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etchbackとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 エッチバック
「etchback」を含む例文一覧
該当件数 : 20件
To improve throughput by preventing the enlargement of a seam in etchback.例文帳に追加
エッチバック時のシーム拡大を防ぎ、スループットを向上させる。 - 特許庁
Trench gate is formed by the formation and etchback of a polysilicon film.例文帳に追加
次に、ポリシリコン膜の形成及びエッチバックにより、トレンチゲートを形成する。 - 特許庁
In this case, since flat properties before etchback are superior, flattening is made further uniformly.例文帳に追加
このとき、エッチバック前の平坦性が優れているので、さらに均一に平坦化することができる。 - 特許庁
Therefore, a process to apply etchback to the hole transfer layer 14 and the electron transfer layer 16 is cut.例文帳に追加
従って、ホール輸送層１４や電子輸送層１６をエッチバックする工程が削減される。 - 特許庁
The same result is obtained also by forming an oxide film by means of wet oxidation and repeating etchback.例文帳に追加
同様な結果は、湿式酸化によって酸化膜を形成し、エッチバックを繰り返すことによっても得られた。 - 特許庁
The interlayer insulating film 207 is planarized by etchback, using the silicon nitride film 206 as the stopper layer.例文帳に追加
次に、窒化シリコン膜２０６をストッパ層として、層間絶縁膜２０７をエッチバックにより平坦化する。 - 特許庁
The gate electrode is formed by performing etchback without forming a resist pattern, after a polysilicon film is formed.例文帳に追加
ゲート電極は、ポリシリコン膜を成膜した後、レジストパターンを形成することなくエッチバックすることにより形成される。 - 特許庁
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Weblio例文辞書での「etchback」に類似した例文 |
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etch back
はね返る.
go back over
（着物なら）to turn a coat inside out―（誤ってなら）―turn a coat the wrong side out―（遊里の詞にては）―make a second visit （to a prostitute）
to send someone or something back
振り返る.
ひっくり返る
ひっくり返すこと
「etchback」を含む例文一覧
該当件数 : 20件
The STI 2 is subjected to etchback processing, and its upper surface is formed to have a height lower than the upper surface of the floating gate electrode 4b.例文帳に追加
ＳＴＩ２はエッチバック処理され、その上面はフローティングゲート電極４ｂの上面よりも低い高さに形成されている。 - 特許庁
To form an element isolation in a semiconductor substrate, even though an etchback process is not provided.例文帳に追加
エッチバック工程を設けなくても半導体基板に素子分離を形成することができる素子分離形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device for reducing occurrence of etchback failure caused by warpage in an outer periphery of a body to be treated.例文帳に追加
被処理体の外周反りに起因するエッチバック不良の発生を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A side wall 40 where an etchback is formed on the side of a contact hole 23 is provided for preventing cavities from being easily formed when the lower-side W plug is formed by the blanket method.例文帳に追加
コンタクトホール２３の側面にエッチバック形成したサイドウォール４０を設け、下側Ｗプラグをブランケット法で形成する際に空洞が出来にくくする - 特許庁
Next, etchback of the first insulating film is performed to leave the first insulating film only on a side wall of the first aperture of the silicon oxide film 120, and thus, a side wall part is formed.例文帳に追加
次いで、第１絶縁膜をエッチバックすることにより、シリコン酸化膜１２０の第１開口部における側壁のみに、第１絶縁膜を残存させて、側壁部を形成する。 - 特許庁
Next, an upper potion of the polysilicon film 5 that is to be gate electrodes 6, 7 is exposed, and for areas that are to be source and drain portions, the insulating film is left using CMP or an etchback process (ST16).例文帳に追加
次に、ＣＭＰもしくはエッチバック法を用いて、ゲート電極６、７となるポリシリコン膜５の上部を露出させ、ソース及びドレイン部分となる領域は絶縁膜を残す（ＳＴ１６）。 - 特許庁
After a polysilicon film 108 is deposited in the interior of the contact hole and on the film 105, etchback is conducted on the film 108 to form a contact plug 109 in the film 105.例文帳に追加
コンタクトホールの内部及びＢＰＳＧ膜１０５の上にポリシリコン膜１０８を堆積した後、ポリシリコン膜１０８に対してエッチバックを行なってコンタクトプラグ１０９を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a high reliability that can improve a step coverage property of an upper conductive layer (metal wiring) by performing an etchback or an Ar sputter etch on the entire surface of the interlayer insulating film again after a W plug is formed in a contact hole.例文帳に追加
コンタクトホールへのＷプラグ形成後に、再度、層間絶縁膜全面エッチバック又は、Ａｒスパッタエッチを施すことにより、上層導電層（メタル配線）の段差被覆性の向上を図り得る、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁
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