「etch process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The method further includes evacuating the lower process zone, generating a plasma in an external chamber from a polymer etch precursor gas, and introducing a by-product from the plasma into the lower process zone.例文帳に追加

本発明は更に下方処理ゾーンから排気し、重合体エッチング前駆体ガスから外部チャンバ内でプラズマを発生させ、プラズマからの副生成物を下方処理ゾーンへと導入することを含む。 - 特許庁

A borderless contact process and a self-aligned contact process are simultaneously carried out by assuring an adequate width between the gate electrodes 118a and 118b and by forming contact holes after forming the etch preventing film.例文帳に追加

ゲート電極１１８ａ、１１８ｂ間の幅を十分に確保し、エッチング防止膜を形成した後コンタクトホールを形成することで、ボーダーレスコンタクト工程と自己整列コンタクト工程を同時に行う。 - 特許庁

To plasma-etch thin film of non-single-crystalline silicon with a high selection ratio of etching with an apparatus of a simple constitution and with a simple process in the method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、簡単な装置構成及び工程によって、高いエッチング選択比で非単結晶シリコン薄膜をプラズマエッチングする。 - 特許庁

After that, the surface of the worked pattern is made smooth by applying, an etch to the roll surface of the mold roll base material so as to form a final molding pattern at the process 103.例文帳に追加

その後、金型ロール基材のロール面に腐食処理（エッチング処理）を施して加工パターンの表面を滑らかにし、最終的な成型パターンを形成する（工程１０３）。 - 特許庁

To materialize the simplification of an etch back process for flattening the top of an insulated isolation trench, and secure the flatness of the top of the insulated isolation trench enough at the same time.例文帳に追加

絶縁分離トレンチの上部を平坦化するためのエッチバック工程の簡略化を実現し、同時に絶縁分離トレンチ上部の平坦性を十分に確保すること。 - 特許庁

Except for the back-etch and the gas-sensitive layer formation, all other layers including the tungsten resistive heater 6, are made using a CMOS process employing tungsten metallization.例文帳に追加

当該エッチバック工程及びガス感受性層の形成工程を除いて、タングステンヒーター６を含む他のすべての層は、タングステン金属化を用いたＣＭＯＳプロセスが利用される。 - 特許庁

To improve charge transfer efficiency by preventing a film decrease due to a resist etch back process for flattening and forming a charge transfer electrode of uniform film thickness.例文帳に追加

平坦化のためのレジストエッチバック工程に起因する膜減りを防止し、均一な膜厚の電荷転送電極を形成することにより電荷転送効率の改善を図る。 - 特許庁

Then, a nitride layer is deposited over the entire sample and subsequently removed by an etch process such that only a portion of the nitride film ("plug") remains.例文帳に追加

サンプル全体を覆って窒化物層が堆積され、そしてこの窒化物層は、後で、前記窒化物膜の部分（「プラグ」）だけがあとに残るようなエッチング・プロセスを用いて除去される。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon wafer includes a process to lap a wafer cut down from a silicon single crystal ingot, a process to print a laser mark with a depth of no smaller than 10 μm on the rear surface of the lapped wafer, a process to etch the wafer wherein the laser mark has been printed.例文帳に追加

本発明によるシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハをラッピングする工程と、ラッピングされたウェーハの裏面に深さ１０μｍ以上のレーザマークを印字する工程と、レーザマークが印字された前記ウェーハをエッチングする工程を有している。 - 特許庁

The combined process involves texturing the non-conductive substrate with a cobalt etch and applying a sulfide to the textured non- conductive substrate to provide an electrically conductive surface on the non- conductive substrate.例文帳に追加

非導電性基体にコバルトエッチングでテクスチャーを付け、続いてスルフィドをテクスチャーを付けた非導電性基体へ施用して、非導電性基体上に導電性表面を提供することを含む。 - 特許庁

In this regard, the etch release process is selective or preferential to the material(s) securing the mechanical structures 20a, 20b, 20c in relation to the material comprising the anchors 30a, 30b, 30c.例文帳に追加

エッチング解放プロセスは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃをアンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃを構成する材料に固定する材料に対し、選択的又は優先的である。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing a semiconductor device for improving manufacturing yield without damaging the surface of a semiconductor region in a flattening etch back process.例文帳に追加

平坦化のエッチバック工程で半導体領域の表面に損傷を与えることがなく、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置の製造方法の実現を課題とする。 - 特許庁

The spring set provides planar motion while reducing undesired out of plane motion, which makes MEMS devices substantially insensitive to the process-induced etch angle variations of the spring elements.例文帳に追加

該バネセットは、面運動を提供し、同時に、望ましくない面外運動を低減し、ＭＥＭＳデバイスを、該バネ要素のプロセス誘発エッチング角度ばらつきに対し実質的に鈍感にする。 - 特許庁

In addition, in plasma processing apparatus having a dual power control, at a given application of power to the plasma generation source, the stability of the plasma is extended by increasing the pressure in the etch process chamber.例文帳に追加

さらに、2重電力制御を有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生源にある電力を適用するとき、エッチング処理チャンバの圧力を増すと、プラズマの安定性が拡大する。 - 特許庁

After removal of the silicon nitride film 113, a thermal oxidation film 117 and a photo resist 119 are deposited and subjected to a full-surface etch-back process to expose the thermal oxidation film 117 on the element region.例文帳に追加

シリコン窒化膜１１３を除去後、熱酸化膜１１７及びフォトレジスト１１９を堆積し、全面エッチバックを行って、素子領域上の熱酸化膜１１７を露出する。 - 特許庁

A silicon nitride oxide film 3a and a silicon nitride film 2 after the reduction process are used as a mask to etch the silicon substrate 1, thereby forming the trench on a principal surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

還元処理後のシリコン窒化酸化膜３ａとシリコン窒化膜２とをマスクとしてシリコン基板１をエッチングすることにより、シリコン基板１の主表面にトレンチを形成する。 - 特許庁

An edge based image transfer process includes depositing an etch-masking medium, for example, a nitride on the sidewall of a mesa and removing the mesa so as to leave the sidewall structure.例文帳に追加

エッジ・ベースのイメージ転写プロセスは、メサの側壁上にエッチマスキング媒体を、例えば、窒化物を付着させることと、メサを除去させることを含み、それにより側壁構造が残される。 - 特許庁

Alternately, a patterned photoresist may be used to allow for an etching process to selectively etch back the thickness of a spacer which was deposited in a single deposition.例文帳に追加

または、単一の被着物（deposition）中に被着されたスペーサーの厚さをエッチングで選択的に削るためのエッチング処理が可能となるように、パターン成形がなされたフォトレジストを用いてもよい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which manufacturing process can be simplified by employing TaC as a material for a mask used to etch SiC.例文帳に追加

ＴａＣをＳｉＣのエッチングを行なうためのマスクの素材として採用可能とすることにより、製造工程を簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for fabricating an acoustic resonator arranged on a substrate (202) provided with a surface (204) includes a process for etching a depression part (206) on the surface (204), a process for filling the depression part (206) with sacrificial material, a process for forming an acoustic resonator provided with an etch hole (220) on the substrate and a process for subsequently removing the sacrificial material.例文帳に追加

表面（２０４）を備えた基板（２０２）上に配置された音響共振器を製造する方法は、表面（２０４）に凹部（２０６）をエッチングする工程と、凹部（２０６）を犠牲材料で充填する工程と、エッチング孔（２２０）を備えた音響共振器を基板上に形成する工程と、その後犠牲材料を除去する工程とを含む。 - 特許庁

The plasma etching method is to etch the base material to be processed by repeating alternately the deposition step S09 by a deposition gas and the etching step S11 by an etching gas, and intervenes an exhaust process providing exhaust steps S10, S13 for exhausting a process gas once when the process gas is switched.例文帳に追加

このプラズマエッチング法は、デポジッションガスによるデポジッション工程Ｓ０９とエッチングガスによるエッチング工程Ｓ１１とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングするものであり、プロセスガスを切り替える際に一旦そのプロセスガスを排気する排気工程Ｓ１０，Ｓ１３を設けた排気工程を介在させた。 - 特許庁

The etching method includes a first process which arranges droplets including a thin film forming material on a substrate, a second process which dries the droplets and forms a dry film of a narrower width than a diameter of the droplets at arrangement described above, and a third process to etch using the dry film as an etching protective film.例文帳に追加

本発明は、基板上に膜形成材料を含む液滴を配置する第１工程と、前記液滴を乾燥し、前記配置時の液滴の径よりも狭い幅の乾燥膜を形成する第２工程と、前記乾燥膜をエッチング保護膜としてエッチングする第３工程と、を含むエッチング方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

By repeating the deposit process and the etch-back process, the thickness of the second mask 16 (18) is adjusted to have a desired thickness, and by repeating the thickness adjustment of the second mask and the in-opening etching process, the inner side face of the opening (the recessed section 19) is substantially inclined.例文帳に追加

堆積工程とエッチバック工程とを繰り返すことにより、第２マスク１６（１８）の厚さを所望の厚さに調整し、この第２マスクの厚さの調整と、開口部内エッチング工程とを繰り返すことにより、開口部（凹部１９）の内側面を実質的に傾斜させる、傾斜形状の加工方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, since the sidewall nitride film is formed on the sidewall of the bit line 6 without requiring an etch-back process, the nitride film having a constant film thickness can be formed on the sidewall of the bit line 6 as compared with the SAC structure.例文帳に追加

また、エッチバックを必要とせずに、ビット線６の側壁に窒化膜を形成するため、 ＳＡＣ構造に比べて、ビット線６の側壁に一定の膜厚を有する窒化膜を容易に形成できる。 - 特許庁

To provide an aqueous composition which is used to remove bulk photoresists, post-etch and post-ash residues, residues from Al back-end-process interconnection structures, and contaminants; and a method for using the composition.例文帳に追加

本発明はバルクフォトレジスト、ポストエッチ及びポストアッシュ残渣、Ａｌバックエンド工程相互接続構造からの残渣、並びに混入物を除去するための水系配合物及びそれを使用する方法に関する。 - 特許庁

Simultaneously with beam illumination of a work piece, a deposition or etch precursor gas is co-injected or premixed with a purification compound and (optionally) a carrier gas prior to injection into a process chamber.例文帳に追加

加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。 - 特許庁

Then resist is subjected to an etch-back process on the entire surface under conditions of reducing a gap between adjacent lenses so as to transfer the resist pattern to the base lens material to form a lens array 22A having reduced gaps.例文帳に追加

この後、隣接するレンズの間隔を縮小させる条件で全面エッチバック処理を行い、レジストパターンを下地のレンズ材に転写し、ギャップを縮小したレンズアレイ２２Ａを形成する。 - 特許庁

At that time, on the surface of an exposure part 4 of the convex part 2 exposed from the resist 5, the gas molecules 6 are dissociated by the radiated propagation lights through a heat insulation process, so as to etch the exposure part 4.例文帳に追加

このとき、凸部２のレジスト５からの露出部４の表面において、照射した伝搬光によりガス分子４を断熱過程を経て解離させることによって露出部４がエッチングされる。 - 特許庁

A damascene feature is etched in the organic planarizing layer through a process for supplying CO_2 containing etching gas and generating plasma to etch the planarizing layer from the CO_2 containing etching gas.例文帳に追加

ＣＯ_2 含有エッチングガスを提供すること、および該ＣＯ_2 含有エッチングガスから、有機平坦化層をエッチングするプラズマを生成すること、を含むプロセスによって、有機平坦化層内に、特徴がエッチングされる。 - 特許庁

Further, the 2nd transparent conductive film 12 is selectively etched, so a wet etching process using chemical liquid to selectively etch the 2nd transparent conductive film 12 is added to prevent the 2nd transparent conductive film 12 from peeling.例文帳に追加

また、第２の透明導電性膜１２を選択的にエッチングする薬液でのウェットエッチング処理を追加することにより、第２の透明導電性膜１２の膜剥がれを防止することができる。 - 特許庁

By conducting a process of partially forming a mask on the surface of a substrate and a process of forming concave portions by etch-removing a portion of the surface of the substrate which is not covered with the mask by a dry etching method in this order, concave-convex portions are formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。 - 特許庁

In some embodiments, the thickness of the cavity is maintained constant by incorporating an etching stop layer into the device and then thinning the layer of the device by a process which terminates on the etch-stop layer.例文帳に追加

幾つかの実施形態においは、当該装置にエッチング停止層を組込み、次いで該エッチング停止層上で停止するプロセスによって、当該装置の層を薄膜化することにより、前記キャビティの厚さは一定に維持される。 - 特許庁

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished.例文帳に追加

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。 - 特許庁

To provide a processing method which can easily remove the leftovers occurring at dry etching of an insulating film within a contact hole and also can etch an aluminum film to form an electrode, in a process of manufacturing a liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶パネルを製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、同時に、電極を形成するアルミニウム膜のエッチングも出来る処理方法を提供する。 - 特許庁

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished.例文帳に追加

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。 - 特許庁

The mask pattern to etch the film to be etched is formed by etching the organic film of the multilayer resist along the resist pattern using a plasma obtained by making a process gas containing carbon dioxide and hydrogen into the plasma.例文帳に追加

前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。 - 特許庁

A protective layer is formed on a wiring part 3 by a procedure, containing a process for electrodepositing electrodeposition resin by covering the wiring part 3, a process for partially forming a resist layer 5 on a substrate 1 which has the wiring part 3 on an insulating layer 2 where an electrodeposition resin layer 4 is formed and a process for etch-processing the substrate, where the resist layer 5 is formed in part.例文帳に追加

配線部３を覆って電着樹脂を電着する工程、電着樹脂層４が形成された絶縁層２上の配線部３を有する基板１に部分的にレジスト層５を形成する工程、部分的にレジスト層５が形成された基板をエッチング処理する工程を含む手順により配線部３の上に保護層を形成する。 - 特許庁

The etching method includes a process to form a layer of Al or Al alloy on a surface of a substrate, a process to treat the surface of the layer of Al or Al alloy with TMAH, a process to form a resist pattern on the surface of the Al or Al alloy layer treated with TMAH, and a process to wet-etch the Al or Al alloy layer with the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

下地表面上にＡｌまたはＡｌ合金の層を形成する工程と、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層の表面をＴＭＡＨで処理する工程と、前記ＴＭＡＨで処理したＡｌまたはＡｌ合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層をウエットエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent variations in the thickness of an interlayer insulating film during formation of a multi-layered wiring structure, by a resist etch back process to thereby obtain a semiconductor device having a stable capacity between wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造のレジストエッチバックによる形成プロセスにおいて、層間絶縁膜厚の変動を防ぎ、配線層間容量の安定した半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for this compound semiconductor equipment comprises a process of letting silica of 1×10^16 cm^-3 to 8×10^17 cm^-3 contained in a first semiconductor layer 25 composed of p-type nitride compound or a first semiconductor layer 26 composed of i-type nitride compound, each of which contains magnesium, and then process to etch the first semiconductor layers 25 and 26.例文帳に追加

化合物半導体装置の製造方法は、マグネシウムを含有する、ｐ型若しくはｉ型の窒化物系化合物からなる第１半導体層２５、２６に１×１０^16ｃｍ^-3〜８×１０^17ｃｍ^-3の珪素を含有させる工程と、その後、第１半導体層２５、２６をエッチングする工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a flash memory and a method of manufacturing the same, wherein a process is simplified and problems which may occur during progress of the process are prevented, by securing common source characteristics of the same Rs (sheet resistance) or lower without advancing a field oxide etch step when advancing an RCS (Recessed Common Source) process.例文帳に追加

ＲＣＳ（Ｒｅｃｅｓｓｅｄ Ｃｏｍｍｏｎ Ｓｏｕｒｃｅ）工程を進行するとき、フィールドオキサイドエッチングステップ（Ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ ｅｔｃｈ ｓｔｅｐ）を進行せずに、同一のＲｓ（面抵抗）以下の共通ソース特性を確保することで、工程を単純化するとともに、工程進行中に発生しうる問題を防止できるフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which includes an etch-back process that prevents the generation of the etching residue of a tungsten film or a titanium nitride film at the time of forming a tungsten plug having a small plug loss and hence can make stable etching possible with less wiring defect.例文帳に追加

プラグロスの小さいタングステンプラグを形成する際に、タングステン膜または窒化チタン膜のエッチング残渣の発生を防止し、配線不良が少なく安定したエッチングを可能にするエッチバック工程を備えた半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a copper foil with a carrier easy to handle, superior in workability of a laminating process, and of course realizing a high bonding strength with a board and a large Ef(etch factor) value even with a fine wiring pattern having a line breadth and a pitch between wires of about 30 μm.例文帳に追加

線幅や線間ピッチが３０μm前後のファインな配線パターンの場合であっても大きいＥｆ値と、基板との高い接合強度を実現できるのは勿論のこと、取扱も容易で、積層工程の作業性に優れるキャリヤー付き銅箔を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, a cluster tool suitable for process integration in manufacture of a photomask includes a vacuum transfer chamber having coupled thereto at least one hard mask deposition chamber jointly having three RF power sources and at least one plasma chamber configured so as to etch chromium.例文帳に追加

フォトマスク製造におけるプロセス集積に適したクラスターツールは、少なくとも１つの、３つのＲＦ電源を併せ持つハードマスク堆積チャンバと、クロムをエッチングするように構成された少なくとも１つのプラズマチャンバとを結合している真空移送チャンバを含んでいる。 - 特許庁