「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon nitride film 41 cuts off the diffusion of hydrogen during the formation of upper-layer films to improve, specially, deterioration in the hot-carrier resistance of the N+ poly-NMOS 37 and the controllability and stability of the resistance value of the polysilicon resistor 35.例文帳に追加

シリコン窒化膜４１は上層膜の形成時における水素の拡散を遮へいし、特に、Ｎ＋ポリＮＭＯＳ２７のホットキャリア耐性の劣化を防止し、ポリシリコン抵抗体３５の抵抗値の制御性及び安定性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing optical thin film capable of suppressing the formation of a diffusion layer that brings about the degradation of reflectance, and reducing light absorption when forming an optical thin film according to an ion beam sputtering method.例文帳に追加

イオンビームスパッタ法により光学薄膜を形成するに際し、反射率低下を招く拡散層の形成を抑制し、光吸収の低減化を図ることが可能となる光学薄膜の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing mutual diffusion of a low melting metal and Si of a Si substrate on a rear surface of the Si substrate while forming a silicide layer on a surface of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板の表面にシリサイド層を形成しつつ、Ｓｉ基板の裏面における低融点金属とＳｉ基板のＳｉとの相互拡散を防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resin composition for producing a biochip, forming a resin composition layer having excellent diffusion controlling properties of an acid generated by light exposure even in a case of little exposure value, and to provide a method for producing the biochip by using the resin composition.例文帳に追加

露光量が少ない場合であっても、露光により発生された酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成できるバイオチップ製造用樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

(2) In the treating liquid to be used for the treatment of a lithographic printing plate having a silver halide emulsion layer and using a silver complex salt diffusion transfer method, the treating liquid contains both of protease and water-soluble gelatin.例文帳に追加

２）ハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理に用いられる処理液において、該処理液がタンパク質分解酵素と水溶性ゼラチンを共に含むことを特徴とする処理液。 - 特許庁

It is also preferable that, in place of the thermal head 8, laser is applied only to the part corresponding to the metal-like image figure 5 and the light diffusion shape 7 of the transparent resin layer 4 is removed or fused by heat of laser application to flatten the surface.例文帳に追加

サーマルヘッド８に代えて、金属調描画図５に相当する部分だけに、レーザーを照射し、その熱により、透明樹脂層４の光拡散形状７を除去、もしくは溶融させて、表面を平滑化させても良い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gas diffusion layer for an electrochemical device using a surfactant not coming under Pollutant Release and Transfer Register, easily decomposing and having high dispersibility; and to provide a mixture used for the same.例文帳に追加

化学物質管理促進法（ＲＴＲ法）該当せずかつ分解し易く分散性が良好な界面活性剤を用いた電気化学デバイス用ガス拡散層の製造方法それに使用される混合体を提供すること。 - 特許庁

The spherical solar cell 1 having a semiconductor spherical crystal (for example, p-type spherical silicon 1b and n-type diffusion layer 1c), a pair of electrodes (for example, positive electrode 1e and negative electrode 1f), and so forth is provided on the dial 14.例文帳に追加

文字板１４上には、半導体の球状結晶（例えば、ｐ型球状シリコン１ｂ、ｎ型拡散層１ｃ）、一対の電極（例えば、正極１ｅ、負極１ｆ）等を備えた球状ソーラセル１が設けられている。 - 特許庁

An impurity region 19 having the same impurity concentration with that of the impurity region 17 is formed at the same depth of that of the impurity region 17 from the surface of the semiconductor substrate 11 in the semiconductor substrate 11 under the diffusion layer 18.例文帳に追加

拡散層１８下で半導体基板１１の表面から不純物領域１７と同じ深さの半導体基板１１内に、不純物領域１７と同じ不純物濃度を持つ不純物領域１９が形成されている。 - 特許庁

The capacitor contains a barrier layer deposited in the electrode for preventing diffusion of a material which is used for reducing the electrical conductivity of the plug, formed for making electrical access to the electrode and a storage node and the electrical conductivity between the electrode and the plug.例文帳に追加

該積層型キャパシタは電極、蓄積ノードに電気的にアクセスするためのプラグ及び電極とプラグとの間の導電率を低減する材料の拡散を防止するための、電極内に堆積されたバリア層を含む。 - 特許庁

The gas diffusion layer electrode base material for the polymer electrolyte fuel cell having a carbon fiber paper is provided with a plurality of through-holes penetrating from one face to the other, with densities and/or pore sizes made different in a plane direction.例文帳に追加

炭素繊維紙を有する高分子電解質型燃料電池用ガス拡散層電極基材において、一方の面から他方の面にわたる貫通孔を複数有し、且つ貫通孔の密度及び／又は孔径が面方向に異なる。 - 特許庁

The RhAl intermetallic coating (24, 32) may serve as an environmental coating (24), a diffusion barrier layer (32) for an overlying environmental coating (24), or both, with or without an outer ceramic coating (26).例文帳に追加

ＲｈＡｌ金属間化合物皮膜（２４，３２）は、外側セラミック皮膜（２６）と共に又はセラミック皮膜なしで、耐環境皮膜（２４）として、耐環境皮膜（２４）用の拡散障壁層（３２）として、又はその両方として役立てることができる。 - 特許庁

A circuit module on which an LED is mounted is formed of aluminum (Al), and a diffusion layer arranged between the circuit module and a liquid cooling jacket is configured with a higher heat transmission efficiency than such a structure that it is configured only of one AlN substrate.例文帳に追加

ＬＥＤがマウントされる回路モジュールをアルミニウム（Ａｌ）で形成し、回路モジュールと液冷ジャケットとの間に配される拡散層を、１のＡｌＮ基板のみで構成されている構造に比べ、熱伝達効率の高い構成にする。 - 特許庁

The light that has been diffused at the light diffusion part 7 and returned toward the inside of the light-emitting device 1, among the light emitted from the LED31, is reflected on the high reflection layer 22 and then directed toward the outside of the light-emitting device 1 again.例文帳に追加

ＬＥＤ３１から出射された光のうち、光拡散部７において拡散されて発光装置１の内部方向へ戻ってきた光は、高反射層２２により反射され、再び発光装置１の外部方向へ向かう。 - 特許庁

To provide an electrode in which sufficiently good ohmic contact state can be sustained for the bonding face to the compositional body of a thermocouple even if a material susceptible to formation of an oxide film is employed in a diffusion preventive layer.例文帳に追加

拡散防止層の材料に酸化膜が形成されやすい材料が用いられていても、熱電対の構成体との接合面に対して十分に良好なオーミック接触状態を維持できる電極構造を提供する。 - 特許庁

To provide a vertical type insulated gate field effect transistor reduced in the number of manufacturing process compared with that of a conventional field effect transistor, without increasing the rate of an area occupied by the chip of a bidirectional Zener diode formed in the same chip by the shape of a diffusion layer as the protective diode of a power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの保護用ダイオードとして同一チップに拡散層で形成される双方向ツェナーダイオードのチップに占める面積割合を増加させずに従来より製造工程数を低減させる。 - 特許庁

A light- diffusing layer 6 disposed on the front face side of the image output plane is formed by disposing a plurality of square diffusion sheets 16a in such a manner that the four sides of each sheet are parallel to the pixel lines running in the oblique directions R1, R2.例文帳に追加

画像出力面の前面側に配置された光拡散層６は、４辺がそれぞれ斜め方向Ｒ１、Ｒ２に延びる画素列と平行になるような四角形状の拡散シート１６ａを複数枚配設して構成される。 - 特許庁

The laminated wire 19 is electrically connected to the impurity diffusion layer 3 through the pattern 7 for conduction, so electric charges can be prevented from being accumulated in the laminated wire 19, and the etching can be prevented from being deterred owing to the accumulation of the electric charges.例文帳に追加

積層配線１９は導通用パターン７を介して不純物拡散層３に電気的に接続されているので、積層配線１９への電荷の蓄積を防止でき、電荷の蓄積に起因するエッチングの抑制を防止できる。 - 特許庁

That is, the UV light entering the exposure mask film is diffused by the diffusing layer and condensed while the light transmitting the light condensing film so as to suppress diffusion of the UV light at the stage of reaching the surface of the photosensitive material.例文帳に追加

すなわち、露光用マスクフィルムへ入射する紫外光を、拡散層で拡散させ、集光フィルムを透過する際に集光させることによって、感光材の表面に達する段階で紫外光の拡散を抑制する。 - 特許庁

The ratio Rsch of a region on a Schottky junction 7 to a region of an anode electrode 1, the cell pitch W, the diffusion depth Xj of a p+ anode layer 2 meet a relation W<K(Xj/Rsch) with K set to 5 or less.例文帳に追加

ショットキー接合部７の領域のアノード電極１の領域に対する割合Ｒsch と、セルピッチＷと、Ｐ^+ アノード層２の拡散深さＸJ の関係を、Ｗ＜Ｋ（Ｘj ／Ｒsch ）を満足させながら、Ｋの値を５以下とする。 - 特許庁

When the passages are blocked by water drops attached in the gas passages 2, reaction gas gas-leaks through a gas diffusion layer 13 on the outer surface of an electrode (an anode or a cathode) of a membrane electrode assembly, and flows in the recessed grooves 12.例文帳に追加

ガス流路２に水滴が付着して流路閉塞した時、反応ガスは膜電極接合体の電極（アノード電極又はカソード電極）外面のガス拡散層１３を介してガスリークし、前記凹溝１２内に流入する。 - 特許庁

The battery can 21 is molded in a cylindrical shape with a bottom by performing deep drawing so as to make one surface of a base material M1, wherein an iron-nickel diffusion layer 91 is formed on one surface of a steel plate 92, become inside.例文帳に追加

本発明の電池缶２１は、鋼板９２の一方面に鉄−ニッケル拡散層９１を形成した基材Ｍ１を一方面が内側になるようにして深絞り加工を行い有底筒状に成形したものである。 - 特許庁

The alumina layer B1 provided by a diffusion permeation method is high in surface hardness, and for example, a crack and a pore are less than a coating film by a thermal spraying method, and slurry abrasion and the cavitation erosion of the sliding surface can be effectively restrained.例文帳に追加

又、拡散浸透法によって得られたアルミナ層Ｂ１は表面硬度が高く、例えば、溶射法による被膜よりも亀裂や気孔が少なく、摺動面のスラリー摩耗とキャビテーション壊食を効果的に抑制することができる。 - 特許庁

To provide an acid transferable resin composition forming a resin composition layer having excellent selectivity for acid diffusion, and to provide a method for manufacturing a biochip, and the biochip formed by the method for manufacturing the biochip.例文帳に追加

酸の拡散の選択性に優れる樹脂組成物層を形成できる酸転写性樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法、並びにこのバイオチップの製造方法により形成されたバイオチップを提供する。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery which can prevent reduction of battery capacity by inhibiting transfer (diffusion) of lithium from a facing portion to a non-facing portion of a negative electrode active material layer, and a secondary battery system including the lithium ion secondary battery.例文帳に追加

負極活物質層の対向部から非対向部へのＬｉの移動（拡散）を抑制して、電池容量の低下を抑制可能なリチウムイオン二次電池、及び、このリチウムイオン二次電池を備える二次電池システムを提供する。 - 特許庁

To provide: a lithium ion secondary battery suppressing decrease in the battery capacity by suppressing diffusion of lithium ions to a portion not participating in discharge out of a negative electrode active material layer; and to provide a vehicle mounted with the lithium ion secondary battery; and battery mounting equipment.例文帳に追加

負極活物質層のうち放電に関与できない部位へのリチウムイオンの拡散を抑制して、電池容量の低下を抑制可能なリチウムイオン二次電池、これを搭載した車両及び電池搭載機器を提供する。 - 特許庁

A protective film 41 is formed by oxidizing or nitriding the surface side of a semiconductor substrate, and a plurality of extended diffusion layer regions 21, 22 and 23, each of which contains conductive impurity are formed under the protective film.例文帳に追加

半導体基板の表面側を酸化又は窒化せしめることによって保護膜４１を形成し、当該保護膜下に伸張し且つ何れかの導電型の不純物を各々が含む複数の拡散層領域２１，２２，２３を形成する。 - 特許庁

A PMOS transistor Q21 formed in a PMOS forming region A2 is constituted so that a source and drain region 25 is formed by passing through the buried oxide film 4 to a threshold voltage diffusion layer 28 of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＰＭＯＳ形成領域Ａ２に形成されるＰＭＯＳトランジスタＱ２１において、ソース・ドレイン領域２５は埋め込み酸化膜４を貫通して半導体基板１の閾値電圧制御拡散層２８に達して形成される。 - 特許庁

To provide a method for heat-treating a semiconductor substrate capable of satisfactorily activating an impurity diffusion layer without causing temperature unevenness or a hot spot on the semiconductor substrate, and to provide a heat treatment device.例文帳に追加

半導体基板に温度むらやホットスポットを生じさせることなく、不純物拡散層を充分に活性化させ、かつ、不純物拡散層を所望のプロファイルにすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

The stabilizing layer (42) is sufficient to inhibit diffusion of aluminum from the overlay coating (24) into the substrate (22) so that the substrate (22) remains essentially free of an SRZ (36) that would be deleterious to the mechanical properties of the alloy.例文帳に追加

この安定化層（４２）はオーバーレイ皮膜（２４）から基材（２２）中へのアルミニウムの拡散を抑制するのに十分であるので、基材（２２）は合金の機械的特性に有害なＳＲＺを本質的に含まないままである。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

The gate structure is a structure with a Pt-Ti-O region composed of amorphous titanium that oxygen is doped in the grain boundary 6 (including grain boundary near-field region 7) among platinum microcrystals 5 and a platinum-titanium diffusion layer.例文帳に追加

ゲート構造において、プラチナ微結晶５間の結晶粒界６（粒界近傍領域７を含む）に酸素をドープした非晶質のチタン、プラチナ−チタン拡散層からなるＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を形成した構造とする。 - 特許庁

To enhance machinability of dry etching while preventing the compositional elements of ferroelectric or highly dielectric material, i.e., Ti or Pb, from intruding into an SiO2 film or a semiconductor layer through diffusion.例文帳に追加

強誘電体材料や高誘電率材料の構成元素であるＴｉやＰｂなどがＳｉＯ_2 膜や半導体層に拡散して侵入するのを防止しながら、ドライエッチングによる加工性を向上させたキャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 2 and a polysilicon film 3 for an electrode whose thickness is 200 nm are formed on a semiconductor substrate 1, and ion injection 4 is carried out with a polysilicon film 3 for an electrode as a mask so that an impurity diffusion layer 5 can be formed.例文帳に追加

半導体基板１上に、ゲート絶縁膜２と厚さ２００ｎｍの電極用ポリシリコン膜３とを形成した後、電極用ポリシリコン膜３をマスクとしてイオン注入４を行ない、不純物拡散層５を形成する。 - 特許庁

The magnetic powder is obtained by coating the surface of a transition metal oxide particle containing rare-earth elements with an alkali earth metal hydroxide layer, heating it, performing vapor phase reduction and slow oxidization, and further executing a reduction diffusion method.例文帳に追加

この磁性粉末は、希土類元素含有遷移金属酸化物粒子の表面を、アルカリ土類金属水酸化物層で被覆し、これを加熱し、気相還元および徐酸化した後、さらに還元拡散法を施すことにより得られる。 - 特許庁

An electromagnetic absorbing material includes a conductive carbon material containing layer, and a plurality of independent pattern which is desirably formed by a diffusion transferring process, formed by a metal.例文帳に追加

導電性炭素材料含有層と金属で形成された複数の独立したパターンを含むことを特徴とする電磁波吸収材料であって、好ましくは、当該パターンが、拡散転写法によって形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

A gas sensor element 1 has: an oxygen ion conductive solid electrolyte 11; a measured gas side electrode and a reference gas side electrode provided to the solid electrolyte 11; and a porous diffusion resistance layer 17 which transmits measured gas.例文帳に追加

ガスセンサ素子１は、酸素イオン伝導性の固体電解質体１１と固体電解質体１１に設けられた被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と被測定ガスを透過させる多孔質の拡散抵抗層１７とを有する。 - 特許庁

A charge accumulation film and a gate electrode 105 are formed on a semiconductor layer, and two first conductivity diffusion regions A and B are formed in semiconductor layers on both sides of a channel region formed below the gate electrode 105.例文帳に追加

半導体層上に電荷蓄積膜とゲート電極１０５を形成し、ゲート電極１０５の下部に形成されたチャネル領域の両側の半導体層に２つの第１導電型の拡散領域Ａ及びＢを形成する。 - 特許庁

In one embodiment, the method includes preparing the surface of the diffusion barrier layer not substantially containing an element metal and forming a metal film on at least a part of the surface by deposition using an organic metal precursor.例文帳に追加

１つの態様において、この方法は、元素金属を実質的に含まない拡散バリア層の表面を用意し、この表面の少なくとも一部分に有機金属前駆体を使用して被着により金属膜を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a fuel cell system capable of supplying stable voltage in a wide range from a low load region to a high load region and having an electrode diffusion layer substrate preventing the dryness of a membrane-electrode assembly to a high degree.例文帳に追加

低負荷領域から高負荷領域までの広い範囲において、安定した電圧を供給することができ、膜−電極接合体の乾燥を高度に防ぐ電極拡散層基材を有する燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

After a gate electrode 4 is formed of silicon on a silicon substrate 1 through a gate insulating film 3, the silicon substrate 1 is implanted with impurities to form a diffusion layer 7 becoming a source or a drain in regions sandwiching the gate electrode 4.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート絶縁膜３を介してシリコンからなるゲート電極４を形成した後、シリコン基板１に不純物を注入して、ゲート電極４を挟む領域にソースまたはドレインとなる拡散層７を形成する。 - 特許庁

To provide a method of diffusion capable of uniformly forming a second conductive semiconductor layer for a great amount of crystal silicon particles and further to provide a photoelectric conversion device at low cost having high performance and high reliability.例文帳に追加

大量の結晶シリコン粒子に対して均一に第２の導電型の半導体層を形成することのできる拡散方法を提供し、さらに低コストかつ高性能で信頼性の高い光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

The temperature monitoring wafer 10 is manufactured in which a high concentration n-type epitaxial growth layer 12 is formed on a p-type silicon substrate 11, and the coating by the coating film is conducted in order to prevent diffusion of the water as a whole to the external side of impurity.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１１上に高濃度のＮ型エピタキシャル成長層１２が形成されており、ウェーハ全体が不純物の外方への拡散を阻止するコーティング膜でコーティングされている温度モニタウェーハ１０を作成する。 - 特許庁