「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

The filter for display device comprises: a filter base 270; an external light-shielding layer 230 which comprises a base substrate 234 made of transparent resin and light-shielding patterns 236 spaced from one another at predetermined intervals on one surface of the base substrate 234; and a diffusion layer 280 which diffuses light supplied from a panel assembly.例文帳に追加

表示装置用フィルタは、フィルタベース２７０と、透明樹脂材質の基材２３４と、基材２３４の一面に一定周期で互いに離隔して形成された遮光パターン２３６を備える外光遮断層２３０と、パネルアセンブリから供給された光を拡散させる拡散層２８０とを含む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a plurality of memory cell portions 11 arranged in a matrix structure in a semiconductor substrate 10, a plurality of bit lines 12, each consisting of a diffusion layer extended in the column direction, a buried insulation film 16, a plurality of word lines 13 which are formed on the buried insulation layer 16 and are extended in the row direction.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板１１に行列状に配置された複数のメモリセル部１１と、列方向に延びる拡散層からなる複数のビット線１２と、埋め込み絶縁膜１６と、埋め込み絶縁膜１６の上に形成され、行方向に延びる複数のワード線１３とを備えている。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１において、ゲート電極１５、ソース電極９およびドレイン電極５と、半導体基板1ａとの間に電位を印加して、半導体基板1ａとウェル３との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域４にまで到達しない。 - 特許庁

To provide a power generation cell of a fuel battery in which the thickness of a solid electrolyte layer can be made thin by leaps and bounds than a conventional one without causing cracks, and power generation efficiency can be improved remarkably, and at the same time, reverse diffusion of air of the surrounding to the fuel electrode layer side can be prevented.例文帳に追加

固体電解層を、割れを生じることなくその厚さを従来よりも飛躍的に薄くすることができ、よって発電効率を一段と向上させることが可能になるとともに、同時に周囲の空気の燃料極層側への逆拡散を防止することができる燃料電池の発電セルを提供する。 - 特許庁

The following embodiments are preferable, namely, that the image receiving layer is formed on the supporting body having ≥2% regular reflectance of its surface at least both at 440 nm and at 560 nm wavelength, and that the regular reflectance at 440 nm on the surface of the image receiving layer is ≥3/100 with respect to the diffusion reflectance.例文帳に追加

少なくとも、４４０ｎｍにおける表面の正反射率、及び、５６０ｎｍにおける表面の正反射率が、共に２％以上である支持体上に、受像層が形成された態様、受像層表面の４４０ｎｍにおける正反射率が、拡散反射率に対し３／１００以上である態様等が好ましい。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electrode for a lithium secondary battery, having high discharge capacity and high charge/-discharge characteristics, by properly controlling a diffusion state of components of a current collector into an active material layer, when forming an active material layer comprising a plurality of layers on both surfaces of the current collector.例文帳に追加

集電体の両面に複数の層からなる活物質層を形成する場合に、集電体の成分の活物質層への拡散状態を適切に制御することによって、放電容量が高く、かつ、良好な充放電特性を得ることが可能なリチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a gas diffusion layer for the fuel cell contains (a) a process filling an evanescent material into the conductive porous substrate; (b) a process forming the covering layer containing conductive particles on the conductive porous substrate; and (c) a process removing the evanescent material, in order of the processes (a) to (c).例文帳に追加

（ａ）導電性多孔質基材に消失性物質を充填する工程と、（ｂ）前記導電性多孔質基材に導電性粒子を含む被覆層を形成する工程と、（ｃ）前記消失性物質を除去する工程とを、工程（ａ）〜（ｃ）の順に含むことを特徴とする燃料電池用ガス拡散層の製造方法。 - 特許庁

Thus, the laser beam condensing property is enhanced on the layer immediately above the electrode 6, and thereby the degree of diffusion of laser beams penetrating the layer is enhanced, the energy density of the laser beams applied to the electrode 6 can be reduced, and any damage to the electrode 6 held by a TFT substrate 1 and the opposing substrate 2 can be prevented.例文帳に追加

そのため、電極６の直上の層においてレーザ光の集光性が向上されることで、当該層を透過したレーザ光の拡散度合いが向上し、電極６に照射されるレーザ光のエネルギー密度を低下でき、ＴＦＴ基板１および対向基板２に挟まれた電極６の損傷を防止できる。 - 特許庁

Thereby, the maximum ice crystal generation temperature zone where the growth of ice is most accelerated can be passed in a short time, whereby the catalyst layer, the gas diffusion layer, the electrolyte membrane or an interfacial structure thereof constituting the MEA can be restrained from being deteriorated or damaged by the growth of ice.例文帳に追加

こうすることで、氷の成長がもっとも促進される最大氷結晶生成温度帯を短時間で通過させることができるため、ＭＥＡを構成する触媒層やガス拡散層、電解質膜あるいはこれらの界面構造が氷の成長によって劣化、損傷することを抑制することができる。 - 特許庁

The metal oxide thin film for CIGS-based solar cell is a metal oxide thin film for use in the alkaline control layer of a CIGS-based solar cell, and ensures excellent adhesion of a soda-lime glass substrate containing a Nb-based oxide as a main component and a back electrode layer, and excellent controllability of alkaline diffusion.例文帳に追加

本発明はＣＩＧＳ系太陽電池のアルカリ制御層に用いられる金属酸化物薄膜であって、Ｎｂ系酸化物を主成分とすることに要旨を有するソーダライムガラス基板と裏面電極層との密着性、及びアルカリ拡散制御性に優れたＣＩＧＳ系太陽電池用金属酸化物薄膜である。 - 特許庁

In the fresnel lens sheet, many saw-tooth fresnel lenses constituted of a fresnel lens surface 4 having the function of a convex lens and a rise surface 5 positioned between adjacent fresnel lens surfaces are arranged, and antireflection processing 7 is applied on the fresnel lens surface, and a light diffusion layer 6 or a light absorbing layer is arranged on the rise surface.例文帳に追加

凸レンズの機能を奏するフレネルレンズ面４と、隣り合うフレネルレンズ面の間に位置するライズ面５とによって構成された鋸歯状のフレネルレンズが多数配列されており、該フレネルレンズ面に反射防止処理７が施され、該ライズ面には光拡散層６または光吸収層が設けられているフレネルレンズシート。 - 特許庁

In the gaps formed when an ion conductive compound with a catalyst layer for becoming the hydrogen ion reaction part, a current collecting plate separator, a gas diffusion layer, and a gasket material are assembled, an expansion material of which the volume is increased by heating or a resin composition containing a foaming agent are arranged in advance before assembling.例文帳に追加

水素イオン反応部分となる触媒層付きのイオン伝導性化合物、集電板セパレーター、ガス拡散層及びガスケット材を組立てたときに出来る隙間に、組立て前にあらかじめ、加熱により体積が増加する膨張材もしくは発泡剤を含有した樹脂組成物を配置しておく。 - 特許庁

The total sum value of impurities of yttrium(Y), hafnium(Hf), zirconium(Zr) and thorium(Th) is suppressed to 30 ppb or less, that is contained in diffusion prevention layer material 2 composed of Ta or Ta based alloy layer which prevents for low melting metals contained in compound series superconductive wire to diffuse into a stabilizer material 3.例文帳に追加

化合物系超電導線に含まれる低融点金属が熱処理などにより安定化材３に拡散することを防止するＴａまたはＴａ基合金からなる拡散防止層用材２中に含まれる不純物、イットリウム（Ｙ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）およびトリウム（Ｔｈ）の合計値を３０ｐｐｂ以下に抑える。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子１は、ｐ型シリコン基板１０に、２箇所の不純物拡散領域１１とゲート電極１３およびゲート絶縁層１２から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極１９と上部電極２１とで可変抵抗層２０を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁

To keep excessive water out of an electrode catalyst and keep a polymer electrolyte membrane in an appropriate wet state, by evaporating moisture generated in a catalyst layer swiftly in a gas diffusion layer to efficiently drain it out of a cell.例文帳に追加

高分子電解質型燃料電池において、触媒層で生成した水分を速やかにガス拡散層で蒸発させて電池外に効率的に排出することにより、電極触媒中に過剰な水が滞留することなく、しかも高分子電解質膜が適度な湿潤状態に保たれるようにすることである。 - 特許庁

In this case, the organic electron donor layer is made two to five times in thickness the exciton diffusion length of the organic electron donor forming the organic electron donor layer.例文帳に追加

少なくとも、有機電子供与体層と電子受容体層とから形成されるヘテロ接合を有する光電変換層と、この光電変換層を挟持する一対の電極とを備える有機太陽電池において、前記有機電子供与体層の厚さを、これを構成する有機電子供与体の励起子拡散長の２〜５倍とする。 - 特許庁

To provide a technology for shortening such a time as the resistance between main electrodes becomes the on resistance under steady state when transition is made from off state to on state in a semiconductor device having an impurity diffusion region of a conductivity type different from that of a drift layer within a range surrounding the footprint of a trench in the drift layer.例文帳に追加

ドリフト層内においてトレンチの底面を取り囲む範囲に、ドリフト層とは異なる導電型の不純物拡散領域を備えている半導体装置の、オフ状態からオン状態に移行する際の主電極間の抵抗が定常状態のオン抵抗となる時間を短縮化する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device for flip chip and its manufacturing method improved in a luminance characteristic and a driving voltage characteristic capable of reducing an adhesion defect and improving the luminance characteristic by improving adhesiveness between a p metal layer and a p-type nitride semiconductor layer, reflection efficiency, current diffusion efficiency, and contact resistance.例文帳に追加

pメタル層とp型窒化物半導体層間の密着性と、反射効率及び電流拡散効率と、接触抵抗とを改善することにより、輝度及び駆動電圧特性の向上されたフリップチップ用窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関し、密着力不良を減少し、輝度特性を改善する。 - 特許庁

When an excessive positive surge voltage is generated at a source electrode 16 of a semiconductor device 20, a parasitic diode 27 including parasitic diodes 25 and 26 plus the high-concentration diffusion layer 13 and electrode extraction layer 14 as current paths is turned on, which causes a ESD current to escape from the source electrode 16 toward the drain electrode 17.例文帳に追加

半導体装置２０のソース電極１６に過大な正のサージ電圧が生じると、寄生ダイオード２５，２６に加えて、高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４を経路として含む寄生ダイオード２７がオンしてソース電極１６側からドレイン電極１７側にＥＳＤ電流を逃がす。 - 特許庁

By forming a first layer metal film 3a to improve close contact with a substrate, a second metal film 3b to prevent diffusion, a third layer metal film of low resistance, and a fourth metal film 3d for protection, it is possible to achieve low-resistance and low-capacitance wiring and electrodes for external connection.例文帳に追加

基板との密着性を向上させる第１層金属膜３ａ、拡散を防止する第２金属膜３ｂ、低抵抗の第３層金属膜３ｃおよび保護のための第４金属膜３ｄを形成することで、低抵抗かつ低静電容量の配線および外部接続用電極が達成できる。 - 特許庁

To provide a method of circulating coating liquid, which is optimum for long term continuous production by stably keeping a diffusion state of conductive particles and insulation particles in circulation of the coating liquid when forming a surface layer on an outer periphery of the elastic body layer of a conductive rubber roller for electrophotography by a dipping coating method.例文帳に追加

電子写真用導電性ゴムローラの弾性体層の外周面上に浸漬塗工法により表面層を形成する際の塗工液の循環時における導電性粒子や絶縁性粒子の分散状態を安定に保ち、長期間の連続生産に最適な塗工液の循環方法を提供する。 - 特許庁

After a protective film 6 has been formed on the first insulation film 4 in the DRAM circuit region 11 and on the logic circuit region 12, except a prescribed region 51 of the diffusion layer 5 formed on the periphery of a specified gate electrode 3a, a silicide layer 7 is formed above the prescribed region 51 by salicide method.例文帳に追加

ＤＲＡＭ回路領域１１に形成された第１の絶縁膜４上と、所定のゲート電極３ａの周辺に形成された拡散層５の所定領域５１を除いたロジック回路領域１２上に、保護膜６を形成した後、所定領域５１の上部にシリサイド層７をサリサイド法により形成する。 - 特許庁

A water channel 31 is provided at least at either an electrolyte film 3, a catalyst layer 33, or a water-repellent material on the surface of or inside a diffusion layer, and water is moved from a part with a comparatively wet state to a part with a comparatively dry state via the water channel 31 to aim at uniformalizing a water volume in an inside face direction.例文帳に追加

電解質膜３、触媒層３３、拡散層の表面又は拡散層内部の撥水性材料の少なくとも一つに水路３１を設け、この水路３１を介して比較的湿潤状態の部分から比較的乾燥状態の部分へ水を移動させて、面内方向の水分量の均一化を測る。 - 特許庁

The woven or knitted fabric in the multilayer-structure having the excellent water absorption and diffusion evaporative property, includes an infrared-absorbing fiber having >1 dtex single fiber fineness at least in a back surface layer, and a fiber having ≤1 dtex single fiber fineness in a front surface layer.例文帳に追加

多層構造織編物であって、少なくとも裏面層に単繊維繊度が１ｄｔｅｘより大の赤外線吸収性繊維が含まれており、かつ表面層に単繊維繊度１ｄｔｅｘ以下の繊維が含まれることを特徴とする吸水性と拡散蒸発性に優れる多層構造織編物。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

Select gate lines exposed to open side walls at a bit line contact position and a source line contact position are covered with an insulating film for ion implantation, and a first conductive diffusion layer is formed for bit line contact and source line contact.例文帳に追加

ビット線コンタクト位置及びソース線コンタクト位置の開口側壁に露出した選択ゲート線を絶縁膜で覆った状態でイオン注入を行って、ビット線コンタクト及びソース線コンタクト用の第１導電型拡散層を形成する。 - 特許庁

Each of the capacitors at both ends of the active region 40 has an impurity diffusion layer in the inner wall of the isolation trench 2 (the side wall of the active region 40) as the storage electrode, and the N type conductive film 4n in the isolation trench 2 as the cell plate electrode.例文帳に追加

活性領域４０の両端のキャパシタは、分離トレンチ２の内壁（活性領域４０の側壁）の不純物拡散層をストレージ電極とし、分離トレンチ２内のＮ型導電性膜４ｎをセルプレート電極とする。 - 特許庁

A reflection sheet 5 is supported by minute projections 6 formed on the diffusion face 2a side of the light guide plate body 1 so as to maintain an air layer 7 which contributes to an optical path between the light guide plate body 1 and the reflection sheet 5.例文帳に追加

導光板本体１の拡散面２ａ側に形成した微小突起６によって反射シート５を支持し、導光板本体１と反射シート５との間に光路に寄与する空気層７を確保するようにする。 - 特許庁

Related to an embedded second layer wiring L2, comprising a conductive barrier film 17a that has barrier properties for diffusion of copper and the main conductor film 18a containing copper as the main component, the upper corners of the main conductor film 18a are made round.例文帳に追加

銅の拡散に対してバリア性を有する導電性バリア膜１７ａおよび銅を主成分とする主導体膜１８ａを有する埋込第２層配線Ｌ２において、主導体膜１８ａの上部角に丸みを形成した。 - 特許庁

To provide a fuel cell system which maintains high reliability by detecting a failure such as a cut (failure) of a gas diffusion layer at early stage in a prestage of occurrence of a failure (gas leakage) accompanying a hole or thinning of a solid polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

固体高分子電解質膜の穴や薄肉化に伴う不具合（ガス漏れ）発生の前段階で、早期にガス拡散層の切れ（不良）等の不具合を検知して、高い信頼性を維持した燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

The diffusion preventing later 21B made of Ti or Ta restrains Li from diffusing into the substrate 21A for the deposition, and prevents a breakage of the substrate 21A for the deposition or an exfoliation of the negative electrode current collector layer 21C.例文帳に追加

拡散防止層２１ＢはＴｉまたはＴａにより構成され、Ｌｉが成膜用基体２１Ａに拡散することを抑制し、成膜用基体２１Ａの破壊あるいは負極集電体層２１Ｃの剥離を防止する。 - 特許庁

In the bubble-containing light diffusion sheet composed of a resin sheet 2 of a single layer, the bubble layers 4 in which bubbles exist along a surface direction are formed in one position or a plurality of positions in the thickness direction and the bubbles have 10 to 60 μm average diameter.例文帳に追加

単層の樹脂シート２からなり、厚さ方向の１箇所または複数箇所に気泡が面方向に沿って存在する気泡層４が形成され、前記気泡の平均径が１０〜６０μｍである含気泡光拡散シートとする。 - 特許庁

This is the fuel cell power generating cell provided with the gas diffusion layer 2 that is a porous body in which water-repellency treatment, oil-repellency treatment, or hydrophilic treatment is applied, and in which a tube part 6 of which the vertical sectional face has a taper shape is formed.例文帳に追加

撥水処理又は撥油処理又は親水処理がなされた多孔質体であり、この多孔質体の内部に縦断面がテーパー状の管部６が形成されているガス拡散層２を備えた燃料電池発電セルである。 - 特許庁

The method is used for producing the metal glass formed body composed of: a metal glass; an insulation film composed of an inorganic oxide covering the metal glass; and a mutual diffusion layer present on the grain boundary between the metal glass and the insulation film.例文帳に追加

金属ガラスと、前記金属ガラスを覆う無機酸化物からなる絶縁皮膜と、前記金属ガラス及び前記絶縁皮膜の界面に存在する相互拡散層と、からなる金属ガラス成形体の製造方法である。 - 特許庁

The edge part of the semiconductor layer (intrinsic region 3) in a current direction is formed into a P+ diffusion region, so the edge part serves as an anode electrode 6 to prevent a current determining the performance of the optical sensor element from flowing through the edge part.例文帳に追加

電流方向における半導体層（真性領域３）のエッジ部分をＰ＋拡散領域にしたので、このエッジ部分がアノード電極６となり、光センサ素子の性能を決める電流がエッジ部分に流れることを防止できる。 - 特許庁

To surely make the concentration of a channel diffusion layer higher while of an explicit short channel effect is suppressed accompanying miniaturization, and to suppress increase of leakage current caused by low threshold voltage and high concentration channel.例文帳に追加

微細化に伴う短チャネル効果の顕在化を抑制しながらチャネル拡散層の濃度を確実に高くできるようにし、且つ低しきい値電圧及び高濃度チャネルに起因するリーク電流の増大を抑制できるようにする。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。 - 特許庁

In a procedure, a diffusion layer voltage Vs on a memory transistor side is changed and the gate voltage Vmg of the memory transistor is changed after the Vs exceeds the specified value Vsx of an intermediate stage regarding the rise and fall of a wordline bias.例文帳に追加

ワード線バイアスの立ち上げおよび立ち下げに関して、メモリトランジスタ側の拡散層電圧Ｖｓを変化させ、Ｖｓがある中間段階の値Ｖｓｘを過ぎた後にメモリトランジスタのゲート電圧Ｖｍｇを変化させる手順とする。 - 特許庁

A step part 40 is formed in a gas diffusion layer 26a composing the electrolyte membrane-electrode assembly 12 by cutting out in the thickness direction, corresponding to a boundary portion between a projection part 30a and a recessed part 30b of the first metallic separator 14.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体１２を構成するガス拡散層２６ａには、第１金属セパレータ１４の凸部３０ａと凹部３０ｂとの境界部分に対応し厚さ方向に切り欠いて段差部４０が設けられる。 - 特許庁

When layout-arranging a compensation capacitance part of a semiconductor device having the internal power supply and the compensation capacitance part supplying power to the internal power supply, a rectangular region of a diffusion layer is arranged in a region configuring the compensation capacitance part.例文帳に追加

内部電源と、該内部電源に電源を供給する補償容量部を有する半導体装置の補償容量部のレイアウト配置の際に、補償容量部を構成する領域に拡散層の矩形領域を配置する。 - 特許庁

Since the surface area of a V-CCD 15 comprising the n- type diffusion layer 15a serving as a charge transfer part is small per unit cell 10, surface area of a photodiode 21 can be increased per unit cell 10.例文帳に追加

このため、電荷の転送部分となるｎ^-型の拡散層１５ａからなるＶ−ＣＣＤ１５の単位セル１０あたりの表面積は小さく、フォトダイオード２１の単位セル１０あたりの表面積を大きくすることができる。 - 特許庁

To suppress an off-current in a cell transistor even if the transistor has a designed size that allows a significant short channel effect to occur, and to suppress a leak current from a joint on the capacitor side diffusion layer of the cell transistor.例文帳に追加

短チャネル効果が顕著に現れるような設計寸法であったとしてもセルトランジスタのオフ電流を抑制することができ、さらにセルトランジスタのキャパシタ側拡散層の接合部におけるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

In the fuel cell, since a diffusion layer is equipped with an easily elastic site in which elastic deformation is easier than in other site in a corresponding site of a flow passage wall of a separator, the dimensional change in the laminating direction of the cell can be absorbed.例文帳に追加

燃料電池において、拡散層が、セパレータの流路壁の対応部位に他の部位よりも弾性変形が容易な易弾性部位を備えることにより、セルの積層方向の寸法変化を吸収することができる。 - 特許庁

An n^+-diffusion layer 8 is arranged in a p-well 4 near a portion wherein wiring directions of the GND wiring 3 and the substrate bias VDD 2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the GND wiring 3 via a contact.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層８が、ＧＮＤ配線３と基板バイアスＶＤＤ２配線５の配線方向が交差する部分の近傍におけるＰウェル４内に配され、ＧＮＤ配線３とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁