「etchback」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The interlayer insulating film 207 is planarized by etchback, using the silicon nitride film 206 as the stopper layer.例文帳に追加

次に、窒化シリコン膜２０６をストッパ層として、層間絶縁膜２０７をエッチバックにより平坦化する。 - 特許庁

The gate electrode is formed by performing etchback without forming a resist pattern, after a polysilicon film is formed.例文帳に追加

ゲート電極は、ポリシリコン膜を成膜した後、レジストパターンを形成することなくエッチバックすることにより形成される。 - 特許庁

The STI 2 is subjected to etchback processing, and its upper surface is formed to have a height lower than the upper surface of the floating gate electrode 4b.例文帳に追加

ＳＴＩ２はエッチバック処理され、その上面はフローティングゲート電極４ｂの上面よりも低い高さに形成されている。 - 特許庁

To form an element isolation in a semiconductor substrate, even though an etchback process is not provided.例文帳に追加

エッチバック工程を設けなくても半導体基板に素子分離を形成することができる素子分離形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for reducing occurrence of etchback failure caused by warpage in an outer periphery of a body to be treated.例文帳に追加

被処理体の外周反りに起因するエッチバック不良の発生を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A side wall 40 where an etchback is formed on the side of a contact hole 23 is provided for preventing cavities from being easily formed when the lower-side W plug is formed by the blanket method.例文帳に追加

コンタクトホール２３の側面にエッチバック形成したサイドウォール４０を設け、下側Ｗプラグをブランケット法で形成する際に空洞が出来にくくする - 特許庁

Next, etchback of the first insulating film is performed to leave the first insulating film only on a side wall of the first aperture of the silicon oxide film 120, and thus, a side wall part is formed.例文帳に追加

次いで、第１絶縁膜をエッチバックすることにより、シリコン酸化膜１２０の第１開口部における側壁のみに、第１絶縁膜を残存させて、側壁部を形成する。 - 特許庁

Next, an upper potion of the polysilicon film 5 that is to be gate electrodes 6, 7 is exposed, and for areas that are to be source and drain portions, the insulating film is left using CMP or an etchback process (ST16).例文帳に追加

次に、ＣＭＰもしくはエッチバック法を用いて、ゲート電極６、７となるポリシリコン膜５の上部を露出させ、ソース及びドレイン部分となる領域は絶縁膜を残す（ＳＴ１６）。 - 特許庁

After a polysilicon film 108 is deposited in the interior of the contact hole and on the film 105, etchback is conducted on the film 108 to form a contact plug 109 in the film 105.例文帳に追加

コンタクトホールの内部及びＢＰＳＧ膜１０５の上にポリシリコン膜１０８を堆積した後、ポリシリコン膜１０８に対してエッチバックを行なってコンタクトプラグ１０９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high reliability that can improve a step coverage property of an upper conductive layer (metal wiring) by performing an etchback or an Ar sputter etch on the entire surface of the interlayer insulating film again after a W plug is formed in a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールへのＷプラグ形成後に、再度、層間絶縁膜全面エッチバック又は、Ａｒスパッタエッチを施すことにより、上層導電層（メタル配線）の段差被覆性の向上を図り得る、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the burying process of the W plug, the W film is etched back while a silicon substrate is electrostatically attracted to the stage, electrostatic attraction in the silicon substrate is cancelled once during an etchback, and then the silicon substrate is electrostatically attracted to the silicon substrate again.例文帳に追加

上記Ｗプラグを埋め込む工程は、シリコン基板をステージに静電吸着した状態で、Ｗ膜にエッチバックを行い、このエッチバックの途中で、シリコン基板の静電吸着を一旦解除した後、再びシリコン基板をステージに静電吸着するものである。 - 特許庁

By depositing a side wall material containing phosphor such as PSG by approximately 20% on the side surface of an opening by several 10-100 nm, and performing etchback, side walls 15a and 15b containing phosphor are formed while they are adjacent to the side walls 10a and 10b containing boron, respectively.例文帳に追加

開口部の側面に、ＰＳＧ等のリンを１〜２０％程度含むサイドウォール材料を数１０〜１００ｎｍの膜厚で堆積し、エッチバックを施すことにより、ボロン含有サイドウォール１０ａ，１０ｂそれぞれに隣接してリン含有サイドウォール１５ａ，１５ｂを形成する。 - 特許庁

Further, a nitride film is deposited, the thickness is measured by forming an extremely thin lamination gate insulation film with a thickness of approximately 2 nm, and the etchback treatment of the nitride film is made by using an etching agent with a slow etching speed when the thickness of the lamination gate insulation film exceeds specifications, thus keeping the thickness within specifications.例文帳に追加

さらに、窒化膜を堆積して、例えば２ｎｍ程度の極薄の積層ゲート絶縁膜を形成してその厚みを測定し、積層ゲート絶縁膜の厚みがスペックをオーバーしていると、エッチング速度の小さいエッチング剤を用いて窒化膜のエッチバック処理を施し、厚みをスペック内に収める。 - 特許庁

An element isolation protection film 21 that is made of resist is deposited on an entire surface including an element isolation insulation film 11 and a stack cell electrode 17 on a semiconductor substrate 10, an etchback is made, and an exposed region 11a of the element isolation insulation film 11 is covered with an element isolation protection film 21.例文帳に追加

半導体基板１０上に素子分離絶縁膜１１及びスタックセル電極１７を含む全面にわたって、レジストからなる素子分離保護膜２１を堆積し、エッチバックを行なって素子分離絶縁膜１１の露出領域１１ａを素子分離保護膜２１で覆う。 - 特許庁

A charge transfer region a is provided on a silicon substrate 10, a charge transfer electrode 12 and a photoelectric conversion region b are formed to surround the charge transfer region a, and etchback is performed over the entire surface after a shading film 14 and an antireflection film 15 are deposited to leave the sidewall film 15' of the antireflection film 15 on the side of the charge transfer electrode 12.例文帳に追加

シリコン基板１０に電荷転送領域ａを設け、電荷転送領域ａを覆うように電荷転送電極１２と光電変換領域ｂを形成し、遮光膜１４および反射防止膜１５を堆積してから全面エッチバックを行い、電荷転送電極１２の側面に反射防止膜１５のサイドウォール膜１５’を残す。 - 特許庁