「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

In a projecting and recessing diffusion layer 3, intervals between vertexes of projecting parts are 6-20 μm, heights of the vertexes of the projecting parts are randomly arranged and the mean value of differences between the vertexes of the projecting parts and bottom of the recessing parts is specified to be about 0.5 μm.例文帳に追加

凹凸拡散層３は、凸部の頂点の間隔が６μｍから２０μｍで、凸部の頂点の高さがランダムに配置されており、凸部の頂点と凹部の底点との差の平均は約０．５μｍに規定されている。 - 特許庁

Each fluorescent lamp 4 consists of a tubular bulb 15 the inside of which is covered with a film of fluorescent material and white or gray strip of light diffusion layer 18 applied on the external surface of the bulb 15 extending in the direction of the axis of the tube.例文帳に追加

各ランプ４は、内面に蛍光体被膜が設けられた管状をなすバルブ１５と、このバルブの外面に管軸方向に延びて帯状に設けられた白色又は灰色の光拡散性の光拡散層１８とを具備する。 - 特許庁

First and second n-type semiconductor parts 203a and 203b are provided on the surface of the p-type semiconductor layer 202, while a p-type surface diffusion part 206 is provided between the first and second n-type semiconductors 203a and 203b.例文帳に追加

Ｐ型半導体層２０２の表面部分に、第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂをすると共に、この第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂの間に、Ｐ型表面拡散部２０６を備える。 - 特許庁

To provide a glass ceramic wiring board with built-in capacitor capable of suppressing the counter diffusion of a dielectric layer and a glass ceramic laminate, of preventing the lowering of the capacitance of a capacitor formed within the glass ceramic wiring board, and of restraining its dispersion.例文帳に追加

誘電体層とガラスセラミック積層体との相互拡散を抑制し、ガラスセラミック配線基板内に形成したコンデンサの容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制するコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板を提供すること。 - 特許庁

A translucent semi-reflective inorganic thin film layer having 3-50% transmittance and 50-97% reflectance is formed by a dry film forming method on a substrate comprising a plastic film to obtain the objective translucent semi-reflective diffusion film.例文帳に追加

プラスチックフイルムからなる基材の上に、乾式製膜法によって形成した透過率が３〜５０％で、反射率が５０〜９７％の範囲にある半透過性で半反射性の無機薄膜層を設けた半透過半反射拡散フイルム。 - 特許庁

A manufacturing method of an assembly of a fuel cell comprises the steps of preparing an assembly formed by joining a gas diffusion layer on an electrolyte through a catalyst (steps S1, S2), immersing the assembly in an immersing bath in which a solution containing a water-repellent fluorine polymer is stored (step S3), and then drying the assembly (step S4).例文帳に追加

電解質上に触媒を介してガス拡散層を接合した接合体を準備し（ステップＳ１，Ｓ２）、撥水性のフッ素系ポリマーを含む溶液が蓄えられた浸漬槽に浸漬し（ステップＳ３）、乾燥する（ステップＳ４）。 - 特許庁

A flow channel boundary part 52 is formed to the inside of a folded part of the oxidant gas flow channel 46 by notching a gas diffusion layer, and an insulating seal 54 for blocking leak of the reactive gas is formed to the flow channel boundary part 52.例文帳に追加

酸化剤ガス流路４６の折り返し部位内側には、流路境界部５２が、ガス拡散層を切り欠いて設けられるとともに、この流路境界部５２には、反応ガスの洩れを阻止するための絶縁性シール５４が配設される。 - 特許庁

As a gate region is formed of an N+ diffusion layer 11 located under a channel region 14, the surface of the channel region 14 is restrained from increasing in surface roughness by a flattening process, and a thin film transistor is restrained from deteriorating in driving capacity.例文帳に追加

ゲート領域が、チャネル領域４の下にあるｎ^+ 拡散層１１によって形成されているので、平坦化プロセスによってチャネル領域１４の表面粗さが大きくならず、薄膜トランジスタの駆動能力の低下を抑制する。 - 特許庁

Since the liquid containing hydrofluoric acid has pH of 3 or below, etching of crystal surface is suppressed even if the diffusion layer 17 having high donor or acceptor concentration and the poly-Si film 14 are subjected to over etching and the surface is not roughened.例文帳に追加

フッ酸含有液のｐＨが３以下であるので、ドナーやアクセプタの濃度が高い拡散層１７及び多結晶Ｓｉ膜１４に過剰なエッチング処理を施しても、結晶面のエッチングが抑制されて、表面が荒れない。 - 特許庁

When P ions are to be injected, a region other than a region, such as the surface of the N+ diffusion layer where the Co silicide film is hard to be formed is selectively masked by a resist, and P ions are merely injected into the region, where the Co silicide film is hard to be formed.例文帳に追加

Ｐイオンの注入に際しては、Ｎ^＋拡散層上のようにＣｏシリサイド膜を形成しにくい領域以外をレジストにて選択的にマスクし、Ｃｏシリサイド膜を形成しにくい領域にのみＰイオンを注入する。 - 特許庁

This causes the surface texture of a nitrogen diffusion layer 25 undergo plastic flow in a stirring manner, thereby forming an apparently uniform and stable surface texture having a front side surface superficially consisting of a finely irregular surface, on the front surface side of the base material 18.例文帳に追加

これにより、窒素拡散層２５の表面組織を撹拌するように塑性流動させて、表面側が微細な凹凸面からなる見かけ上は均一で安定した表面組織を母材１８′の表面側に形成する。 - 特許庁

To provide a soft magnetic powder material provided with a coated layer having high barrier properties to the diffusion of elements to iron powder grains, to provide its production method, to provide a soft magnetic compact using the soft magnetic powder material, and to provide its production method.例文帳に追加

鉄粉粒子への元素拡散に対するバリヤ性が高い被覆層をもつ軟磁性粉末材料およびその製造方法、ならびにその軟磁性粉末材料を用いた軟磁性成形体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a mixing process, a PTFE emulsion is added as a water-repellent resin 4 to the container, and mixing is carried out using the rotating and revolving mixer again (step S3) so as to obtain the water-repellent paste 1 for the gas diffusion layer.例文帳に追加

そして、混合工程として、この容器に、撥水性樹脂４としてのＰＴＦＥエマルジョンを添加し、再び自転公転ミキサーを用いて混合を実施することによって（ステップＳ３）、ガス拡散層用撥水ペースト１が得られる。 - 特許庁

To provide a resin composition for producing a biochip, capable of forming a resin composition layer having excellent diffusion-controlling ability of an acid generated by light exposure even when the exposure value is little, and to provide a method for producing the biochip by using the resin composition.例文帳に追加

露光量が少ない場合にも、露光により発生された酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成できるバイオチップ製造用樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a carbon fiber woven fabric that has proper gas permeability, small thickness change in compression, low electrical resistivity in the thickness direction and is suitable as a gas diffusion layer for a solid polymer type fuel cell and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

適度なガス透過性を持ち、圧縮時の厚さ変化率が小さく、厚さ方向の電気抵抗値が低く、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層として好適な炭素繊維織物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Resistor elements are serially connected with an output stage of the inverter 100 by connecting wiring layers 174 and 176 with the high fusion temperature silicide layer 140 of the both sides of the diffusion resistance regions 150A and 150B via a contact 160.例文帳に追加

拡散抵抗領域１５０Ａ，１５０Ｂの両側の高融点金属シリサイド層１４０にコタンクト１６０を介して配線層１７４，１７６を接続することで、インバータ１００の出力段に抵抗素子が直列接続される。 - 特許庁

After a source/drain diffusion layer 8, a first side wall oxide film 9 and a third polycrystalline silicon film 10 which becomes a contact pad are formed; a silicon oxide film is removed by dry etching by using photoresist where an opening is formed in a memory peripheral region alone.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層８、第１の側壁酸化膜９、コンタクトパッドとなる第３の多結晶シリコン膜１０を形成後、メモリ周辺領域のみを開口したフォトレジストをマスクにしてドライエッチによりシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

Subsequently, an Ni film 108 is deposited on the whole surface of the semiconductor substrate 101, and RTA (rapid thermal annealing) treatment is applied to form a nickel silicide film 109 on the upper part of the gate electrode 104 and the upper part of the diffusion layer through self-alignment.例文帳に追加

次に、半導体基板１０１の全面にＮｉ膜１０８を堆積し、ＲＴＡ処理を行い、ゲート電極１０４の上部及び拡散層の上部に自己整合的にニッケルシリサイド膜１０９を形成する。 - 特許庁

The barrier layers 131, 133 are disposed to cover the upper surface and the lateral sides of the metal layers 111, 113, contain a material having a melting point higher than the glass transition temperature of the insulation substrate 101 and prevents diffusion of an atom in the layer of metal.例文帳に追加

障壁膜１３１、１３３は金属膜１１１、１１３の上面と側面を覆うように配置され、絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含み、金属膜原子の拡散を防止する。 - 特許庁

The widths of the first and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are operated as the field alleviating layer correspond to the widths L1 and L3 of the space of the first insulating film pattern, and correspond to the amount of gate overlap.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３の幅は、第１の絶縁膜パターンのスペースの幅Ｌ１、Ｌ３にそれぞれ相当すると共に、ゲートオーバーラップ量に相当する。 - 特許庁

Then heat treatment is carried out by irradiation with an energy beam 19 to diffuse impurity atoms in the silicon film 13 by using the compound layer 18 as an impurity diffusion source, thereby forming a source area 20 and a drain area 21.例文帳に追加

次に、エネルギービーム１９を照射して熱処理を行うことにより、化合物層１８を不純物拡散源としてシリコン膜１３に不純物原子を拡散させてソース領域２０およびドレイン領域２１を形成する。 - 特許庁

To provide a floating gate semiconductor storage device which operates fast with a low voltage and its manufacturing method by decreasing the resistance of a bit line by shortening the total distance of a buried diffusion layer in the bit-line direction.例文帳に追加

ビットライン方向の埋め込み拡散層の総延長距離を短縮して、ビットラインの電気抵抗を低減することにより、高速、低電圧で動作するフローティングゲート型半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve effective manufacturing of a high quality electrolyte film/electrode structure by precisely positioning a solid polymer electrolyte film and a diffusion layer each of a different size with an easy layout and operation.例文帳に追加

互いに大きさの異なる固体高分子電解質膜と拡散層とを、簡単な構成及び工程で、高精度に位置決めすることができ、高品質な電解質膜・電極構造体を効率的に製造することを可能にする。 - 特許庁

Thus, a light ray incident on the screen 100 temporally changes the scatter distribution of a scattered wave, formed as a result of passing through the first light diffusion layer 1, and phase, and thereby reduces or removes scintillation.例文帳に追加

これにより、スクリーン１００に入射した光線は第１の光拡散層１を通過することによって形成される散乱波の散乱分布や位相を時間的に変化させ、シンチレーションを低減ないし除去するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a recess structure with a gate electrode made of Ti, Pt and Au, and suppresses diffusion of Pt or Au on Ti into an AlGaAs layer on a surface of an element region.例文帳に追加

Ｔｉ、ＰｔおよびＡｕからなるゲート電極を有するリセス構造を有し、Ｔｉ上のＰｔ若しくはＡｕが、素子領域表面のＡｌＧａＡｓ層に拡散することを抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy extruded tube made of alloy which has excellent extrudability on molding even if for thin extruded material, has sufficient material strength, and is further excellent in the local corrosion resistance of a low concentration zinc diffusion layer.例文帳に追加

押出材の肉厚が薄い場合でも成形時の押出性に優れ、かつ、十分な材料強度を有すると共に、低濃度亜鉛拡散層の耐局部腐食性に優れた合金からなるアルミニウム合金押出チューブを提供する。 - 特許庁

A projecting part provided on a joined surface side of a positive electrode terminal 50 and a projecting part provided on a joined surface side of a negative electrode terminal 60 in each of the batteries 30 are joined with the wiring layer 26 by diffusion junction, respectively.例文帳に追加

各電池３０の正極端子５０の接合面側に設けられた凸部と配線層２６、および負極端子６０の接合面側に設けられた凸部と配線層２６とは拡散接合により接合されている。 - 特許庁

This sheet material can diffuse the sweat or the like absorbed by the surface side 7a of the base material 7 from the back side 9b of the hydrophilic layer 9 so as to be excellent in providing the diffusion accelerating effect irrelevant to the presence/absence of a seating person 3.例文帳に追加

基材７の表面側７ａで吸い取った汗等を親水層９の裏面側９ｂから発散させることができるので、着座者３の有無に関係なく、発散促進作用が良好に得られる点でも優れている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical member having a light diffusion layer that is formed from a coating liquid satisfying the binder resin solubility while controlling the sedimentation nature of fine particles at the time of coating and that is remarkably improved in light transmission.例文帳に追加

塗布時の微粒子沈降性を制御しつつ、バインダー樹脂溶解性を満足させた塗布液から形成され、光透過性が著しく向上した光拡散層を有した光学部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the exhaust gas is a rich gas, a power supply voltage of a power supply circuit 230 smaller than a set voltage in time of the lean gas is set to the pump cell application voltage, and an oxygen discharge into the porous diffusion layer 101 by the pump cell 110 is suppressed.例文帳に追加

また、排ガスがリッチガスの時、リーンガス時の設定電圧よりも小さい電源回路２３０の電源電圧がポンプセル印加電圧となり、ポンプセル１１０による多孔質拡散層１０１内の酸素排出が抑制される。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises the floating gate 5, a source diffusion layer 2 which is capacitive-coupled with the floating gate 5 and controls the potential of the floating gate 5, and the control gate 7 so disposed as to be opposite to the floating gate 5.例文帳に追加

この半導体メモリは、浮遊ゲート５と、浮遊ゲート５と容量結合され、浮遊ゲート５の電位を制御ゲートするためのソース拡散層２と、浮遊ゲート５と対向するように配置された制御ゲート７とを備えている。 - 特許庁

The method also comprises the step of extracting the grain boundary fault from a potential and carrier density obtained from the capacity-voltage measurement, and a current-voltage measurement by using a depletion layer approximation at the boundary, drift diffusion equation and thermo-ionic emission equation.例文帳に追加

容量-電圧測定から得られたポテンシャルとキャリア密度、および、電流-電圧測定から、粒界での空乏層近似とドリフト拡散方程式とサーモアイオニックエミッション方程式を用いて、粒界欠陥を抽出する。 - 特許庁

A Ni component diffused from a fuel electrode on the opposite side of an LDC material to the LSGM material is captured by the scattered MgO grains to inhibit the diffusion in the electrolyte layer toward the air electrode side.例文帳に追加

ＬＤＣを挟んでＬＳＧＭと反対側に形成されている燃料極から拡散されるＮｉ成分は、この点在しているＭｇＯ粒子によって捕捉され、電解質層中を空気極側へ拡散することが抑制される。 - 特許庁

In the semiconductor device, an NMOS transistor Q11 formed in an NMOS transistor forming region A1 is constituted so that a source-drain region 15 is formed by passing through a buried oxide film 4 to a threshold voltage diffusion layer 18 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ａ１に形成されるＮＭＯＳトランジスタＱ１１において、ソース・ドレイン領域１５は埋め込み酸化膜４を貫通して半導体基板１の閾値電圧制御拡散層１８に達して形成される。 - 特許庁

Etching is carried out, then the photoresist is removed, as shown in Figure (a), a polysilicon plug 11 is left only between the gate electrodes 6 each provided with the gate electrode cover nitride film 5 in the region 12 with the n-type diffusion layer.例文帳に追加

エッチングを行いフォトレジストを除去すると、（ａ）に示すように、ｎ型拡散層を有する領域１２内にゲート電極カバー窒化膜５を有するゲート電極６の間にのみポリシリコンプラグ１１を形成するポリシリコンが残る。 - 特許庁

A polymer binder containing fine powder of a water repellent organic fluorine compound polymer is mixed with carbon black powder, and the resulting mixture is applied onto a carbon fiber nonwoven fabric and solidified by hot press to produce a porous diffusion layer 2 (preparation process).例文帳に追加

撥水性の有機フッ素化合物ポリマーの微粉末を含む高分子バインダーとカーボンブラック粉末とを混合し、カーボン繊維の不織布に塗布した後、ホットプレス法によって固めて多孔質の拡散層２を得る（準備工程）。 - 特許庁

To prevent variation in a gate electrode that becomes a mask of slanting ion implantation when forming a pocket for a semiconductor device having a pocket region formed at the end of an impurity diffusion layer that becomes a source and a drain.例文帳に追加

ソース／ドレインとなる不純物拡散層の端部に形成されるポケット領域を有する半導体装置に関し、ポケット形成の際に斜めイオン注入のマスクとなるゲート電極のバラツキを防止することを目的とする。 - 特許庁

The oxide film 603 exposing over the semiconductor substrate 600 is removed, and a silicide film 607 is formed on the surfaces of the gate electrode 602 and first impurity diffusion layer 605, and then the sidewall 604 is removed.例文帳に追加

半導体基板６００の上に露出する酸化膜６０３を除去した後、ゲート電極６０２及び第１の不純物拡散層６０５の表面部にシリサイド膜６０７を形成し、その後、サイドウォール６０４を除去する。 - 特許庁

Therefore, the emitter diffusion layer 5 is a shallow junction and the impurity concentration of an emitter becomes high, thereby realizing a high-performance semiconductor device which simultaneously obtains a high current amplification factor without reducing an early voltage or emitter-collector voltage resistance.例文帳に追加

従って、エミッタ拡散層５は浅い接合で、且つエミッタの不純物濃度は高くなるので、アーリー電圧やエミッタ・コレクタ耐圧を低下させることなく、同時に高い電流増幅率を得る高性能な半導体装置を実現できる。 - 特許庁

As a result, the dimensions of the isolation structure are limited and defined, thereby allowing a higher packing density than obtainable using conventional processes which include the growth of an epitaxial layer and diffusion of dopant.例文帳に追加

その結果として、上記分離構造の寸法が制限かつ規定され、こうして、エピタキシャル層を成長させる工程とドーパントを拡散させる工程とを含む従来のプロセスを用いて得られるよりも高い実装密度を得ることができる。 - 特許庁

When the protruded electrode 42 containing tin provided at the electronic component comes in contact with the coating layer 33, metal diffusion is hardly generated at the contact part, and an intermetallic compound is restrained from being generated and deposited on the contact part.例文帳に追加

電子部品に設けられたスズを含む突出電極４２が被覆層３３に接触したときに、その接触部で金属の拡散が生じにくく、接触部に金属間化合物が生成されて堆積されるのを抑制できる。 - 特許庁

By this constitution, the mutual flocculation of the rutile type titanium oxide particles is suppressed even in a case that the concentration of the rutile type titanium oxide is enhanced and higher diffusion reflectivity than an existing material having a coating layer can be obtained.例文帳に追加

かかる構成により，ルチル型酸化チタンの濃度を高くした場合でも，ルチル型酸化チタン同士の凝集を抑制できるようになり，既存の被覆層を有する材料より高拡散反射率が得られるようになる。 - 特許庁

A water-repellent layer film is installed at a back face side of an electrode base material 11 in spreading slurry of catalyst particles 14 and fluoride resin particles 15 on the electrode base material 11 at an absorption and filtration step of a gas diffusion electrode manufacturing process.例文帳に追加

ガス拡散電極製造工程の吸引濾過工程で電極基材１１上に触媒粒子１４及びフッ素樹脂粒子１５のスラリーを展開する際に、電極基材１１の背面側に撥水層膜を設置する。 - 特許庁

Either a metal protective film 5 having oxidation-resistance or a metal protective film 5 wherein oxide has conductivity is disposed on an antiferromagnetic layer 2 constituting an extraordinary magnetoresistance effect film 1 via a mutual diffusion preventing film 4.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果膜１を構成する反強磁性層２上に、相互拡散防止膜４を介して、耐酸化性を有する金属保護膜５或いは酸化物が導電性を有する金属保護膜５のいずれかを設ける。 - 特許庁

The A/F sensor 60 on the downstream side outputs a downstream sensor signal according to the oxygen concentration and hydrogen concentration by using oxygen detection ability of zirconia and to changes in the oxygen detection ability corresponding to the hydrogen concentration in a diffusion layer.例文帳に追加

下流側Ａ／Ｆセンサ６０は、ジルコニアの酸素検出能と、拡散層による水素濃度に応じた酸素検出能の変化とを利用して、酸素濃度及び水素濃度に応じた下流側センサ信号を出力する。 - 特許庁