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「etch process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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etch processの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 115



例文

MASK ETCH PROCESS例文帳に追加

マスクエッチングプロセス - 特許庁

The head slider may be produced with a two step etch process, as opposed to a three step etch process.例文帳に追加

ヘッドスライダは、3ステップエッチングプロセスとは対照的に、2ステップエッチングプロセスで作製してもよい。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR MONITORING ETCH PROCESS例文帳に追加

エッチング処理をモニタリングする方法およびシステム - 特許庁

The method and system for monitoring the etch process is provided.例文帳に追加

エッチング処理をモニタリングする方法および装置である。 - 特許庁

例文

THERMAL F2 ETCH PROCESS FOR CLEANING CVD CHAMBER例文帳に追加

CVDチャンバーのクリーニングのためのサーマルF2エッチングプロセス - 特許庁


例文

The etch process may be a multiple etch process to provide better edge and thickness control when forming the taper.例文帳に追加

エッチングプロセスは、テーパを形成する場合に、優れたエッジおよび厚み制御を提供するために多重エッチングプロセスであってもよい。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING ACCURACY AND REPEATABILITY OF ETCH PROCESS例文帳に追加

エッチングプロセスの精度及び反復性を制御する装置及び方法 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVEMENT OF ALUMINUM METALLIZED STRUCTURE FOR TUNGSTEN ETCH BACK PROCESS例文帳に追加

タングステン・エッチ・バック処理のためのアルミニウム金属化組織の改良方法。 - 特許庁

The process (2) is to etch the copper foil 2 adhered by the process (1) to form a predetermined mesh pattern 20.例文帳に追加

(2)工程(1)で貼り合わせた銅箔2をエッチングして所定のメッシュパターン20を形成する。 - 特許庁

例文

A post-etch treatment system is described for removing photoresist remnants and etch residues formed during an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムは、記載されている。 - 特許庁

例文

METHOD FOR ADJUSTING CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN ETCH PROCESS例文帳に追加

エッチング処理において限界寸法の均一性を調節するための方法 - 特許庁

To provide a method for monitoring improved an etch process in manufacturing an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路の製造において改善されたエッチング処理のモニタリング技術。 - 特許庁

A method of using a post-etch treatment system for removing photoresist remnants and etch residues formed during an etching process is described.例文帳に追加

エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。 - 特許庁

IN-SITU POST ETCH PROCESS TO REMOVE REMAINING PHOTORESIST AND RESIDUAL SIDEWALL PASSIVATION例文帳に追加

残存フォトレジスト及び残留側壁パッシベーションを除去する、その場でのポストエッチング工程 - 特許庁

The non-ionic excited species such as hydrogen radical and fluorine radical are used to perform a channel etch process.例文帳に追加

水素ラジカルやフッ素ラジカルなどの非イオン性励起種でチャネルエッチ工程を実施する。 - 特許庁

The anisotropic etching process and the isotropic etching process are alternately repeated to etch the color filter on the support member 32.例文帳に追加

異方性エッチング処理と等方性エッチング処理とを交互に繰り返して支持体32上のカラーフィルタをエッチングする。 - 特許庁

Using measuring information (for example, critical dimensions (CD), layer thickness) provided ex-situ on the etch process combining with in-situ monitoring (for example, spectroscopic, interference measurement, scattering measurement, and reflectivity measurement) which is performed during the etch process, the etch process may be monitored.例文帳に追加

エッチング処理の間に実施されたインサイチューモニタリング(例えば、分光、干渉計測、散乱計測、反射率計測など)と組合せて、エッチング処理に対してエクスサイチューで提供された測定情報(例えば、限界寸法(CD)、層の厚さなど)を用いて、エッチング処理がモニタリングされても良い。 - 特許庁

Damaged LiNbO_3 has an etch rate much faster than undamaged LiNbO_3 and an annealing process is not necessary for forming an etch stopping layer.例文帳に追加

損傷を受けたLiNbO_3は未損傷LiNbO_3よりもはるかに速いエッチングレートを有し、エッチストップ層を形成するためにアニールプロセスは必要ではない。 - 特許庁

An etching process is performed to etch the spacer layer 460 so that spacers may remain at sidewalls of a pattern structure of the mold mask pattern 450, and to etch the mask layer 432 in the second region.例文帳に追加

モールドマスクパターン450のパターン構造物の側壁に複数のスペーサが残留するようにスペーサ層460をエッチングし、第2領域でマスク層432をエッチングする。 - 特許庁

To provide methods for forming anisotropic features for high aspect ratio application in etch process.例文帳に追加

エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To electroless-etch an aluminum foil when roughening the aluminum foil for an electrolytic capacitor through an etching process.例文帳に追加

電解コンデンサ用アルミニウム箔をエッチングによって粗面化する際に、無電解でのエッチングを可能にする。 - 特許庁

To provide a structure in which a first metal interconnection is not exposed in an etch-back process for an SOG film, in a process for manufacturing a multi-layer interconnection structure body.例文帳に追加

多層配線構造体の製造工程のSOG膜のエッチバック工程で、第1の金属配線を露出しない構造とする。 - 特許庁

By co-injecting or premixing the deposition or etch precursor gas and film purification compound prior to injection, the deposition or etch process may be optimized with respect to growth/etch rate and achievable material purity.例文帳に追加

付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長/エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 - 特許庁

The method further includes pumping a purge gas into the upper process zone to remove polymer etch species from the upper process zone.例文帳に追加

この方法は、更に、上方処理ゾーンへとパージガスを送り込むことで上方処理ゾーンから重合体エッチング種を除去することを含む。 - 特許庁

To prevent both sides of a tunnel insulating layer from being excessively etched in a subsequent floating gate etch process.例文帳に追加

後続のフローティングゲートエッチング工程時にトンネル絶縁膜の両側が過度にエッチングされるのを防止すること。 - 特許庁

A thin damaged layer 37b on an upper face of a contact plug 37b is formed by means of accelerated ions in an etch-back process.例文帳に追加

コンタクトプラグの上部表面にエッチバック工程時加速化されたイオンにより損傷層が薄く形成される。 - 特許庁

In this process, the contacts are established only through overlaps between the openings in the hard mask and openings in the etch mask layer.例文帳に追加

この工程で、ハードマスク及びエッチマスク層双方の開口部が重複する部分のみで、接点が確立される。 - 特許庁

The conductivity of the thin film on the side wall is enhanced by ion bombardment carried out periodically during the etch process.例文帳に追加

側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 - 特許庁

In an etch process using the hard mask pattern, a contact hole (112) through which a semiconductor substrate (100) is exposed is formed.例文帳に追加

このハードマスクパターンを用いたエッチング工程で半導体基板(100)が露出されるコンタクトホール(112)を形成する。 - 特許庁

Using the ex-situ measuring information combining with the in-situ monitoring, for example, an end point of the etch process, an etch depth profile of a feature formed on a substrate, and fault detection in a manufacturing process of the integrated circuit may be monitored.例文帳に追加

インサイチューモニタリングと組合せてエクスサイチュー測定情報を使って、例えば、エッチング処理の終点、基板上に形成された外観のエッチング深度プロフィール、集積回路製造プロセスの欠陥検出などをモニタリングしても良い。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing a semiconductor device including a post plasma clean process capable of sufficiently removing post etch residues associated with a hardmask.例文帳に追加

ハードマスクと関係するエッチ後残留物を充分に除去できるポストプラズマ洗浄プロセスを有する、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a method to form silicon dioxide films that have an extremely low wet etch rate in HF solution using a thermal CVD process, ALD process or cyclic CVD process.例文帳に追加

熱CVDプロセス、ALDプロセス又はサイクリックCVDプロセスを用いてHF溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

The CD measurements may be utilized to adjust the etch process, thereby improving the accuracy and repeatability of device fabrication.例文帳に追加

このCDの測定値は、エッチングプロセスを調整するために利用され、デバイス製造の精度及び反復性を改善する。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter having an antireflection film and an etch stop film which can be formed in a simplified process.例文帳に追加

反射防止膜及びエッチングストップ膜を設けるための工程を簡素化できる光電変換装置を提供する。 - 特許庁

Or nitriding with a decomposition product of the gas containing nitrogen atom in molecule may be used instead of the channel etch process.例文帳に追加

または,分子中に窒素原子を含んだガスの分解生成物で窒化することでチャネルエッチ工程の代替とする。 - 特許庁

In a pre-metal process, an ozone TEOS film is once etched back so that an etch stop film on a gate structure is exposed after the ozone TEOS film is formed on an etch stop film.例文帳に追加

しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。 - 特許庁

After a resist process is carried out, the hard mask 320 is patterned; the polymer layer 330 is etched, and then the etch stop layer 380 is removed.例文帳に追加

レジストプロセスをした後、ハードマスク320をパターニングし、ポリマー層330をエッチングした後、エッチング停止層380を除去する。 - 特許庁

To provide a method for forming element isolation forming element isolation on a semiconductor substrate without the need to provide an etch back process.例文帳に追加

エッチバック工程を設けなくても半導体基板に素子分離を形成することができる素子分離形成方法を提供する。 - 特許庁

MULTI-STEP DEP-ETCH-DEP (DEPOSITION-ETCHING-DEPOSITION) HIGH-DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR FILLING DIELECTRIC GAP例文帳に追加

誘電ギャップ充填用のマルチステップ堆積・エッチング・堆積(DEP−ETCH−DEP)高密度プラズマ化学気相堆積プロセス - 特許庁

To provide a high-voltage transistor device with an interlayer dielectric (ILD) etch stop layer for use in a subsequent contact hole process.例文帳に追加

後続するコンタクト・ホール工程で使用される層間絶縁(ILD)エッチング停止層を有する高電圧用トランジスタ・デバイスを提供する。 - 特許庁

That process includes a process to etch an insulating material which adjoins a channel in the element separation trench 2, preventing a part of the channel from being covered.例文帳に追加

この工程は、素子分離用トレンチ2内においてチャネルに隣接した部分の絶縁材料をエッチングして、チャネルの一部が覆われないようにする工程を含んでいる。 - 特許庁

In the landing plug contact forming method, an existing CMP process is not used for a poly-silicon recess for isolating the landing plug contact (LPC), but an etch-back process of two steps is used.例文帳に追加

本発明では、ランディングプラグコンタクト(LPC)の分離のためのポリシリコンリセス(Recess)のために、既存のCMP工程を用いず、2ステップのエッチバック工程を用いる。 - 特許庁

The method of controlling dimensions of structures formed on the substrate using the etching process includes a step 204 of measuring pre-etching dimensions of the respective elements of a patterned etching mask, a step 206 of adjusting the process recipe of the etching process using the results of the pre-etch measurements, and a step 208 of adjusting the process recipe of the etching process, using the patterned etch mask.例文帳に追加

エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の寸法を制御する方法がパターン化されたエッチングマスクのそれぞれの素子のエッチング前の寸法を測定するステップ204、前記エッチング前の測定結果を用いてエッチングプロセスのプロセスレシピを調整するステップ206及びパターン化されたエッチングマスクを用いてエッチングプロセスを行い、プロセスレシピを調整するステップ208を有する。 - 特許庁

The dielectric layer on the substrate surface is removed using an etch process such that a portion of the dielectric layer underlying each spacer remains.例文帳に追加

各スペーサの下の誘電体層の部分があとに残るようなエッチング・プロセスを使用して、基板表面の誘電体層が除去される。 - 特許庁

The sidewalls of the gate may be exposed through an etching process in which a silicide layer formed over the blocking layer is used as an etch mask.例文帳に追加

ブロッキング膜上に形成されたシリサイド膜をエッチングマスクとして使用するエッチング工程を通じてゲートの側壁は露出される。 - 特許庁

A pattern of spacer pedestals is created by deposition and etch back, or by a surface etch process to precisely reference surface information from a master surface to a carrier wafer 12 to a thin optically transmissive wafer 14.例文帳に追加

マスタ表面からキャリヤ・ウェーハ12への表面情報を薄い光透過型ウェーハ14に正確に引用するために、付着およびエッチ・バックによって、あるいは表面エッチ・プロセスによってスペーサ・ペデスタルのパターンが生成される。 - 特許庁

An STI (shallow trench isolation) film 7 is formed in the peripheral regions of a wafer 1 where a TiN/Ti film is exposed in a subsequent etch- back process.例文帳に追加

ウェハ1の周辺領域のうち、後の工程のエッチバック時において、露出するTiN/Ti膜領域にSTI膜7を形成する。 - 特許庁

A planarization process (d) by a chemical and mechanical polishing method or etch back method is introduced before the removal of the resist mask 4 used for processing tracks.例文帳に追加

トラック加工に用いたレジストマスク4の除去前に化学的機械研磨法あるいはエッチバック法による平坦化工程(d)を導入する。 - 特許庁

To provide a superior etching liquid which can secure high stability and process margin, and which can uniformly taper-etch a metal layer, including copper.例文帳に追加

高い安定性と工程マージンを保障し、銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができる優れたエッチング液を提供する。 - 特許庁

例文

This allows the total ion milling etch mask thickness to be well controlled before the ion milling process used to define the sensor side walls.例文帳に追加

これにより、イオンミリングプロセスを使用してセンサ側壁を画定する前に、イオンミリングエッチングマスクの合計厚を適切に制御することが可能である。 - 特許庁




  
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