% and a polyethylene resin 10-30 wt.%.例文帳に追加

（Ａ）環状オレフィン系樹脂７０〜９０重量％及びポリエチレン樹脂１０〜３０重量％を含む樹脂組成物から形成される層を有するＬＥＤ照明用異方性光拡散フィルムである。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 41 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on an n-type diffusion layer 40 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＮ型の拡散層４０上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４１が形成されている。 - 特許庁