「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of forming the laminated structure for metal wiring includes a barrier layer formation step for forming the barrier layer containing at least either TaSiN or WSiN for preventing copper from being diffused over the substrate directly or indirectly on the substrate, and a copper layer formation step for forming the copper layer mainly composed of copper as the base layer of the copper layer for wiring.例文帳に追加

金属配線のための積層構造の形成方法は、基板上に直接又は間接的に、該基板への銅の拡散を防止するためのＴａＳｉＮ及びＷＳｉＮの少なくとも一方を含むバリア層を形成するバリア層形成ステップと、前記バリア層上に、配線用銅層の下地層としての銅層であって銅を主成分とする銅層を形成する銅層形成ステップとを含む。 - 特許庁

To prevent the film decrease of a bonding pad, and dispense with the formation of a buffer material layer, and enable the reduction in the number of processes, at the time of formation of the bonding pad in a solid-state image pickup element.例文帳に追加

固体撮像素子におけるボンディングパッド部の形成に際し、ボンディングパッド部の膜減りを防止し、バッファ材層の形成を不要にし、工程数の削減を可能にする。 - 特許庁

A gate structure 6 and a low-concentration diffusion layer that becomes LDD regions 15, 21 are formed in a high breakdown voltage MOS transistor formation region and a high-drive MOS transistor formation region.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタ形成領域と高駆動ＭＯＳトランジスタ形成領域とにゲート構造６と、ＬＤＤ領域１５，２１となる低濃度拡散層を形成する。 - 特許庁

The lower photo resist 6 is developed after a repair processing and the rib formation member layer is selectively removed by using the remaining two layers of upper and lower photo resist patterns 62, 64, 72 as resist masks for pattern formation.例文帳に追加

リペア処理後に下側フォトレジスト６を現像し、残存する上下２層のフォトレジストパターン６２，６４，７２をパターン形成用レジストマスクとしてリブ形成部材層を選択除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing composite particles for electrochemical element which is superior in roll formation, and by which the active material layer of an electrochemical element electrode can be manufactured at high formation speed.例文帳に追加

ロール成形性に優れ、電気化学素子電極の活物質層を高い成形速度で製造することが可能な電気化学素子電極用複合粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The lower electrode 12 used as the base of the organic layer is so formed on a substrate 11 as to have a polished surface 12A obtained by polishing film formation layers 12a and 12b by film formation divided in multiple times.例文帳に追加

基板１１上に、有機層の下地となる下部電極１２が複数回に分けた成膜による成膜層（１２ａ，１２ｂ）を研磨した研磨面１２Ａを有するように形成される。 - 特許庁

In addition, a band circular recess 5 surrounding the outer circumference of the element formation area 3 is formed around the outer circumference of the element formation area 3 in the surface layer part of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

また、半導体基板２の表層部には、素子形成領域３の外周を取り囲む帯環状凹部５が素子形成領域３の外周に沿って形成されている。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device according to an embodiment comprises: a polishing step; a first amorphous silicon film formation step; a monocrystallization step; and a buffer layer formation step.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、研磨工程、第１のアモルファスシリコン膜形成工程、単結晶化工程、及びバッファ層形成工程を有する。 - 特許庁

To reduce an aspect ratio in contact formation, and to suppress any conduction failure resulting from failure in contact formation by suppressing height from a semiconductor substrate to a first layer metal wiring.例文帳に追加

半導体基板から１層目メタル配線までの高さを低く抑えることにより、コンタクト形成時にアスペクト比を小さくできて、コンタクト形成時の不良による導通不良を抑制する。 - 特許庁

Thus, respective originally required processes for forming one of the extraction electrode and the isolation layer (resist formation, its opening pattern formation and ion implantation, etc., for instance) can be omitted.例文帳に追加

このため、本来必要であって、当該引出し電極及び分離層の一方を形成するための各工程（例えば、レジスト形成、その開口パターン形成、イオン注入等）が省略できる。 - 特許庁

In a sputtering film formation method of an insulating layer using a target formed of at least two kinds of oxide, the target is preliminarily processed by discharging it at oxygen partial pressure higher than that in film formation.例文帳に追加

少なくとも２種類以上の酸化物からなるターゲットを用いた絶縁層のスパッタ成膜法において、成膜時より高い酸素分圧で放電させてターゲットを前処理する。 - 特許庁

Substantially, the same insulating resin composite is used for a solder resist layer formation resin and resin filler in a through hole.例文帳に追加

ソルダーレジスト層形成樹脂とスルーホール内樹脂充填材に本質的に同じ絶縁性樹脂組成物を用いる。 - 特許庁

The oxidized layer avoids formation of separated ways in a circuit of the tunnel magneto-resistance element and prevents the reduction of magneto-resistance.例文帳に追加

酸化層はトンネル磁気抵抗素子の回路に分路が形成されることを回避して磁気抵抗低下を防止する。 - 特許庁

To suppress the formation of waving and warps in a silicon carbide single crystal layer and to improve the crystal characteristics of the silicon carbide single crystal.例文帳に追加

炭化珪素単結晶層のうねりや反りを抑制し、炭化珪素単結晶の結晶性を良好にする。 - 特許庁

Furthermore, in a fabrication process, a substrate provided with a supporting member on the surface is employed as a substrate covering the device formation layer side.例文帳に追加

また、素子形成層側を覆う基板として、作製工程において表面に支持体を有する基板を用いる。 - 特許庁

To suppress formation of a solid layer near an interface and to enhance treatment capacity.例文帳に追加

界面の付近に固形物層が形成されるのを抑制することができ、処理能力を高くすることができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing a three-dimensionally shaped object capable of appropriately dealing with sinking upon formation of solidification layer.例文帳に追加

固化層形成時の沈み込みに好適に対処した「三次元形状造形物の製造方法」を提供すること。 - 特許庁

To provide a submarine cable connecting method which enables formation of an external conductor layer having sufficient adaptability.例文帳に追加

充分な順応性を備えた外部導体層を形成することのできる海底ケーブルの接続方法を提供する。 - 特許庁

To improve the effect of the positioning method of a donor web for an OLED base material to accelerate the formation of an organic material layer.例文帳に追加

有機材料層の形成を促進するためにOLED基材に対するドナーウェブの位置決め方法の効果を高めること。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device suppressing characteristic degradation by limiting formation of a conductive layer.例文帳に追加

導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

ALIGNMENT POST OBTAINED BY PHOTOLITHOGRAPHY METHOD, DEVICE STRUCTURE OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY PROVIDED WITH OPTICAL INTERFERENCE LAYER AND ITS FORMATION例文帳に追加

フォトリソグラフ法によるアライメント・ポスト及び光学干渉層を備えた液晶ディスプレイのデバイス構造及びその形成方法 - 特許庁

The light shielding film 28 covers the region of the semiconductor layer where the stress distortion is generated by the formation of the contact 25.例文帳に追加

遮光膜２８は、コンタクト２５の形成により応力歪みが生じる半導体層の領域を覆うものである。 - 特許庁

To provide a damascene wiring formation method having a seed layer with superior step coverage characteristics, and a structure formed by the method.例文帳に追加

ステップカバレージ特性が優秀なシード層を有するダマシン配線形成方法およびその構造体を提供する。 - 特許庁

To suppress the reaction of an Al pad and an Au wiring layer due to the formation of a bonding wire on the Al pad.例文帳に追加

Ａｌパッド上にボンディングワイヤを形成することによるＡｌパッドとＡｕ配線層との反応を抑制すること。 - 特許庁

A semiconductor layer in which a thickness of a source region or a drain region is larger than that of a channel formation region is formed.例文帳に追加

ソース領域又はドレイン領域の膜厚がチャネル形成領域の膜厚よりも厚い半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a technique for facilitating dimensional control of the width (W) of a lower layer in formation of a resist pattern for lift-off.例文帳に追加

リフトオフ用レジストパターンの形成において、下層の幅（Ｗ）の寸法制御を容易とする技術を提供する。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR MAGNETIZED FREE LAYER OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AS WELL AS TUNNEL JUNCTION TYPE REPRODUCING HEAD, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子の磁化自由層の形成方法ならびにトンネル接合型再生ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

Formation for the layer of an adhesive agent is preferably carried out by using a solution of an adhesive agent diluted by an alcoholic water solution.例文帳に追加

接着剤層の形成は、アルコール水溶液で希釈した接着剤溶液を用いて行われることが好ましい。 - 特許庁

The film thickness of the formation layer 103 for the transistor 201 is made thin.例文帳に追加

又、完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ２０１の単結晶シリコンデバイス形成層１０３の膜厚を薄くしている。 - 特許庁

In the pattern formation step, a pattern 111 for measuring shift in position and a first pattern 101 are formed in a first layer.例文帳に追加

パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。 - 特許庁

The formation of the crystallization accelerating layer 3 is carried out by using a Bi target and introducing a gaseous Ar-N2 mixture.例文帳に追加

結晶化促進層３の成膜は、Ｂｉからなるターゲットを用い、アルゴンと窒素の混合ガスを導入して行う。 - 特許庁

A wiring 9 is provided at a circumference of the wiring formation inhibition region 7 on the top surface of the upper-layer insulator film 5.例文帳に追加

上層絶縁膜５の上面の配線形成禁止領域７の周囲には配線９が設けられている。 - 特許庁

At this time, upon formation of the bubble layer S, a foaming agent for shielding gas filling including keratin protein is used.例文帳に追加

このとき、泡沫層Ｓの形成にあたり、ケラチンタンパク質を含むシールドガス充填用発泡剤が用いられている。 - 特許庁

The formation of the adhesive agent layer is desirably be performed by using an adhesive agent solution diluted with an alcohol water solution.例文帳に追加

接着剤層の形成は、アルコール水溶液で希釈した接着剤溶液を用いて行われることが好ましい。 - 特許庁

Accordingly, formation of the level difference in a cathode protection layer 18 installed on the cathode 17 can be evaded.例文帳に追加

したがって、陰極１７上に設けられる陰極保護層１８内で段差が形成されるのを回避することができる。 - 特許庁

B_4C is an excellent barrier against silicide formation while the silicide layer formed at the Si boundary is well controlled.例文帳に追加

Ｂ_4Ｃは、シリサイド形成に対する優れたバリアであり、Ｓｉ境界に形成されるシリサイド層は充分に制御される。 - 特許庁

The conductive primer layer 7 is grounded and an electrified pattern formation material 9 is given in the state of un-hardening.例文帳に追加

導電プライマー層７を接地し、ベースコート層６が未硬化の状態で、帯電させた模様形成材料９を付与する。 - 特許庁

As a result, formation of a liquid-tight layer between a substrate opposed surface 50a and a flat region FP is prevented, without fail.例文帳に追加

その結果、基板対向面５０ａと平面領域ＦＰの間に液密層が形成されるのを確実に防止する。 - 特許庁

In the formation of each stage, a next thermoplastic propellent is formed inside a solidified thermoplastic propellent layer.例文帳に追加

各段の形成において、固化した熱可塑性推進薬の層の内側に次段階の熱可塑性推進薬を形成する。 - 特許庁

The non-formation portion of fluorescent layer 12 is covered at both ends 2c, 2d, 3c, 3d, 4c and 4d of U-shaped valves 2, 3, and 4.例文帳に追加

Ｕ字状に屈曲されたバルブ２，３，４の両端部側２ｃ，２ｄ，３ｃ，３ｄ，４ｃ，４ｄに、蛍光体層１２の非形成部を設ける。 - 特許庁

To provide a substrate for a photosensitive drum which can omit the formation of an under-coating layer and a photosensitive drum using this substrate.例文帳に追加

アンダーコート層の形成を省略することがきる感光ドラム用基体、及び該基体を用いた感光ドラムを得る。 - 特許庁

To provide an intermediate layer formation substance for an organic electroluminescent element and an organic electroluminescent element using the same.例文帳に追加

有機電界発光素子用の中間層形成物質及びそれを用いた有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a deposition system in which the formation of a carbon-containing layer can be suppressed, and a deposition method.例文帳に追加

炭素含有層が形成されることを抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the partition layer 9 is usable as a mask for the formation of the opening 5a in the gate insulating film 5.例文帳に追加

これによりゲート絶縁膜５の開口５ａを形成する際のマスクとして隔壁層９を用いることを可能にした。 - 特許庁

To improve film formation speed by forming a thin film by means of atomic layer deposition using a shower head nozzle.例文帳に追加

シャワーヘッドノズルを用いた原子層成長方法による薄膜の形成で、成膜速度を向上できるようにする。 - 特許庁